RU2072585C1 - Method of preparation of semiconductor substrates - Google Patents
Method of preparation of semiconductor substrates Download PDFInfo
- Publication number
- RU2072585C1 RU2072585C1 RU94004599A RU94004599A RU2072585C1 RU 2072585 C1 RU2072585 C1 RU 2072585C1 RU 94004599 A RU94004599 A RU 94004599A RU 94004599 A RU94004599 A RU 94004599A RU 2072585 C1 RU2072585 C1 RU 2072585C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrates
- working side
- mechanical polishing
- polishing
- microrelief
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам обработки поверхности пластин-подложек и может быть использовано в производстве подложек для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. The invention relates to semiconductor technology, and in particular to methods of surface treatment of wafer substrates and can be used in the manufacture of substrates for the manufacture of integrated circuits and discrete semiconductor devices.
Одна из проблем технологии изготовления подложек получение пластин с высоким качеством рабочей (т.е. на которой формируют затем активные области полупроводниковых приборов) поверхности и с минимальной концентрацией структурных дефектов при отсутствии внутренних механических напряжений. Наличие последних повышает вероятность образования дефектов как на этапе подготовки подложек, так и на последующих операциях эпитаксии, легирования, окисления и т.п. One of the problems in the technology of manufacturing substrates is the production of plates with a high quality working surface (i.e., on which active regions of semiconductor devices are then formed) of the surface and with a minimum concentration of structural defects in the absence of internal mechanical stresses. The presence of the latter increases the likelihood of defect formation both at the stage of preparation of the substrates and in subsequent operations of epitaxy, doping, oxidation, etc.
Известен способ изготовления подложек, преимущественно кремниевых и германиевых, включающий резку слитков на пластины, механическое шлифование и полирование, очистку поверхности от следов обработки, а также отжиг, который проводят после этих операций в диапазоне температур, значения которых ниже температуры начала пластической деформации материала пластин, но превышают 350oC [1] Проведение отжига после различных этапов механической обработки в способе [1] обеспечивает частичную релаксацию остаточных упругих напряжений за счет перестройки дефектов в структурно-нарушенных слоях и одновременно может снижать плотность дефектов.A known method of manufacturing substrates, mainly silicon and germanium, including cutting ingots into plates, mechanical grinding and polishing, cleaning the surface from traces of processing, as well as annealing, which is carried out after these operations in a temperature range whose values are lower than the temperature at which plastic deformation of the plate material begins, but higher than 350 o C [1] Carrying out annealing after various machining stages in the method [1] provides partial elastic relaxation of residual stresses due to rearrange ki defects in structurally damaged layers and at the same time can reduce the density of defects.
Недостаток данного способа в том, что он применим только к материалам, имеющим достаточно высокую температуру начала пластической деформации (более 350oC. Его нельзя использовать, например, для изготовления подложек из антимонида галлия или антимонида индия, имеющих низкие температуры плавления (712 и 525oC соответственно) и вследствие этого низкий температурный предел пластичности. Кроме того, для полупроводниковых соединений отжиг при температурах выше 350oC может сопровождаться нарушением стехиометрического состава материала подложек.The disadvantage of this method is that it is applicable only to materials having a sufficiently high temperature of the onset of plastic deformation (more than 350 o C. It can not be used, for example, for the manufacture of substrates from gallium antimonide or indium antimonide having low melting points (712 and 525 o C, respectively) and, as a result, a low temperature limit of ductility, in addition, for semiconductor compounds, annealing at temperatures above 350 o C may be accompanied by a violation of the stoichiometric composition of the substrate material.
Наиболее близким по технической сути к предлагаемому способу является широко используемый в технологии способ подготовки полупроводниковых подложек, включающий механическое шлифование и полирование отрезанных от слитка пластин, очистку их поверхности от следов обработок в различных средах с использованием ультразвука, стимулирующего процесс очистки, и химико-механическое полирование (ХМП) рабочей стороны подложек [2] Иногда в зависимости от технологии изготовления данного типа полупроводниковых изделий в качестве финишной операции применяют химико-динамическое полирование рабочей стороны подложек. The closest in technical essence to the proposed method is the method of preparation of semiconductor substrates widely used in technology, including mechanical grinding and polishing of wafers cut from an ingot, cleaning their surfaces from traces of treatments in various media using ultrasound that stimulates the cleaning process, and chemical-mechanical polishing (CMP) of the working side of the substrates [2] Sometimes depending on the manufacturing technology of this type of semiconductor products as a finishing operation apply chemical-dynamic polishing of the working side of the substrates.
Недостаток способа в том, что при финишном химико-механическом полировании в приповерхностном слое подложек возникают структурные нарушения, которые могут проникать на значительные глубины и не удаляются при последующем химико-динамическом травлении. Это, прежде всего, кластеры точечных дефектов и примесей (легирующих и фоновых), глубина залегания которых сравнима с диффузионной длиной пробега собственных междоузельных атомов и (или) вакансий в полупроводника и может достигать 10-30 мкм. На последующих технологических операциях кластеры служат центрами зарождения дефектов упаковки (окислительных, эпитаксиальных), генераторами дислокационных петель или источниками неравновесных точечных дефектов, трансформирующих структуру подложек, а в конечном счете, влияющих на электрофизические свойства подложек и создаваемых на них приборов, обуславливая деградацию и нестабильность их функциональных параметров. The disadvantage of this method is that during the final chemical-mechanical polishing in the surface layer of the substrates, structural disturbances occur that can penetrate to significant depths and are not removed during subsequent chemical-dynamic etching. First of all, these are clusters of point defects and impurities (doping and background), the occurrence depth of which is comparable with the diffusion path length of intrinsic interstitial atoms and (or) vacancies in a semiconductor and can reach 10-30 μm. In subsequent technological operations, clusters serve as centers of origin of packing defects (oxidative, epitaxial), generators of dislocation loops, or sources of nonequilibrium point defects that transform the structure of substrates, and ultimately affect the electrophysical properties of substrates and the devices created on them, causing their degradation and instability functional parameters.
Технический результат от реализации изобретения повышение качества подложек за счет снижения концентрации структурных дефектов. The technical result from the implementation of the invention, improving the quality of the substrates by reducing the concentration of structural defects.
Это достигается тем, что в способе подготовки полупроводниковых подложек, включающем механическое полирование и очистку поверхности с использованием ультразвука, химико-механическое полирование рабочей стороны подложек, после механического полирования и очистки поверхности на рабочей стороне подложек путем селективного или анизотропного химического травления на глубину нарушенного слоя формируют микрорельеф и обрабатывают подложки ультразвуком в течение 2,5-3,0 ч в деионизированной воде, а затем не позднее, чем через сутки проводят химико-механическое полирование для удаления микрорельефа на рабочей стороне подложек. This is achieved by the fact that in the method of preparing semiconductor substrates, including mechanical polishing and surface cleaning using ultrasound, chemical-mechanical polishing of the working side of the substrates, after mechanical polishing and surface cleaning on the working side of the substrates by selective or anisotropic chemical etching to the depth of the damaged layer is formed microrelief and treat the substrate with ultrasound for 2.5-3.0 hours in deionized water, and then no later than in a day spend x imiko-mechanical polishing to remove the microrelief on the working side of the substrates.
Предлагаемый способ осуществляют следующим образом. The proposed method is as follows.
После механической полировки поверхности пластин алмазными пастами типа АСМ (как правило, финишную механическую полировку рабочей стороны заканчивают пастами АСМ-1 или АСМ-0,5) и очистки поверхности от остатков абразива, клеящих мастик, минеральных компонентов и т.п. которую проводят, в частности, и с использованием ультразвука, подвергают селективному или анизотропному химическому травлению для создания на рабочей стороне микрорельефа. При этом глубина химического травления должна быть не меньше толщины нарушенного полированием слоя. Далее пластины размещают в кассетах и обрабатывают ультразвуком в деионизированной воде в стандартных ультразвуковых моечных установках, например, типа УЗМУ-1 при частоте 44 кГц. Длительность обработки выбирают из интервала 2,5 3,0 ч (150 180 мин). Отметим, что очистку после полирования проводят обычно в течение 3 5 мин, после этого не позднее, чем через сутки подложки подвергают химико-механическому полированию с рабочей стороны, например, суспензиями микропорошков диоксида кремния, циркония и т. п. и сполировывают микрорельеф. Далее после очистки от следов химико-механического полирования в зависимости от требований технологии проводят химико-динамическое полирование рабочей стороны. After mechanical polishing of the wafer surface with AFM type diamond pastes (as a rule, finishing mechanical polishing of the working side is completed with ASM-1 or ASM-0.5 pastes) and surface cleaning from abrasive residues, adhesive mastics, mineral components, etc. which is carried out, in particular, using ultrasound, is subjected to selective or anisotropic chemical etching to create a microrelief on the working side. In this case, the depth of chemical etching should be no less than the thickness of the layer impaired by polishing. Next, the plates are placed in cassettes and sonicated in deionized water in standard ultrasonic washing plants, for example, type UZMU-1 at a frequency of 44 kHz. The processing time is selected from the interval 2.5 to 3.0 hours (150 to 180 minutes). Note that cleaning after polishing is usually carried out within 3-5 minutes, after which no later than a day later the substrates are chemically mechanically polished on the working side, for example, with suspensions of micropowders of silicon dioxide, zirconium, etc., and the microrelief is polished. Then, after cleaning from traces of chemical-mechanical polishing, depending on the requirements of the technology, chemical-dynamic polishing of the working side is carried out.
Технический результат при реализации предлагаемого способа достигается благодаря тому, что возбуждающая упругие волны в кристалле ультразвуковая обработка пластин с развитым микрорельефом, создающим локальные достаточно высокие поля статических упругих напряжений, приводит к диссоциации примесно-дефектных комплексов, которые возникли в кристалле во время выращивания или на последующих этапах механической обработки (резка, шлифование, полирование и т. д.) и являются эффективными центрами зарождения (конденсации) кластеров при химико-механическом полировании. Уменьшение концентрации таких центров в приповерхностной (где значительно влияние напряжений от микрорельефа) области существенно снижает количество кластеров дефектов вблизи рабочей стороны пластин при химико-механическом полировании. Важным для получения положительного эффекта является соблюдение короткого промежутка времени хранения пластин между операциями ультразвуковой обработки и химикомеханическим полированием. Это необходимо для того, чтобы в течение межоперационного хранения в кристалле вновь за счет релаксационно-диффузионных процессов не произошло образование примесно-дефектных центров зародышей кластеров. The technical result in the implementation of the proposed method is achieved due to the fact that the ultrasonic waves exciting in the crystal, ultrasonic processing of plates with a developed microrelief that creates local sufficiently high fields of static elastic stresses, leads to the dissociation of impurity-defect complexes that occurred in the crystal during growth or at subsequent stages of machining (cutting, grinding, polishing, etc.) and are effective centers of nucleation (condensation) of clusters in chemical - mechanical polishing. A decrease in the concentration of such centers in the near-surface (where the influence of stresses from the microrelief is significant) significantly reduces the number of defect clusters near the working side of the plates during chemical-mechanical polishing. Important to obtain a positive effect is the observance of a short period of storage time of the plates between the operations of ultrasonic processing and chemical-mechanical polishing. This is necessary so that during the interoperational storage in the crystal again due to relaxation-diffusion processes, the formation of impurity-defective centers of cluster nuclei does not occur.
Режим и условия обработки по предлагаемому способу были определены экспериментально на подложках кремния (марка КДБ-20(III)) и антимонида индия (марка ИСЭ-0"в"(001)), как на материалах с сильно разливающимися физико-механическими свойствами. Перед обработкой ультразвуком пластины полировали пастой АСМ-1 на станке ВIМЗ.105.000 для удаления нарушенного слоя от предшествующих операций. Далее после очистки от следов полирования рабочую сторону пластин кремния травили в растворе Сиртла CrO3:HF 1:2 на глубину 2,0 2,5 мкм, а пластины антимонида индия в растворе состава HNO3:HF:CH3COOH 2:1:1 на глубину 20 22 мкм. Затем пластины обрабатывали ультразвуком на установке УЗМУ-1 в деионизированной воде. Варьировали длительность обработки. После этого рабочую среду пластин химико-механически полировали на станке ВIМ3.105.000 суспензией аэросила до полного удаления микрорельефа после селективного травления. Время межоперационного хранения пластин изменялось от нескольких часов до 5 сут.The processing conditions and conditions according to the proposed method were determined experimentally on substrates of silicon (grade KDB-20 (III)) and indium antimonide (grade ISE-0 "B" (001)), as on materials with strongly diffusing physical and mechanical properties. Before sonication, the plates were polished with ASM-1 paste on a VIMZ.105.000 machine to remove the damaged layer from previous operations. Then, after cleaning the polishing traces, the working side of the silicon wafers was etched in a solution of Sirtla CrO 3 : HF 1: 2 to a depth of 2.0 2.5 μm, and the indium antimonide wafers in a solution of the composition HNO 3 : HF: CH 3 COOH 2: 1: 1 to a depth of 20 to 22 μm. Then the plates were treated with ultrasound on a UZMU-1 unit in deionized water. The processing time was varied. After that, the working medium of the plates was chemically mechanically polished on a BM3.105.000 machine with an aerosil suspension until the microrelief was completely removed after selective etching. The time of interoperational storage of the plates varied from several hours to 5 days.
Структурное совершенство приповерхностных слоев после химико-механического полирования пластин контролировали по величине остаточной деформации кристаллической решетки вблизи рабочей стороны, которую измеряли на рентгеновском трехкристальном спектрометре. Эталонами служили химико-динамически полированные и отожженные кристаллы кремния и антимонида индия. Эксперименты показали:
на пластинах без обработки ультразвуком после ХМП деформация (средняя по партии 10 шт.) составляла, соответственно, (1,3±0,2)10-5 отн. ед. для Si и (4,4±0,6)10-5 отн.ед.для InSb;
на обработанных ультразвуком пластинах с микрорельефом на рабочей стороне после ХМП зафиксировано уменьшение деформации, которая становится нулевой (в пределах точности измерений ±1,1•10-6 отн. ед.) при длительности воздействия ультразвуком на пластины InSb-150 160 мин, а для кремния 160 180 мин;
при длительности хранения пластин между обработкой ультразвуком и ХМП более 24 30 ч эффект уменьшения остаточной деформации ослабевает, а в ряде случаев на подложках антимонида индия ненулевая деформация сохраняется и после воздействия ультразвуком в течение 6 ч.The structural perfection of the surface layers after chemical-mechanical polishing of the plates was controlled by the value of the residual deformation of the crystal lattice near the working side, which was measured on a three-crystal X-ray spectrometer. Chemically dynamically polished and annealed crystals of silicon and indium antimonide served as standards. The experiments showed:
on plates without sonication after HMP, the deformation (average in the lot of 10 pcs.) was, respectively, (1.3 ± 0.2) 10 -5 rel. units for Si and (4.4 ± 0.6) 10 -5 rel.units for InSb;
on ultrasonically treated plates with a microrelief on the working side after CMP, a decrease in deformation was recorded, which becomes zero (within the measurement accuracy of ± 1.1 • 10 -6 rel. units) with an exposure duration of 160 minutes for the InSb-150 plates, and for silicon 160 180 min;
when the storage time of the plates between sonication and ChMP is more than 24-30 hours, the effect of reducing the residual strain weakens, and in some cases, non-zero deformation on the indium antimonide substrates persists after exposure to ultrasound for 6 hours.
Таким образом, в качестве рабочих режимов следует брать обработку ультразвуком в течение 2,5 3,0 ч, а длительность хранения подложек до ХМП не более суток. Thus, ultrasonic treatment for 2.5–3.0 hours should be taken as the operating conditions, and the duration of storage of substrates up to CMP is no more than a day.
Эффективность предлагаемого способа подтверждают и результаты его практической апробации. The effectiveness of the proposed method is confirmed by the results of its practical testing.
Пример 1. Подложки кремния марки КЭФ-7,0 (III) окисляли в потоке влажного кислорода при 1420 К в течение 30 мин, а затем на них определяли плотность окислительных дефектов упаковки путем травления в растворе Сиртла и анализа на микроскопе МИИ-7. Example 1. Silicon substrates of the KEF-7.0 (III) grade were oxidized in a stream of moist oxygen at 1420 K for 30 minutes, and then the density of oxidative packaging defects was determined on them by etching in Searle's solution and analysis using a MII-7 microscope.
До окисления одну партию подложек готовили по способу прототипу. Другую по предлагаемому способу: после полирования алмазной пастой АСМ-1 в травителе Сиртла формировали микрорельеф на глубину 2,5 3,0 мкм, обрабатывали ультразвуком, а затем химико-механически сполировывали микрорельеф суспензией аэросила. Prior to oxidation, one batch of substrates was prepared according to the prototype method. Another method according to the proposed method: after polishing with ASM-1 diamond paste, a microrelief was formed in Sirtl etchant to a depth of 2.5 to 3.0 μm, sonicated, and then the microrelief was chemically-mechanically polished with an aerosil suspension.
Результаты измерений плотности окислительных дефектов упаковки (ОДУ) как среднее и дисперсия по поверхности 5 пластин, обработанных в одинаковом режиме, представлены в табл.1. The results of measurements of the density of oxidative packaging defects (ODEs) as the average and the dispersion over the surface of 5 plates treated in the same mode are presented in Table 1.
Как видно из данных табл.1, предлагаемый способ позволяет существенно понизить плотность ОДУ по сравнению с контрольной партией при использовании рабочих режимов (3 и 5). Увеличение длительности межоперационного хранения подложек до ХМП снижает эффективность способа (4 и 6). Повышение времени обработки ультразвуком слабо влияет на плотность ОДУ (7) по сравнению с верхней границей рабочего диапазона (6). Физическая причина снижения плотности ОДУ состоит в том, что при подготовке подложек по предлагаемому способу в них под действием упругих волн, возбуждаемых в кристаллах ультразвуком, и неоднородного статического поля механических напряжений, связанного с микрорельефом, происходит разрушение (диссоциация) примесно-дефектных комплексов, которые при ХМП служат центрами появления кластеров, а они, в свою очередь, зародышами для окислительных дефектов упаковки. As can be seen from the data in table 1, the proposed method can significantly reduce the density of the ODE compared with the control party when using operating modes (3 and 5). An increase in the duration of interoperational storage of substrates to CMP reduces the efficiency of the method (4 and 6). An increase in the ultrasonic treatment time weakly affects the density of the ODE (7) compared with the upper limit of the working range (6). The physical reason for the decrease in the density of ODEs is that during the preparation of substrates by the proposed method, they under the action of elastic waves excited in crystals by ultrasound and an inhomogeneous static field of mechanical stress associated with a microrelief, the impurity-defect complexes are destroyed (dissociation), which during CMP, they serve as centers for the appearance of clusters, and they, in turn, are nuclei for oxidative packaging defects.
В этих экспериментах была обнаружена также геттерирующая способность предлагаемого способа. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии на образцах после ХМП без обработки ультразвуком были зафиксированы следующие примеси: Na в концентрации 2•1017, K 6•1016 и C - 4,4•1016 см-3. На пластинах, обработанных ультразвуком в течение 180 мин после ХМП микрорельефной рабочей стороны (которая и служила геттером) содержание этих примесей, соответственно, составили Na - 1,7•1016, К 3•1016 см-3, а углерод в приповерхностной области (до глубин 5 7 мкм) не был обнаружен, т.е. его концентрация оказалась ниже предела чувствительности метода (≈6•1015 см-3).In these experiments, the gettering ability of the proposed method was also found. Using secondary ion mass spectrometry, the following impurities were recorded on samples after CMP without sonication: Na at a concentration of 2 • 10 17 ,
Пример 2. Пластины арсенида галлия марки АГЧП-8(001) обрабатывали по способу-прототипу и предлагаемому способу: после полирования алмазной пастой АСМ-0,5 подложки с рабочей стороны травились в анизотропном травителе состава H2O2: HNO3 1:3 на глубину 7 10 мкм, обрабатывались ультразвуком и затем химико-механичеки полировались суспензией аэросила. После этого на рентгеновском трехкристальном спектрометре измерялась остаточная деформация кристаллической решетки вблизи рабочей стороны. Точность измерений была не хуже ±7•10-7 отн.ед. Результаты измерений приведены в таб. 2.Example 2. Plates of gallium arsenide of the AHCHP-8 (001) brand were treated according to the prototype method and the proposed method: after polishing with ASM-0.5 diamond paste, the substrates were etched from the working side in an anisotropic etchant of the composition H 2 O 2 : HNO 3 1: 3 to a depth of 7 10 μm, were sonicated and then chemo-mechanically polished with an aerosil suspension. After that, the residual deformation of the crystal lattice near the working side was measured on a three-crystal X-ray spectrometer. The measurement accuracy was not worse than ± 7 • 10 -7 rel. The measurement results are given in table. 2.
Как видно из табл. 2, при реализации предлагаемого способа в рабочих режимах (3-5 и 7-9) удается снизить величину остаточной деформации кристаллической решетки вблизи рабочей стороны подложек как в среднем по поверхности, так и от пластины к пластине (включая разброс по одной пластине - дисперсии). As can be seen from the table. 2, when implementing the proposed method in operating modes (3-5 and 7-9), it is possible to reduce the value of the residual deformation of the crystal lattice near the working side of the substrates both on the average over the surface and from plate to plate (including the dispersion of one plate — dispersion) .
Уменьшение длительности обработки ультразвуком или увеличение времени межоперационного хранения подложек ухудшает их качество (2, 6, 10). Увеличение длительности обработки ультразвуком оказывает слабое воздействие на дефектность (11). В этих экспериментах, кроме того, была определена глубина нарушенного слоя, которая на подложках, подготовленных по способу-прототипу после ХМП составила 3 5 мкм (усреднение по поверхности 6 пластин при послойном стравливании), а на подложках, обработанных по предлагаемому способу (длительность ультразвукового воздействия 180 мин, время хранения до ХМП 10 ч) 1,5 2,5 мкм. Это еще одно доказательство эффективности предлагаемого способа, как технологического метода подготовки подложек для создания приборов на основе эпитаксиальных структур. A decrease in the duration of ultrasonic treatment or an increase in the time of interoperational storage of substrates worsens their quality (2, 6, 10). An increase in the duration of ultrasonic treatment has a weak effect on defectiveness (11). In these experiments, in addition, the depth of the disturbed layer was determined, which on the substrates prepared by the prototype method after CMP was 3 5 μm (averaging over the surface of 6 plates by layer-by-layer etching), and on substrates treated by the proposed method (
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94004599A RU2072585C1 (en) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Method of preparation of semiconductor substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94004599A RU2072585C1 (en) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Method of preparation of semiconductor substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94004599A RU94004599A (en) | 1996-01-20 |
| RU2072585C1 true RU2072585C1 (en) | 1997-01-27 |
Family
ID=20152325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94004599A RU2072585C1 (en) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | Method of preparation of semiconductor substrates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2072585C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD360Z (en) * | 2010-09-23 | 2011-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Process for the formation of microstructured surfaces of silicon substrates |
| RU2537743C1 (en) * | 2013-10-03 | 2015-01-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Method for pre-epitaxial treatment of surface of germanium substrate |
| RU2562740C2 (en) * | 2014-01-31 | 2015-09-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Processing of silicon substrate back by grinding pads |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2457574C1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-07-27 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | Method of polishing semiconductor materials |
-
1994
- 1994-02-08 RU RU94004599A patent/RU2072585C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Патент ГДР N 123561, кл. H 01L 21/324, 1982. 2. Бочкин О.И., Брук В.А., Никифорова-Денисова С.Н. "Механическая обработка полупроводниковых материалов", М., Высшая школа, 1983, с.11-64. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD360Z (en) * | 2010-09-23 | 2011-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Process for the formation of microstructured surfaces of silicon substrates |
| RU2537743C1 (en) * | 2013-10-03 | 2015-01-10 | Закрытое Акционерное Общество "ТЕЛЕКОМ-СТВ" | Method for pre-epitaxial treatment of surface of germanium substrate |
| RU2562740C2 (en) * | 2014-01-31 | 2015-09-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Processing of silicon substrate back by grinding pads |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101462397B1 (en) | Bonded wafer manufacturing method | |
| TW583351B (en) | A method of producing a bonded wafer and the bonded wafer | |
| US7763541B2 (en) | Process for regenerating layer transferred wafer | |
| US6884696B2 (en) | Method for producing bonding wafer | |
| EP1635396B1 (en) | Laminated semiconductor substrate and process for producing the same | |
| TW552323B (en) | Method for producing SOI substrate and SOI substrate | |
| JP4184441B2 (en) | Mechanical and chemical polishing of crystals and epitaxial layers of GaN and Ga ▲ lower 1-xy ▼ Al ▲ lower x ▼ In ▲ lower y ▼ N | |
| EP2879177B1 (en) | Method for producing sos substrates, and sos substrate | |
| US20020127766A1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing process | |
| KR20100040329A (en) | Bonding wafer manufacturing method | |
| RU2072585C1 (en) | Method of preparation of semiconductor substrates | |
| US8076219B2 (en) | Reduction of watermarks in HF treatments of semiconducting substrates | |
| JPH0473613B2 (en) | ||
| KR100201705B1 (en) | The process for producing a normal polished wafer | |
| JP2894154B2 (en) | Method for measuring the depth of the affected layer on the silicon wafer surface | |
| JPH1070099A (en) | Method of cleaning sandblasted semiconductor wafer, and semiconductor wafer cleaned by the method | |
| JP2985583B2 (en) | Inspection method of damaged layer on mirror-finished surface of silicon wafer and thickness measurement method | |
| JP4186277B2 (en) | Artificial quartz manufacturing method and artificial quartz and quartz substrate | |
| EP0525455B1 (en) | Extrinsic gettering for a semiconductor substrate | |
| JP4348539B2 (en) | Nonmagnetic garnet substrate manufacturing method, nonmagnetic garnet substrate, and bismuth-substituted magnetic garnet film obtained using the substrate | |
| RU2134467C1 (en) | Process of gettering working of silicon substrates | |
| RU2065640C1 (en) | Process of preparation of surface of silicon plate | |
| JP2652344B2 (en) | Silicon wafer | |
| JP2002134521A (en) | Heat treatment method for silicon semiconductor substrate | |
| RU2172537C1 (en) | Silicon substrate treatment method |