SU957158A1 - Способ изготовлени электрофотографического материала - Google Patents
Способ изготовлени электрофотографического материала Download PDFInfo
- Publication number
- SU957158A1 SU957158A1 SU813263804A SU3263804A SU957158A1 SU 957158 A1 SU957158 A1 SU 957158A1 SU 813263804 A SU813263804 A SU 813263804A SU 3263804 A SU3263804 A SU 3263804A SU 957158 A1 SU957158 A1 SU 957158A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- electrophotographic
- selenium
- electrical
- vacuum
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к электрофотографии , в частности к способам изготовлени электрофотографическюс материалов, используемых в качестве носителей информации дл получени электрофотографического изображени .
Известен электрофотографический материал , содержаидай металлическую оксидированную подложку с последовательно нанесенными на нее сло ми модифицированного и стеклообразного селена и способ его получени , закпючаюнщйс в тс м, чгго на подогретую подложку в вакуумной камере нанос т селен, производ т термическую обработку его в вакууме при 80-90°С, после чего повьпиают давление воздуха в камере до атмосферного и выдерживают слой в течение 5-1О мин при 80-90°С, подогревают слой в течение 3-7 мин на 5-10С и охлаждают при атмосф ном давлении со скоростью не менее 10 град/мин до температуры не выше 4О С. В результате такой обработки поверхностный слой селена леги-
руетс кислородом, интенсифицируетс зонна очистка слоев модифицированного и стеклообразного селена от собственных примесей, что приводит к увеличению чувствительности и износоустойчивости электрофотографического материала С1 Недостатком данного способа вл етс сложность технологии изготовлени электрофотографического материала, в частности обеспечение тщатепьнохч) контto рол режимов термической обработки и охлаждени .
Известен также способ получени электрофотографическнх слоев, заключающийс в нанесении на подложку путем термического испарени в вакууме селена со скоростью 25-80 мкм/мин одно15 )еменно с нагревом подложки от 4565°С до 7О-95°С. Преимуществом спо20 соба вл етс высока производвтельptocTb и расширенный температурный интервал продесса изготовлени сло , а вгакже получение электрофотографического сло с повышенной светочувствительностью С 2 .
Недостатком способа вл етс то, что изготовленный таким образом электрофотографический слой селена имеет пониженную кристаллизационную стойкость , а также характеризуетс нестабильными электрическ ими и фотоэлектрическими параметрами.
Наиболее близким по технической сущ ности к изобретению вл етс способ изготовлени электрофотографического материала путем нанесени в вакууме на электропровод щую подложку блокирующего сло , фотопровод щего сло из аморфного селена и фоточувст ательного сло с последующей обработкой многослойного материала ГЗ} .
Недостатком этого способа вл етс то, что фотографический матери, изготовленный известным способом, со временем в процессе хранени ийи эксплуа- тадии измен ет свои электрические и фотоэлектрические параметры: потенциал зар дки, фоточувствительность и усталостъ ..
Цель изобретени - ускорение стабилизации электрических и фотоэлектрических свойств материала в шщюкой области спектра. .
Поставленна цель достигаетс тем, что согласно стюсобу изготовлени элёктрофотографичеокого материала путем нанесени в вакууме на электрО1фсшод щую подложку блокирукщего сло , фотоировод щего сло из аморфного селена И фото чувствительного сло с последующей обработкой многослойного материала, производ т обработку многослойного материала коронным разр дом с напр жением 7-10 кВ в течение О,5-ЗО мин, причем после обработки коронным разр д.см материал нагревают при 55-60- С не боле двух часов. -
Сущность предлагаемого способа заключаетс в том, что изготовленный в вакуумной камере электрофотографический материал подвергают воздействию на воздухе ионами, образстанными коронным разр дом, такзхм образом, чтобы ускорить стабилизацию электрических и фотоэлектрических свойств. Ускорение стабилизашга параметров элех грофотсматериала , например потенциала зар дки, скорости релаксбоши потешлаа а в темноте , обусловлено тем, что иошл интенсивн осаждаютс на поверхность материала и способствуют увеличению скорости формирбЬани повершостных состо ний фото чувствительного сло . Формирование и стабипиз.аци электрофотографических параметров материала происходит на воздухе и в нормальных услови х хранени И эксплуатации, но более медленно, так как наход щиес в в|5здухе положительные и отрицательные ионы имеютс в гораздо меныыем количестве. Отсутствие интенсивного воздействи ионов на поверхность не позвол ет направленно регулировать процесс стабилизации параметров электрофотоматериалов. Термообработка в указанном интервале температур обеспечивает взаимную диффузию элементов многослойного материала, что обеспечивает перенос носителей зар да между различными сло ми в электрофотоматериале во врем освещени .
П р и м е р Д. Изготовление электро .фотографического материала происходит спекук/шкм образом. В вакуумную камеиу с давлением остаточных газов 10 1-10 Торр. помещают электропровод щую подложку, тигель со сплавом селен мы1иь к , содержащим до 40 вес.% мышь ка , И р дом -rareOTb с аморфным селеном. Электропровод щую подложку подогревают до 80 - (предпочтительно 120°С), затем нйгревают тигли до температуры , обеспечивающей испарение исходных мате|валов и осаждение на подложке сначала сплава селен - мьшш к со скоростью О,5 - 2 мкм/мин, а потом аморфного селена со скоростью 1 1О мкм/мин. Подложку с напыленным блокирующим слоем из сплава селен мышь к и фотопровод щим слоем из aмqpфнaгo селева вынимают из камеры и подвергают воздействию кс онного разр да положительной Пол рности с напр жением , 7-9 кВ в течение 10-2О мин. Напр жение и врем воздействи на электрофотомат зиал выбираютс так, чтобы исключить возможность его электрического пробо .
В табл. 1 показаны основные параметры электрЬфотоматерюаш: положительный потенциал зар дки ( U , В), врем полуспада потенциала в темноте (t т , мин), ивтегрвльна фоточувствительность (5 , лк.Ь), измеренные через 1 день после напылени и дополнительной обработки . Из табл. 1 видно, что дополнительно обрабсхганный элек грофотоматериал имеет лучшие параметры: потенциал зар дки увеличилс в 1,2 раза, электростатическа пам ть - в 2,5-3 раза, а фоточувствительность - в 1,4 раза. В табл; 2 представлены аналогичные параметры, измеренные через 10-12 дней после изготовлени электрофотоматериала . Данные в табл. 2 указывают на то, что параметры контрольного материала постепенно улучшаютс ,и достигакуг зна чений обработанного материала, предста пенного в табл. 1. Из табл. 1 и 2 следует , что улучшение и стабилизаци пар метров обработанного материала происходит в 1О-12 раз быстрее, чем контрольного электрофотоматериала. Пример 2. Изготовление электр фогомагериала происходит аналогично пр меру 1, кроме того, что на фотопровод ишй слой из аморфного селена дополнтвльно налпыл ют со скоростью 0,5 1- мкм/мин фоточувствительный слой из триселешада мьшш ка толщиной 0,2 2мкм . Полученный электрофотоматериал дополнительно обрабатьтают на воздухе коран ым разр дом отрицательной пол р :ности с напр жением кВ в течение 15-25 мин. Основные параметры материала представлены в табп. 1 и 2. ПримерЗ. Изготовление многооюйного электрофотоматериала происход ит следующим образом. В вакуумную камеру помещают подложку, тигель с аморфным селеном и р дом тигель со сплавом селен - мьппь к, содержащим до 4О вес.% мышь ка. Подложку нагревают до 90-10р С и обеспечивают напьшение сначала сло селена со скорост ОД-О,5 мкм/мин до тсшцины 5 мкм, создава блокирующий слой, далее повышением температуры тигл с селеном увеличивают скорость напьшени до 15 мкм/мин. На образованный фотопровод щий слой из аморфного селена напыл ют фоточувствительный слой из триселеннда мьшль ка с примесью талли или теллура в количестве 0,О1-О,2 вес.%. Полученный электрофотоматериал дополнительно обрабатьгоают отрицательным коронным разр дом 20-ЗО мин. В табл. 1 и 2 указаны основные параметры. П р и м е р 4. Электрофотографический многослойный материал изготавливает с в вакуумной шлюзовой линии, состо щей из последовательно соединенных шлюзовых и вакуумных камер. В вакуумjHbDC камерах наход тс тигли с Исходными материалами и нагреватели, обеспечивакшше нужную скорость испарени материалов . Предварительно подогретые до 80-1ОО°С подложки в кассетах подаютс со скоростью О,5-О,8 м/мин через шлюзовые камеры в вакуумные, где происходит на1 ыление сначала блокирующего сло из триселенйда мышь ка до топишны 2-3 мкм, затем фотопровод адего сло из аморфного селена толщиной 2О60 мкм и далее фоточувствительного сло из трисепенида мышь ка до толщины 0,2-1-мкм. Автоматическое продвижение обеспечивает выход кассеты с подложкой из вакуумной камеры дл последующей обработки на воздухе. Обработка коронным разр дом происходит аналогично примеру 2. П р и м е р 5. Изготовление многослойного электрофотоматериала происходит аналогачно примерам 1, 2 и 4, кроме того, что материал дополнительно нагревают на воздухе при 5 5-60° С в течение 1 ч. Термическа обработка понижает существующий между элементами различных фотопровод щих и фоточувствительных материалов барьерный эффект, что способствует более легкс лу п еиосу : носителей зар да при поглощении света. Данные фоточувствительности предегавле1ны в табл 1 и 2,
Использование предлагаемого способа обеспечивает увеличение скорости стабилизации электрических и фотоэлектрических с.войств материала в 1О-12 раз с улучшенными дараметрами: потенциал зар дки - в 1,2 раза,, электростатическа пам ть - в 2,5-3 раза и фоточувствительность - в 1,2-1,4 раза. Применение усовершенствованного электрофотоматериала исключает период адаптации , увеличивает эффектиыюсть эксплуатации носител записи информации и сокращает врем экспонировани оригинала дл получени электрофотографического изображени .
Claims (3)
1. Способ изготовлени электрофотограф агческого материала путем нанесени в вакууме на электропровод щую подложку блокирующего сло , фотопровод цего
сло из аморфного селена в фоточувств тельного сло с последующей обработкой многослойного материала, отличающий с тем, что, с целью ускорени стабилизации электрических и фотоэлектрических свойств материала, в широкой области спектра производ т обработку многослойного материала коронным раэр дом с напр жением 7 - 1О кВ в теo чение 0,5-ЗО мин.
2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и и с тем, что полученный материал после обработки коронным разр дом нагревают при температуре 55-60°С не
5 более 2ч.
Источники шф: рмацик, прин тые во внимание при экспертизе
1.Авторское свидетельство СССР № 777633, кл. QO3Q 5/О4, 1980Г
2.Авторское свидетельство СССР № 8О72О1, кл. (ОЗС, 5/О2, 1981.
3.Патент США № 393О853, кл. 96-1.5, 1975.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813263804A SU957158A1 (ru) | 1981-03-18 | 1981-03-18 | Способ изготовлени электрофотографического материала |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813263804A SU957158A1 (ru) | 1981-03-18 | 1981-03-18 | Способ изготовлени электрофотографического материала |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU957158A1 true SU957158A1 (ru) | 1982-09-07 |
Family
ID=20948945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813263804A SU957158A1 (ru) | 1981-03-18 | 1981-03-18 | Способ изготовлени электрофотографического материала |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU957158A1 (ru) |
-
1981
- 1981-03-18 SU SU813263804A patent/SU957158A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3874917A (en) | Method of forming vitreous semiconductors by vapor depositing bismuth and selenium | |
US2844493A (en) | High resistance photoconductor | |
US3524745A (en) | Photoconductive alloy of arsenic,antimony and selenium | |
SU957158A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического материала | |
DE3308165C2 (ru) | ||
EP0047651B1 (en) | Method of producing image sensor | |
US5075187A (en) | Electrophotographic photoreceptor with oxide of Al, Zr or Ta as charge transport layer | |
JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
EP0021751B1 (en) | Electrophotographic plate and a process for preparation of such a plate | |
JPH0330854B2 (ru) | ||
US4894307A (en) | Processes for preparing and controlling the fractionation of chalcogenide alloys | |
US5002734A (en) | Processes for preparing chalcogenide alloys | |
EP0174241B1 (en) | Method for the manufacture of photoconductive insulating elements with a broad dynamic exposure range | |
US5035857A (en) | Processes for preparing chalcogenide alloys | |
US4965164A (en) | Method for producing electrophotographic photoreceptor | |
US3666554A (en) | Manufacture of electrophotographic plate | |
JPH0680463B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0217021B2 (ru) | ||
US4762761A (en) | Electrophotographic photosensitive member and the method of manufacturing the same comprises micro-crystalline silicon | |
SU417961A3 (ru) | ||
US4904559A (en) | Processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys | |
US5075191A (en) | Process for controlling alloy fractionation | |
US5030477A (en) | Processes for the preparation and processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys | |
JPS5852649A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS5811946A (ja) | 電子写真感光体 |