RU1797091C - Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена - Google Patents
Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селенаInfo
- Publication number
- RU1797091C RU1797091C SU894706118A SU4706118A RU1797091C RU 1797091 C RU1797091 C RU 1797091C SU 894706118 A SU894706118 A SU 894706118A SU 4706118 A SU4706118 A SU 4706118A RU 1797091 C RU1797091 C RU 1797091C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- selenium
- layer
- carrier
- photosensitive layer
- substrate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Сущность изобретени заключаетс в следующем. Цилиндрическую подложку электрографического носител нагревают со стороны внутренней поверхности ее. Нагревание осуществл ют при 75-90 С не менее 5 мин. После нагрева подложку обрабатывают жидким азотом.
Description
Изобретение относитс к электрогра- фии и предназначено дл сн ти фоточувствительного сло селена при реставрации отечественных и зарубежных электрофотографических цилиндров.
Известен способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена, заключающийс в том, что удаление сло цилиндрической подложки производ т путем погружени цилиндра в жидкий азот с выдержкой в течение 10-15 мин, в результате чего слой отслаиваетс от подложки и оседает на дно ванны,
Недостатком известного способа вл етс то , что данный способ не позвол ет удал ть слой при толщине, равной 40-50 мкм, а также при наличии подсло из окисленного селена. Кроме того, данный способ совершенно не позвол ет удал ть композиционные покрыти на основе селена, такие, как триселенид мышь ка Аз25ез и сблен, легированный теллуром и фосфором, а так
же покрыти с цилиндров к аппаратам РХ7000 (так называемый сплав № 6).
Цель изобретени - расширение технологических возможностей за счет обеспечени удалени тонких слоев и слоев на основе селеносодержащих композиций.
Сущность изобретени заключаетс в том, что перед обработкой предварительно производ т нагрев внутренней поверхности подложки на воздухе при не менее 5 мин, а затем охлаждают при температуре жидкого азота,
Проведение предварительного нагрева внутренней поверхности цилиндрической подложки приводит к кристаллизации внутренних слоев селена, примыкающих к по- вехности подложки. При последующем охлаждении за счет большей разности коэффициентов термического расширени между кристаллическим селеном и аморфным происходит полно отслаивание сло . Охлаждение электрофотографического носител до азотных температур без
ел С
vi о
3
о
предварительного нагрева не позвол ет полностью очистить подложку от сло . На цилиндрах типа Rank Xerox 7000 drum, где электрофотографический слой состоит из легированного селена, отслоение электрофотографического сло вообще не происходит , если слой предварительно не подвергнут кристаллизации.
Нагрев цилиндра до температуры менее 75°С не приводит к полной кристаллизации слоев на основе селена и легированного селена. В результате этого не происходит полного обсыпани сло при температуре жидкого азота.. .
0
5
. Нагрев подложки выше 90°С не имеет смысла, так как кристаллизаци сло при этой температуре и выше протекает самопроизвольно с выделением тепла.
Врем нагрева менее 5 мин не приводит к полной кристаллизации сло и в результате при температуре жидкого азота подложка очищаетс не полностью.
Врем нагрева более п ти минут не приводит к улучшению результата и поэтому лишено смысла. При охлаждении предварительно нагретого носител азотом дл удалени сло достаточно его погрузить в азот на 3-5 мин.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ восстановлени электрографического носител с фоточувствитёльным слоем на основе селена путем удалени сло с цилиндрической подложки при обработке ее жидким азотом, о т л и ч а ю щ и йс тем, что, с целью расширени технологических возможностей за счет обеспечени удалени тонких слоев и слоев на основе селеносодержащих композиций, перед обработкой жидким азотом осуществл ют нагрев внутренней поверхности подложки при 75-90°С не менее 5 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894706118A RU1797091C (ru) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894706118A RU1797091C (ru) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1797091C true RU1797091C (ru) | 1993-02-23 |
Family
ID=21454606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894706118A RU1797091C (ru) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1797091C (ru) |
-
1989
- 1989-06-15 RU SU894706118A patent/RU1797091C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 649603, кл. G 03 G 21/00, 1977. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960035771A (ko) | 단결정 실리콘내의 산소 침착 생성핵 중심 농도 제어 방법 및 그 방법에 의해 제조된 단결정 실리콘 웨이퍼들로 이루어진 웨이퍼 세트 | |
US4710442A (en) | Gradient layer panchromatic photoreceptor | |
RU1797091C (ru) | Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена | |
JPS5814841A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
EP0426369B1 (en) | A method of manufacturing an electrophotographic photoconductor drum | |
US3926715A (en) | Method of epitactic precipitation of inorganic material | |
JPH0461069B2 (ru) | ||
JPS60249336A (ja) | 半導体シリコン基板の処理方法 | |
JPS6117404A (ja) | セレンの製造方法 | |
SU903994A1 (ru) | Способ очистки изол торов | |
JPS5811944A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
SU947808A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического носител | |
JPH03131506A (ja) | 高純度Seまたは高純度Se合金の製造方法 | |
SU957157A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического материала | |
JP2735422B2 (ja) | ルチル単結晶の処理方法 | |
JPH0217101B2 (ru) | ||
JP2906761B2 (ja) | 銅被覆ポリイミド基板の熱処理方法 | |
JPS61127149A (ja) | 薄膜アルミニウム配線基板の製造方法とその製造装置 | |
JPH04175300A (ja) | シリコン単結晶の熱処理方法 | |
Bensahel et al. | A comparison between furnace and cw laser annealing of a-Si: evidence of different crystallization states | |
KR100415366B1 (ko) | Ⅱ-ⅵ족화합물반도체결정의표면청정화방법 | |
SU908849A1 (ru) | Способ термической обработки резонаторов из элинварных сплавов | |
SU414762A1 (ru) | ||
JPS60254143A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
SU957158A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического материала |