PL247593B1 - Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury - Google Patents

Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury

Info

Publication number
PL247593B1
PL247593B1 PL442577A PL44257722A PL247593B1 PL 247593 B1 PL247593 B1 PL 247593B1 PL 442577 A PL442577 A PL 442577A PL 44257722 A PL44257722 A PL 44257722A PL 247593 B1 PL247593 B1 PL 247593B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
grinding
mixture
weight
hours
subjected
Prior art date
Application number
PL442577A
Other languages
English (en)
Other versions
PL442577A1 (pl
Inventor
Tomasz Guziak
Regina Guziak
Marcin Guziak
Piotr Kruk
Original Assignee
Fabryka Elementow Podzespolow I Urzadzen Elektronicznych Tewa Termico Spolka Z Ograniczona Odpowiedz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Elementow Podzespolow I Urzadzen Elektronicznych Tewa Termico Spolka Z Ograniczona Odpowiedz filed Critical Fabryka Elementow Podzespolow I Urzadzen Elektronicznych Tewa Termico Spolka Z Ograniczona Odpowiedz
Priority to PL442577A priority Critical patent/PL247593B1/pl
Publication of PL442577A1 publication Critical patent/PL442577A1/pl
Publication of PL247593B1 publication Critical patent/PL247593B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
    • H01C7/043Oxides or oxidic compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury, w którym warstwę elektroceramiczną tworzy się głównie z mieszaniny tlenków matali; manganu Mn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, niklu NiO, żelaza Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub> i miedzi CuO w proporcji wagowej jak 60:25:13:2, gdzie te wartości wagowe mogą być zwiększone lub zmniejszone, tlenków: manganu i niklu do 10%, żelaza do 5% i miedzi do 2%, zawsze w uzupełnieniu wszystkich składników do 100%, charakteryzujący się tym, że tak przygotowaną mieszaninę poddaje się pierwszemu mieleniu w alkoholu etylowym w młynie kulowym przez czas do 24 godzin, po czym zmieloną masę po wysuszeniu poddaje się procesowi kalcynacji w czasie do 8 godzin i w temperaturze dochodzącej do 820°C, po czym prowadzi się drugie mielenie, stosując takie same kryteria jak dla pierwszego mielenia, i suszenie, a po nim do mieszaniny dodaje się dyspergator hypermer KD-1 w ilości 1,2 do 1,7 wagi mieszaniny tlenków i poddaje się trzeciemu mieleniu z takimi samymi kryteriami jak przy pierwszym mieleniu, a po czasie nie przekraczającym 5 godzin, do otrzymanej gęstwy mieszaniny dodaje się poliwinylobutyral PVB w ilości nie przekraczającej 5% wagowych i glikol w ilości 8% wagowych wagi mieszaniny tlenków, po czym kontynuuje się mielenie przez kolejny, do 24 godzinny okres, po czym całą zawartość pojemnika młyna kulowego przelewa się do zbiornika urządzenie do wylewu taśmy, po czym wylewa się taśmę termistorową o grubości nie przekraczającej 200 mikrometrów a po skrzepnięciu uzyskaną taśmę tnie się na kwadraty o boku 40 mm, po czym po dwa pocięte kwadraty układa sią w stosy i poddaje sprasowaniu w prasie izostatycznej od ciśnienia początkowego 10 MPa do ciśnienia 30 MPa w czasie nie przekraczającym 40 minut a sprasowane elementy poddaje się procesowi wypału w piecu wysokotemperaturowym przez czas do 17 godzin, stopniowo zwiększając temperaturę do osiągnięcia 1300°C, a po ostygnięciu na powierzchnię kwadratowych wafelków nanosi się elektrody z pasty srebrowej, po czym wafelki tnie się na chipy a do posrebrzanych elektrod lutuje się przewody.

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania wielowarstwowych termistorowych czujników temperatury.
Według znanych sposobów, termistory wytwarzane są z masy otrzymanej przez spiekanie polikrystalicznych materiałów półprzewodnikowych o dużym współczynniku temperaturowym oporności, Taką mieszaniną jest przykładowo mieszanina dwutlenku tytanu i tlenku magnezu, tlenków manganu, miedzi, kobaltu i niklu. Z takiej masy otrzymuje się termistory ujemne, to jest takie, których oporność maleje ze wzrostem temperatury.
Z opisu patentowego PL 143448 znany jest sposób wytwarzania termistora grubowarstwowego o dużym ujemnym temperaturowym współczynniku rezystancji, polegający na nanoszeniu na podłoże ceramiczne warstwy dielektrycznej, drukowaniu i wypalaniu na niej kontaktów oraz nanoszeniu warstwy z pasty rezystywnej i jej wypaleniu. Sposób charakteryzuje się tym, że warstwę dielektryczną stanowi kompozycja będąca mieszaniną proszków dwutlenku tytanu TiO2, szkliwa borokrzemowego i nośnika organicznego, zaś składnikiem przewodzącym w warstwie rezystywnej jest rutenian bizmutu Bi2Ru2O?. Wartość temperaturowego współczynnika rezystancji w żądanym przedziale od - 0,06%/°C do 0,7%/°C ustala się przez zmianę koncentracji dwutlenku tytanu TiO2 w warstwie dielektrycznej wynoszącej od 30-95% objętości oraz zmianę zawartości składnika przewodzącego w warstwie rezystywnej, stosując pasty o rezystancji 10 Ω/π do 100 kQ/n i zmianę szczytowej temperatury wypalania warstwy rezystywnej mieszczącej się w przedziale od 760°C do 860°C.
Z opisu patentowego PL 162478 znany jest sposób wytwarzania pastylkowych termistorów wanadowych o skokowej zmianie rezystancji w postaci pastylek cylindrycznych z elektrodami, naniesionymi na obie powierzchnie równoległe pastylki. Sposób charakteryzuje się tym, że w procesie obróbki termicznej termistory umieszcza się na siatce z materiału nie reagującego a tworzywem wanadowym, szczególnie z platyny, a naniesioną dla wytwarzania elektrod pastę srebrową utwardza się w temperaturze nie przekraczającej dopuszczalnej temperatury pracy termistora. Otrzymane tym sposobem termistory posiadają wyższe parametry cieplno-elektryczne, niż termistory z wprasowanymi elektrodami platynowymi, a dzięki stosowaniu tylko wielkoseryjnych procesów technologicznych i nie stosowania elektrod platynowych są relatywnie bardziej ekonomiczne.
Celem wynalazku jest uzyskanie takiego sposobu wytwarzania, dzięki któremu gotowe wyroby posiadają zwiększoną odporność na zmienne warunki atmosferyczne oraz odporność na wibrację a w szczególności posiadają zwiększoną stabilność w wydłużonym okresie żywotności.
Cel ten realizuje sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury, w którym warstwy elektroceramiczne utworzone są głównie z mieszaniny tlenków matali; manganu Mn2O3, niklu NiO, żelaza Fe2O3, i miedzi CuO w proporcji wagowej jak 60:25:13:2, gdzie te wartości wagowe mogą być zwiększone lub zmniejszone, tlenków: manganu i niklu do 10%, żelaza do 5% i miedzi do 2%, zawsze w uzupełnieniu wszystkich składników do 100%. Tak przygotowaną mieszaninę poddaje się pierwszemu mieleniu w alkoholu etylowym w młynie kulowym przez czas do 24 godzin, po czym zmieloną masę po wysuszeniu poddaje się procesowi kalcynacji w czasie do 8 godzin i w temperaturze do 820°C. Następnie prowadzi się drugie mielenie, stosując takie same kryteria jak dla pierwszego mielenia i suszenie, a po nim do mieszaniny dodaje się dyspergator hypermer KD-1 w ilości 1,2 do 1,7 wagi mieszaniny tlenków. Tak uzyskaną mieszaninę poddaje się trzeciemu mieleniu z takimi samymi kryteriami jak przy pierwszym mieleniu, a po czasie do 5 godzin, do otrzymanej gęstwy mieszaniny dodaje się poliwinylobutyral PVB w ilości do 5% wagowych i glikol w ilości 8% wagowych wagi mieszaniny tlenków, po czym kontynuuje się mielenie przez kolejny, do 24 godzinny okres. Po zakończeniu tego mielenia całą zawartość pojemnika młyna kulowego przelewa się do zbiornika urządzenie do wylewu taśmy, po czym wylewa się taśmę termistorową o grubości nie przekraczającej 200 mikrometrów. Po skrzepnięciu uzyskaną taśmę tnie się na kwadraty o boku 40 mm, po czym po dwa pocięte kwadraty układa sią w stosy i poddaje sprasowaniu w prasie izostatycznej od ciśnienia początkowego 10 MPa do ciśnienia 30 MPa w czasie dochodzącym do 40 minut a sprasowane elementy poddaje się procesowi wypału w piecu wysokotemperaturowym przez czas do 17 godzin, stopniowo zwiększając temperaturę do osiągnięcia 1300°C, a po ostygnięciu na powierzchnię kwadratowych wafelków nanosi się elektrody z pasty srebrowej. Tak uzyskane wafelki tnie się na chipy a do posrebrzanych elektrod lutuje się przewody.
Korzystnie, mielenie przygotowanej mieszaniny prowadzi się w młynie kulowym o pojemności 2 l przy prędkości obrotowej 120 rpm i zastosowaniu mielników cyrkonowych w ilości do 1300 szt., a cięcie wafelków prowadzi się za pomocą wysokoobrotowej maszyny do cięcia z prędkością obrotową ostrza do 15000 rpm i prędkością jego przesuwu 12 m/min, natomiast końcowe wymiary chipów wynoszą 1x1 mm.
Wielowarstwowe, termistorowe czujniki temperatury wytwarzane według wynalazku posiadają zwiększony zakres pracy zarówno do temperatury maksymalnej 150°C, jak i temperatur ujemnych nawet do -96°C. Dodatkowo takie rozwiązanie gwarantuje również precyzyjną tolerancję wskazań wyrobu sięgającą ± 0,05 w przedziale temperatur od 32°C do 45°C. Czujniki posiadają zwiększoną odporność na zmienne warunki atmosferyczne, co znacząco wydłuża ich żywotność i stabilność a dzięki zastosowaniu sposobu składania i prasowania izostatycznego cienkich warstw materiału elektroceramicznego posiadają podwyższoną odporność na wibracje.
Przykłady wykonania.
Przykład 1. Przygotowaną mieszaninę tlenków matali w ilości 600 g; manganu Mn2O3, niklu NiO, żelaza Fe2O3 i miedzi CuO w proporcji wagowej jak 60:25:13:2, poddaje się pierwszemu mieleniu w alkoholu etylowym w młynie kulowym przez czas do 24 godzin, po czym zmieloną masę suszy się i poddaje w czasie do 8 godzin i w temperaturze nie przekraczającej 820°C. Po tej fazie prowadzi się drugie mielenie, stosując takie same kryteria jak dla pierwszego mielenia, a po nim suszenie, po czym do mieszaniny dodaje się dyspergator hypermer KD-1 w ilości 1,5% do 1,7 wagi mieszaniny tlenków. Tak przygotowaną masę poddaje się trzeciemu mieleniu stosując takie same kryteria jak przy pierwszym mieleniu. Po czasie nie przekraczającym 5 godzin, do otrzymanej gęstwy mieszaniny dodaje się poliwinylobutyral PVB w ilości 5% wagowych i glikol w ilości 8% wagowych wagi mieszaniny tlenków. Następnie kontynuuje się mielenie przez kolejny okres. Po tym, całą zawartość pojemnika młyna kulowego przelewa się do zbiornika urządzenie do wylewu taśmy i wylewa się taśmę termistorową o grubości 200 mikrometrów. Po skrzepnięciu, uzyskaną taśmę tnie się na kwadraty o boku 40 mm a następnie po dwa pocięte kwadraty układa sią w stosy i poddaje sprasowaniu w prasie izostatycznej od ciśnienia początkowego 10 MPa do ciśnienia 30 MPa w czasie do 40 minut. Sprasowane elementy poddaje się procesowi wypału w piecu wysokotemperaturowym przez czas do 17 godzin, stopniowo zwiększając temperaturę do osiągnięcia 1300°C. Po ostygnięciu na powierzchnię kwadratowych wafelków nanosi się elektrody z pasty srebrowej, po czym wafelki tnie się na chipy a do posrebrzanych elektrod lutuje się przewody.
W tak prowadzonym sposobie wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury, mielenie przygotowanej mieszaniny prowadzi się w młynie kulowym o pojemności 2 l przy prędkości obrotowej 120 rpm i zastosowaniu mielników cyrkonowych w ilości do 1300 szt., a cięcie wafelków prowadzi się za pomocą wysokoobrotowej maszyny do cięcia z prędkością obrotową ostrza do 15000 rpm i prędkością jego przesuwu 12 m/min, natomiast końcowe wymiary chipów wynoszą 1x1 mm.
Przykład 2. Do przygotowania mieszaniny użyto takich samych jak w przykładzie 1, tlenków matali w ilości 600 g; manganu Mn2O3, niklu NiO, żelaza Fe2O3 i miedzi CuO w innej proporcji wagowej jak przedstawiono odpowiednio: 54:32:11:3. Wszystkie inne czynności dotyczące realizacji sposobu wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury są takie same jak w przykładzie 1.

Claims (2)

1. Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury, w którym warstwę elektroceramiczną tworzy się głównie z mieszaniny tlenków matali; manganu Mn2O3, niklu NiO, żelaza Fe2O3 i miedzi CuO w proporcji wagowej jak 60:25:13:2, gdzie te wartości wagowe mogą być zwiększone lub zmniejszone, tlenków: manganu i niklu do 10%, żelaza do 5% i miedzi do 2%, zawsze w uzupełnieniu wszystkich składników do 100%, znamienny tym, że tak przygotowaną mieszaninę poddaje się pierwszemu mieleniu w alkoholu etylowym w młynie kulowym przez czas do 24 godzin, po czym zmieloną masę po wysuszeniu poddaje się procesowi kalcynacji w czasie do 8 godzin i w temperaturze dochodzącej do 820°C, po czym prowadzi się drugie mielenie, stosując takie same kryteria jak dla pierwszego mielenia, i suszenie, a po nim do mieszaniny dodaje się dyspergator hypermer KD-1 w ilości 1,2 do 1,7 wagi mieszaniny tlenków i poddaje się trzeciemu mieleniu z takimi samymi kryteriami jak przy pierwszym mieleniu, a po czasie nie przekraczającym 5 godzin, do otrzymanej gęstwy mieszaniny dodaje się poliwinylobutyral PVB w ilości nie przekraczającej 5% wagowych i glikol w ilości 8% wagowych wagi mieszaniny tlenków, po czym kontynuuje się mielenie przez kolejny, do 24 godzinny okres, po czym całą zawartość pojemnika młyna kulowego przelewa się do zbiornika urządzenie do wylewu taśmy, po czym wylewa się taśmę termistorową o grubości nie przekraczającej 200 mikrometrów a po skrzepnięciu uzyskaną taśmę tnie się na kwadraty o boku 40 mm, po czym po dwa pocięte kwadraty układa sią w stosy i poddaje sprasowaniu w prasie izostatycznej od ciśnienia początkowego 10 MPa do ciśnienia 30 MPa w czasie nie przekraczającym 40 minut a sprasowane elementy poddaje się procesowi wypału w piecu wysokotemperaturowym przez czas do 17 godzin, stopniowo zwiększając temperaturę do osiągnięcia 1300°C, a po ostygnięciu na powierzchnię kwadratowych wafelków nanosi się elektrody z pasty srebrowej, po czym wafelki tnie się na chipy a do posrebrzanych elektrod lutuje się przewody.
2. Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury, według zastrzeżenia 1, znamienny tym, że mielenie przygotowanej mieszaniny prowadzi się w młynie kulowym o pojemności 2 l przy prędkości obrotowej 120 rpm i zastosowaniu mielników cyrkonowych w ilości do 1300 szt., a cięcie wafelków prowadzi się za pomocą wysokoobrotowej maszyny do cięcia z prędkością obrotową ostrza do 15000 rpm i prędkością jego przesuwu 12 m/min, natomiast końcowe wymiary chipów wynoszą 1x1 mm.
PL442577A 2022-10-19 2022-10-19 Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury PL247593B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL442577A PL247593B1 (pl) 2022-10-19 2022-10-19 Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL442577A PL247593B1 (pl) 2022-10-19 2022-10-19 Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL442577A1 PL442577A1 (pl) 2024-04-22
PL247593B1 true PL247593B1 (pl) 2025-08-04

Family

ID=90790582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL442577A PL247593B1 (pl) 2022-10-19 2022-10-19 Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL247593B1 (pl)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL143448B1 (en) * 1984-01-13 1988-02-29 Politechnika Rzeszowska Method of manufacture of thick-layer thermistor
JPH02121303A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Tdk Corp Ntcサーミスタ素子の製造方法
US4993142A (en) * 1989-06-19 1991-02-19 Dale Electronics, Inc. Method of making a thermistor
US5160912A (en) * 1989-06-19 1992-11-03 Dale Electronics, Inc. Thermistor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL143448B1 (en) * 1984-01-13 1988-02-29 Politechnika Rzeszowska Method of manufacture of thick-layer thermistor
JPH02121303A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Tdk Corp Ntcサーミスタ素子の製造方法
US4993142A (en) * 1989-06-19 1991-02-19 Dale Electronics, Inc. Method of making a thermistor
US5160912A (en) * 1989-06-19 1992-11-03 Dale Electronics, Inc. Thermistor

Also Published As

Publication number Publication date
PL442577A1 (pl) 2024-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101015035B1 (ko) 배리스터
WO2009061627A1 (en) Lead and cadmium free, low temperature fired x7r dielectric ceramic composition and method of making
JP3698953B2 (ja) 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法
PL247593B1 (pl) Sposób wytwarzania wielowarstwowych, termistorowych czujników temperatury
KR100444225B1 (ko) 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법
CN105934420B (zh) 层叠体、层叠器件及它们的制造方法
JP3698951B2 (ja) 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法
JP3305272B2 (ja) 誘電体磁器材料
JP3317246B2 (ja) 複合セラミック及び複合セラミック素子
JP2002356371A (ja) 誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ
JP4052032B2 (ja) 誘電体組成物およびこれを用いた積層セラミック部品
JP2020015635A (ja) セラミックス組成物及び当該セラミックス組成物を用いた電子部品
JP2002284579A (ja) 水系セラミックグリーンシート用塗料組成物、セラミックグリーンシートの製造方法およびセラミック電子部品の製造方法
JP2012036032A (ja) 半導体磁器組成物、その製造方法、ptc素子及び発熱モジュール
JP3853748B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
Handa et al. High volume efficiency multilayer ceramic capacitor
JP2012046372A (ja) Ptc素子および発熱モジュール
JP2005179117A (ja) 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品
JP5193319B2 (ja) セラミックス組成物及び電子部品
JP4174668B2 (ja) 誘電体磁器組成物、並びにその製造方法、それを用いた誘電体磁器及び積層セラミック部品
US20250172440A1 (en) Ntc thermistor composition and thermistor element
JP2007055828A (ja) 誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品
JP3930843B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物、電子部品および積層チップバリスタ
KR100670690B1 (ko) 전압 비선형성 저항체 자기 조성물, 전자 부품 및 적층 칩배리스터
JP3081605B1 (ja) 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法