RO98191B1 - Procedeu de fabricare a tranzistoarelor cu inductie statica pentru tensiuni de strapungere mari - Google Patents

Abstract

Prezenta inventie se refera la un procedeu de fabricare a tranzistoarelor cu inductie statica, folosite la tensiuni de strapungere mari si în domeniul frecventelor de lucru înalte. Procedeul de fabricare a tranzistoarelor cu inductie statica pentru tensiuni de strapungere mari prevede cresterea simultana si selectiva a unui strat de siliciu policrstalin peste sandvichul dielectric format dintr-un strat de bioxid de siliciu si un strat de nitrura de siliciu, si a unui strat de siliciu monocristalin (epitaxial) pe placheta de siliciu devenita substrat, difuzia borului în stratul de siliciu policristalin, jonctiunile retrase depoarta realizându-se prin difuzia în lateral a borului în stratul de siliciu monocristalin, retragerea jonctiunilor depoarta realizându-se prin corodarea locala a siliciului policristalin dopat cu bor, astfel încât jonctiunile laterale sa fie legate în profunzime printr-un strat de polisiliciu dopat cu bor, ramas necorodat, prin care se realizeaza si contactarea cu stratul de aluminiu, în cazul jonctiunilor de poarta cu pereti verticali delimitarea acestora realizându-se într-un strat de bioxid de siliciu de grosime prescrisa, obtinut prin oxidarea locala, partiala sau totala a siliciului policristalin difuzat cu bor, iar pentru realizarea portii abrupte, stratul de siliciu policristalin dopat cu bor fiind contactat integral cu stratul de aluminiu, reducându-se astfel extinderea difuziei laterale în siliciul monocristalin fata de adâncimea jonctiunii portii.