PL184646B1 - Sposób wytwarzania paraksylenu o bardzo wysokiej czystości - Google Patents

Abstract

1. Sposób wytwarzania paraksylenu o bardzo wysokiej czystosci ze wsadu zawie- rajacego mieszanine weglowodorów aromatycznych od 7 do 9 atomów wegla, obejmujacy cyrkulacje co najmniej czesci wsadu w strefie wzbogacania, z wytworzeniem pierwszej fra- kcji zawierajacej paraksylen w ilosci wiekszej niz 50% wagowych, oczyszczanie co najmniej czesci tej pierwszej frakcji w strefie oczyszczania za pomoca co najmniej jednej krystalizacji w co najmniej jednej strefie krystalizacji, znamienny tym, ze wymieniona strefa krystalizacji obejmuje co najmniej dwa etapy krystalizacji w temperaturze, zawartej miedzy +10°C a -30°C, a korzystnie pomiedzy +10°C a -25°C, przy czym temperatura T1 jednego z etapów jest rózna od temperatury T2 drugiego etapu, zas krysztaly paraksylenu odzyskuje sie z kazde- go etapu krystalizacji. PL PL PL PL

Description

Wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania paraksylenu o bardzo wysokiej czystości z mieszaniny węglowodorów aromatycznych o 7 do 9 atomach węgla, zawieraj ących izomery ksylenu.

Izomerami ksylenu sąortoksylen, metaksylen, paraksylen i etylobenzen. Głównym celem wynalazku jest otrzymywanie paraksylenu o stopniu czystości wystarczającym do syntezy na przykład kwasu teraftalowego, który stosowany jest do wytwarzania syntetycznych włókien, a w szczególności poliestru.

Zgłaszający opisał w opisie patentowym FR 2 681 066 (US 5 284 992) sposób wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów, który składa się głównie z węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla.

Sposób ten składa się z połączenia etapu wzbogacania, który polega na selektywnej adsorpcji wsadu zawierającego głównie izomery ksylenu na substancji adsorbującej w postaci złoża ruchomego co pozwala istotnie wzbogacić pierwszy odciek adsorbcyjny w paraksylen i etapu oczyszczania, który polega na krystalizacji odcieku wzbogaconego w paraksylen w przynajmniej jednym aparacie do krystalizacyji w wysokiej temperaturze w taki sposób, aby otrzymać paraksylen o wysokiej czystości, przy czym ług macierzysty zawracany jest do etapu adsorpcji.

Krystalizacja ta w wysokiej temperaturze odpowiada drugiemu etapowi krystalizacji w konwencjonalnych procesach krystalizacji (Chevron, Arco), które zwykle składają się z pierwszej krystalizacji w niskiej temperaturze (-40 do -70°C) i z drugiej krystalizacji oczyszczającej w wysokiej temperaturze (0 do -20 ° C) otrzymanych kryształów uprzednio ponownie roztopionych.

Ponadto, drugą frakcję zubożonąw paraksylen, a więc wzbogaconąw orto i metaksylenjak również w etylobenzen, wydzieloną z urządzenia do adsorbcji selektywnej, przesyła się do urządzenia do izomeryzacji, aby podwyższyć stężenie paraksylenu do wartości zbliżonej do stanu równowagi i wyraźnie bliskiej, bądź wyższej od stężenia w kompozycji w początkowym wsadzie węglowodorów, a otrzymany izomerat może być zawrócony do procesu adsorpcji.

W opisanych w kolejności procesach adsorpcji, krystalizacji i izomeryzacji, w różnych odciekach mogą pojawiać się różne rodzaje zanieczyszczeń i powodować zakłócenia w pracy urządzeń co utrudnia otrzymanie określonej wydajności i czystości odzyskanego paraksylenu.

Po pierwsze w czasie izomeryzacji frakcji zubożonej w paraksylen, węglowodory olefmowe mogą występować w różnorodnej ilości w zależności od wartości ciśnienia cząstkowego wprowadzonego wodoru. Kolejne tworzenie się polimerów i ich przejście przez urządzenie do adsorpcji może spowodować poważne problemy cyrkulacji w przechodzeniu przez substancję adsorbującą, a nawet jej dezaktywację.

Dodatkowo, węglowodory parafinowe i naftenowe o 8 i 9 atomach węgla, których lotność zawiera się pomiędzy lotnością toluenu rozpuszczalnika desorpcji, a lotnością ksylenów, sąproduktami pośrednimi konwersji etylobenzenu w ksyleny w czasie izomeryzacji, a ich nagromadzenie może się okazać szkodliwe.

Poza tym węglowodory aromatyczne o 9 atomach węgla obecne w niewielkiej ilości i źle rozdzielone na kolumnach destylacyjnych mogą być szkodliwe w procesie, całkowicie jak aldehydy i ketony cięższe niż wsad początkowy, które powstają w przypadkowej obecności rozpuszczonego tlenu.

W końcu inny problem jest związany z obecnością metanolu. Ten akohol dodaje się czasami w niewielkiej ilości do mieszaniny ksylenów do krystalizacji, aby uniknąć kokrystalizacji wody i paraksylenu.

W efekcie mieszaniny suchych węglowodorów C₈ są odpowiednio higroskopijne i podczas gdy zawiesina kryształków paraksylenu w ługu macierzystym przechodzi przez wirówki, woda

184 646 zawarta w powietrzu w otoczeniu może być zaabsorbowana w ługu macierzystym i może ewentualnie wykrystalizować w zależności od temperatury tego ługu.

Dodatkowo, pewne wymieniacze mogą mieć przecieki i woda może przechodzić przypadkowo do mieszaniny do krystalizacji, elem wynalazku jest ulepszenie odzyskiwania paraksylenu produktu i zminimalizowanie kosztów energetycznych, zwłaszcza etapu oczyszczania.

Celem wynalazku jest zapobieganie tym niedogodnościom, a zwłaszcza wyeliminowanie tych różnych zanieczyszczeń w strefie adsorpcji i zoptymalizowanie sposobu, w związku z tym, że substancja adsorbująca w obszarze adsorpcji jest bardzo wrażliwa na zanieczyszczenia znajdujące się we wsadzie w obszarze adsorpcji.

Niniejszy wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania paraksylenu o bardzo wysokiej czystości ze wsadu zawierającego mieszaninę węglowodorów aromatycznych od 7 do 9 atomów węgla, obejmujący cyrkulację co najmniej części wsadu w strefie wzbogacania, z wytworzeniem pierwszej frakcji zawierającej paraksylen w ilości większej niż 50% wagowych, oczyszczanie co najmniej części tej pierwszej frakcji w strefie oczyszczania za pomocą co najmniej jednej krystalizacji w co najmniej jednej strefie krystalizacji, charakteryzującego się tym, że wymieniona strefa krystalizacji obejmuje co najmniej dwa etapy krystalizacji w temperaturze, zawartej między +10°C a -30°C, a korzystnie pomiędzy+10°C a -25°C, przy czym temperatura T, jednego z etapów jest różna od temperatury T₂ drugiego etapu, zaś kryształy paraksylenu odzyskuje się z każdego etapu krystalizacji.

Korzystnie, cyrkulację prowadzi się w strefie wzbogacania w paraksylen, którą stanowi co najmniej jedna strefa krystalizacji w temperaturze niższej niż w wymienionych etapach krystalizacji, przy czym do tej strefy wzbogacania wprowadza się wsad składający się z mieszaniny węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla, z którego po etapie rozdzielania otrzymuje się ciecz, którą poddaje się izomeryzacji w strefie izomeryzacji oraz kryształy, które się stapia wytwarzając co najmniej część wymienionej pierwszej frakcji.

W innym, korzystnym wariancie sposobu według wynalazku, cyrkulację prowadzi się w strefie wzbogacania w paraksylen, którą stanowi strefa adsorpcji selektywnej zawierająca zeolitową substancję adsorbującą, przy czym do tej strefy wzbogacania wprowadza się wsad składający się z mieszaniny węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla, przy czym przeprowadza się adsorpcję selektywną wsadu, w obecności rozpuszczalnika desorpcji, odzyskuje się wymienioną pierwszą frakcję, wzbogaconą w paraksylen i drugą frakcję, zubożoną w paraksylen, przeprowadza się izomeryzację wymienionej drugiej frakcji w strefie izomeryzacji zawierającej katalizator izomeryzacji, w warunkach odpowiednich do wytworzenia izomeratu zawierającego paraksylen i zawraca się co najmniej część izomeratu do strefy adsorpcji.

Co najmniej część ługu macierzystego, otrzymanego w najzimniejszym etapie w strefie oczyszczania, korzystnie zawraca się do strefy wzbogacania.

W kolejnym wariancie sposobu według wynalazku, cyrkulację prowadzi się w strefie wzbogacania w paraksylen, którą stanowi co najmniej jedna strefa dysproporcjonowania wsadu składającego się zasadniczo z toluenu, przy czym w procesie wytwarza odciek składający się z benzenu i z ksylenów, który poddaje się destylacji dla wyeliminowania nie przereagowanego benzenu i toluenu i wytworzenia pierwszej frakcji z paraksylenem.

Strefa oczyszczania korzystnie obejmuje pierwszą krystalizację prowadzoną w temperaturze T[ i drugą krystalizację prowadzoną w temperaturze T₂, wyższej od T,.

Ewentualnie, prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen, w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, odzyskuje się pierwszy ług macierzysty, stapia się pierwsze wydzielone kryształy i krystalizuje sięje w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T₂ wyższej odT,, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej czę6

184 646 ściowo drugi ług macierzysty i co najmniej część roztworu przemywającego do pierwszej strefy krystalizacji, a ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji i stapia się całkowicie drugie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać ciekły strumień stopionego paraksylenu.

Strefa oczyszczania korzystnie obejmuje pierwszą krystalizację prowadzoną w temperaturze Tji drugą krystalizację prowadzoną w temperaturze T₂, niższej od Tj.

Korzystnie, prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, i ewentualnie przemywa się je rozpuszczalnikiem do przemywania w pierwszej strefie rozdzielania, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T₂ niższej od T,, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, przemywa się je rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, miesza się pierwsze i drugie kryształy paraksylenu, stapia się je całkowicie i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu.

Ewentualnie, prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen i kryształów ewentualnie stopionych, zawróconych, pochodzących z drugiej krystalizacji umiejscowionej poniżej, w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T_b odzyskuje się zawiesinę kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej pierwszej strefie, stapia się je i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, przeprowadza się krystalizację przynajmniej części pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury T,, zawraca się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, stapia się ewentualnie drugie kryształy i zawraca się kryształy ewentualnie stopione do pierwszej strefy krystalizacji, dla ponownej ich krystalizacji z frakcj ąwzbogaconąw paraksylen w temperaturze T j.

W innym wariancie wynalazku prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen i kryształów ewentualnie - stopionych, zawróconych, pochodzących z drugiej krystalizacji umiejscowionej poniżej, w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej pierwszej strefie, stapia się je i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, przeprowadza się krystalizację przynajmniej części pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury T,, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, stapia się częściowo drugie kryształy i zawraca się je w zawiesinie do pierwszej strefy krystalizacji, aby je powtórnie wykrystalizować z frakcją wzbogaconą w paraksylen w temperaturze Tj.

W następnym korzystnym wariancie sposobu według wynalazku prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze Tj, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, prowadzi się krystalizację co najmniej części pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej niż temperatura T,, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty, odzyskuje się pierwsze kryształy i drugie kryształy i przemywa się je w co najmniej jednej strefie rozdzielania i przemywania w przeciwprądzie rozpuszczalnikem przystosowanym do przemywania, odzyskuje się część roztworu przemywającego, który częściowo

184 646 zawraca się do pierwszej strefy krystalizacji, odzyskuje się drugą część kryształów paraksylenu, stapia się je całkowicie w strefie topienia i odbiera się strumień stopionego paraksylenu.

Poniżej przedstawiono ogólne uwagi dotyczące korzystnych możliwości realizacji w praktyce sposobu według wynalazku.

Każdy etap krystalizacji może składać się z jednego lub wielu krystalizatorów.

Przez krystalizację paraksylenu w wysokiej temperaturze, rozumie się krystalizację roztworu bądź zawiesiny paraksylenujuż wzbogaconej w paraksylen, która odpowiada takiemu etapowi, który w literaturze nazywa się oczyszczaniem. Na przykład opis patentowy US 2 866 833 wspomina o etapie oczyszczania paraksylenu, który może odbywać się aż do temperatury -34°C.

Według pierwszego wariantu, strefąwzbogacania pierwszej frakcji w paraksylen do co najmniej 30% wagowych może być co najmniej jedna strefa krystalizacji w bardzo niskiej temperaturze, na przykład niższej niż -40°C, zwanej strefą odzyskiwania, do której wprowadza się wsad składający się z węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla, jak według opisanego opisu patentowego US 2 866 833, bądź jak według opisanego opisu patentowego US 5 329 061. Z tej strefy wzbogacania uwalnia się zawiesina kryształów, która poddana jest operacji rozdzielania w strefie rozdzielania, a odzyskane kryształy topi się i stanowiąone co najmniej część wymienionej pierwszej frakcji, którą oczyszcza się w następnej kolejności. Dodatkowo ług macierzysty powstający w wyniku rozdzielania może być poddany izomeryzacji w strefie izomeryzacji, a izomerat częściowo może być zawracany do strefy wzbogacania (sekcja odzyskiwania).

Według drugiego wariantu, strefą wzbogacania w paraksylen może być strefa adsorpcji selektywnej wsadu składającego się z mieszaniny węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla i z której uwalnia się frakcja wzbogacona w paraksylen.

Według trzeciego wariantu, strefąwzbogacania w paraksylen może być strefa dysproporcjonowania wsadu składającego się przede wszystkim z toluenu i w którym używanyjest selektywny katalizator koks bądź krzem według opisów patentowych US4.117 .026,4.097.534,4.851.604,5.173.461, 5.243.117Ϊ5.321.183. Odciek z dysmutacji składający się z ksylenów, z benzenu i z toluenu, który nie przereagował, korzystnie uwalnia się od benzenu i toluenu w wyniku destylacji.

Korzystnie jest umiejscowić odciek zawierający więcej niż 50% wagowych paraksylenu, a korzystnie 75 do 98% w wyjściu ze strefy wzbogacenia, to znaczy na przykład ze strefy adsorpcji selektywnej takiej jak opisana w opisie patentowym US 5 284 992 zgłaszającego.

Inna alternatywa wytwarzania paraksylenu może składać się z kombinacji etapu adsorpcji, izomeryzacji i krystalizacji jednostopniowej w wysokiej temperaturze.

Następny wariant wynalazku, sposób składa się z kombinacji operacji adsorpcji i operacji krystalizacji. Według tego wariantu co najmniej jedna część wsadu i/lub produkty będące wynikiem krystalizacji, na przykład ług macierzysty poddaje się operacji obróbki ziemią. Co najmniej część odcieku będącego wynikiem operacji obróbki ziemią zawraca się, aby zostać poddanym operacji adsorpcji.

Niniejszy wynalazek dotyczy również sposobu składającego się oprócz operacji adsorpcji i krystalizacji z etapu izomeryzacji. W tym przypadku co najmniej jedna część izomeratu może być poddana obróbce ziemią.

Niniejszy wynalazek dotyczy również sposobu składającego się oprócz operacji adsorpcji i krystalizacji z etapu izomeryzacji, w tym przypadku co najmniej jedna część izomeratu może być poddana obróbce ziemią.

Niniejszy wynalazek dotyczy ponadto sposobu wydzielania i odzyskiwania paraksylenu ze wsadu, który może zawierać metaksylen:, sposób ten składa się z kombinacji operacji adsorpcji i operacji krystalizacji. Według tego sposobu co najmniej część ługu macierzystego pochodzącego z operacji krystalizacji jest oczyszczana w procesie destylacji, przed zawróceniem do operacji adsorpcji.

Wynalazek dotyczy również sposobu wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów składającego się z aromatycznych węglowodorów C₈, w którym: podaje się kontaktowi w co najmniej jednej strefie, adsorpcji, wymieniony wsad składający się co

- najmniej z metaksylenu, paraksylenu z co najmniej jedną substancją adsorbującą w obecności co najmniej jednego rozpuszczalnika desorbcji przystosowanego do takich warunków ad8

184 646 sorpcji, w których otrzymuje się pierwszą frakcję zawierającą rozpuszczalnik, metaksylen i ewentualnie etylobenzen i/lub ortoksylen i drugą frakcję zawierającą rozpuszczalnik wzbogacony w paraksylen;

- destyluje się pierwszą frakcję dla odzyskania mieszaniny metaksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu;

- izomeryzuje się częściowo wymieniona^ mieszaninę w odpowiednich warunkach w co najmniej jednej strefie izomeryzacji i odzyskuje się izomerat, którego część zawraca się do strefy adsorpcji;

- destyluje się wymienioną drugą frakcję aby otrzymać istotnie wzbogacony paraksylen i przystępuje się do jego krystalizacji otrzymując z jednej strony ług macierzysty, który przynajmniej w części zawraca się do etapu adsorpcji, a z drugiej strony kryształy paraksylenu.

Według innego wariantu prowadzenia sposobu według wynalazku, można spowodować cyrkulację co najmniej części wybranej spośród co najmniej części wsadu, co najmniej części izomeratu i co najmniej części ługu macierzystego w co najmniej jednej strefie obróbki ziemią bądź materiałem równorzędnym i odzyskuje się pierwszy odciek, który wprowadza się częściowo do strefy adsorpcji, aby wytworzyć wymienione pierwsząi drugą frakcję, które odbiera się ze strefy adsorpcji.

Bardziej szczegółowo wynalazek dotyczy sposobu wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów składającego się z aromatycznych węglowodorów C₈, sposób składa się z następujących etapów;

a) podaje się kontaktowi w co najmniej jedym strefie adsorpcji, wymieniony wsad składający się z metaksylenu, paraksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu z substancją adsorbującą w obecności rozpuszczalnika desorpcji przystosowanego do takich warunków adsorpcji, w których otrzymuje się pierwszą frakcję zawierającą rozpuszczalnik, metaksylen i ewentualnie etylobenzen i/lub ortoksylen i drugą frakcję zawierającą rozpuszczalnik i paraksylen ogólnie wzbogacony;

b) destyluje się pierwszą frakcję aby odzielić z jednej strony rozpuszczalnik, a z drugiej strony mieszaninę metaksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu;

c) izomeryzuje się wymienioną mieszaninę w odpowiednich warunkach w strefie izomeryzacji i odzyskuje się izomerat, z którego część zawraca się do etapu a);

d) destyluje się drugą frakcję i odzyskuje się zjednej strony rozpuszczalnik i ogólnie wzbogacony paraksylen;

e) przystępuje się do krystalizacji paraksylenu z etapu d) w co najmniej jednej strefie krystalizacji w wysokiej temperaturze, zawartej korzystnie między +10°C a -25°C i poprzez rozdzielenie otrzymuje się z jednej strony ług macierzysty, którego część zawraca się do etapu a) a z drugiej strony kryształy paraksylenu nasączone ługiem macierzystym;

f) przemywa się kryształy paraksylenu rozpuszczalnikiem przystosowanym do przemywania w co najmniej jednej strefie przemywania i odzyskuje się kryształy paraksylenu o bardzo wysokim stopniu czystości;

Według innego wariantu wynalazku, można spowodować cyrkulację co najmniej jednego składnika wybranego spośród wsadu, izomeratu i ługu macierzystego w co najmniej jednej strefie obróbki ziemią i odzyskuje się pierwszy odciek, który wprowadza się do strefy adsorpcji, aby wytworzyć wymienione pierwszą i drugą frakcję z etapu a).

Co najmniej część wsadu węglowodorów może być wstępnie obrobiona w reaktorze obróbki ziemią. Jest korzystniej, kiedy izomerat będzie przesłany do reaktora obróbki ziemią przed wysłaniem go do adsorpcji. Te reaktory mogą być niezależne, bądź tworzyć reaktor pojedynczy, ewentualnie wspólny z tym, w którym jest obrabiany ług macierzysty.

Te obróbki ziemią pozwalają wyeliminować co najmniej część olefin zwłaszcza wytworzonych w etapie izomeryzacji i co najmniej część ciężkich zanieczyszczeń, które cyrkułu ją w pętli adsorpcja, krystalizacja i izomeryzacja.

Różne warianty mogą być brane pod uwagę:

184 646

Korzystnie ług macierzysty częściowo wprowadza się do kolumny destylacyjnej poniżej strefy izomeryzacji. W tej kolumnie przetwarza się również odciek ze strefy izomeryzacji i uwalnia się szczytową frakcję zawierającą lekkie składniki (woda, metanol, C₇) i inną frakcję zawierającą przedestylowaną mieszaninę ługu macierzystego i izomeratu, którą wprowadza się następnie do strefy obróbki ziemią.

Pogoń destylacyjny zawieraj ący ciężkie związki może być odebrany z tej kolumny destylacyjnej, co pozwala zmniejszyć wielkość instalacji końcowych.

Część ługu macierzystego może być również zmieszana z jakimkolwiek odciekiem, pochodzącym ze strefy obróbki ziemią, bądź odciekiem powstającym w wyniku cyrkulacji izomeratu, ługu macierzystego i wsadu w strefie obróbki ziemią, bądź odciekiem powstającym w wyniku cyrkulacji w strefie obróbki ziemiąwyżej wspomnianych frakcji i frakcji destylacyjnej zwierającej w/w mieszaninę przedestylowanego ługu macierzystego i izomeratu przed wprowadzeniem jej do strefy adsorpcji selektywnej.

Odciek powstający w wyniku tych ostatnich wariantów może być przedestylowany w co najmniej jednej kolumnie destylacyjnej (kolumnie zwanej rerun), która uwalnia pogoń destylacyjny zawierający ciężkie związki i frakcję szczytową, którajest wprowadzona do strefy adsorpcji ewentualnie z częścią ługu macierzystego.

Warunki adsorpcji bądź usunięcia niepożądanych związków na ziemi sąna ogół następujące:

- Temperatura:

- Godzinowe obciążenie przepływu:

- Typ ziemi:

- Ciśnienie:

100 do 300°C, korzystnie 160 do 200°C 1 do 8, korzystnie 1 do 4.

(Godzinowa objętość wsadu na objętość ziemi) glinokrzemiany naturalnie aktywowane lub nie, na przykład ziemia oznaczona F54 u ENGELHARD

0,3 do 10 MPa, korzystnie 0,4 do 2 Mpa.

Kolumna destylacyjna następująca po izomeryzacji posiada na ogół następującą charakterystykę:

- Ciśnienie :

- Temperatura na spodzie:

- Liczba półek:

0,1 do 2 MPa, korzystnie 0,3 do 0,8 MPa

150 do 280°C, korzystnie 200 do 240°C 30 do 80, korzystnie 50 do 70

Kolumna destylacyjna zwana rerun umiejscowiona pomiędzy strefą obróbki ziemią a strefą adsorpcji selektywnej posiada na ogół następującą charakterystykę:

- Ciśnienie :

- Temperatura na spodzie:

- Liczba półek:

0,1 do 2 MPa, korzystnie 0,3 do 0,8 MPa. 160 do 290°C, korzystnie 210 do 250°C 40 do 200, korzystnie 50 do 90

Według innej charakterystyki wynalazku możemy być zmuszeni do utrzymania ilości związków o pośredniej lotności w stopniu dopuszczalnym.W tym przypadku co najmniej jedna część ługu macierzystego może być oczyszczona przed wprowadzeniem jej do strefy obróbki ziemią.

Może również być korzystne oczyszczenie przynajmniej części rozpuszczalnika desorpcyjnego odzyskanego w etapach b) i d) destylacji frakcj i zubożonej, bądź frakcj i wzbogaconej w paraksylen, zanim zostanie zawrócony i wyrównanie czystości rozpuszczalnika poprzez dodanie nowego rozpuszczalnika, bądź do wsadu, bądź przed strefą adsorpcji.

186 646

Jak wskazano, istnieje możliwość zawracania ługu macierzystego do różnych miejsc instalacji w zależności od zawartości związków niepożądanych, ale korzystną może okazać się kombinacja między sobą różnych powrotów, w chwili kiedy chodzi o powtórne użycie istniejącego wyposażenia do destylacji izomeratu, obróbki ziemią, bądź destylacji, która zwana jest rerun i podczas gdy jedno z urządzeń pracuje na maximum wydajności.

Można również połączyć różne powroty i etapy oczyszczania podczas gdy dążymy do obniżenia zawartości nieczystości w pętli, nie dążąc do całkowitego ich wyeliminowania.

Etap krystalizacji frakcji wzbogaconej w paraksylen pochodzącej ze strefy wzbogacania jest na ogół przeprowadzany jak wspomniano powyżej w wysokiej temperaturze na przykład między + ,0 a -30°C, a korzystnie między + ,0 a -25°C. Temperaturę na ogół wybiera się w zależności od stężenia ksylenu, jakie życzymy sobie mieć w ługu macierzystym i w zależności od kosztu ekonomicznego operacji krystalizacji.

W tych warunkach można prowadzić jednostopniową krystalizację paraksylenu, podczas gdy zgromadzony paraksylen na przykład jako ekstrakt z urządzenia do adsorpcji posiada najwyższą czystość na przykład 85%.

Ale korzystnie, zwłaszcza z przyczyn ekonomicznych można prowadzić krystalizację wielostopniową, na przykład pierwsząkrystalizację w temperaturze T, zawartąmiędzy +b0 a -b 0°C, i drugą krystalizację w temperaturze T2 niższej od T, zawartą między 0 a -25°C.

Według pierwszego sposobu wykonania wynalazku, prowadzi się jednostopniową krystalizację paraksylenu z etapu d), odzyskuje się zawiesinę kryształów w ługu macierzystym, wydziela się kryształy z ługu macierzystego w strefie rozdzielania, przemywa się otrzymane kryształy rozpuszczalnikiem do przemywania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej część ługu macierzystego i co najmniej część roztworu do przemywania i topi się całkowicie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać strumień stopionego ciekłego paraksylenu.

Według drugiego sposobu wykonania wynalazku, przeprowadza się pierwszy wariant krystalizacji dwustopniowej frakcji wzbogaconej w paraksylen, prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu d) w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, rozdziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania, zawraca się część pierwszego ługu macierzystego do strefy adsorpcji, bądź krystalizacji w niskiej temperaturze, topi się pierwsze wydzielone kryształy i krystalizuje sięje w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od T,, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wydziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej część drugiego ługu macierzystego i co najmniej część roztworu przemywającego do pierwszej strefy krystalizacji, a ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji i topi się całkowicie drugie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać strumień stopionego ciekłego paraksylenu.

Przykładowo temperatura T, pierwszej krystalizacji może zawierać się pomiędzy -5 a -25°C podczas gdy temperatura T2 może zawierać się pomiędzy + ,0 a -5°C.

Według innego sposobu wykonania wynalazku, przeprowadza się drugi wariant krystalizacji dwustopniowej, prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu d) w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wydziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdziału, i ewentualnie przemywa się je rozpuszczalnikiem do przemywania w pierwszej strefie rozdzielania, prowadzi się krystalizację co najmniej części pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od T,, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wydziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdziału, przemywa się je rozpuszczalnikiem do przemywania w drugiej strefie rozdziału, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego przynajmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, bądź krystalizacji w niskiej temperaturze, miesza

184 646 się pierwsze i drugie kryształy paraksylenu, topi się je i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu.

Przykładowo pierwsza krystalizacja może być prowadzona w temperaturze T, zawartej pomiędzy +10 a -10°C, podczas gdy druga może być prowadzona w temperaturze T₂ niższej od T, zawartej pomiędzy 0 a -25°C.

Według innego sposobu prowadzenia wynalazku składającego się z krystalizacji wielo stopniowej, prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu d) i kryształów częściowo, bądź całkowicie stopionych, zawróconych pochodzących z drugiej krystalizacji umiejscowionej poniżej, w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wydziela się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdziału, przemywa się wymienione kryształy, topi się je całkowicie i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, krystalizuje się przynajmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury T,, odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wydziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdziału, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej część zawraca się do strefy adsorpcji, bądź krystalizacji w niskiej temperaturze, topi się ewentalnie drugie kryształy i zawraca się je ewentualnie do pierwszej strefy krystalizacji, abyje powrómie wykrystalizować z paraksylenem z etapu d) w temperaturze T,.

Inny wariant może polegać na częściowym stopieniu drugich kryształów i zawróceniu otrzymanej zawiesiny do pierwszej strefy krystalizacji, aby ją powtórnie poddać krystalizacji z paraksylenem z etapu (d) w temperaturze T,

Według innego sposobu prowadzenia, szczególnie korzystnego, prowadzi się pierwszą krystalizację paraksylenu z etapu (d) w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wydziela się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdziału, podaje się krystalizacji przynajmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury T,, wydziela się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdziału, odzyskuje się drugi ług macierzysty, którego co najmniej jedną część zawraca się do strefy adsorpcji, bądź krystalizacji w niskiej temperaturze, odzyskuje się pierwsze i drugie kryształy i przemywa się je w co najmniej jednej strefie rozdziału i przemywania w przeciwprądzie przystosowanym rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania, odzyskuje się część roztworu przemywającego, który jest zawracany częściowo do pierwszej strefy krystalizacji, odzyskuj e się drugą część kryształów paraksylenu, topi się je całkowicie w strefie topienia i odbiera się strumień stopionego paraksylenu.

Wynalazek dotyczy również sposobu wydzielania i odzyskiwania paraksylenu zawartego we wsadzie węglowodorów składającym się z węglowodorów aromatycznych C₈, sposób składa się z następujących etapów:

a) doprowadza się do kontaktu w co najmniej jednej strefie adsorpcji (8) wymieniony wsad zawierający metaksylen, paraksylen i ewentualnie etylobenzen i/lub ortoksylen z substancjąadsorbującą w obecności rozpuszczalnika desorpcji przystosowanego do takich warunków adsorpcji, w wyniku której otrzymuje się pierwszą frakcję składającą się z rozpuszczalnika, metaksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu i drugą frakcję składającąsię z rozpuszczalnika i ogólnie wzbogaconego paraksylenu;

b) destyluje się (,2) pierwszą frakcję, aby oddzielić rozpuszczalnik z jednej strony i mieszaninę metaksylenu i ewentualnie etylobenzenu i/lub ortoksylenu z drugiej strony;

c) izomeryzuje się wymienioną mieszaninę w warunkach odpowiednich dla strefy izomeryzacji (2!) i odzyskuje się izomerat (2), którego przynajmniej część zawraca się do etapu a);

d) destyluje się (ł6) drugą frakcję i odzyskuje się zjednej strony rozpuszczalnik i paraksylen ogólnie wzbogacony:

e) przeprowadza się krystalizację paraksylenu z etapu d) w co najmniej jednej strefie krystalizacji (5a, 5b) w wysokiej temperaturze, zawartej korzystnie między + ,0°C a -25°C i otrzy12

184 646 muje się poprzez rozdział z jednej strony ług macierzysty, którego co najmniej jedną część zawraca się (3) do etapu a), a z drugiej strony otrzymuje się kryształy paraksylenu nasiąknięte ługiem macierzystym;

f) przemywa się kryształy paraksylenu rozpuszczalnikiem do przemywania przystosowanym do co najmniej jednej strefy przemywania i odzyskuje się kryształy paraksylenu o bardzo dużym stopniu czystości;

przy czym sposób charakteryzuje się tym, że co najmniej jedna część ługu macierzystego (3) (33) jest wprowadzona do kolumny destylacyjnej, otrzymuje się frakcję zawierającą oczyszczony ług macierzysty, frakcję, która jest następnie przesyłana do strefy adsorpcji (8).

Zrozumiałe jest, że nie wychodząc poza ramy niniejszego wynalazku stosując inny rozpuszczalnik desorpcji niż toluen, taki jak zwłaszcza pradietylobenzen (PDEB), przy czym ten rozpuszczalnik będąc cięższym od ksylenów będzie odbierany na dole pewnych kolumn, podczas gdy toluen byłby odbierany na szczycie.

Sposób według wynalazku przedstawiono w przykładach wykonania na rysunku, na którym: fig. 1 przedstawia schematycznie sposób i różne możliwości zawracania izomeratu i ługu macierzystego z krystalizacji do adsorpcji poprzez obróbkę ziemią; fig. 2 i 3 przedstawiają sposób oczyszczania paraksylenu przez krystalizację jednostopniową; Fig. 4 i 5 przedstawiają sposób oczyszczania paraksylenu przez krystalizację dwustopniową, przy czym pierwsza jest zimniejsza od drugiej; fig. 6 do 10 przedstawiają sposób oczyszczania paraksylenu przez krystalizację dwustopniową, przy czym pierwsza jest cieplejsza od drugiej.

Warunki prowadzenia procesu adsorpcji na symulowanym złożu ruchomym ( pzeeciwprądowo na przykład) sąwybrane w sposób taki, że pierwsza frakcja zawierając ametaksylen, ortoksylen i etylobenzen będzie rafinatem, a druga frakcja zawierająca w istocie paraksylen będzie ekstraktem. Takie warunki opisane są w opisie patentowym US 5 284 992.

Figura 1 przedstawia schematycznie sposób i różne możliwości zawracania izomeratu i ługu macierzystego z krystalizacji do adsorpcji poprzez obróbkę ziemią.

Przez linię 1 prowadzi się wsad zawierający około 20% etylobenzenu, 18% paraksylenu, 45% metaksylenu i 17% ortoksylenu. Poprzez linię 2 łączy się go z zawracanym odciekiem, w którym zawartość etylobenzenu jest wyraźnie niska, zazwyczaj od 8 do 13% i który zawiera zanieczyszczenia. Poprzez linię 3 i 30 wprowadza się inny zawracany odciek, w którym zawartość paraksylenu jest wysoka,, zazwyczaj od 25 do 45%. Linia 4 odzyskuje wsad i dwa odcieki. Przenosi ona mieszaninę kompozycji w przybliżeniu o zawartości, paraksylen od 20 do 22,5%, etylobenzen od 9 do 14%, ortoksylen od 20 do 22,5%, metaksylen od 45 do 50%, którajest wprowadzana do strefy adsorpcji 8 w symulowanym przeciwprądzie składającym się z jednej lub wielu kolumn 6 i/lub 7 wypełnionych zeolitową substancją, adsorbującą, przy czym każda z kolumn podzielona jest na limitowaną liczbę półek, liczba półek każdej kolumny może być zawarta pomiędzy 4 a 20, przy czym wydajność wyrażona w stosunku do produktu paraksylenu wynosi około 0,07m³ na m³ sita i na godzinę w warunkach otoczenia. Desorbuje się toluenem w stosunku około 1,45 m3 toluenu na m3 wsadu, przy czym temperatura operacji wynosi około 160°C. Z tego urządzenia poprzez linię 10 wyciąga się rafmat zubożony w paraksylen składający się przede wszystkim z toluenu, metaksylenu, etylobenzenu i ortoksylenu, a poprzez linię 9 ekstrakt kompozycji wzbogaconej w paraksylen składający się przede wszystkim z toluenu i paraksylenu, przy czym jako zanieczyszczenie występuje przede wszystkim etylobenzen. Rafmat wprowadza się do kolumny destylacyjnej 12 (temperatura na szczycie 125°C, temperatura na spodzie na przykład 160°C). Poprzez linię 14 na szczycie kolumny odbiera się toluen (na przykład około 30% ilości wprowadzonej do adsorpcji) zawierający na przykład mniej niż 2% związków aromatycznych C₈, a poprzez linię 15 na spodzie tej kolumny odbiera się ciecz (rafmat pozbawiony rozpuszczalnika) bogatą w etylobenzen, metaksylen i w ortoksylen, a zubożoną w paraksylen (na przykład mniej niż 3%), którąprzesyła się do urządzenia do izomeryzacji 21. Rafmat ten poddaje się kontaktowi z wodorem wprowadzonym poprzez linię 20 i z katalizatorem na bazie modemitu i platyny na tlenku glinowym w temperaturze około 380°C. Linia 22 prowadzi izomerat do wyjścia z reaktora w kierunku balonu wydzielającego składniki gazowe ( nee pzzedstawiono na

184 646 schemacie), następnie w kierunku kolumny destylacyjnej 23 (na przykład temperatura na szczycie 90°C, na dole 160°C). Na szczycie kolumny odbiera się poprzez linię 24 węglowodory od C1 do C₈, heksan, cykloheksan, benzen i toluen, a na dole tej kolumny poprzez linię 2 odciek zawierający od 8 do 13% etylobenzenu, 21 do 24% paraksylenu, 21 do 24% ortoksylenu, 45 do 50% metaksylenu i zanieczyszczenia, odciek ten zawraca się w kierunku strefy adsorbcji 8.

Linia 9 wprowadza ekstrakt do kolumny destylacyjnej 16, gdzie na szczycie wyciąga się toluen mniej niż 2% związków aromatycznych C₈ (około 70% ilości wprowadzonej na przykład do adsorpcji), który jest zawracany linią 17 i 11 w kierunku zasilania rozpuszczalnikiem desorpcji urządzenia do adsorpcji. Na dole kolumny 16 w temperaturze około 160°C poprzez linię 19 odbiera się strumień wzbogacony w paraksylen (zawierający około 90% paraksylenu), która prowadzi go do urządzenia do krystalizacji 5a jednostopniowej działającego na przykład w temperaturze około -10°C. w urządzeniu 5ai 5b wytwarzają się kryształy paraksylenu, które sązawiesinąwługu macierzystym. Kryształy są wydzielane na przykład w co najmniej jednej wirówce 5b i przemywane w niej. Część ługu macierzystego zubożonego w paraksylen (około 54%) jest gromadzona i zawrócona przez linię 3 do strefy adsorpcji (8) poprzez obszary obróbki ziemią i destylacji omówione później, a z drugiej strony gromadzi się kryształy paraksylenu, które się topi. Rozpuszczalnik do przemywania na przykład toluen jest doprowadzony przez linię 18 i może wypływać jak pokazano na rysunku z urządzenia do destylacji rafmatu 12 i/lub jeszcze z urządzenia do destylacji ekstraktu 16. Z aparatu 5b i po nie przedstawionej destylacji stopionych kryształów odzyskuje się ciekły paraksylen o czystości równej na przykład 99,75% poprzez linię 25, oraz toluen, który zawraca się (linią nieprzedstawioną).

Figura 2 przedstawia bardziej szczegółowo etapy krystalizacji i następnie obróbki kryształów paraksylenu poprzez mycie toluenem. Według tego rysunku urządzenie 50 do krystalizacji jednostopniowej otrzymuje wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt) linią 19. Poprzez linię 51 odzyskuje się kryształy w zawiesinie w ługu macierzystym, które są częściowo wydzielane w co najmniej j ednej wirówce 52. Ług macierzysty zawierający na przykład 54% paraksylenu poprzez linie 53 i 3 jest częściowo wyciągany i zawracany do strefy adsorpcji 8, druga część może być zawracana do strefy krystalizacji 50 poprzez linię 53a. Część kryształów w zawiesinie w ługu macierzystym może być również zawrócona do strefy krystalizacji poprzez linię 51 a.

Następnie wprowadza się do wirówki 52 poprzez linię zawrócony toluen pochodzący z kolumny destylacyjnej 60 przyprowadzony poprzez linię 56 jako rozpuszczalnik do przemywania i toluen poprzez linię 57 i świeży rozpuszczalnik pochodzący z linii 18. Roztwór przemywający jest gromadzony oddzielnie, poprzez linię 54 połączonąz wirówką 52 i jest on częściowo zawracany do aparatu do destylacji rafmatu 12.

Przemyte kryształy paraksylenu, całkowicie stopione w strefie topienia 58, odbiera się poprzez linię 55 i wprowadza poprzez linię 59 do kolumny destylacyjnej 60. Na dole kolumny odzyskuje się ciekły paraksylen o bardzo dużej czystości, a na szczycie kolumny toluen, który częściowo zawracany jest do wirówki 52. Zastosowano co najmniej jedną wirówkę, aby oddzielić kryształy od ługu macierzystego. Można było również zastosować co najmniej jeden filtr obrotowy zamiast wirówki.

Według innego nie przedstawionego wariantu, wirówka może być zastąpiona przez co najmniej j edną kolumnę rozdzielaj ącą i przemywaj ącą w przeciw prądzie opisaną w opisach patentowych US 4 475 355, US 4 481 169, kolumna NlRo na przykład. W tym przypadku ług macierzysty i roztwór przemywający sąjednym i tym samym roztworem, który jest ewentualnie poddawany destylacji przed częściowym zawróceniem do obszarów obróbki ziemią i destylacji i częściowo do strefy krystalizacji.

Według innego wariantu przedstawionego przez Fig. 3, można zastosować inny rozpuszczalnik do przemywania taki jak stopiony paraksylen pochodzący ze strefy topienia 58. W tym przypadku rysunek zawiera te same odnośniki do tych samych urządzeń jak te na fig. 1, co najmniej część stopionego paraksylenu wprowadza się w przeciwprądzie do zawiesiny 51, poprzez linię 59b do kolumny przeciw prądowej 80, na przykład typ kolumny NIRO i znajduje zastoso14

184 646 wanie do przemycia w kolumnie kryształów paraksylenu. Co najmniej jedną część stopionego paraksylenu wprowadza się do kolumny krystalizacyjnej.

Kryształy odzyskane w kolumnie poprzez linię 55 sąnastępnie stopione w strefie topienia 58 i ciekły paraksylen o bardzo wysokiej czystości odzyskuje się poprzez linię 59.

Roztwór przemywający i ług macierzysty odzyskuje się w tym samym czasie linią 53 i zawraca do obszaru adsorpcji 8, część może być zawrócona do obszaru krystalizacji 50.

Jeśli użyłoby się na przykład pentanu jako rozpuszczalnika do przemywania, innego niż rozpuszczalnik desorpcji (toluen) i stopiony paraksylen można by było powtórzyć sposób opisany według fig. 2, chociaż roztwór przemywający pochodzący z wirówki 52 musiałby być pozbawiony rozpuszczalnika poprzez kolejnądestylacje (nie przedstawioną na rysunku) przed zawróceniem do adsorpcji bądź do krystalizacji. Rozpuszczalnikprzedestylowanyjest więc zawracany do wirówki.

Można by było również powtórzyć sposób według fig. 3 z kolumną do przemywania w przeciw prądzie i z rozpuszczalnikiem do przemywania innym niż stopiony paraksylen i niż rozpuszczalnik desorpcji.W tym przypadku po zupełnym stopieniu kryształów, destyluje się strumień stopionego paraksylenu zawierający rozpuszczalnik do przemywania i odzyskuje się na szczycie kolumny rozpuszczalnik, który częściowo zawracanyjest do kolumny do przemywania, a na dole kolumny paraksylen bardzo wysokiej czystości. Ług macierzysty zawierający roztwór przemywający odbierany jest z kolumny do przemywania, destylowany i zawracany częściowo do strefy adsorpcji selektywnej i ewentualnie częściowo do strefy krystalizacji.

Figury 4 i 5 przedstawiają krystalizację dwustopniową, przy czym temperatura krystalizacji w drugim stopniu jest wyższa od tej w pierwszym stopniu. Według fig.4, pierwsze urządzenie do krystalizacji 50, na przykład przy temperaturze -20°C, otrzymuje wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt adsorpcji) poprzez linię 19. Jego czystość wynosi około 80%. Poprzez linię 5, odzyskuje się kryształy w zawiesinie w ługu macierzystym, które są wydzielane w pierwszej wirówce 52. Pierwszy ług macierzysty zawierający na przykład 40% paraksylenu jest odbierany i częściowo zawracany do strefy adsopcji 8 liniami 53 i 8 przez obszary obróbki ziemią i destylacji, druga część może być zawracana do pierwszej krystalizacji.

Kryształy odzyskane poprzez linię 55, topi się w strefie topienia 58 i wprowadza li^ićą59 do drugiego urządzenia do krystalizacji 70 pracującego na przykład w temperaturze 0°C. Odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów poprzez linię 7,, które wprowadza się do co najmniej jednej drugiej wirówki 72, bądź do filtru obrotowego.

Drugi ług macierzysty odzyskuje się poprzez linię 73 i jego część zawraca się do pierwszego aparatu do krystalizacji 50 i ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji. Wydzielone kryształy przemywa się rozpuszczalnikiem desorpcji (na przykład toluenem) używanym jako rozpuszczalnik do przemywania, który wprowadza się do wirówki linią 56 i uzupełnienie 57 zwłaszcza pochodzące z linii Γ7 i wyciąga się roztwór przemywający 74, którego część zawraca się do pierwszego urządzenia do krystalizacji 50 i /lub do drugiego urządzenia do krystalizacji 70 przedjego ewentualnym przedestylowaniem. Można by było również zawrócić go do urządzenia do destylacji rafinatu (etap b).

Ponadto z linii 75 połączonej z wirówką 72 odzyskuje się drugie kryształy, które topi się całkowicie w strefie topienia 76 i poprzez linię 77 gromadzi się stopiony paraksylen, który poddaje się destylacji w kolumnie destylacyjnej 60. Toluen odzyskany na szczycie kolumny zawracany jest linią 56, podczas gdy paraksylen o bardzo wysokiej czystości odbierany jest z dołu kolumny linią 6,.

Wirówka 72 mogłaby być zastąpiona przez kolumnę do przemywania w przeciw prądzie. W tym przypadku drugi ług macierzysty zawierający toluen do przemywania może być przedestylowany przed zawróceniem tak jak w przypadku z jednym stopniem, a toluen do przemywania, kierowany jest do kolumny do przemywania.

Figura 5 pokazuje zastosowanie kolumny przeciw-prądowej typu kolumny NIRO jako drugiej strefy rozdzielania i przemywania drugich kryształów w miejscu wirówki 72 z fig. 4, bądź w miejsce filtru obrotowego i gdzie stosuje się jako rozpuszczalnik do przemywania nie toluen, a część strumienia stopionego paraksylenu. Według fig.5 zawierającego te same urządzenia jak

184 646 na fig. 4 odzyskuje się drugie kryształy w zawiesinie w drugim ługu macierzystym pochodzące z drugiego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 71 i wprowadza się je do kolumny NIRO 80, która jest zasilana przez część stopionego paraksylenu zastosowanego jako rozpuszczalnik do przemywania zgromadzonego przez linie77a. Poprzez linię 75 gromadzi się kryształy paraksylenu o bardzo wysokiej czystości, które topi się w strefie topienia 76 i odzyskuje się strumień stopionego paraksylenu poprzez linię 77. Drugi ług macierzysty mający na przykład 70% paraksylenu i roztwór przemywający odzyskuje się w tym samym czasie i częściowo zawraca się je w kierunku pierwszego urządzenia do krystalizacji 50 poprzez linię 73, a część ewentualnie w kierunku drugiego urządzenia do krystalizacji.

Według innego wariantu, który nie jest przedstawiony na rysunkach rozpuszczalnik do przemywania może być innym rozpuszczalnikiem, niż strumień stopionego paraksylenu i niż rozpuszczalnik desorpcji, na przykład pentanem. W tym przypadku destyluje się strumień stopionego paraksylenu, w taki sposób, aby odzyskać na szczycie kolumny rozpuszczalnik do przemywania, który częściowo zawraca się do drugiej strefy rozdzielania, a na spodzie kolumny odzyskuje się paraksylen o bardzo wysokiej czystości, destyluje się ług macierzysty zawierający roztwór przemywający, przed jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji, a ewentualnie części do drugiej strefy krystalizacji, jeśli druga strefa rozdzielaniajest kolumną do przemywania w przeciwprądzie (na przykład kolumna NIRO).

W zamian, jeśli druga strefa rozdzielania jest wirówką, bądź obrotowym filtrem, zawraca się ług macierzysty do pierwszej strefy krystalizacji, a część ewentualnie do drugiej strefy krystalizacji i detyluje się roztwór po przemyciu przed Jego zawróceniem do pierwszej strefy krystalizacji, a części ewentualnie do drugiej strefy krystalizacji.

Powrót pierwszych kryształów w zawiesinie 51a i drugich kryształów w zawiesinie 71a może być brany pod uwagę odpowiednio do pierwszej i do drugiej strefy krystalizacji.

Figury 6 i 7 pokazują dwustopniową krystalizację paraksylenu, przy czym temperatura w drugim stopniu krystalizacj i ługu macierzystego jest dużo niższa od temperatury w pierwszym stopniu.

Według fig. 6 wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt z adsorpcji) wprowadza się poprzez linię 19 do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70, który pracuje w temperaturze około 0°C. Poprzez linię 81 odzyskuje się pierwsze kryształy w zawiesinie w pierwszym ługu macierzystym, które wydzielane są w co najmniej jednej pierwszej wirówce 82, przemywane są toluenem doprowadzonym lini^97 i odzyskiwane poprzez linię 84. Pierwszy ług macierzysty zawierający na przykład 70% paraksylenu częściowo wprowadza się poprzez linię 83 do drugiego urządzenia do krystalizacji pracującego w temperaturze -10°C. Druga część może być zawrócona do pierwszego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 83a.

Linią 85 odzyskuje się drugie kryształy w zawiesinie w drugim ługu macierzystym i są one wydzielane w co najmniej drugiej wirówce 86. Gromadzi się je przy pomocy linii 88 po ich przemyciu toluenem, który wprowadza się poprzez linię 98 do drugiej wirówki. Drugi ług macierzysty zgromadzony przy pomocy linii 87 zawiera frakcję toluenu do przemycia; jest ona częściowo zawracana do strefy adsorpcji 8 poprzez obszary obróbki ziemią i destylacji i ewentualnie częściowo poprzez linię 87a do drugiego urządzenia do krystalizacji.

Pierwsze i drugie kryształy paraksylenu miesza się i wprowadza do strefy topienia 89. Linia 90 zbiera strumień stopionego paraksylenu, który wprowadza się do kolumny destylacyjnej 9, z której na spodzie odbiera się paraksylen o wysokim stopniu czystości, a na szczycie toluen, który zawraca się poprzez linię 92 i który miesza się z dodatkiem toluenu doprowadzonym poprzez linię 95 bądź 18. Otrzymaną mieszaninę wprowadza się częściowo do każdej z wirówek 82 i 86 jako rozpuszczalnik do przemywania.

Figura 7 przedstawia te same urządzenia i te same oznaczenia jak na fig 6. poza tym, że w etapie przemywania kryształów stosuje sięjako rozpuszczalnik do przemywania bardzo czysty stopiony paraksylen, odzyskany przy pomocy linii 90. W efekcie co najmniej część bardzo czystego stopionego paraksylenu jest częściowo pobrana linią 91 i wprowadzona do pierwszej wirówki 82 i do drugiej wirówki 86, aby przemyć odpowiednio pierwsze i drugie kryształy.

184 646

Pierwszy ług macierzysty i pierwszy roztwór przemywający sąprzesyłane przy pomocy linii 83 do drugiego urządzenia do krystalizacji 50, podczas gdy drugi ług macierzysty i drugi roztwór po przemyciu są zbierane poprzez linię 87, aby być częściowo zawrócone do strefy adsorpcji 8.

Przy opisie tego rysunku opisano zastosowanie wirówek 82 i 86 w celu wydzielenia kryształów z ługów macierzystych i ich przemycia, ale również możnabyje zastąpić przez kolumny przeciw prądowe, typu kolumna NlRO. W tym przypadku roztwory odpowiednio gromadzone połączą razem ług macierzysty i roztwór przemywający pochodzące z każdej kolumny.

Figura 8 pokazuje inny wariant sposobu o wielostopniowej krystalizacji, w której stopiony paraksylen o bardzo wysokiej czystości gromadzi się przy wyj ściu ze strefy krystalizacji w wysokiej temperaturze.

Wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt z adsorpcji) wprowadza się poprzez linię 19 do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70, które pracuje w temperaturze około 0°C. Poprzez linię 81 odzyskuję się kryształy w zawiesinie w pierwszym ługu macierzystym, które sąna przykład rozdzielane na kolumnie NIRO 80, przy czym odzyskane kryształy poprzez linię 84 topi się w strefie topienia 100. Strumień stopionego paraksylenu o bardzo wysokiej czystości gromadzi się przy pomocy linii 101 i - częściowo przenosi się do kolumny NIRO w celu przemycia kryształów przy pomocy linii 102. Pierwszy ług macierzysty, który jest wyciągnięty z kolumny NIRO poprzez linię 83 wprowadza się częściowo do drugiego urządzenia do krystalizacji 50 pracującego na przykład w temperaturze -15°C. Inna część tego pierwszego ługu macierzystego może być zawrócona poprzez linię 83a i zmieszana ze wsadem z pierwszego urządzenia do krystalizacji.

W drugim urządzeniu do krystalizacji 50, przy pomocy linii 85 gromadzi się zawiesinę drugich kryształów w drugim ługu macierzystym, które wydziela się w co najmniej jednej wirówce 86, bądź w filtrze obrotowym. Poprzez linię 87 odzyskuje się drugi ług macierzysty, który częściowo zawraca się do urządzenia do adsorpcji 8 poprzez obszary obróbki ziemią i destylacji, część może być również zawrócona do drugiego urządzenia do krystalizacji 50 poprzez linię 105 połączoną z linią 87.

Drugie kryształy raz wydzielone, gromadzi się przy pomocy linii 88 i ewentaulnie topi w strefie topnienia 103. Stopiony paraksylen zawraca się poprzez linię 104 i miesza się ze wsadem do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70 w celu ponownej rekrystalizacji w temperaturze pierwszej krystalizacji.

Figura 9 przedstawia najlepszy wariant sposobu o dwóch stopniach krystalizacji odbywającej się korzystnie w temperaturze pomiędzy +5 a -7°C dla pierwszego stopnia i pomiędzy -7 a-25°C dla drugiego stopnia.

Wsad do krystalizacji (przedestylowany ekstrakt z adsorpcji) wprowadza się poprzez linię 19 do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70. Poprzez linię 81 odzyskuje się pierwsze kryształy w zawiesinie w pierwszym ługu macierzystym, które są wydzielane w co najmniej jednej wirówce 82, bądź w co najmniej jednym filtrze obrotowym. Pierwszy ług macierzysty gromadzi się poprzez linię 83 i częściowo wprowadza się do drugiego urządzenia do krystalizacji 50, inna część może być zawrócona do pierwszego urządzenia do krystalizacji 70. Poprzez linię 85 gromadzi się drugą zawiesinę kryształów, którą rozdziela się w co najmniej jednej wirówce, bądź w filtrze obrotowym 86. Drugi ług macierzysty jest odbierany poprzez linię 87 i częściowo zawracany do strefy adsorpcji 8 poprzez obszary obróbki ziemią i destylacji, inna część może być również częściowo zawrócona do drugiego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 87a połączoną z linią 87. Pierwsze i drugie kryształy odpowiednio gromadzone poprzez linie 84 i 88 łączy się i wprowadza do co najmniej jednej kolumny do przemywania 110 typu NIRO, gdzie są przemywane rozpuszczalnikiem do przemywania. Poprzez linię 111 gromadzi się kryształy paraksylenu całkowicie stopione w strefie topienia 112 i odbiera się strumień paraksylenu o bardzo wysokiej czystości. Część strumienia paraksylenu jest częściowo pobierana przez linię 114 i wprowadzona jako rozpuszczalnik do przemywania do kolumny 110. Roztwór przemywający zbiera się w kolumnie i częściowo zawraca się go do pierwszego urządzenia do krystalizacji.

184 646

Według fig. 10, podczas gdy rozpuszczalnik do przemywania w kolumnie do przemywania jest rozpuszczalnikiem desorpcji, bądź innym przystosowanym rozpuszczalnikiem jak pentan, strumień stopionego paraksylenu zawierający mniejszą część rozpuszczalnika może być przedestylowany w urządzeniu do destylacji 117. Paraksylen o wysokiej czystości gromadzony jest poprzez linię 118, podczas gdy lekka frakcja zawierająca rozpuszczalnik do przemywania jest zawracana do kolumny NIRO. w końcu roztwór przemywający przesyłany poprzez linię 15 i zawierający rozpuszczalnik destyluje się w urządzeniu do destylacji 120, rozpuszczalnik częściowo zawraca się do kolumny, a roztwór przemywający pozbawiony w dużej części rozpuszczalnika zawraca się częściowo do pierwszego urządzenia do krystalizacji poprzez linię 121.

Jak było wspomniane dla danego rysunku powrót ługu macierzystego pochodzącego ze stopnia A krystalizacji do wymienionego stopnia A, bądź ze stopnia B do wymienionego stopnia B. Te powroty mogą odnosić się do wszystkich rysunków.

Podobnie znane jest, że zawiesina kryształów pochodząca z jednego stopnia krystalizacji może być zawrócona do tego stopnia i ten powrót może odnosić się również do wszystkich rysunków (81a i 85a).

Często używano w opisie terminu strefa rozdziału. Rozumie się, że dotyczy on co najmniej jednej wirówki, bądź co najmniej jednego filtru obrotowego, bądź co najmniej jednej kolumny do przemywania w przeciw prądzie rozpuszczalnikiem.

Przez strefę rozdziału, gdzie odbywa się przemywanie kryształów rozumie się co najmniej jedną wirówkę, bądź co najmniej jeden filtr obrotowy. Zauważyliśmy, że stosując jako strefa rozdziału, gdzie odbywa się przemywanie kryształów, co najmniej jedną kolumnę do przemywania w przeciwprądzie, na przykład typ NIRO, a w szczególności używając jako rozpuszczalnika do przemywania część zgromadzonego bardzo czystego, stopionego paraksylenu, otrzymuje się wspaniałe rezultaty i zmniejsza niezbędne koszty.

Jak pokazano na schemacie na fig. 1, ług macierzysty pochodzący z urządzenia do krystalizacji 5b zawraca się do aparatu adsorpcji 8. w tym przypadku przy krystalizacji dwu, bądź wielostopniowej, ług macierzysty pochodzi z zimniejszego stopnia krystalizacji po wydzieleniu kryształów paraksylenu (linia 53, fig. 5, linia 87, fig. 7 i 9). Zanieczyszczenia, które cyrkulują z pętli urządzeń adsorpcji, krystalizacji, izomeryzacji mogą być węglowodorami olefinowymi, jak również węglowodorami parafinowymi i naftenowymi, bądź związkami utlenionymi.

Zwłaszcza mogą, one pochodzić równie dobrze ze wsadu poddanego obróbce, który pochodzi z reformingu katalitycznego, jak i z izomeryzacji. Te nieczystości cyrkulują, mogąwięc, znajdować się we wszystkich frakcjach, a zwłaszcza w ekstrakcie i w ługu macierzystym pochodzącym z etapu krystalizacji. Ten ług macierzysty może być wprowadzony poprzez linię 32 połączonaz limą 3 i poprzez linię 53, bądź 87 do co najmniej jednego reaktora obróbki ziemią, korzystnie do dwóch, umiej scowionego powyżej i połączonego poprzez linię 27 z urządzeniem do adsorpcji 8. Do linii 32 może być dołączona linia 1 zawierająca wsad do obróbki i linia 2 zawierająca izomerat, przy czym trzy strumienie są w ten sposób obrobione w mieszninie w pojedynczym reaktorze 26.

Według innego wariantu wsad 1 może być wstępnie obrobiony w reaktorze obróbki ziemią (nie zaznaczonym na rysunku). Podobnie dla izomeratu 2, który może być również początkowo wstępnie obrobiony po swoim przejściu do urządzenia do destylacji 23.

Według najlepszego wariantu, ług macierzysty 3 może być bezpośrednio wprowadzony do linii 22 wprowadzającej izomerat do urządzenia do destylacji 23, przed obróbką w mieszaninie z przedestylowanym izomeratem w reaktorze obróbki ziemią26. Ten wariant pozwala wyraźnie wyeliminować wszystkie związki najbardziej lotne nie tylko w izomeracie, ale także w ługu macierzystym.

Podczas gdy urządzenie do destylacji jest tak ustawione, żeby również na spodzie kolumny odebrać dodatkową frakcję zawierającą większość ciężkich związków (węglowodory C9+ aldehydy, ketony), obróbka ziemią przedestylowanej mieszaniny zawierającej izomerat i ług macierzysty jest w istocie ulepszona.

184 646

Część ługu macierzystego może być również zawrócona poprzez linię 31 do odcieku 27 z reaktora 26.

Odciek z reaktora obróbki ziemią i ewentualnie ług macierzysty 31 zawierające jeszcze ciężkie węglowodory takie jak te o dziewięciu atomach węgla, wprowadza się poprzez linię 27 do kolumny destylacyjnej 28, z której na spodzie (linia 29) wypuszcza się niepożądane nieczystości, a na szczycie, destylat odpowiadający oczyszczonej frakcji C₈, którą wprowadza się poprzez linię 4 do urządzenia do adsorpcji 8. Część ługu macierzystego może być również wprowadzona do linii 4 poprzez linię 30.

Te różne powroty mogą być połączone między sobą, wtedy gdy chodzi na przykład o powtórne użycie istniejącego urządzenia do destylacji 23, obróbki ziemią 26, bądź destylacji 28 i podczas gdy jedno z urządzeń pracuje na maximum wydajności, bądź również podczas, gdy dążymy do obniżenia zawartości nieczystości w pętli nie dążąc do całkowitego ich wyeliminowania. Innym słowem ług macierzysty z urządzenia do krystalizacji (stopień najzimniejszy) przenoszony poprzez linię 3 może być częściowo zawracany do urządzenia do adsorpcji 8, bądź bezpośrednio za pomocą linii 30, bądź nie bezpośrednio, za pomocą linii 31, 32, bądź 33.

W sposób gdy utrzymujemy ilość związków o pośredniej lotności w stopniu dopuszczalnym, na przykład niższym od 5%, dokonuje się co najmniej jedno oczyszczenie toluenem zubożonym w wymienione związki za pomocą linii 35 połączonej bądź z linią 17, bądź z linią 14, bądź z linią 11, zbierające całość zawróconego rozpuszczalnika do urządzenia do adsorpcji 8.

Dodatkowo można dokonać oczyszczenia ługu macierzystego pochodzącego z krystalizacji, jeśli zawartość związków o pośredniej lotności jest w nim za wysoka. To oczyszczenie dokonuje się za pomocą linii 34 połączonej z linią 3.

Oczyszczenie toluenu może być wyrównane przez uzupełnienie toluenem. Można zastosować jako źródło uzupełnienia toluenu, bądź produkt ze szczytu (linia 42) kolumny destylacyjnej 40 toluenu na przedzie reaktora 2 6 zawierającego ziemię, bądź produkt będący rezultatem bypassu poprzez linię 1b co najmniej części wsadu, który miesza się z odciekiem ze spodu kolumny 40, bądź z tym, który wprowadza się do oczyszczonego wsadu (linia 1) przez rozregulowanie kolumny 40, co pozwala na przejście przez frakcję C₈ pożądanej ilości toluenu, pod warunkiem, że główne źródła aromatycznej frakcji C8 (linia 1a) pochotŁząz reformingu katalitycznego, dysmutacji (dysproporcjonowania) toluenu w benzen i ksylen i transalkilacji toluenu związkami aromatycznymi C9 i pod warunkiem, że odcieki z urządzeń, z których pochodzą są w większej części oczyszczane w ciągu aparatów do destylacji, których kolumna 28 może stanowić część.

Claims (12)

1. Sposób wytwarzania paraksylenu o bardzo wysokiej czystości ze wsadu zawierającego mieszaninę węglowodorów aromatycznych od 7 do 9 atomów węgla, obejmujący cyrkulację co najmniej części wsadu w strefie wzbogacania, z wytworzeniem pierwszej frakcji zawierającej paraksylen w ilości większej niż 50% wagowych, oczyszczanie co najmniej części tej pierwszej frakcji w strefie oczyszczania za pomocą co najmniej jednej krystalizacji w co najmniej jednej strefie krystalizacji, znamienny tym, że wymieniona strefa krystalizacji obejmuje co najmniej dwa etapy krystalizacji w temperaturze, zawartej między+10°C a -30°C, a korzystnie pomiędzy +10°C a -25°C, przy czym temperatura T, jednego z etapów jest różna od temperatury T₂ drugiego etapu, zaś kryształy paraksylenu odzyskuje się z każdego etapu krystalizacji.

2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że cyrkulację prowadzi się w strefie wzbogacania w paraksylen, którą stanowi co najmniej jedna strefa krystalizacji w temperaturze niższej niż w wymienionych etapach krystalizacji, przy czym do tej strefy wzbogacania wprowadza się wsad składający się z mieszaniny węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla, z którego po etapie rozdzielania otrzymuje się ciecz, którąpoddaje się izomeryzacji w strefie izomeryzacji oraz kryształy, które się stapia wytwarzając co najmniej część wymienionej pierwszej frakcji.

3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że cyrkulację prowadzi się w strefie wzbogacania w paraksylen, którą stanowi strefa (8) adsorpcji selektywnej zawierająca zeolitową substancję adsorbującą, przy czym do tej strefy wzbogacania wprowadza się wsad składający się z mieszaniny węglowodorów aromatycznych o 8 atomach węgla, przy czym przeprowadza się adsorpcję selektywnąwsadu, w obecności rozpuszczalnika desorpcji, odzyskuje się wymienioną pierwszą frakcję (9,19) wzbogaconą w paraksylen i drugą frakcj ę (10,15) zubożoną w paraksylen, przeprowadza się izomeryzację wymienionej drugiej frakcji w strefie (21) izomeryzacji zawierającej katalizator izomeryzacji, w warunkach odpowiednich do wytworzenia izomeratu zawierającego paraksylen i zawraca się (2) co najmniej część izomeratu do strefy adsorpcji.

4. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, znamienny tym, że co najmniej część ługu macierzystego, otrzymanego w najzimniejszym etapie w strefie oczyszczania, zawraca się do strefy (8) wzbogacania.

5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że cyrkulację prowadzi się w strefie wzbogacania w paraksylen, którą stanowi co naj mniej j edna strefa dysproporcj onowania wsadu składającego się zasadniczo z toluenu, przy czym w procesie wytwarza się odciek składający się z benzenu i z ksylenów, który poddaje się destylacji oddzielającej nieprzereagowane benzen i toluen od wytworzonej pierwszej frakcji z paraksylenem.

6. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 5, znamienny tym, że strefa oczyszczania obejmuje pierwszą krystalizację prowadzoną w temperaturze Tj i drugą krystalizację prowadzoną w temperaturze T₂, wyższej od T,.

7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prowadzi się pierwsząkrystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen, w pierwszej strefie (50) krystalizacji w temperaturze Tj, odzyskuje się zawiesinę (51) pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (52) rozdzielania, odzyskuje się pierwszy ług macierzysty (8), stapia się (58) pierwsze wydzielone kryształy i krystalizuje sięje w drugiej strefie (70) krystalizacji w temperaturze T₂ wyższej od T_1} odzyskuje się zawiesinę (71) drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (72) rozdzielania, przemywa się drugie kryształy rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się roztwór przemywający, zawraca się co najmniej częściowo drugi ług macierzysty (73) i co najmniej część roztworu przemywającego do pierwszej strefy krystalizacji,

184 646 a ewentualnie część do drugiej strefy krystalizacji i stapia się (76) całkowicie drugie kryształy paraksylenu w taki sposób, aby otrzymać ciekły strumień (77) stopionego paraksylenu.

8. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 5, znamienny tym, że strefa oczyszczania obejmuje pierwszą krystalizację prowadzoną w temperaturze T, i drugą krystalizację prowadzoną w temperaturze T₂, niższej od Tp

9. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 5, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen w pierwszej strefie (70) krystalizacji w temperaturze T,, odzyskuje się zawiesinę (81) pierwszych kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, i ewentualnie przemywa się je rozpuszczalnikiem do przemywania w pierwszej strefie rozdzielania, krystalizuje się co najmniej część pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T₂ niższej od T,, odzyskuje się zawiesinę (85) drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, przemywa się je rozpuszczalnikiem odpowiednim do przemywania w drugiej strefie rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty (87), miesza się pierwsze i drugie kryształy paraksylenu, stapia (89) się je całkowicie i odzyskuje strumień (90) stopionego paraksylenu.

10. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 5, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen i kryształów ewentualnie stopionych, zawróconych, pochodzących z drugiej krystalizacji umiejscowionej poniżej, w pierwszej strefie (70) krystalizacji w temperaturze T_b odzyskuje się zawiesinę (81) kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionym pierwszej strefie, stapia się je (100) i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, przeprowadza się krystalizację przynajmniej części pierwszego ługu macierzystego (83) w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury Tj, zawraca się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty (87), stapia się (103) ewentualnie drugie kryształy i zawraca się kryształy ewentualnie stopione do pierwszej strefy krystalizacji, do ponownej ich krystalizacji z frakcjąwzbogaconąw paraksylen w temperaturze T1.

11. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 5, znamienny tym, że prowadzi się pierwszą krystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen i kryształów ewentualnie stopionych, zawróconych, pochodzących z drugiej krystalizacji umiejscowionej poniżej, w pierwszej strefie (70) krystalizacji w temperaturze T1, odzyskuje się zawiesinę (81) kryształów paraksylenu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie (82) rozdzielania, przemywa się wymienione kryształy w wymienionej pierwszej strefie, stapia się je (100) i odzyskuje strumień stopionego paraksylenu, przeprowadza się krystalizację przynajmniej części pierwszego ługu macierzystego (83) w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T2 niższej od temperatury T_b odzyskuje się zawiesinę drugich kryształów paraksylenu w drugim ługu macierzystym, wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie (86) rozdzielania, odzyskuje się drugi ług macierzysty (87), stapia się (103) częściowo drugie kryształy i zawraca się je w zawiesinie do pierwszej strefy krystalizacji, aby je powtórnie wykrystalizować z frakcją wzbogaconą w paraksylen w temperaturze T_b

12. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 5, znamienny tym, że prowadzi się pierwsząkrystalizację frakcji wzbogaconej w paraksylen w pierwszej strefie krystalizacji w temperaturze T1, odzyskuje się zawiesinę pierwszych kryształów paraksylęnu w pierwszym ługu macierzystym, wyodrębnia się pierwsze kryształy z pierwszego ługu macierzystego w pierwszej strefie rozdzielania (82), prowadzi się krystalizację co najmniej części pierwszego ługu macierzystego w drugiej strefie (50) krystalizacji w temperaturze T2 niższej niż temperatura T_b wyodrębnia się drugie kryształy z drugiego ługu macierzystego w drugiej strefie rozdzielania (86), odzyskuje się drugi ług macierzysty, odzyskuje się pierwsze kryształy i drugie kryształy i przemywa się je w co najmniej jednej strefie (110) rozdzielania i przemywania w przeciwprądzie

184 646 rozpuszczalnikom przystosowanym do przemywania, odzyskuje się część roztworu (115) przemywającego, który częściowo zawraca się do pierwszej strefy (70) krystalizacji, odzyskuje się drugą część kryształów paraksylenu, stapia się je całkowicie w strefie topienia (112) i odbiera się strumień stopionego paraksylenu.