RO97880B1 - Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa - Google Patents

Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa

Info

Publication number
RO97880B1
RO97880B1 RO133239A RO13323988A RO97880B1 RO 97880 B1 RO97880 B1 RO 97880B1 RO 133239 A RO133239 A RO 133239A RO 13323988 A RO13323988 A RO 13323988A RO 97880 B1 RO97880 B1 RO 97880B1
Authority
RO
Romania
Prior art keywords
static induction
silicon
silicon dioxide
layer
junction
Prior art date
Application number
RO133239A
Other languages
English (en)
Inventor
Constantin Postolache
Adrian Rusu
Florin Gaiseanu
Original Assignee
Centrul De Cercetare Stiintifica Si Inginerie Tehnologica Pentru Componente Electronice
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centrul De Cercetare Stiintifica Si Inginerie Tehnologica Pentru Componente Electronice filed Critical Centrul De Cercetare Stiintifica Si Inginerie Tehnologica Pentru Componente Electronice
Priority to RO133239A priority Critical patent/RO97880B1/ro
Publication of RO97880B1 publication Critical patent/RO97880B1/ro

Links

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Prezenta inventie se refera la un procedeu de obtinere a structurii tranzistorului cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa pentru tensiuni si puteri mari, utilizat în domenil microundelor. Procedeul, conform inventiei, consta într-o serie de operatii clasice pentru transzistorul cu inductie statica, precum oxidari termice, depuneri chimice din faza de vapori, epitaxie, difuzii, fotolitografii, metalizari etc, iar în scopul obtinerii de tensiuni de strapungere si puteri mari prevede ca difuzia retelei jonctiunilor de poarta sa se efectueze dintr-un strat de bioxid de siliciu dopat cu bor depus pe sandvichul dielectric format din bioxid de siliciu si nitrura de siliciu, realizat prin procese cunoscute la suprafata plachetei de siliciu în stratul de siliciu mmonocristalin n - crescut selectiv în jurul sandvichului dielectric si simultan cu cresterea stratului de oxid, la suprafata siliciului monocristalin, iar corodarea puturilor retelei de porti retrase sa fie realizata prin corodarea chimica conventionala a bioxidului de siliciu dopat cu bor prin ariile de poarta.
RO133239A 1988-04-27 1988-04-27 Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa RO97880B1 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RO133239A RO97880B1 (ro) 1988-04-27 1988-04-27 Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RO133239A RO97880B1 (ro) 1988-04-27 1988-04-27 Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RO97880B1 true RO97880B1 (ro) 1990-01-30

Family

ID=40906005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RO133239A RO97880B1 (ro) 1988-04-27 1988-04-27 Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa

Country Status (1)

Country Link
RO (1) RO97880B1 (ro)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4966860A (en) Process for producing a SiC semiconductor device
JP2704570B2 (ja) 半導体装置
GB1444386A (en) Integrated circuit fabrication processes
ATE176553T1 (de) Puffer-struktur zwischen siliziumkarbid und galliumnitrid und sich daraus ergebende halbleiteranordnungen
US5229625A (en) Schottky barrier gate type field effect transistor
GB1161343A (en) Method of Making Shaped Epitaxial Deposits
KR880002272A (ko) 반도체장치의 제조방법
HK1001332A1 (en) Novel masking technique for depositing gallium arsenide on silicon
US4696093A (en) Fabrication of Schottky barrier MOSFETS
JPH01158774A (ja) Mis型電界効果トランジスタの製造法
KR900019250A (ko) 화합물 반도체 장치
Wieder Device physics and technology of III–V compounds
EP0193298A3 (en) Method for the formation of epitaxial layers for integrated circuits
JPS5856320A (ja) 気相成長方法
GB1273188A (en) Improvements in or relating to the production of semiconductor arrangements
US3585089A (en) Method of making fast switching semiconductive devices with silicon nitride passivation
CN103915435B (zh) 一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法
RO98191B1 (ro) Procedeu de fabricare a tranzistoarelor cu inductie statica pentru tensiuni de strapungere mari
JPS63308377A (ja) バイポ−ラトランジスタの製造方法
JPS60140756A (ja) 炭化珪素バイポ−ラトランジスタの製造方法
JPH023548B2 (ro)
JPS58116766A (ja) 半導体装置
JPH01194315A (ja) 炭化珪素半導体素子
CN120797205A (zh) 半绝缘碳化硅外延片及制备方法、半导体器件及制备方法
RO102182B1 (ro) Procedeu pentru obtinerea diodelor de putere cu siliciu de tip mesa