RU1797091C - Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена - Google Patents

Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена

Info

Publication number
RU1797091C
RU1797091C SU894706118A SU4706118A RU1797091C RU 1797091 C RU1797091 C RU 1797091C SU 894706118 A SU894706118 A SU 894706118A SU 4706118 A SU4706118 A SU 4706118A RU 1797091 C RU1797091 C RU 1797091C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
selenium
layer
carrier
photosensitive layer
substrate
Prior art date
Application number
SU894706118A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Петрович Петриченко
Андрей Геннадиевич Лавренович
Владимир Николаевич Кондратюк
Вячеслав Васильевич Григоренко
Александр Васильевич Григоренко
Original Assignee
Харьковский государственный университет им.А.М.Горького
Научно-Технический Кооператив "Селен"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Харьковский государственный университет им.А.М.Горького, Научно-Технический Кооператив "Селен" filed Critical Харьковский государственный университет им.А.М.Горького
Priority to SU894706118A priority Critical patent/RU1797091C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1797091C publication Critical patent/RU1797091C/ru

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

Сущность изобретени  заключаетс  в следующем. Цилиндрическую подложку электрографического носител  нагревают со стороны внутренней поверхности ее. Нагревание осуществл ют при 75-90 С не менее 5 мин. После нагрева подложку обрабатывают жидким азотом.

Description

Изобретение относитс  к электрогра- фии и предназначено дл  сн ти  фоточувствительного сло  селена при реставрации отечественных и зарубежных электрофотографических цилиндров.
Известен способ восстановлени  электрографического носител  с фоточувствительным слоем на основе селена, заключающийс  в том, что удаление сло  цилиндрической подложки производ т путем погружени  цилиндра в жидкий азот с выдержкой в течение 10-15 мин, в результате чего слой отслаиваетс  от подложки и оседает на дно ванны,
Недостатком известного способа  вл етс  то , что данный способ не позвол ет удал ть слой при толщине, равной 40-50 мкм, а также при наличии подсло  из окисленного селена. Кроме того, данный способ совершенно не позвол ет удал ть композиционные покрыти  на основе селена, такие, как триселенид мышь ка Аз25ез и сблен, легированный теллуром и фосфором, а так
же покрыти  с цилиндров к аппаратам РХ7000 (так называемый сплав № 6).
Цель изобретени  - расширение технологических возможностей за счет обеспечени  удалени  тонких слоев и слоев на основе селеносодержащих композиций.
Сущность изобретени  заключаетс  в том, что перед обработкой предварительно производ т нагрев внутренней поверхности подложки на воздухе при не менее 5 мин, а затем охлаждают при температуре жидкого азота,
Проведение предварительного нагрева внутренней поверхности цилиндрической подложки приводит к кристаллизации внутренних слоев селена, примыкающих к по- вехности подложки. При последующем охлаждении за счет большей разности коэффициентов термического расширени  между кристаллическим селеном и аморфным происходит полно отслаивание сло . Охлаждение электрофотографического носител  до азотных температур без
ел С
vi о
3
о
предварительного нагрева не позвол ет полностью очистить подложку от сло . На цилиндрах типа Rank Xerox 7000 drum, где электрофотографический слой состоит из легированного селена, отслоение электрофотографического сло  вообще не происходит , если слой предварительно не подвергнут кристаллизации.
Нагрев цилиндра до температуры менее 75°С не приводит к полной кристаллизации слоев на основе селена и легированного селена. В результате этого не происходит полного обсыпани  сло  при температуре жидкого азота.. .
0
5
. Нагрев подложки выше 90°С не имеет смысла, так как кристаллизаци  сло  при этой температуре и выше протекает самопроизвольно с выделением тепла.
Врем  нагрева менее 5 мин не приводит к полной кристаллизации сло  и в результате при температуре жидкого азота подложка очищаетс  не полностью.
Врем  нагрева более п ти минут не приводит к улучшению результата и поэтому лишено смысла. При охлаждении предварительно нагретого носител  азотом дл  удалени  сло  достаточно его погрузить в азот на 3-5 мин.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ восстановлени  электрографического носител  с фоточувствитёльным слоем на основе селена путем удалени  сло  с цилиндрической подложки при обработке ее жидким азотом, о т л и ч а ю щ и йс   тем, что, с целью расширени  технологических возможностей за счет обеспечени  удалени  тонких слоев и слоев на основе селеносодержащих композиций, перед обработкой жидким азотом осуществл ют нагрев внутренней поверхности подложки при 75-90°С не менее 5 мин.
SU894706118A 1989-06-15 1989-06-15 Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена RU1797091C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894706118A RU1797091C (ru) 1989-06-15 1989-06-15 Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894706118A RU1797091C (ru) 1989-06-15 1989-06-15 Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1797091C true RU1797091C (ru) 1993-02-23

Family

ID=21454606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894706118A RU1797091C (ru) 1989-06-15 1989-06-15 Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1797091C (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 649603, кл. G 03 G 21/00, 1977. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960035771A (ko) 단결정 실리콘내의 산소 침착 생성핵 중심 농도 제어 방법 및 그 방법에 의해 제조된 단결정 실리콘 웨이퍼들로 이루어진 웨이퍼 세트
US4710442A (en) Gradient layer panchromatic photoreceptor
RU1797091C (ru) Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена
JPS5814841A (ja) 電子写真用感光体の製造方法
EP0426369B1 (en) A method of manufacturing an electrophotographic photoconductor drum
US3926715A (en) Method of epitactic precipitation of inorganic material
JPH0461069B2 (ru)
JPS60249336A (ja) 半導体シリコン基板の処理方法
JPS6117404A (ja) セレンの製造方法
SU903994A1 (ru) Способ очистки изол торов
JPS5811944A (ja) 電子写真用感光体の製造方法
SU947808A1 (ru) Способ изготовлени электрофотографического носител
JPH03131506A (ja) 高純度Seまたは高純度Se合金の製造方法
SU957157A1 (ru) Способ изготовлени электрофотографического материала
JP2735422B2 (ja) ルチル単結晶の処理方法
JPH0217101B2 (ru)
JP2906761B2 (ja) 銅被覆ポリイミド基板の熱処理方法
JPS61127149A (ja) 薄膜アルミニウム配線基板の製造方法とその製造装置
JPH04175300A (ja) シリコン単結晶の熱処理方法
Bensahel et al. A comparison between furnace and cw laser annealing of a-Si: evidence of different crystallization states
KR100415366B1 (ko) Ⅱ-ⅵ족화합물반도체결정의표면청정화방법
SU908849A1 (ru) Способ термической обработки резонаторов из элинварных сплавов
SU414762A1 (ru)
JPS60254143A (ja) 電子写真用感光体の製造方法
SU957158A1 (ru) Способ изготовлени электрофотографического материала