RU2457574C1 - Method of polishing semiconductor materials - Google Patents
Method of polishing semiconductor materials Download PDFInfo
- Publication number
- RU2457574C1 RU2457574C1 RU2011106341/28A RU2011106341A RU2457574C1 RU 2457574 C1 RU2457574 C1 RU 2457574C1 RU 2011106341/28 A RU2011106341/28 A RU 2011106341/28A RU 2011106341 A RU2011106341 A RU 2011106341A RU 2457574 C1 RU2457574 C1 RU 2457574C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- iodine
- particles
- polishing
- abrasive
- composition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников, и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления подложек из германия для выращивания эпитаксиальных гетероструктур.The invention relates to the field of processing of semiconductor materials, in particular to chemical-mechanical methods for polishing semiconductors, and can be used in the technology of manufacturing semiconductor devices, in particular in the technology of manufacturing substrates from germanium for growing epitaxial heterostructures.
Химико-механический способ полирования включает одновременное воздействие на полируемую поверхность твердого тела механической нагрузки и полирующей композиции, содержащей частицы абразива, диспергированные в жидкой фазе, а также химически активный компонент (компоненты).The chemical-mechanical polishing method involves the simultaneous action of a mechanical load on the polished surface of a solid body and a polishing composition containing abrasive particles dispersed in the liquid phase, as well as a chemically active component (s).
Известен способ химико-механического полирования полупроводников, в частности кремния и германия [US 4260396], в котором используют полирующую композицию, содержащую в качестве абразива коллоидный диоксид кремния с размером частиц 1-30 мкм и карбоксиполиметилен в качестве загустителя.A known method of chemical-mechanical polishing of semiconductors, in particular silicon and germanium [US 4260396], which uses a polishing composition containing as abrasive colloidal silicon dioxide with a particle size of 1-30 μm and carboxypolymethylene as a thickener.
Недостатком рассматриваемого способа является то, что из-за относительно большого размера частиц абразива может происходить нарушение структуры поверхностного слоя обрабатываемого материала на значительную глубину порядка 1 мкм.The disadvantage of this method is that due to the relatively large particle size of the abrasive material, a violation of the structure of the surface layer of the processed material to a considerable depth of about 1 μm can occur.
Известен способ химико-механического полирования полупроводников, в частности пластин из арсенида галлия [RU 1715133], в котором используют полирующую композицию, содержащую абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно-активное вещество и воду. При этом способ осуществляют в два этапа, на первом из которых в составе полирующей композиции в качестве абразива используют натриевый цеолит, а на втором - силиказоль.A known method of chemical-mechanical polishing of semiconductors, in particular wafers of gallium arsenide [RU 1715133], which uses a polishing composition containing abrasive, sulfamic acid, hydrogen peroxide, a surfactant and water. The method is carried out in two stages, in the first of which sodium zeolite is used as an abrasive in the composition of the polishing composition, and in the second, silica sol.
Недостатком рассматриваемого способа является его сложность, что обусловлено проведением полирования пластин в два этапа с использованием двух полирующих композиций разного состава. Кроме того, входящий в состав обеих композиций пероксид водорода является сильным окислителем, воздействие которого на полируемую поверхность может привести к образованию на ней протравленных областей и, соответственно, к ухудшению качества полированной поверхности.The disadvantage of this method is its complexity, which is due to the polishing of the plates in two stages using two polishing compositions of different compositions. In addition, hydrogen peroxide, which is part of both compositions, is a strong oxidizing agent, the effect of which on the polished surface can lead to the formation of etched areas on it and, accordingly, to the deterioration of the quality of the polished surface.
Известен способ химико-механического полирования полупроводников, описанный в [US 2008305718], который выбран авторами в качестве ближайшего аналога.A known method of chemical-mechanical polishing of semiconductors described in [US 2008305718], which is selected by the authors as the closest analogue.
Рассматриваемый способ осуществляют с использованием полирующей композиции, содержащей водную суспензию частиц абразива и йодсодержащий компонент, а именно йодную кислоту, периодную кислоту или соль одной из указанных кислот.The method under consideration is carried out using a polishing composition containing an aqueous suspension of abrasive particles and an iodine-containing component, namely iodic acid, a periodic acid or a salt of one of these acids.
Данный способ прост в осуществлении.This method is simple to implement.
Однако указанные выше химические соединения йода являются сильными окислителями, применение которых в составе полирующей композиции может привести к образованию протравленных областей на полированной поверхности и к ухудшению ее качества.However, the above chemical compounds of iodine are strong oxidizing agents, the use of which in the composition of the polishing composition can lead to the formation of etched areas on the polished surface and to a deterioration in its quality.
Задачей заявляемого изобретения является достижение высокого качества полированной поверхности.The task of the invention is to achieve a high quality polished surface.
Сущность изобретения заключается в том, что в способе химико-механического полирования полупроводниковых материалов, включающем воздействие на обрабатываемую поверхность механической нагрузки и полирующей композиции, содержащей водную суспензию частиц абразива и иодсодержащий компонент, согласно изобретению в качестве иодсодержащего компонента композиция содержит иод в виде его раствора в этиловом спирте, концентрация частиц абразива в водной суспензии составляет от 15 до 20 мас.%, концентрация иода в спиртовом растворе составляет от 0,1 до 1 мас.%, при этом содержание спиртового раствора иода в композиции составляет от 1 до 15 мас.%.The essence of the invention lies in the fact that in the method of chemical-mechanical polishing of semiconductor materials, comprising exposing the work surface to mechanical stress and a polishing composition containing an aqueous suspension of abrasive particles and an iodine-containing component, according to the invention, the iodine-containing component contains iodine in the form of its solution in ethanol, the concentration of abrasive particles in an aqueous suspension is from 15 to 20 wt.%, the concentration of iodine in an alcohol solution is about 0.1 to 1 wt.%, The content of the alcohol solution of iodine in the composition is from 1 to 15 wt.%.
В частном случае выполнения изобретения в качестве частиц абразива композиция содержит частицы цеолита NaX или частицы диоксида кремния, полученного сжиганием тетрахлорида кремния в низкотемпературной плазме кислорода и водорода, при этом средний размер частиц абразива составляет от 10 до 1000 нм.In the particular case of carrying out the invention, as the abrasive particles, the composition comprises particles of NaX zeolite or particles of silicon dioxide obtained by burning silicon tetrachloride in a low-temperature plasma of oxygen and hydrogen, while the average particle size of the abrasive is from 10 to 1000 nm.
Принципиально важным в заявляемом способе является использование в применяемой при его осуществлении полирующей композиции в качестве химического агента элементарного йода, который вводится в композицию в виде его спиртового раствора.Essentially important in the claimed method is the use in the polishing composition used in its implementation as a chemical agent of elemental iodine, which is introduced into the composition in the form of its alcohol solution.
Применяемый в композиции йод обеспечивает протекание окислительно-восстановительных реакций с веществами, присутствующими в приповерхностном слое полируемого твердого тела, что приводит к структурным изменениям полируемой поверхности, облегчающим механическое снятие материала полируемого тела. К тому же присутствие на поверхности полируемого тела атомов йода способствует повышению ее устойчивости к окислению кислородом воздуха.The iodine used in the composition ensures the occurrence of redox reactions with substances present in the surface layer of the polished solid, which leads to structural changes in the polished surface, facilitating the mechanical removal of the material of the polished body. In addition, the presence of iodine atoms on the surface of the polished body contributes to an increase in its resistance to oxidation by atmospheric oxygen.
Поскольку элементарный йод является слабым окислителем, содержащая его полирующая композиция обладает относительно низкой скоростью травления полируемого полупроводникового материала, которая не превышает скорость его механического снятия в процессе осуществления химико-механического полирования. Соответственно, при реализации заявляемого способа на полированной поверхности не образуются протравленные области.Since elemental iodine is a weak oxidizing agent, the polishing composition containing it has a relatively low etching rate of the polished semiconductor material, which does not exceed the rate of its mechanical removal during chemical-mechanical polishing. Accordingly, when implementing the inventive method, etched areas are not formed on the polished surface.
Из-за того, что йод не растворим в воде, для обеспечения равномерности распределения йода в водной полирующей композиции его вводят в композицию в виде раствора в этиловом спирте, который легко готовить и который является достаточно стабильным йодсодержащим препаратом по сравнению с другими йодсодержащими препаратами, например йодной кислотой.Due to the fact that iodine is not soluble in water, to ensure uniform distribution of iodine in an aqueous polishing composition, it is introduced into the composition in the form of a solution in ethanol, which is easy to prepare and which is a fairly stable iodine-containing preparation compared to other iodine-containing preparations, for example iodic acid.
Концентрация частиц абразива в водной суспензии выбрана авторами экспериментально и составляет от 15 до 20 мас.%. При содержании частиц абразива в суспензии менее 15 мас.% процесс получения качественной полированной поверхности является слишком длительным, при содержании частиц абразива в суспензии более 20 мас.% значительно увеличивается скорость механического снятия материала с поверхности полируемого тела, вследствие чего на ней могут возникнуть дефекты рельефа (царапины, микротрещины).The concentration of abrasive particles in an aqueous suspension is chosen by the authors experimentally and ranges from 15 to 20 wt.%. When the content of abrasive particles in the suspension is less than 15 wt.%, The process of obtaining a high-quality polished surface is too long; when the content of particles of abrasive in the suspension is more than 20 wt.%, The rate of mechanical removal of material from the surface of the polished body is significantly increased, as a result of which surface defects can occur (scratches, microcracks).
В качестве частиц абразива в заявляемом способе могут быть использованы частицы абразивных материалов, применяемых на практике в технике полирования полупроводников, в частности различные виды диоксида кремния, различные виды цеолитов.As particles of abrasive in the present method can be used particles of abrasive materials used in practice in the technique of polishing semiconductors, in particular various types of silicon dioxide, various types of zeolites.
Указанные выше пределы концентрации йода в спиртовом растворе и пределы содержания спиртового раствора йода в полирующей композиции выбраны авторами экспериментально из условия обеспечения заметного химического воздействия полирующей композиции на полируемый материал без образования протравленных областей на полируемой поверхности.The aforementioned limits of the concentration of iodine in an alcoholic solution and the limits of the content of an alcoholic solution of iodine in the polishing composition were experimentally selected by the authors from the condition of providing a noticeable chemical effect of the polishing composition on the polished material without the formation of etched areas on the polished surface.
За счет использования в заявляемом способе полирующей композиции вышеуказанного состава достигается получение полированной поверхности без дефектов рельефа и протравленных областей, что обуславливает ее высокое качество.Due to the use of the above composition in the claimed method of the polishing composition, a polished surface is obtained without defects in relief and etched areas, which leads to its high quality.
Таким образом, техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является обеспечение высокого качества полированной поверхности.Thus, the technical result achieved by the implementation of the invention is to provide high quality polished surfaces.
Как показали практические исследования авторов, целесообразным с точки зрения повышения качества полированной поверхности является использование в заявляемом способе полирующей композиции, которая в качестве частиц абразива содержит частицы цеолита NaX или частицы диоксида кремния, полученного сжиганием тетрахлорида кремния в низкотемпературной плазме кислорода и водорода, при этом средний размер указанных частиц составляет от 10 до 1000 нм.As shown by practical studies of the authors, it is advisable from the point of view of improving the quality of the polished surface to use a polishing composition in the claimed method, which as particles of abrasive contains particles of NaX zeolite or particles of silicon dioxide obtained by burning silicon tetrachloride in a low-temperature plasma of oxygen and hydrogen, while the size of these particles is from 10 to 1000 nm.
Цеолит NaX представляет собой пористый минерал, содержащий оксиды алюминия и кремния, а также оксиды натрия, и является наиболее распространенной формой цеолитов.Zeolite NaX is a porous mineral containing aluminum and silicon oxides, as well as sodium oxides, and is the most common form of zeolites.
В качестве диоксида кремния, полученного сжиганием тетрахлорида кремния в низкотемпературной плазме кислорода, может быть использован получаемый указанным образом полировальный порошок марки "Элплаз-К" или аэросил.As silicon dioxide obtained by burning silicon tetrachloride in a low-temperature oxygen plasma, the polishing powder Ellplaz-K or aerosil obtained in this way can be used.
Цеолит NaX и полученный вышеуказанным образом диоксид кремния обладают относительно низкой твердостью (величина которой по Моосу составляет 2-5), значительно меньшую, чем твердость ряда других применяемых при полировании полупроводников абразивных материалов (в том числе диоксида кремния иных видов, твердость которых по Моосу достигает 7). Использование в полирующей композиции частиц цеолита NaX или частиц полученного вышеуказанным образом диоксида кремния, имеющих относительно низкую твердость, снижает вероятность нарушения приповерхностного слоя обрабатываемого материала в процессе осуществления заявляемого способа и, соответственно, вероятность возникновения на полируемой поверхности рисок и микроцарапин. В то же время частицы указанных абразивных материалов достаточно устойчивы к коагуляции и могут иметь относительно малые размеры, что положительно влияет на качество обрабатываемой с помощью заявляемого способа поверхности.Zeolite NaX and silicon dioxide obtained in the above manner have a relatively low hardness (whose Mohs value is 2-5), significantly lower than the hardness of a number of other abrasive materials used in polishing semiconductors (including silicon dioxide of other types, whose Mohs hardness reaches 7). The use of particles of zeolite NaX or particles of silicon dioxide obtained in the above manner with a relatively low hardness in the polishing composition reduces the likelihood of disruption of the surface layer of the processed material during the implementation of the inventive method and, accordingly, the likelihood of scratches and micro-scratches on the polished surface. At the same time, the particles of these abrasive materials are quite resistant to coagulation and can have relatively small sizes, which positively affects the quality of the surface processed using the proposed method.
Пределы среднего размера частиц указанных абразивных материалов выбраны авторами экспериментально. При среднем размере частиц указанных абразивных материалов более 1000 нм при реализации заявляемого способа приповерхностный слой обрабатываемого материала может быть нарушен, что может привести к ухудшению качества полированной поверхности. При среднем размере частиц указанных абразивных материалов менее 10 нм повышается вероятность коагуляции частиц в крупные конгломераты, что также может привести к ухудшению качества полированной поверхности при реализации заявляемого способа.The limits of the average particle size of these abrasive materials are selected by the authors experimentally. When the average particle size of these abrasive materials is more than 1000 nm, when implementing the proposed method, the surface layer of the processed material can be violated, which can lead to a deterioration in the quality of the polished surface. With an average particle size of these abrasive materials less than 10 nm, the likelihood of coagulation of particles in large conglomerates increases, which can also lead to a deterioration in the quality of the polished surface when implementing the proposed method.
Заявляемый способ осуществляют следующим образом.The inventive method is as follows.
Способ реализуют с использованием полировальника из мягкой ткани и план-шайбы, на которой закреплены обрабатываемые образцы из полупроводникового материала, в частности пластины из германия.The method is implemented using a soft cloth polisher and a plan washer, on which the processed samples of semiconductor material, in particular germanium plates, are fixed.
На полировальник кладут план-шайбу с закрепленными на ней пластинами, обеспечивают контактирование полировальника с поверхностью пластин и осуществляют относительное вращение полировальника и план-шайбы с одновременной постоянной подачей на полировальник полирующей композиции, которая за счет кругового движения полировальника распределяется по поверхности полировальника от его центра к периферии. При этом полирующая композиция содержит водную суспензию частиц абразива и йод в виде его раствора в этиловом спирте, концентрация частиц абразива в водной суспензии составляет от 15 до 20 мас.%, концентрация йода в спиртовом растворе составляет от 0,1 до 1 мас.%, а содержание спиртового раствора йода в композиции составляет от 1 до 15 мас.%.A plan washer with plates fixed on it is placed on the polishing pad, the polishing pad is contacted with the surface of the plates and the polishing pad and plan washer are rotated at the same time as the polishing composition is constantly fed to the polishing pad, which is distributed over the polishing pad surface from its center to the polishing pad the periphery. While the polishing composition contains an aqueous suspension of particles of abrasive and iodine in the form of its solution in ethanol, the concentration of particles of abrasive in an aqueous suspension is from 15 to 20 wt.%, The concentration of iodine in an alcohol solution is from 0.1 to 1 wt.%, and the content of the alcoholic solution of iodine in the composition is from 1 to 15 wt.%.
В качестве частиц абразива в полирующей композиции могут быть использованы частицы применяемых в технологии полирования полупроводников абразивных материалов, в частности различные виды диоксида кремния, различные виды цеолитов.As abrasive particles in the polishing composition, particles of abrasive materials used in the polishing technology of semiconductors, in particular various types of silicon dioxide, various types of zeolites can be used.
Преимущественным является использование в полирующей композиции частиц цеолита NaX или частиц диоксида кремния, полученного сжиганием тетрахлорида кремния в низкотемпературной плазме кислорода и водорода (например, полировального порошка марки "Элплаз-К"), средний размер которых составляет от 10 до 1000 нм.Preferred is the use in the polishing composition of particles of zeolite NaX or particles of silicon dioxide obtained by burning silicon tetrachloride in a low-temperature plasma of oxygen and hydrogen (for example, polishing powder brand "Eplaz-K"), the average size of which is from 10 to 1000 nm.
Возможность осуществления заявляемого способа показана в примерах его конкретного выполнения.The possibility of implementing the proposed method is shown in the examples of its specific implementation.
Пример 1.Example 1
Проводили химико-механическое полировование пластин из германия. Пластины располагали на план-шайбе, укладывали план-шайбу с закрепленными на ней пластинами на полировальник, обеспечивали контактирование полировальника с поверхностью пластин и осуществляли относительное вращение полировальника и план-шайбы с одновременной постоянной подачей на полировальник полирующей композиции.Chemical-mechanical polishing of germanium plates was carried out. The plates were placed on the plan washer, the plan washer with the plates fixed on it was placed on the polishing pad, the polishing pad was in contact with the surface of the plates, and the polishing pad and plan washer were rotated while the polishing composition was constantly fed to the polisher.
Использовали полировальную композицию, содержащую водную суспензию частиц цеолита NaX и иод в виде его раствора в этиловом спирте. Средний размер частиц цеолита NaX составлял 10 нм, концентрация частиц цеолита NaX в водной суспензии составляла 20 мас.%, концентрация йода в спиртовом растворе составляла 0,1 мас.%, при этом содержание спиртового раствора йода в композиции составляло 1 мас.%.Used a polishing composition containing an aqueous suspension of particles of zeolite NaX and iodine in the form of its solution in ethyl alcohol. The average particle size of the NaX zeolite was 10 nm, the concentration of NaX zeolite particles in the aqueous suspension was 20 wt.%, The iodine concentration in the alcohol solution was 0.1 wt.%, While the content of the iodine alcohol solution in the composition was 1 wt.%.
Полирование осуществляли в течение 15 часов.Polishing was carried out for 15 hours.
Качество полированной поверхности оценивали по показателям шероховатости. Полированная поверхность имела 14 класс чистоты, что свидетельствовало о высоком качестве поверхности.The quality of the polished surface was evaluated by roughness indices. The polished surface had a cleanliness class of 14, indicating a high surface quality.
Пример 2.Example 2
Проводили химико-механическое полировование пластин из кремния аналогично, как в примере 1.Chemical-mechanical polishing of silicon wafers was carried out similarly as in example 1.
Полирование осуществляли с использованием полировальной композиции, содержащей водную суспензию частиц полировального порошка "Элплаз-К" и иод в виде его раствора в этиловом спирте. Средний размер частиц полировального порошка "Элплаз-К" составлял 100 нм, концентрация частиц абразива в водной суспензии составляла 15 мас.%, концентрация йода в спиртовом растворе составляла 1 мас.%, при этом содержание спиртового раствора йода в композиции составляло 15 мас.%.Polishing was carried out using a polishing composition containing an aqueous suspension of particles of polishing powder "Elplaz-K" and iodine in the form of its solution in ethanol. The average particle size of the Ellplaz-K polishing powder was 100 nm, the abrasive particle concentration in the aqueous suspension was 15 wt.%, The iodine concentration in the alcohol solution was 1 wt.%, While the iodine alcohol solution in the composition was 15 wt.% .
Полирование осуществляли в течение 12 часов.Polishing was carried out for 12 hours.
Качество полированной поверхности оценивали по показателям шероховатости. Полированная поверхность имела класс чистоты 14, что свидетельствовало о высоком качестве поверхности.The quality of the polished surface was evaluated by roughness indices. The polished surface had a cleanliness class of 14, indicating a high surface quality.
Пример 3.Example 3
Проводили химико-механическое полирование пластин из германия аналогично, как в примере 1.Chemical-mechanical polishing of germanium plates was carried out in the same way as in example 1.
Полирование осуществляли с использованием полировальной композиции, содержащей водную суспензию частиц цеолита NaX и йод в виде его раствора в этиловом спирте. Средний размер частиц цеолита NaX составлял 1000 нм, концентрация частиц абразива в водной суспензии составляла 18 мас.%, концентрация йода в спиртовом растворе составляла 0,5 мас.%, при этом содержание спиртового раствора йода в композиции составляло 10 мас.%.Polishing was carried out using a polishing composition containing an aqueous suspension of particles of zeolite NaX and iodine in the form of its solution in ethanol. The average particle size of the zeolite NaX was 1000 nm, the concentration of abrasive particles in the aqueous suspension was 18 wt.%, The iodine concentration in the alcohol solution was 0.5 wt.%, While the content of the iodine alcohol solution in the composition was 10 wt.%.
Полирование осуществляли в течение 10 часов.Polishing was carried out for 10 hours.
Качество полированной поверхности оценивали по показателям шероховатости. Полированная поверхность имела класс чистоты 14, что свидетельствовало о высоком качестве поверхности.The quality of the polished surface was evaluated by roughness indices. The polished surface had a cleanliness class of 14, indicating a high surface quality.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011106341/28A RU2457574C1 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Method of polishing semiconductor materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011106341/28A RU2457574C1 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Method of polishing semiconductor materials |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2457574C1 true RU2457574C1 (en) | 2012-07-27 |
Family
ID=46850846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011106341/28A RU2457574C1 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Method of polishing semiconductor materials |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2457574C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2007784C1 (en) * | 1991-04-16 | 1994-02-15 | Рогов Владимир Викторович | Process of polishing semiconductor plates |
| RU1715133C (en) * | 1990-02-12 | 1995-08-20 | Рогов Владимир Викторович | Method for combined chemical and mechanical polishing of plates from gallium arsenide |
| RU94004599A (en) * | 1994-02-08 | 1996-01-20 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES |
| RU2001132541A (en) * | 2000-12-04 | 2003-09-20 | Байер Акциенгезелльшафт (De) | POLISHED SUSPENSION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF METAL AND METAL-DIELECTRIC STRUCTURES |
| JP2007088370A (en) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | Aqueous polishing slurry and chemical mechanical polishing method |
| RU2305621C1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Chemical - mechanical polishing method |
| JP2007324444A (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing pad, and composition therefor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2072585C1 (en) * | 1994-02-08 | 1997-01-27 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Method of preparation of semiconductor substrates |
-
2011
- 2011-02-18 RU RU2011106341/28A patent/RU2457574C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1715133C (en) * | 1990-02-12 | 1995-08-20 | Рогов Владимир Викторович | Method for combined chemical and mechanical polishing of plates from gallium arsenide |
| RU2007784C1 (en) * | 1991-04-16 | 1994-02-15 | Рогов Владимир Викторович | Process of polishing semiconductor plates |
| RU94004599A (en) * | 1994-02-08 | 1996-01-20 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES |
| RU2001132541A (en) * | 2000-12-04 | 2003-09-20 | Байер Акциенгезелльшафт (De) | POLISHED SUSPENSION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF METAL AND METAL-DIELECTRIC STRUCTURES |
| JP2007088370A (en) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | Aqueous polishing slurry and chemical mechanical polishing method |
| RU2305621C1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Chemical - mechanical polishing method |
| JP2007324444A (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing pad, and composition therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3810588B2 (en) | Polishing composition | |
| JP6482234B2 (en) | Polishing composition | |
| JP6156630B2 (en) | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method | |
| CN102190962A (en) | Polishing composition and polishing method using the same | |
| TWI652320B (en) | Wetting agent for semiconductor substrate and polishing composition | |
| JP2003109921A (en) | Abrasive silica particle-dispersed fluid, its manufacturing method, and abrasive material | |
| JP2006324639A (en) | Polish slurry and method for regenerating wafer | |
| JP2006278981A (en) | Abrasive for single crystal surface and polishing method | |
| TW201350563A (en) | Polishing composition and method for producing semiconductor substrate | |
| JPWO2014103725A1 (en) | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method | |
| TW200902705A (en) | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution | |
| CN103865401A (en) | Application of chemo-mechanical polishing liquid | |
| KR102617007B1 (en) | Method of polishing a substrate and a set of polishing compositions | |
| JP2015137297A (en) | Polishing composition and method of producing the same | |
| JP4167928B2 (en) | Polishing liquid for group III-V compound semiconductor wafer and method for polishing group III-V compound semiconductor wafer using the same | |
| JP6513454B2 (en) | Method of manufacturing abrasive | |
| RU2457574C1 (en) | Method of polishing semiconductor materials | |
| TWI604025B (en) | Polishing composition | |
| FR2835844A1 (en) | PROCESS FOR THE MECANO-CHEMICAL POLISHING OF METAL SUBSTRATES | |
| JP6393228B2 (en) | Polishing composition and method for producing polished article | |
| JP7193026B1 (en) | Cleaning liquid and wafer cleaning method | |
| US20150357180A1 (en) | Methods for cleaning semiconductor substrates | |
| TWI615896B (en) | 矽 Wafer manufacturing method | |
| CN109575818A (en) | A kind of low sodium polishing fluid and its preparation method and application | |
| JP6552245B2 (en) | Polishing composition and method for producing polished article |