PL165189B1 - Uklad przelaczania zakresów glowicy PL - Google Patents

Abstract

1. Uklad przelaczania zakresów glowicy, zawie- rajacy pierwszy wzmacniacz wstepny dla pierwszego zakresu czestotliwosci i drugi wzmacniacz wstepny dla drugiego zakresu czestotliwosci, przy czym kazdy wzmacniacz wstepny jest wlaczony pomiedzy zacisk napiecia zasilajacego i zacisk potencjalu odniesienia oraz kazdy posiada zacisk wejsciowy i zacisk wyjsciowy oraz zawiera tetrode MOS. a zaciski wejsciowe wzmac- niaczy wstepnych sa polaczone ze soba i tetrody MOS sa polaczone z urzadzeniem przelaczajacym, znamien- ny tym, ze urzadzenie przelaczajace (9) posiada wyjscie przelaczajace (12) polaczone z przelacznikiem, który w jednej pozycji laczy wyjscie przelaczajace (12) z zaci- skiem (6) potencjalu odniesienia, pierwsza bramka (G1) tetrody MOS (4) pierwszego wzmacniacza wstepnego (1) jest polaczona, poprzez pierwszy rezystor (16), z wyj- sciem przelaczajacym (12) urzadzenia przelaczajacego (9) i zródlo (S') tetrody MOS (4') drugiego wzmacniacza wstepnego (1‘) jest polaczone, poprzez drugi rezystor (10), z wyjsciem przelaczajacym (12) ukladu przelacza- jacego (9). FIG 2 PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ przełączania zakresów głowicy.

Znane są głowice telewizyjne, w których stosuje się dwie lub trzy, w znacznym stopniu niezależne, głowice zakresowe pokrywające telewizyjne zakresy częstotliwości w pasmach VHF i UHF.

W znanych głowicach stosuje się obwody strojone wspólnie dla dwóch lub trzech zakresów VHF, których indukcyjności częściowe przy przełączaniu zakresów włączane są za pomocą diod przełączających sterowanych napięciem stałym.

Przełączanie między zakresem VHF i zakresem UHF odbywa się za pomocą tranzystorów przełączających dołączonych emiterami do zacisku napięcia zasilającego, do których kolektorów przyłączane są głowice zakresowe. Bazy tych tranzystorów połączone są z wyjściowymi zaciskami przełączającymi układu scalonego, zwykle układu PLL z pętlą synchronizacji fazowej, który stanowi urządzenie przełączające. Wyjściowe zaciski przełączające stanowią wyjścia typu otwarty kolektor z ogranicznikiem prądu, które przy wybieraniu zakresu za pomocą elementów manipulacyjnych telewizora przechodzą w stan małej rezystancji i są zasilane prądem tranzystorów przełączających. Przełączanie zakresów VHF odbywa się, gdy tranzystor przełączający wysterowany przez układ scalony dostarcza prąd przełączania do diod przełączających.

Znane głowice rozszerzonego pasma VHF, czyli głowice pasma stosowanego w sieciach kablowych, pokrywające częstotliwości od 300 do 470 MHz, składają się z trzech niezależnych elektrycznie głowic zakresowych. Przy przełączaniu obwodów rezonansowych w zakresach większych częstotliwości, diody przełączające włącza się bezpośrednio na wejście antenowe urządzenia telewizyjnego.

Znane są głowice zaopatrzone w układ zawierający osobne oscylatory i mieszacze dla zakresów VHF i UHF oraz blok funkcjonalny sterujący mieszaczami oscylatorami poprzez dzielnik napięcia roboczego głowicy zakresowej. Tranzystory przełączają w tym przypadku tylko prądy diod przełączających i napięcia robocze stopni wstępnych głowicy, w których jako wzmacniacze wielkich częstotliwości pracują tetrody MOS.

Układy przełączania zakresów w głowicach telewizyjnych z tetrodami MOS i układem do przełączania VHF/UHF opisane są na przykład z katalogu firmy Siemens Układy scalone elektroniki powszechnego użytku, 1986/87, strony 767 i 768.

Znana jest głowica firmy Philips typu UV 816, nie wymagająca sterowania tranzystorami przełączającymi, dzięki zastosowaniu układu bez ograniczników prądowych, doprowadzającego potencjał odniesienia do bramek tetrod MOS i włączającego tylko tetrodę zakresu czynnego. Jednak ze względu na konieczność zastosowania urządzenia sterującego, na przykład mikroprocesora z oprogramowaniem innym niż stosowane dotychczas, głowica taka nie jest kompatybilna ze znanymi głowicami. Wolne zaciski układu nie są wykorzystane do realizacji funkcji przełączających poza głowicą. Ten układ można stosować bez dodatkowych komplikacji tylko do głowic zawierających zarówno trzy głowice zakresowe jak i trzy stopnie wstępne.

Znany jest z europejskiego opisu patentowego nr EP 0299578 układ przełączania zakresów głowicy, w którym dla każdego zakresu odbiorczego jest przeznaczony jeden wzmacniacz. Sygnał wejściowy wzmacniacza jest doprowadzany przez filtr, którego częstotliwości przepustowe leżą w tym zakresie częstotliwości, któremu jest przepisany wzmacniacz.

Znana jest z opisu patentowego Wielkiej Brytanii nr 2196197 głowica dla trzech zakresów częstotliwości, w której dla każdego zakresu częstotliwości jest przeznaczony jeden wzmacniacz. Wzmacniacze są ze sobą połączone od strony anteny i są włączane przez diody przełączające.

Znana jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 442 548 głowica telewizyjna, która dla całego zakresu częstotliwości posiada tylko jeden wzmacniacz szerokopasmowy.

Układ według wynalazku zawiera urządzenie przełączające posiadające wyjście przełączające połączone z przełącznikiem, który w jednej pozycji łączy wyjście przełączające z zaciskiem potencjału odniesienia. Pierwsza bramka tetrody MOS pierwszego wzmacniacza wstępnego jest połączona, poprzez pierwszy rezystor, z wyjściem przełączającym urządzenia przełączającego. Źródło tetrody MOS drugiego wzmacniacza wstępnego jest połączone, poprzez drugi rezystor, z wyjściem przełączającym układu przełączającego.

W pierwszym wzmacniaczu wstępnym jest włączony pomiędzy zacisk napięcia zasilającego i zacisk potencjału odniesienia pierwszy dzielnik napięciowy, którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do źródła oraz pomiędzy wyjście przełączające i zacisk potencjału odniesienia jest włączony drugi dzielnik napięciowy, który zawiera pierwszy rezystor i którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do pierwszej bramki tetrody MOS.

W drugim wzmacniaczu wstępnym jest włączony pomiędzy zacisk napięcia zasilającego i zacisk potencjału odniesienia pierwszy dzielnik napięciowy, którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do źródła oraz pomiędzy zacisk napięcia zasilającego i zacisk potencjału odniesienia jest włączony drugi dzielnik napięciowy, którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do pierwszej bramki tetrody MOS.

Do zacisku wejściowego drugiego wzmacniacza wstępnego jest dołączona katoda diody przełączającej, której anoda jest dołączona, przynajmniej poprzez kondensator sprzęgający, do zacisku antenowego. Katoda tej diody przełączającej jest dołączona, poprzez rezystor, do wyjścia przełączającego urządzenia przełączającego. Pomiędzy zacisk napięcia zasilającego i zacisk potencjału odniesieniajest włączony trzeci dzielnik napięciowy, którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do anody tej diody przełączającej.

Do zacisku wejściowego pierwszego wzmacniacza wstępnego jest dołączona anoda diody przełączającej, której katoda jest dołączona, przynajmniej poprzez kondensator sprzęgający, do zacisku antenowego. Anoda tej diody przełączającej jest połączona poprzez rezystor do wyjścia przełączającego urządzenia przełączającego. Węzeł łączący rezystory trzeciego dzielnika napięciowego jest dołączony do katody tej diody przełączającej.

W innym przykładzie wykonania układu według wynalazku urządzenie przełączające posiada dodatkowe wyjście przełączające do przełączania obwodu rezonansowego wielkich częstotliwości między zakresem mniejszych i większych częstotliwości.

Obwód rezonansowy wielkich częstotliwości zawiera diodę pojemnościową, której anoda jest dołączona do zacisku potencjału odniesienia, a katoda jest połączona z obwodem szeregowym składającym się z pierwszego kondensatora, pierwszej cewki, drugiej cewki i drugiego kondensatora dołączonego do zacisku potencjału odniesienia. Pomiędzy katodę diody pojemnościowej i zacisk zapięcia strojenia jest włączony rezystor. Pomiędzy zacisk potencjału odniesienia i zacisk napięcia zasilającego jest włączony czwarty dzielnik napięciowy, którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do węzła łączącego drugi kondensator i drugą cewkę. Do węzła łączącego pierwszą cewkę i drugą cewkę jest dołączona anoda dodatkowej diody przełączającej, której katodajest połączona z jednej strony z kondensatorem połączonym z zaciskiem potencjału odniesienia, a z drugiej strony z piątym dzielnikiem napięciowym, który jest dołączony 'do zacisku napięcia zasilającego i którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do dodatkowego wyjścia przełączającego urządzenia przełączającego.

Jedno z wyjść przełączających urządzenia przełączającego jest dołączone dodatkowo do stopnia mieszającego i/lub układu oscylatora głowicy.

Zaletą układu przełączania zakresów głowicy według wynalazku z dwoma wzmacniaczami wstępnymi jest jego kompatybilność pod względem funkcjonalnym i programowym ze znanymi głowicami, a jego stopień skomplikowania i wymiary geometryczne są mniejsze w porównaniu ze znanymi układami.

165 189

Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia znany układ przełączania zakresów głowicy dwuzakresowej, fig. 2 - pierwszy przykład wykonania układu przełączania zakresów głowicy dwuzakresowej według wynalazku i fig. 3 - drugi przykład wykonania układu przełączania zakresów głowicy dwuzakresowej według wynalazku.

Figura 1 przedstawia stopień wejściowy znanej głowicy telewizyjnej, zawierający dwa wzmacniacze wstępne 11' z tetrodami MOS 4, przeznaczone do wzmacniania sygnału antenowego doprowadzanego do zacisku antenowego 20. Każdy ze wzmacniaczy wstępnych 11’ jest przeznaczony dla innego zakresu częstotliwości. Do zacisku antenowego 20 jest dołączony kondensator sprzęgający 21, którego druga okładzina jest dołączona do katod dwóch diod przełączających 37,37’. Anoda diody przełączającej 37 jest połączona z zaciskiem wejściowym 7 wzmacniacza wstępnego 1, a anoda diody przełączającej 37’ jest połączona z zaciskiem wejściowym 7’ wzmacniacza wstępnego 1’.

Na zaciskach wyjściowych 8, 8’ wzmacniaczy wstępnych 11’ występują wzmacniane sygnały wielkiej częstotliwości zakresu danego wzmacniacza wstępnego 11’. Przedstawiony ze szczegółami układowymi jest tylko wzmacniacz wstępny 1 dla pierwszego zakresu, na przykład zakresu VHF.

W celu ustalenia punktu pracy źródło S tetrody MOS 4 jest połączone z wyjściem dzielnika napięciowego 15, a pierwsza bramka G1 tetrody MOS 4 jest połączona z wyjściem drugiego dzielnika napięciowego 16. Oba dzielniki napięciowe 15 i 16 są włączone pomiędzy zacisk 6 potencjału odniesienia i zacisk 43, który jest dołączony, poprzez tranzystor przełączający pnp 40, do zacisku 5 dodatniego napięcia zasilającego. Kolektor tranzystora przełączającego pnp 40 jest połączony bezpośrednio z zaciskiem 43, a baza jest połączona, poprzez rezystor bazowy 42, z wyjściem przełączającym 14 urządzenia przełączającego 9. Emiter tranzystora przełączającego pnp 40 jest połączony, poprzez rezystor emiterowy 41, z bazą tranzystora przełączającego pnp 40 oraz bezpośrednio z zaciskiem 5 dodatniego napięcia zasilającego. Do pierwszej bramki G1 i drugiej bramki G2 tetrody MOS 4 są dołączone diody zabezpieczajace.

Urządzenie przełączające 9 jest sterowane sygnałami sterującymi doprowadzanymi na jeden lub więcej zacisków sterujących 11. Anoda diody przełączającej 37 jest dołączona, także poprzez rezystor 39, do zacisku 43.

Do zacisku sterującego 11 są doprowadzone sygnały sterujące, które powodują, że przy wybraniu za pomocą elementów manipulacyjnych telewizora zakresu VHF,wyjście przełączające 14 urządzenia przełączającego przechodzi w stan o małej rezystancji, uzyskuje potencjał odniesienia i włącza tranzystor przełączający pnp 40. Do zacisku 43 dochodzi dodatnie napięcie zasilające z zacisku 5, a więc wzmacniacz wstępny 1 zostaje dołączony do napięcia dodatniego. Wówczas dioda przełączająca 37 przewodzi, gdyż jej katoda ma niższy potencjał niż anoda. Sygnał antenowy doprowadzany do zacisku antenowego 20 jest wzmacniany we wzmacniaczu wstępnym 1 i doprowadzany do zacisku wyjściowego 8 wzmacniacza wstępnego 1.

Przełączanie na inny zakres, a więc włączenie wzmacniacza wstępnego 1 ’ dla zakresu UHF, odbywa się analogicznie jak opisano to powyżej dla wzmacniacza wstępnego 1 dla zakresu VHF, przy pomocy urządzenia przełączającego 9 posiadającego drugie wyjście przełączające 14’. Na fig. 1 zaznaczono dla wzmacniacza wstępnego 1 ’ zacisk wejściowy 7’, dic^dę prałączającą 37’, tranzystor przełączający pnp 40’, rezystor emiterowy 41 ’, rezystor bazowy 42’; zacisk 43’. Przy stanie wyjścia przełączającego 14’ o dużej rezystancji wzmacniacz wstępny 1’ jest dołączony, poprzez tranzystor przełączający 40’, do zacisku 5 dodatniego napięcia zasilającego, co początkuje proces przełączania opisany powyżej.

Wyjścia przełączające 14,14’ układu przełączającego 9 są wyjściami typu otwarty kolektor z ogranicznikami prądu. Ogranicznik prądu w urządzeniu przełączającym 9 zapobiega przepływowi zbyt dużych prądów w obwodach baz tranzystorów przełączających pnp 40,40’.

Figura 2 przedstawia pierwszy przykład wykonania układu przełączania zakresów głowicy dwuzakresowej według wynalazku. Części takie same, jak na fig. 1, są oznaczone takimi samymi odnośnikami. Dla każdego z dwóch zakresów jest przeznaczony osobny wzmacniacz wstępny 1,1’ z tetrodą MOS 4, 4’ stanowiącą element wzmacniający sygnały o wielkich częstotliwościach. Wzmacniacze wstępne 1, 1’ są zbudowane podobnie jak na fig. 1.

165 189

Oba wzmacniacze wstępne 1, 1’ są sprzężone ze sobą i gdy jeden jest włączony, to drngi jest wyłączony. W pierwszym wzmacniaczu wstępnym 1 pierwszy dzielnik napięciowy składa się z rezystorów 14, 16, których połączone końcówki są dołączone do pierwszej bramki G1 tetrody MOS 4. Druga końcówka rezystora 14 jest dołączona do potencjału odniesienia, a druga końcówka rezystora 16 jest dołączona do wyjścia przełączającego 12 układu przełączającego 9. Natomiast dzielnik napięciowy 15, którego połączone końcówki rezystorów są dołączone do źródła S tetrody MOS 4, jest włączony pomiędzy zacisk 5 dodatniego napięcia zasilającego i zacisk 6 potencjału odniesienia. Pokazano także drugą bramkę G2 tetrody MOS 4 z diodami zabezpieczaj ącymi.

Drugi wzmacniacz wstępny 1' zawiera dzielnik napięciowy 15, którego połączone końcówki rezystorów są dołączone do źródła S’ tetrody MOS 4’ i który jest włączony pomiędzy zacisk 5 dodatniego napięcia zasilającego i zacisk 6 potencjału odniesienia. Drugi dzielnik napięciowy, składający się z rezystorów 14’, 16’, jest włączony pomiędzy zacisk 5 dodatniego napięcia zasilającego i zacisk 6 potencjału odniesienia, natomiast połączone ze sobą końcówki rezystorów 14’, 16’ są dołączone do pierwszej bramki G1’ tetrody MOS 4’.

Źródło S’ tetrody MOS 4’ jest dołączone, także poprzez rezystor 10, do wyjścia przełączającego 12 układu przełączającego 9. Rezystor 10 jest połączony równolegle z jednym z rezystorów dzielnika napięciowego 15’ i służy do ustalenia optymalnego ze względu na wzmocnienie punktu pracy tetrody MOS 4’. W drugim wzmacniaczu wstępnym 1’ pierwszy dzielnik napięciowy 15’i drugi dzielnik napięciowy 14’, 16’ ustalają naźródle S’ tetrody MOS 4’ napięcia ujemne względem pierwszej bramki G1. Do pierwszej bramki G1’ i drngiej bramki G2’ tetrody MOS 4’ są dołączone diody zabezpieczające.

Przy dużej rezystancji na wyjściu przełączającym 12 układu przełączającego 9, źródło S’ tetrody MOS 4’ wzmacniacza wstępnego 1’ jest spolaryzowane przy pomocy dzielnika 15’, a pierwsza bramka G1’ tetrody MOS 4’ jest spolaryzowana przy pomocy drugiego dzielnika 14’, 16’. Tetroda MOS 4’ jest wówczas w stanie wyłączenia. Natomiast tetroda MOS 4 pierwszego wzmacniacza wstępnego 1 otrzymuje takie napięcia, poprzez dzielnik napięcia 14, 16 na pierwszej bramce G1 i poprzez dzielnik napięcia 15 na źródle S, że we wzmacniaczu wstępnym 1 następuje pełne wzmocnienie.

Natomiast przy małej rezystancji na wyjściu przełączającym 12 urządzenia przełączającego 12 urządzenia przełączającego 9, rezystor 10 wzmacniacza wstępnego 1’ zostaje dołączony do zacisku 6 potencjału odniesienia, a ustalony punkt pracy tetrody MOS 4’ zapewnia pełne wzmocnienie wzmacniacza wstępnego 1 ’, Przy pomocy dzielnika napięciowego 14,16 wzmacniacza wstępnego 1 bramka G1 tetrody MOS 4 zostaje dołączona bezpośrednio do zacisku 6 potencjału odniesienia, Uzyskana polaryzacja źródła S tetrody MOS 4 powoduje jej wyłączenie. Przyłączanie obu tetrod MOS 4, 4’ odbywa się więc przy zastosowaniu tylko jednego wyjścia przełączającego 12 układu przełączającego 9, bez dodatkowych zewnętrznych tranzystorów przełączających.

, Do zacisku wejściowego 7 wzmacniacza wstępnego 1 jest dołączona dioda przyłączająca 87, a do zacisku wejściowego 7’ wzmacniacza wstępnego 1 ’ jest dołączona dioda przełączająca

17. Katoda diody przełączającej 17 jest dołączona do zacisku wejściowego 7’ wzmacniacza wstępnego 1’ i jest dołączona, poprzez rezystor 18 o rezystancji dużej w porównaniu z impedancją wejściową wzmacniacza wstępnego 1’, do wyjścia przełączającego 12 urządzenia przełączającego 9. Pomiędzy zaciskiem 5 dodatniego napięcia zasilającego i zaciskiem 6 potencjału odniesieniajest włączony trzeci dzielnik napięciowy 19, którego połączone końcówki rezystorów są dołączone do anody diody przełączającej 17.

Anoda diody przełączającej 17 jest dołączona do katody diody przełączającej 87, której anoda jest dołączona do zacisku wejściowego 7 wzmacniacza wstępnego 1. Do anody diody przełączającej 87 jest dołączony także rezystor 89, którego druga końcówka jest połączona również z wyjściem przełączającym 12 urządzenia przełączającego 9. Rezystancja tego rezystora 89 jest duża w porównaniu z impedancją wejściową wzmacniacza wstępnego 1. Dopóki wyjście przełączające 12 urządzenia przełączającego 9 nie jest dołączone do potencjału odniesienia, dioda przełączająca 17 nie przewodzi i na zacisk wejściowy 7’ wzmacniacza wstępnego 1’ nie

165 189 dochodzi sygnał antenowy, a więc wzmacniacz wstępny 1’ nie wzmacnia. Natomiast dioda przełączająca 87 wówczas przewodzi.

W przypadku, gdy zostaje włączony wzmacniacz wstępny 1’, wyłączony zostaje wzmacniacz wstępny 1 i przy dołączeniu wyjścia przełączającego 12 układu przełączającego 9 do potencjału odniesienia zostaje włączona tetroda MOS 4’ wzmacniacza wstępnego 1.’ Dioda przełączająca 17 przewodzi, gdyż potencjał jej anody jest bardziej dodatni niż potencjał katody. Natomiast dioda przełączająca 87 wówczas nie przewodzi.

Połączone ze sobą anoda diody przełączającej 17 i katoda diody przełączającej 87 są dołączone poprzez kondensator sprzęgający 21 do zacisku 20.

Jako urządzenie przełączające 9 znajduje zastosowanie na przykład układ scalony PLL z pętlą synchronizacji fazowej, zawierający stopnie nastawiania częstotliwości i przełączania pasm, który na wyjściu przełączającym 12 nie ma ogranicznika prądu. Sterowanie wyjściem przełączającym 12 jest kompatybilne względem oprogramowania sterującego znanych głowic.

Parametry tranzystora przełączającego znajdującego się w urządzeniu przełączającym 9 i sterującego wyjściem przełączającym 12, przy wytrzymałości napięciowej około 12V, umożliwiają przełączanie prądu około 25 mA.

Figura 3 przedstawia drugi przykład wykonania układu przełączania zakresów głowicy według wynalazku. Poza wyjściem przełączającym 12 do przełączania obu wzmacniaczy wstępnych 1 i 1’, urządzenie przełączające 9 posiada dodatkowe wyjście przełączające 13 do przełączania obwodu rezonansowego 70 wielkich częstotliwości, na przykład obwodu rezonansowego VHF dołączonego do zacisku wyjściowego 8’ drugiego wzmacniacza wstępnego 1’, z zakresu większych częstotliwości na mniejsze częstotliwości i odwrotnie.

Obwód rezonansowy 70 wielkich częstotliwości zawiera diodę pojemnościową 44, której anoda jest dołączona do zacisku 6 potencjału odniesienia, a katoda jest dołączona do obwodu szeregowego składającego się z pierwszego kondensatora 45, pierwszej cewki 42, drugiej cewki 43 i drugiego kondensatora 54, którego druga okładzina jest połączona z zaciskiem 6 potencjału odniesienia. Obwód rezonansowy 70 zawiera również rezystor 46 doprowadzający napięcie strojenia Ua, włączony pomiędzy zacisk 62 i katodę diody pojemnościowej 44 oraz zawiera czwarty dzielnik napięciowy 49, 50, który jest włączony pomiędzy zacisk 6 potencjału odniesienia i zacisk 5 napięcia zasilającego 5 oraz którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do kondensatora 54 i cewki 43. Dodatkowa dioda przełączająca 47 ma anodę dołączoną do węzła łączącego cewki 42 i 43 oraz katodę połączoną z kondensatorem 48 dołączonym do zacisku 6 potencjału odniesienia. Katoda diody przełączającej 47 jest połączona także z jedną końcówką dzielnika napięciowego 51,52, którego druga końcówka jest dołączona do zacisku 5 napięcia zasilającego, a którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do dodatkowego wyjścia przełączającego 13 urządzenia przełączającego 9.

Zacisk wyjściowy 8’ wzmacniacza wstępnego 1 ' jest połączony z węzłem łączącym cewkę 42 i kondensator 45.

Przełączanie obwodu rezonansowego 70 wielkich częstotliwości pomiędzy zakresami mniejszymi i większych częstotliwości odbywa się następująco. W stanie czynnym wyjścia przełączającego 13, to znaczy gdy na wyjściu przełączającym 13 jest duża rezystancja, dioda przełączająca 47 nie przewodzi, ponieważ katoda diody przełączającej 47 jest dołączona, poprzez rezystor 51 o dużej rezystancji, do potencjału wyższego od potencjału anody, co osiąga się przy pomocy dzielnika 49,50. Ponieważ przy tym cewki 42 i 43 są połączone szeregowo, to czynny jest zakres mniejszych częstotliwości obwodu rezonansowego 70 wielkich częstotliwości.

W stanie czynnym wyjścia przełączającego 13, gdy wyjście przełączające 13 jest połączone z zaciskiem 6 potencjału odniesienia, przez diodę przełączającą 47 przepływa prąd powodujący, że ma ona małą rezystancję. Cewka 43 zostaje zwarta, a obwód rezonansowy 70 wielkich częstotliwości zostaje przełączony na zakres większych częstotliwości.

Przy pomocy tego układu przełączaniu obu zakresów częstotliwości obwodu rezonansowego 70 następuje poprzez tylko jedno wyjście przełączające 13 urządzenia przełączającego 9, bez konieczności stosowania zewnętrznego tranzystora przełączającego.

Jedno z wyjść przełączających 12, 13' urządzenia przełączającego można dołączyć dodatkowo do stopnia mieszającego i/lub układu oscylatora 60 głowicy w celu sterowania nimi.

165 189

FIG 2

165 189

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz. Cena 10 000 zł

Claims (8)

Zastrzeżenia patentowe

1. Układ przełączania zakresów głowicy, zawierający pierwszy wzmacniacz wstępny dla pierwszego zakresu częstotliwości i drugi wzmacniacz wstępny dla drugiego zakresu częstotliwości, przy czym każdy wzmacniacz wstępny jest włączony pomiędzy zacisk napięcia zasilającego i zacisk potencjału odniesienia oraz każdy posiada zacisk wejściowy i zacisk wyjściowy oraz zawiera tetrodę MOS, a zaciski wejściowe wzmacniaczy wstępnych są połączone ze sobą i tetrody MOS są połączone z urządzeniem przełączającym, znamienny tym, że urządzenie przełączające (9) posiada wyjście przełączające (12) połączone z przełącznikiem, który w jednej pozycji łączy wyjście przełączające (12) z zaciskiem (6) potencjału odniesienia, pierwsza bramka (G1) tetrody MOS (4) pierwszego wzmacniacza wstępnego (1) jest połączona, poprzez pierwszy rezystor (16), z wyjściem przełączającym (12) urządzenia przełączającego (9) i źródło (S') tetrody MOS (4') drugiego wzmacniacza wstępnego (1') jest połączone, poprzez drugi rezystor (10), z wyjściem przełączającym (12) układu przełączającego (9).

2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że w pierwszym wzmacniaczu wstępnym (1) jest włączony pomiędzy zacisk (5) napięcia zasilającego i zacisk (6) potencjału odniesienia pierwszy dzielnik napięciowy (15), którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do źródła (S) oraz pomiędzy wyjście przełączające (12) i zacisk (6) potencjału odniesienia jest włączony drugi dzielnik napięciowy (14, 16), który zawiera pierwszy rezystor (16) i którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do pierwszej bramki (G1) tetrody MOS (4).

3. Układ według zastrz. 2, znamienny tym, że w drugim wzmacniaczu wstępnym (1') jest włączony pomiędzy zacisk (5) napięcia zasilającego i zacisk (6) potencjału odniesienia pierwszy dzielnik napięciowy (15), którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do źródła (S') oraz pomiędzy zacisk (5) napięcia zasilającego i zacisk (6) potencjału odniesienia jest włączony drugi dzielnik napięciowy (14*, 16'), którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do pierwszej bramki (G1') tetrody MOS (4').

4. Układ według zastrz. 1 albo 2 albo 3, znamienny tym), że do zacisku wejściowego (7') drugiego wzmacniacza wstępnego (1') jest dołączona katoda diody przełączającej (17), której anoda jest dołączona, przynajmniej poprzez kondensator sprzęgający (21), do zacisku antenowego (20), przy czym katoda diody przełączającej (17) jest dołączona, poprzez rezystor (18) , do wyjścia przełączającego (12) urządzenia przełączającego (9), a pomiędzy zacisk (5) zapięcia zasilającego i zacisk (6) potencjału odniesienia jest włączony trzeci dzielnik napięciowy (19) , którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do anody diody przełączającej (17).

5. Układ według zastrz. 4, znamienny tym, że do zacisku wejściowego (7) pierwszego wzmacniacza wstępnego (1) jest dołączona anoda diody przełączającej (87), której katoda jest dołączona, przynajmniej poprzez kondensator sprzęgający (21), do zacisku antenowego (20), przy czym anoda diody przełączającej (87) jest dołączona, poprzez rezystor (89), do wyjścia przełączającego (12) urządzenia przełączającego (9), a węzeł łączący rezystory trzeciego dzielnika napięciowego (19) jest dołączony do katody diody przełączającej (87).

6. Układ według zastrz. 5, znamienny tym, że urządzenie przełączające (9) posiada dodatkowe wyjście przełączające (13) do przełączenia obwodu rezonansowego (70) wielkich częstotliwości między zakresem mniejszych i większych częstotliwości.

7. Układ według zastrz. 6, znamienny tym, że obwód rezonansowy (70) wielkich częstotliwości zawiera diodę pojemnościową (44), której anoda jest dołączona do zacisku (6) potencjału odniesienia, a katoda jest połączona z obwodem szeregowym składającym się z pierwszego kondensatora (45), pierwszej cewki (42), drugiej cewki (43) i drugiego kondensatora (54) dołączonego do zacisku (6) potencjału odniesienia, pomiędzy katodę diody pojemnościowej (44) i zacisk (62) napięcia strojenia (Ua) jest włączony rezystor (46), a pomiędzy zacisk (6) potencjału odniesienia i zacisk (5) napięcia zasilającego jest włączony czwarty dzielnik napięciowy (49, 50), którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do węzła łączącego drugi

165 189 kondensator (54) i drugą cewkę (43), do węzła łączącego pierwszą cewkę (42) i drugą cewkę (43) jest dołączona anoda dodatkowej diody przełączającej (47), której katoda jest połączona z jednej strony z kondensatorem (48) połączonym z zaciskiem (6) potencjału odniesienia, a z drugiej strony z piątym dzielnikiem napięciowym (51, 52), który jest dołączony do zacisku (5) napięcia zasilającego i którego węzeł łączący rezystory jest dołączony do dodatkowego wyjścia przełączającego (13) urządzenia przełączającego (9).

8. Układ według zastrz. 7, znamienny tym, że jedno z wyjść przełączających (12,13) urządzenia przełączającego (9) jest dołączone dodatkowo do stopnia mieszającego i/lub układu oscylatora (60) głowicy.