PL357697A1 - Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal - Google Patents

Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Info

Publication number
PL357697A1
PL357697A1 PL02357697A PL35769702A PL357697A1 PL 357697 A1 PL357697 A1 PL 357697A1 PL 02357697 A PL02357697 A PL 02357697A PL 35769702 A PL35769702 A PL 35769702A PL 357697 A1 PL357697 A1 PL 357697A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sub
obtaining
alkali metal
containing gallium
gallium
Prior art date
Application number
PL02357697A
Other languages
English (en)
Other versions
PL232212B1 (pl
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL357697A priority Critical patent/PL232212B1/pl
Priority to AU2003238980A priority patent/AU2003238980A1/en
Priority to PCT/PL2003/000040 priority patent/WO2004003261A1/en
Priority to PL377151A priority patent/PL225422B1/pl
Priority to EP03733682.3A priority patent/EP1518009B1/en
Priority to KR1020047021345A priority patent/KR100971851B1/ko
Priority to JP2004517422A priority patent/JP4663319B2/ja
Priority to CNB038147939A priority patent/CN100339512C/zh
Priority to US10/519,141 priority patent/US7364619B2/en
Priority to TW092135281A priority patent/TWI334890B/zh
Priority to PCT/JP2003/015904 priority patent/WO2004053206A1/en
Priority to CNB2003801056216A priority patent/CN100472000C/zh
Priority to KR1020057010667A priority patent/KR101088991B1/ko
Priority to EP03778841.1A priority patent/EP1590509B1/en
Priority to AU2003285767A priority patent/AU2003285767A1/en
Priority to US10/537,804 priority patent/US7811380B2/en
Priority to JP2004558481A priority patent/JP4824313B2/ja
Priority to PL379547A priority patent/PL224993B1/pl
Publication of PL357697A1 publication Critical patent/PL357697A1/pl
Publication of PL232212B1 publication Critical patent/PL232212B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, korzystnie o wzorze ogólnym Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<=>1, w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający jony metali alkalicznych wprowadzane korzystnie w postaci azydków metali alkalicznych wybranych z grupy obejmującej LiN<sub>3</sub>, NaN<sub>3</sub>, KN<sub>3</sub>, CsN<sub>3</sub> lub ich mieszaniny, w którym rozpuszczany jest materiał źródłowy zawierający gal i dokonuje się krystalizacji azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż w przypadku rozpuszczania materiału źródłowego. Stosunek molowy wprowadzanych azydków metali alkalicznych do amoniaku wynosi od 1:200 do 1:2.
PL357697A 2002-06-26 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego PL232212B1 (pl)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357697A PL232212B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego
AU2003238980A AU2003238980A1 (en) 2002-06-26 2003-04-17 Process for obtaining of bulk monocrystallline gallium-containing nitride
PCT/PL2003/000040 WO2004003261A1 (en) 2002-06-26 2003-04-17 Process for obtaining of bulk monocrystallline gallium-containing nitride
PL377151A PL225422B1 (pl) 2002-06-26 2003-04-17 Sposób otrzymywania objętościowych monokryształów azotku zawierającego gal
EP03733682.3A EP1518009B1 (en) 2002-06-26 2003-04-17 Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
KR1020047021345A KR100971851B1 (ko) 2002-06-26 2003-04-17 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
JP2004517422A JP4663319B2 (ja) 2002-06-26 2003-04-17 ガリウム含有窒化物バルク単結晶の製造方法
CNB038147939A CN100339512C (zh) 2002-06-26 2003-04-17 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
US10/519,141 US7364619B2 (en) 2002-06-26 2003-04-17 Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
TW092135281A TWI334890B (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PCT/JP2003/015904 WO2004053206A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
CNB2003801056216A CN100472000C (zh) 2002-12-11 2003-12-11 块状单晶含镓氮化物制造方法
KR1020057010667A KR101088991B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정
EP03778841.1A EP1590509B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
AU2003285767A AU2003285767A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US10/537,804 US7811380B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
JP2004558481A JP4824313B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
PL379547A PL224993B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357697A PL232212B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL357697A1 true PL357697A1 (pl) 2004-06-14
PL232212B1 PL232212B1 (pl) 2019-05-31

Family

ID=32733397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL357697A PL232212B1 (pl) 2002-06-26 2002-12-11 Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN100472000C (pl)
PL (1) PL232212B1 (pl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9279193B2 (en) * 2002-12-27 2016-03-08 Momentive Performance Materials Inc. Method of making a gallium nitride crystalline composition having a low dislocation density
CN103173864A (zh) * 2007-07-13 2013-06-26 日本碍子株式会社 Iii族氮化物单晶的制造方法
JP5767141B2 (ja) * 2012-03-02 2015-08-19 株式会社サイオクス 窒化ガリウム基板およびそれを用いた光デバイス
US10100426B2 (en) * 2014-03-18 2018-10-16 Ricoh Company, Ltd. Method for producing gallium nitride crystal
CN108796611A (zh) * 2018-07-06 2018-11-13 孟静 氮化镓单晶生长方法
CN110195258A (zh) * 2019-07-10 2019-09-03 上海玺唐半导体科技有限公司 氮化镓晶体生长装置及其生长方法
CN112095140B (zh) * 2020-08-04 2022-05-13 清华大学无锡应用技术研究院 一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置
CN114016136A (zh) * 2021-11-10 2022-02-08 上海韵申新能源科技有限公司 一种氮化镓单晶生长工艺方法及装置
CN114438582A (zh) * 2022-01-11 2022-05-06 武汉大学 用于提高氨热法氮化镓晶体生长速度的反应釜结构

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177057B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing bulk cubic gallium nitride

Also Published As

Publication number Publication date
CN1723301A (zh) 2006-01-18
PL232212B1 (pl) 2019-05-31
CN100472000C (zh) 2009-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW588016B (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium nitride
Wang et al. Ammonothermal growth of GaN crystals in alkaline solutions
HUP0401882A1 (hu) Nitrid-egykristálytömb
EP1518009B1 (en) Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
Dwili et al. AMMONO method of BN, AlN and GaN synthesis and crystal growth.
PL357697A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL371405A1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
ATE350143T1 (de) Kristallines galliumnitrid und herstellungsverfahren
TW200306945A (en) Bulk single crystal production facility employing supercritical ammonia
TW200427879A (en) Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
TW200515488A (en) Group III nitride crystal, method of its manufacture, and equipment for manufacturing group III nitride crystal
Grzegory et al. Crystal growth of III-N compounds under high nitrogen pressure
Hashimoto et al. Growth of gallium nitride via fluid transport in supercritical ammonia
JP2002326898A5 (pl)
Wang et al. Transport growth of GaN crystals by the ammonothermal technique using various nutrients
PL357706A1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
Shibata et al. Synthesis of gallium nitride by ammonia injection into gallium melt
PL357696A1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej
Kumagai et al. Investigation of Substrate Orientation Dependence for the Growth of GaN on GaAs (111) A and (111) B Surfaces by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy
PL357695A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
Mayumi et al. Influence of lattice polarity on wurzite GaN {0 0 0 1} decomposition as studied by in situ gravimetric monitoring method
PL357700A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
EP1411153A1 (en) METHOD FOR PREPARING GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL
Onda et al. Influence of pressure control on the growth of bulk GaN single crystal using a Na flux
PL357709A1 (pl) Sposób wytwarzania złożonego podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o podwyższonej wytrzymałości cieplnej