PL47775B1 - - Google Patents

Description

Opis wy< ia 4 listopada 1963 r.Jy v4 BIBLIOTEKA Urzedu Potentowego| Pilski^ P?5CZfpD3pi)|lt(i llldflWfi POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 47775 KI. 21 g, 11/02 KI. internat. H 01 1 Fabryka Pólprzeirodnikóiu „T E W A" *) Przedsiebiorstiuo Panstiroire Warszawa, Polska Sposób wytwarzania elementów pólprzewodnikowych, zwlaszcza elementów przystosowanych do warunków tropikalnych Patent trwa od dnia 7 marca 1962 r.Wynalazek dotyczy nowego sposobu wytwa¬ rzania elementów pólprzewodnikowych i pole¬ ga na wyeliminowaniu z tranzystora przepustu i oslonki i zapewnia uzyskanie elementów przystosowanych do pracy w warunkach tropi¬ kalnych, zwiekszenie mocy tranzystora o oko¬ lo 20%, niezmiennosc parametrów elektrycz¬ nych w czasie.Dotychczasowy sposób wytwarzania tranzy¬ storów nie posiada powyzszych cech.Fig. 1 przedstawia przekrój podluzny tran¬ zystora wytwarzanego wg. dotychicEasoiwego sposobu, fig. 2 przekrój poprzeczny oraiz rzut z góry przepustu zastepczego, fig. 3 przekrój podluzny przepustu zastepczego z wyprowadze¬ niami do których przypawane sa doprowadze- *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wynalazku jest mgr inz. Andrzej Stadnicki. nia i zamaskowane zlacze, fig. 4 przekrój po¬ przeczny i rzut z góry zalewowej, fig. 5 prze¬ krój podluzny tranzystora wytwarzanego wg. nowego sposobu.Obecny sposób wytwarzania tranzystorów polega na przypawaniu zlacza 3 do srodkowego wyprowadzenia 6 metalowego przepustu 5, na¬ stepnie przylutowaniu doprowadzen 4 do zla¬ cza oraz przypawaniu 'doprowadzen 4 do bocz¬ nych wyprowadzen 6 przepustu.Zmontowany tranzystor podlega obróbce che_ micznej i pomiarom. Elementy pólprzewodni¬ kowe zakwalifikowane jako dobre maskowane isa smarem silikonowym (2) i zamykane oslonka metalowa (1), która ulsECzelnaaina jeist zywica termoutwardzalna (7).Sposób wytwarzania elementów pólprzewod¬ nikowych wg wynalazku polega na zastapie-ndju metalowego ki (1) zyrwdici hermetycznie Sposól nliu trzeci (5)4 mebaJiawej oslon- *0\ stanowiaca z formy uzyty. zostaje zdjety i moze byc ponownie jecit aa polega na wprowadze- ch wyprowadzen (6) do uprzednio' wykonanego przepustu zastepczego (fig. 2) i pirzyciaiwamdiu dp much zlacza (3) i dlopro- wadzen (4). Itoepust zaisttepczy jest wyikpnany z tworzywa sztucznego, np. z ipolietylenu.Zmontowany w ten sposób element po obróbce chemicznej i pomiarach jest maskowany sma¬ rem silikonowym' z dodatkiem substancji zwiekszajacej jprzewodinicrtiwo cieplne (8). Tak przygotowany tranzystor umieszczany jest w formie zalewowej i(fig. 4) której otwory za¬ lano uprzednio zywica termoutwardzalna.Forma wraz z zywica i umieszczona w niej czescia wystajaca ponad przepust zastepczy elementem zostaje poddana odgazowaniu w prózni w czasie 10 minut w temp. S0°C. Po odgazowaniu calosc jest wygrzewana w czasie czterech godzin w temp. 80°C, przy normalnym cisnieniu atmosferycznym, celem spolimeryzo- Wania zywicy. Po czterech godzinach calosc jest chlodzona, a nastepnie wyjmowane sa go¬ towe tranzystory. Przepust zastepczy po wyje¬ ciu gotowego elementu pólprzewodnikowego PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania elementów pólprzewod¬ nikowych, zwlaszcza elementów przystoso¬ wanych do warunków tropikalnych zna¬ mienny tym, ze wyprowadzenia (6) umiesz¬ cza sie w przepuscie zastepczym, przy czym dio snodikowego wypirowadzenda (6) ziostaje iprzypaiwame zlacze (3,) które jest maisitoowane smarem silikonowym z dodatkiem substan¬ cji zwiekszajacej przewodnictwo cieplne (8), a nastepnie czesc wystajaca ponad przepust zastepczy (3) zostaje umieszczona w formie zalewowej w otworach której znajduje sie zywica termoutwardzalna.

2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze forma zalewowa wraz z zalanymi zywica elementami pólprzewodnikowymi zostaje poddana odgazowaniu w prózni w czasie 10 minut w temp. 80°C, a nastepnie jest wy¬ grzewana w czasie czterech godzin w temp. 80°C przy normalnym cisnieniu. Fabryka Pólprzewodników „Te w a'c Pa. 5Do opisu patentowego nr 47775 A-A ba 2 A-A Pg-3 1836. RSW „Prasa", Kielce. PL