RU1321048C - Etching reagent - Google Patents

Etching reagent Download PDF

Info

Publication number
RU1321048C
RU1321048C SU3928282A RU1321048C RU 1321048 C RU1321048 C RU 1321048C SU 3928282 A SU3928282 A SU 3928282A RU 1321048 C RU1321048 C RU 1321048C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
hydrofluoric acid
quartz
etching reagent
dimethylformamide
etching
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.И. Захаров
Л.А. Мананникова
Г.Н. Черпухина
Original Assignee
Научно-исследовательский институт "Фонон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт "Фонон" filed Critical Научно-исследовательский институт "Фонон"
Priority to SU3928282 priority Critical patent/RU1321048C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1321048C publication Critical patent/RU1321048C/en

Links

Images

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Steroid Compounds (AREA)

Abstract

FIELD: chemistry. SUBSTANCE: etching reagent has, vol. % : hydrofluoric acid 40-60; saturated alcohol taken from a group: benzylic, isoamylic, cyclohexanol, isobutylic and isopropylic ones 10-40, and dimethylformamide 10-40. EFFECT: enhanced quality of quartz treatment. 1 tbl

Description

Изобретение относится к химии и может быть использовано при обработке кварца. The invention relates to chemistry and can be used in the processing of quartz.

Целью изобретения является повышение качества обработки кварца. The aim of the invention is to improve the quality of processing of quartz.

Вводимые компоненты, образуют комплексы с молекулами фтористоводородной кислоты, что способствует поверхностному травлению, уменьшая преимущественное проникновение фтористоводородной кислоты по дефектам вглубь кристалла, т. е. уменьшается неоднородность травления. Спирт выбирают из группы: бензиловый, изоамиловый, циклогексанол, изобутиловый и изопропиловый. The introduced components form complexes with molecules of hydrofluoric acid, which contributes to surface etching, reducing the predominant penetration of hydrofluoric acid through defects deep into the crystal, i.e., the etching inhomogeneity decreases. Alcohol is selected from the group: benzyl, isoamyl, cyclohexanol, isobutyl and isopropyl.

Перемешивание раствора способствует смене травителя и отводу продуктов реакции. Mixing the solution promotes the change of the etchant and the removal of reaction products.

Травитель получают простым смешиванием в обычных условиях. The etchant is obtained by simple mixing under normal conditions.

Полученные смеси используют для травления монокристаллического кварца с различными исходными по шероховатости поверхностями, Ra, мкм 0,02; 0,1; 0,16.The resulting mixtures are used for etching single-crystal quartz with various initial roughness surfaces, R a , μm 0.02; 0.1; 0.16.

После травления пластин кварца на глубину 15 мкм получена шероховатость поверхностей, указанная в таблице. After etching the quartz plates to a depth of 15 μm, the surface roughness indicated in the table is obtained.

Как видно из таблицы, у кварцевых пластин, предварительно прошедших шлифование порошком М-5 (Rа= 0,01 мкм) и М-10 (Rd= 0,16 мкм), после травления величина микронеровностей значительно уменьшается, а у полированных (Rd = 0,02 мкм) - увеличивается незначительно, т. е. травитель обладает полирующими свойствами.As can be seen from the table, in quartz wafers previously polished with M-5 powder (R a = 0.01 μm) and M-10 (R d = 0.16 μm), after etching, the microroughness is significantly reduced, and in polished ( R d = 0.02 μm) - increases slightly, i.e., the etchant has polishing properties.

(56) Авторское свидетельство СССР N 329690, кл. C 09 K 13/00, 1970. (56) Copyright certificate of the USSR N 329690, cl. C 09 K 13/00, 1970.

Авторское свидетельство СССР N 628161, кл. C 09 K 13/06, 1976. USSR copyright certificate N 628161, cl. C 09 K 13/06, 1976.

Claims (1)

ТРАВИЛЬНЫЙ РАСТВОР, включающий плавиковую кислоту, предельный спирт и азотсодержащее соединение, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки кварца, он содержит предельный спирт, выбранный из группы: бензиловый, изоамиловый, циклогексанол, изобутиловый и изопропиловый, а в качестве азотсодержащего соединения - диметилформамид при следующем соотношении компонентов, об. % :
Плавиковая кислота 40 - 60
Предельный спирт 10 - 40
Диметилформамид 10 - 40
HERBAL SOLUTION, comprising hydrofluoric acid, a saturated alcohol and a nitrogen-containing compound, characterized in that, in order to improve the quality of processing of quartz, it contains a saturated alcohol selected from the group: benzyl, isoamyl, cyclohexanol, isobutyl and isopropyl, and as a nitrogen-containing compound dimethylformamide in the following ratio of components, about. %:
Hydrofluoric Acid 40 - 60
Limit alcohol 10 - 40
Dimethylformamide 10 - 40
SU3928282 1985-07-16 1985-07-16 Etching reagent RU1321048C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3928282 RU1321048C (en) 1985-07-16 1985-07-16 Etching reagent

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3928282 RU1321048C (en) 1985-07-16 1985-07-16 Etching reagent

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1321048C true RU1321048C (en) 1994-05-30

Family

ID=30440290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3928282 RU1321048C (en) 1985-07-16 1985-07-16 Etching reagent

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1321048C (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113061438A (en) * 2021-03-23 2021-07-02 泰晶科技股份有限公司 Organic etching liquid and etching method for AT cut quartz wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113061438A (en) * 2021-03-23 2021-07-02 泰晶科技股份有限公司 Organic etching liquid and etching method for AT cut quartz wafer
CN113061438B (en) * 2021-03-23 2022-05-17 泰晶科技股份有限公司 Organic etching liquid and etching method for AT-cut quartz wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2099812C1 (en) Process of wet chemical treatment of disc preforms
US7829467B2 (en) Method for producing a polished semiconductor
JPS55153338A (en) Surface treatment of semiconductor substrate
DE3854690D1 (en) Process for the preparation of aluminoxanes.
RU1321048C (en) Etching reagent
KR100197339B1 (en) Method of removing damaged crystal areas from silicon wafers
DK331288D0 (en) SURFACE
GB878594A (en) Glass polishing method
SU722865A1 (en) Pickling solution
SU1560497A1 (en) Polishing solution for processing glassware in ultrasound field
SU628161A1 (en) Solution for etching glass crystal materials
BR8706782A (en) BATHS FOR POLISHING POLISHING STAINLESS STEEL SURFACES AND PROCESS FOR POLISHING STAINLESS STEEL SURFACES
SU1093732A1 (en) Solution for vibrochemical deburring of steel
RU2019579C1 (en) Solution for pickling coatings of titanium nitride
JPH031535A (en) Semiconductor wafer and processing thereof
US3755023A (en) Technique for etch polishing single rare earth crystal synthetic garnet
SU1057856A1 (en) Reagent for revealing boundaries and sizes of grains in steel
SU885169A1 (en) Pickling solution
SU926076A1 (en) Solution for treating metal surface
JPH0684731A (en) Semiconductor wafer
SU629178A1 (en) Etching solution
JPS63274782A (en) Lapping fluid for stainless steel
JPS5785978A (en) Etching jig
RU2457574C1 (en) Method of polishing semiconductor materials
JPS59227127A (en) Chemical polishing method