Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do cia¬ glego pionowego odlewania wznoszacego rur z ze¬ liwa sferoidalnego, bez stosowania rdzenia usta¬ lajacego wewnetrzna powierzchnie rury formowa¬ nej w krysitailizatorze.Z polskiego opisu patentowego nr 141488 jest znane urzadzenie do ciaglego pionowego odlewa¬ nia wznoszacego rur z zeliwa, zawierajace kry- stalizator w postaci cylindrycznej tulei, którego wneka jest polaczona z ukladem wlewowo-zasila¬ jacym, zawierajacym wlew doprowadzajacy usy¬ tuowany swym otworem wylotowym w dnie wne¬ ki krysitaiizaitora i polaczony drugim koncem z wlewem' glównym zawierajacym lej wlewowy dla plynnego zeliwa.Formowanie rury polega na skokowym wycia¬ ganiu z krystalizatora odcinka rury, w którym w wyniku zewnetrznego chlodzenia tulei krysta¬ lizatora nastapilo juz skrzepniecie plynnego zeli¬ wa. W urzadzeniu^ tym wydajnie i skutecznie wy¬ twarza sie rury zeliwne, co do których nie ma specjalinych wymagan odnosnie jednakowej na ca¬ lej dlugosci rury grubosci scianki i wspólosipwo- sci jej zewnetrznej i wewnetrznej powierzchni.Z francuskiego opisu patentowego nr 2 3512 6ll2. jest znane urzadzenie, w którym mase plynnego zeliwa wprawia sie w wirowanie z predkoscias odsrodkowa stosujac pode magnetyczne, widuja¬ ce wzgledem krystalizatora wypelnionego plynnym zeliwem.Znane sa równiez z francuskich opisów paten¬ towych nr nr 49$ 449 i 1 1&2 833 urzadzenia, w których wprawia sie plynne zeliwo w ruch wi¬ rujacy tylko i wylacznie w celu ujednorodnienia 5 kapieli plynnego zeliwa.Zadaniem wynalazku jest opracowanie konstruk¬ cji urzadzenia do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalnego, w któ¬ rego krystalizatorze plynne zeliwo byloby wpra- 10 wiane w ruch wirujacy z predkoscia mniejsza od predkosci odsrodkowej.Zgodnie z wynalaizkiem urzadzenie zawierajace ikrystaliizator z ukladem wlewowo-zasiilajacym, 'cha¬ rakteryzuje sie tym, ze ma element wprawiajacy ji5 plynne zeliwo w powolny ruch wirowy, przynaj¬ mniej w dolnej czesci wneki krystalizatora, przy czym element ten stanowi usytuowany stycznie do powierzchni obwodowej wnejki krystalizatora wlew doprowadzajacy plynne zeliwo, usytuowany 20 swym wylotem bezposrednio nad dnem wneki ,kry- stalizatora.We wnece krystaJlizatorai, wspólosiowo do jego osi pionowej, jest usytuowana rura wlewowa wy¬ stajaca swym górnym koncem wylotowym ponad 25 lustro plynnego zeliwa wypelniajacego wneke oraz otoczona przez stozkowa oslone, wystajaca z dna wnejki i ograniczajaca wewnetrzna powierzchnie wneki, natomiast dolny koniec rury wlewowej jest usytuowany nad dnem kadzi typu syfonowego, 30 polaczonej ze zródlem gazu pod cisnieniem, przy 147 384147 384 3 czym przekrój poprzeczny rury wlewowej jest wiekszy od poprzecznego przekroju wlewu dopro- wadaajacego. Korzystnie, wlew doprowadzajacy jest polaczony z kadzia typu syfonowego, wypelniona plynnym zeliwem, której komora cisnieniowa jest polaczona ze zródlem gazu obojetnego pod cis¬ nieniem zmiennym cyklicznie, korzystnie zmien¬ nym sinusoidalnie.W alternatywnym wykonaniu urzadzenia elemen¬ ty wprawiajace plynne zeliwo w powolny ruch wirowy stanowia dysze gazowe, swymi wylotami skierowane w' poblize dna wneki krystalizatora' oraz stycznie do powierzchni obwodowej tej wne¬ ki, zasilane gazem obojetnym pod cisnieniem. Ko¬ rzystnie dysze gazowe sa zaopatrzone w koncówki wylotowe, wykonane z materialu porowatego, prze¬ puszczajacego gaiz' obojetny.(W innym wariancie urzadzenia wedlug wyna¬ lazku elementy wprawiajace piynne zeliwo w po¬ wolny ruch wirowy stanowia magnesy lub elek- tromaignesy, osadzone na obrotowym wokól osi krystalizatora wale, polaczonym z zespolem na¬ pedowym, a ponadto magnesy lub elektromagnesy sa umieszczone wewnatrz stozkowej oslony, ogra¬ niczajacej wewnetrzna powierzchnie wneki kry- stailizatora.W kolejnym wariancie urzadzenia do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalmego elementy wprawiajace plynne* zeliwo w powolny ruch wirowy stanowia prety grafito¬ we zawieszone na obwodzie poziomej plyty ko¬ lowej, osadzonej na górnym koncu walu obroto¬ wo umieszczonego na osi krystalizatora, w oslo¬ nie stozkowej usytuowanej centryciznie we wne¬ ce krystalizatora i wystajacej z jego podstawy, natomiast dolny koniec walu jest polaczony z ze¬ spolem napedowym, przy czym dolne konce pre¬ tów grafitowych sa usytuowane bezposrednio nad dnem wneki krystalizatora,.Przedmiot wynalazku jest szczególowo opisany w przykladach wykonania uwidocznionych na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia urzadzenie do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalnego w przekroju pionowym, fig. 2 — to samo urzadzenie w przekroju pozior . mym wzdluz linii 2—2 zaznaczonej na fig. 1, fig. 3 — krystaliizator urzadzenia z fig. 1 z ukla¬ dem zasilajacoHwlewowym w schematycznym wi¬ doku perspektywicznym, fig. 4 — urzadzenie w innym wariancie wykonania z magnetycznymi ele¬ mentami wprawiajacymi w ruch wirowy plynne zeliwo w przekroju pionowym, fig. 5 — urzadze¬ nie z elementami mechanicznymi do wprawiania plynnego zeliwa w ruch wirowy, w przekroju pionowym, fig. 6 — urzadzenie w kolejnym wa^ riancie wykonania wyposazone w dysze gazowe w przekroju pionowym, fig. 7 — urzadzenie z fig. 6 w przekroju poziomym, wzdluz linii 7—7 zazna¬ czonej na fig.,6, fig. 8 — alternatywne wykonanie urzadzenia z dyszami gazowymi, jako elementa¬ mi wprawiajacymi plynne zeliwo w ruch wirowy, w przekroju pionowym, fig. 9 — trzeci wariant wykonania urzadzenia z dyszami gazowymi, w przekroju pionowym, fig. 10 — urzadzenie z fig. 9 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 w przekroju poziomym wzdluz linii 10—/10 za¬ znaczonej na fig. 9, fig. 11 — usytuowanie dyszy gazowej w dnie wneki kryeitalizatora, w powiek¬ szonym przekroju pionowym, fig. 1*2 — urzadzenie w ostatnim wariancie wykonania w pionowym przekroju, fig. 13 — urzadzenie z fig. 12 we frag¬ mentarycznym, poziomym przieknoju wzdluz limifi 1S—'13 zaznaczonej na fig. 12, zas fig 14 przed¬ stawia zmiany cisnienia gazu i poziomów' plynne¬ go zeliwa w funkcji czasu.Urzadzenie przedstawione na fig. 1 jest stoso¬ wane do ciaglego odlewania syfonowego rur cien¬ kosciennych z zeliwa sferoidalnego, które maja stosunek grubosci sciany do srednicy mniejszy niz ¦1:10. Przykladowo grubosc sciany rury nie prze¬ kracza 15 mm przy jej srednicy 1000 mm, 8 mm dla srednicy 300 mm i 5 mm dla srednicy wy¬ noszacej 80 mm.Osiowego zasilania plynnym zeliwem utrzymy¬ wanym pod cisnieniem gazu dokonuje sie za po¬ moca kadzi 1 typu syfonowego z ukosnym wle¬ wem 2, wypelnionej plynnym zeliwem F. Ukosny wlew 2 kadzi 1 jest zamykany pokrywa 3. Pio¬ nowa rura wlewowa 4 o osi X—X z materialu ogniotrwalego przechodzi przez otwór w górnej scianie kadzi 1 i jest swym dolnym koncem usy¬ tuowana prawie nad samym dnem kadzi 1 oraz wystaje ponad kadz majac wylot w przestrzeni ograniczonej tuleja 11 krystalizatora 6, 11, 13, po¬ nizej którego jest usytuowana kadz 1.Rura wlewowa 4 jest szczelnie osadzona w o- tworze górnej sciany kadzi 1 za pomoca stozko¬ wej nakladki lacznikowej 5, sluzacej równiez do polaczenia tej rury wlewowej z podstawa krysta¬ lizatora.Styczne doprowadzanie plynnego zeliwa do wne¬ ki krystalizatora jest dokonywane za pomoca wle¬ wu doprowadzajacego 7 polaczonego z ukladem wlewowo^zasilajacym. Wlew doprowadzajacy 7 sta¬ nowi poziomo usytuowany lub lekko pochylony w strone krystalizatora kanal wykonany w pod¬ stawie 6 krystalizatora oraz zakonczony otworem wylotowym 18. Pole przekroju otworu wylotowe¬ go 18 wiewu doprowadzajacego 7 jest mniejsze od pola przekroiju otworu rury wlewowej 4.Podstawa 6 krystalizatora jest wykonana z ma¬ terialu ogniotrwalego, na przyiklad z materialów glinokrzemianowych. Podstawa 6 krystalizatora sta¬ nowi jednoczesnie podparcie dla ukladu wiewo- wo-zasilajacego, zawierajacego wlew glówny 9 za¬ konczony od góry lejem wlewowym 10, do którego dostarczane jest zeliwo zgodnie ze strzalka f. Wiew glówny 9 i lej wlewowy sa usytuowane wzdluz pionowej osi Y—Y równoleglej do osi X—X rury wlewowej 4.Wysokosc wlewu glównego 9 jest w przyblize¬ niu równa wysokosci krystalizatora. Wlew glów¬ ny 9 i wneka krystalizatora 6, 11, 13 tworza na¬ czynia polaczone, przy czym wneka krystalizato¬ ra jest ograniczona przez podstawe 6 krystaliza¬ tora, stanowiaca niechlodzone dno 12 wneki oraz przez chlodzona tuleje 11 krystalizatora wykonana z grafitu i usytuowana wspólosiowo wcsgledem ru¬ ry wlewowej 4 i osi X—X.147 384 6 20 25 Tuleja 11 krystalizatora jest chlodzona zewnetrz¬ nie za pomoca plaszcza chlodzacego 13 wykona¬ nego przykladowo z miedzi, przez który przeply¬ wa cyrkulacyjnie woda chlodzaca, wplywajac króc¬ cem doprowadzajacym 14 \i odplywajac króccem b odprowadzajacym 15.Plaszcz- chlodzacy 13 styka sie bezposrednio z •tuleja 11 krystaliizatora otaczajac ja prawie na calej wysokosci, za wyjatkiem czesci dolnej, która pozostaje niechlodzona. W zwiazku z tym plyta 10 pierscieniowa 16, wykonana z materialu ognio¬ trwalego, przykladowo z materialów glinowokrze- mianowych, a wiec izolujacego cieplnie, jest u- miesiziczona pomiedzy dolnym koncem plaszcza chlodzacego 13 a górna powierzchnia podstawy 15 6 krystalizatora zapobiegajac chlodzeniu podstawy przez plaszcz . chlodzacy.W tym wykonaniu urzadzenia objetosc wneki krysitalizatora jest- pomniejszona o objetosc stozko¬ wej oslony 17 rury wlewowej 4, stanowiacej in¬ tegralna czesc' podstawy 6 krystalizatora. Zasto¬ sowanie tej oslony jest szczególnie korzystne przy odlewaniu rury o duzej srednicy. Korzystne jest gdy stozkowa oslona 17 ma wysokosc wieksza niz dlugosc osiowa tulei 11 krystalizatora, dzieki czemu mozliwe jest dobieranie objetosci plynnego zeliwa F wypelniajacego wneke krystalizatora. W przypadku gdyby wysokosc stozkowej oslony 17 by¬ la mniejsza od dlugosci tulei krystalizatora,, po¬ wyzej jej wierzcholka znajdowalby sie zbedny 30 nadmiar plynnego zeliwa. ? ^, Mechanizm przeznaczony do wyciagania ufor¬ mowanej rury nie jest przedstawiony na rysun¬ kach. Zaznaczono jedynie zastosowanie krazków lub rolek E, napedzanych obrotowo w celu wy¬ ciagania uformowanej rury, przy czym na fig. 1 pokazano drag rozruchowy M pomiedzy tymi rol¬ kami E, zaopatrzony na swym dolnym koncu w wyciecia M1 o ksztalcie jaskólczego ogona. 40 Plynne zeliwo jest doprowadzane do wneki kry¬ stalizatora w dwóch fazach. W poczatkowej fa¬ zie plynne zeliwo doprowadza sie do wneki kry¬ stalizatora 6, 11, 13 z kadzi 1 w ten sposób, ze po jej napelnieniu zeliwem i zamknieciu pckry- 45 wa 3 odkreca sie zawór na przewodzie 32 pola¬ czonym 1 ze zródlem gazu pod cisnieniem, w wy¬ niku czego plynne zeliwo zostaje wytloczone przez rure wlewowa 4 na wysokosc wierzcholka stozko¬ wej oslony 17 i wyplywa z niej do wneki kry- 50 stalizatora, wypelniajac równoczesnie wlew dopro¬ wadzajacy 7 ; wlew glówny 9. Takie poczatkowe zasilanie plynnym zeliwem prowadzi sie do mo¬ mentu, gdy jego poizipm osiagnie poziom zazna¬ czony linia N, usytuowany nieco ponizej górnej 55 czesci tulei 11 krystalizatora.Zasilanie plynnym zeliwem F wneki krystali¬ zatora dostarczanym z kadzi 1 pod cisnieniem jest zasilaniem o znacznie wiekszej wydajnosci niz zasilanie prowadzone przez wlew glówny 9. Po 60 osiagnieciu przez plynne zeliwo poziomu N roz^ poczyna sie druga faze zasilania plynnym zeliwem wneki -krystalizatora, a to poprzez jego wprowa¬ dzanie do leja wlewowego 10, zgodnie ze strzal- . ka f. To zasilanie w drugiej fazie odbywa sie ze *$ znacznie mniejsza wydajnoscia niz zasilanie w fa¬ zie poczatkowej i mat na celu wprawienie masy plynnego zeliwa wypelniajacego wneke krystaliza^ tora w ruch wirowy, wywolany usytuowaniem wle¬ wu . doprowadzajacego 7 stycznie wzgledem ob¬ wodu wneki krystalizatora.W. zwiazku z tym, ze tuleja 11 krystalizatora jest otoczony chlodnica 13 plynne zeliwo F w zetknieciu z tuleja krystalizatora ulega stopnio¬ wej krystalizacji, która w poczatkowej fazie na¬ stepuje zwlaszcza w strefie dolnego konca draga rozruchowego M zaopatrzonego w wyciecie Mj.Uformowany i zaczepiony o wyciecie Mj poczat¬ kowy odcinek rury jest wyciagany ku górze za pomoca draga rozruchowego, napedzanego ruchem przerywanym rolkami E. Gdy ten poczatkowy od¬ cinek uformowanej rury zostanie objety rolkami E mozna dokonac odlaczenia od niego draga roz¬ ruchowego M.W trakcie formowania poczatkowego odcinka rury nalezy juz rozpoczac zasilanie wneki kry¬ stalizatora plynnym zeliwem wprowadzanym wle¬ wem glównym 9 z taka szybkoscia, aby utrzymac lustro plynnego zeliwa we wnece na poziomie N.Zeliwo jest wprowadzane wlewem glównym 9 ze stosunkowo mala wydajnoscia dostosowana do predkosci krystalizacji^ ale wplywa ona w kie¬ runku stycznym, zgodnie z fig. 3, do wneki kry¬ stalizatora ze znaczna predkoscia, wystarczajaca do nadania masie plynnego zeliwa wypelniajace¬ go wneke ruchu wirowego o stosunkowo niewiel¬ kiej predkosci.Wywolujac powolne wirowanie/ masy plynnego zeliwa wokól osi X—X ujednolica sie temperature cieklego zeliwa zawartego we wnece krystalizato¬ ra oraz nadaje sie formowanej rurze jednakowa na calej dlugosci grubosc scianki, a ponadto po¬ wierzchnia zewnetrzna i wewnetrzna wytwarza¬ nej rury sa dokladnie koncentryczne.Nalezy zauwazyc, ze zeliwo jest ciecza eutekty- czna, której proces krystalizacji znacznie rózni sie od krystalizacji stali. Podczas krystalizacji zeliwa nie wystepuje zjawisko segregacji i nie wystepu¬ je rriieszanina fazy stalej z ciekla. Zeliwo prze¬ chodzi w sposób gwaltowny z fazy cieklej w faze stala, bez mieszania sie tych faz i bez wystepo-. wania dendrytu.Ody nastapi uformowanie rury o pozadanej dlu¬ gosci przerywa sie zasilanie zeliwem wneki ^kry¬ stalizatora przez wlew glówny 9 i przystepuje do szybkiego oprózniania wneki krystalizatora 6, 11, 13, na przyklad przez spuszczanie plynnego zeliwa przez zamykany otwór w podstawie 6 kry¬ stalizatora, nie zaznaczony na rysunku.Aby wywolac dowolne wirowanie masy plyn¬ nego zeliwa we wnece krystalizatora mozna za¬ stosowac inne srodki techniczne, na przyklad zja¬ wisko magnetyzmu, dzieki czemu mozna wyelimi¬ nowac koniecznosc dwufazowego zasilania plynnym zeliwem, jak to wyzej opisano.Jak uwidoczniono na fig. 4 stozkowa oslona 34 w. swej górnej podstawie nie jest zaopatrzona w otwór, lecz stanowi pelna scianke. Wewnatrz tej stozkowej oslony 34, w ograniczonej przez nia147 384 8 komorze 35, jest umieszczony" magnes lub. elektro¬ magnes 36 osadzony na wale 37 napedzanym obro¬ towo przez zespól napedowy 38. Magnesy lub elektromagnesy 36 powinny byc -rozmieszczone na wale 37 tak, aby obejmowaly prawie cala wyso- 5 kosc wneki krystaliizatora 6, 11, 13. Predkosc o- brotowa magnesów lub elektromagnesów 36 jest (niewielka, rzedu kilku obrotów na minute.Zasilania plynnym zeliwem dokonuje sie za po¬ moca Wlewu glównego 9 i wlewu doprowadzaja- 10 cego 7 usytuowanego stycznie do obwodu wneki krystalizatora, przy czym w przypadku zastoso¬ wania magnesów lub elektromagnesów 36 to sty¬ czne usytuowanie nie jest konieczne.Na fig. 5 uwidoczniono urzadzenie; w którym 15 stozkowa oslona 39 ma na swej calej dlugosci otwór 40 wspólosiowy z osia X—X krystalizatora Otwór 40 w górnej czesci jest otworem walco¬ wymi, zas w pozostalej czesci jest otworem stoz¬ kowym o tworzacych równoleglych do zewnetrz- ^ nej powierzchni stozkowej oslony 39.W otworze 40, oslony 39 jest umieszczony obro¬ towo wal 41 napedzany przez zespól napedowy 42, usytuowany ponizej krystaliizatora. Do górne¬ go konca walu 41 jest przymocowana poziomo 25 usytuowana plyta kolowa 43 lub tez poiziome ra¬ miona, natomiast w poblizu obwodu plyty 43 lub na koncach ramion sa utwierdzone "prety grafito¬ we 44 skierowane do dolu i majace swe konce w poblizu dna 12 wneki krystaliizatora 6, 11, 13.Zasilania plynnym zeliwem dokonuje sie jedy¬ nie za pomoca wlewu glównego 9 i wlewu do¬ prowadzajacego 7, usytuowanego promieniowo wzgledem wneki lub stycznie do jej obwodu. For¬ mowanie rury odbywa sie identycznie jak to wy¬ zej opisano, przy czym wprawianie masy plynne¬ go zeliwa w ruch wirowy odbywa sie przez po¬ wolne, obwodowe przemieszczanie sie pretów 44.Jak z powyzszych przykladów wykonania wy¬ nika 'kazdorazowo rura jest formowana w krysta- lizatorze bez koniecznosci stosowania rdzenia kry¬ stalizatora, a jedynie za pomoca wprawiania plyn¬ nego zeliwa w ruch wirujacy, zapewniajacy jed¬ nakowa grubosc scianki rury na calej jej dlu¬ gosci. , Urzadzenie przedstawione na fig. 6 jest zbudo¬ wane podobnie jak poprzednio opisane urzadze¬ nia^ z ta róznica, ze plynne zeliwo F jest dopro¬ wadzane do wneki krystalizatora 6, 11, 13, po- 50 przez wlew glówny 9,. wlew doprowadzajacy 7, usytuowany promieniowo wzgledem wnejki, z pro¬ stopadlym odcinkiem 8 usytuowanym swym wylo¬ tem w dnie 12 wneki krystalizatora i równolegle wzgledem osiX—X. 55 W podstawie 6 krystalizatora sa, utwierdzone dwie dysze gaizowe 45, usytuowane nieco powyzej dna 12 wneki krystalizatora i stycznie do powie¬ rzchni obwodowej 46 wneki krystalizatora 6, 11, 13, jak pokazano na fig. 7. Osie obu dysz gazo- 60 wych 45 sa równolegle wzgledem siebie i skiero¬ wane naprzeciw siebie, przy czym kazda z nich ma koncówke wylotowa 47 o ksztalcie stozka scie¬ tego, wykonana, z materialu porowatego, przepu¬ szczajacego gaz. Koncówka wylotowa 47 jest wy- 65 30 35 40 45 konana z materialu ogniotrwalego, na przykad materialów glinoikrzemianowych o duzej ziarni¬ stosci, w celu uzyskania zadanej porowatosci i przepuszczalnosci dla gazów.Koncówka wylotowa 47 styka sie z tulejka 48 o srednicy zewnetrznej równej srednicy wiekszej podstawy tej stozkowej koncówki wylotowej, wy¬ konana równiez z materialu ogniotrwalego. W o- tworze tulejki 48 dyszy 45 jest wcisniety koniec przewodu rurowego 49 polaczonego ze zródlem ga¬ zu obojetnego pod cisnieniem. Kazda z dysz 45 jest wcisnieta w odpowiadajacy jej otwór wy¬ konany w podstawie 6 krystalijzatora, o identy¬ cznym ksztalcie jak ksiztalt dyszy i docisnieta za pomoca plytki zamakajacej 50 do plaskiej por,vie- rzchni wystepu .51 podstawy 6.Wprowadzone do wneki krystalizatora 6, 11, 13, plynne zeliwo jest wprawiane w ruch wirowy za pomoca strumieni gazu obojetnego, takiego jak azot lub argon, wprowadzany stycznie do obwo¬ du wneki krystalizatora, zgodnie ze strzalkami f2 (fig. 7), wytwarzanych za pomoca dysz 45.Przez zmiane cisnienia gazu wyprowadzanego przez dysze mozna regulowac dowolnie predkosc wirowania plynnego zeliwa. Dzieki koncówkom wylotowym 47 wykonanym z materialu porowa¬ tego gaz obojetny jest wprowadzany do plynnego zeliwa w postaci pecherzyków, jednorodnie roz- lozenycih w calej masie plynnego zeliwa.W urzadzeniu wedlug fig. 8 nadawanie ruchu wirujacego plynnemu zeliwu we wnece krystali¬ zatora odbywa sie' w analogiczny sposób za po¬ moca dysz 45.Inaczej odbywa sie natomast zasilanie krysta¬ lizatora' plynnym zeliwem, a mianowicie za po¬ moca kadzi 1 typu syfonowego z ukosnym wle¬ wem 2 zamykanym szczelnie pokrywa 3.% W ka¬ dzi 1 jest umieszczona rura wlewowa 4 wspól¬ osiowa z osia X—X krystalizatora 6, 11, 13, któ¬ rej koniec jest .utwierdzony w otworze stozkowej nakladki lacznikowej 5, osadzonej w stozkowym otworze podstawy 6 krystalizatora.W przypadku tego urzadzenia wneka krystali¬ zatora 6, 11, 13, ma ksztalt walcowy i nie jest ograniczona zadna oslona, przy czym urzadzenie tego typu nadaje sie jedynie do • wytwarzania rur' o malej srednicy. Ponadto w tym przypadku do nadania ruchu wirowego plynnemu zeliwu po¬ trzebna jest znacznie wieksza energia, to jest wieksze cisnienie i natezenie przeplywu gaizu o- bojetnego, wydmuchiwanego za pomoca dysz 45.W urzadzeniu wedlug fig. 9, 10 i Id zamiast wprowadzania gazu . obojetnego za pomoca stycz¬ nie usytuowanych dysz 45 z porowatymi konców¬ kami stozkowymi 47, stosuje sie uklad wielu dysz 52 rozmieszczonych w kierunkach stycznych do obwodu wneki krystaliizatora i wdmuchujacy gaz obojetny bezposrednio do plynnego zeliwa F wy¬ pelniajacego wnejke.Kazda z dysz 52, wykonana z materialu ognio¬ trwalego, jest polaczona z kanalem 53 doprowa¬ dzajacym gaz obojetny do dyszy, majacym swój wlot skierowany do pierscieniowego rowka 55, wy¬ konanego w dolnej powierzchni podstawy 6 kry-147 384 9 10 stalizatora, pelniacy funkcje rozdzielacza gazu o bojetnego pod cisnieniem. Wylot kazdej z dysz jest skierowany stycznie do obwodu winejki krystali- zatora 6, 11, 13, a bezposrednio przed wylotem w dmie 12 wneki krystalizatora jest wykonany rowek 54, równiez w kierunku stycznym do ob¬ wodu wneki. Pierscieniowy rowek 55 jest od do¬ lu zamkniety za pomoca plyty, szczelnie przyle¬ gajacej do dolnej powierzchni podstawy 6 kry¬ stalizatora', przy czyom wykonany na wprost row¬ ka 55 otwór w tej plycie jest polaczony z prze¬ wodem 56 laczacym sie ze zródlem gazu obojet¬ nego pod cisnieniem za posrednictwem zaworu od¬ cinajacego 57. Zasilanie" plynnym zeliwem wneki krystalizatora realizuje sie tak samo jak w urza¬ dzeniu wedlug fig. 8.Dysze 52, w odróznieniu od dysz 45 zastosowa- nyclh w urzadzeniu wedlug fig. 8, wdmuchuja do plynnego zeliwa pecherzyki gazu o wiekszej ob¬ jetosci, a poniewaz ich wyloty sa usytuowane w dnie 12 wneki, przeto te pecherzyki gazu w znaczacy sposób zmniejszaja tarcie wirujacej ma¬ sy plynnego zeliwa o dno 12 wnejki krystalizatora ' 6, 11, 13.W urzadzeniu wedlug fig. 12 zastosowano kry¬ stalizator 6, 11, 13 z wneka o ksztalcie cylindry¬ cznym, do której powierzchni obwodowej 41 jest stycznie usytuowany wlew doprowadzajacy wyko¬ nany w przewodzie 64 i zakonczony otworem wy¬ lotowym 65, usytuowanym bezposrednio nad dnem 12 wneki krystalizatora. W zaleznosci od srednicy odlewanych rur we wnece krystalizatora moze byc równiez umieszczona w osi X—X stozkowa oslona 17, stosowana w poprzednio opisanych wa¬ riantach wykonania urzadzenia, Zasilanie plynnym zeliwem wneki krystaliza¬ tora realizuje sie za pomoca kadzi 58 typu syfo¬ nowego, usytuowanej na tym samym poziomie, na którym jest usytuowany krystalizator. Kadz 58 ma wlew glówny 61 zaopatrzony od góry w lej '. wlewowy 62 oraz komore cisnieniowa 60 zamknie¬ ta szczelnie od góry i polaczona z lejem wle¬ wowym szczelina 63 utworzona pomiedzy dolnym koncem bocznej sciany 59 kadzi a jej dnem.W górnej scianie komory cisnieniowej 60 znaj¬ duje sie otwór polaczony ze zródlem gazu pod¬ cisnieniem za pomoca przewodu 32 z zamontowa¬ nym w nim zaworem odcinajacym 33. Wlew do¬ prowadzajacy wykonany w przewodzie 64 laczy wneke krystalizatora z komora cisnieniowa kadzi 58.Zasilanie wneki krystalizatora 6, 11, 13 plynnym zeliwem F powinno byc tak sterowane, aby wy¬ sokosc masy plynnego zeliwa we wnece zmie¬ niala sie w zakresie górnego poziomu N i dolnego poziomu Nj, zaznaczonego linia przerywana. Tym samym poziomem odpowiada wysckosc slupa plyn¬ nego zeliwa wev wlewie glównym 61, poniewaz sa to naczynia polaczone. Poziomom N i Nj odpo¬ wiadaja poziomy N2 i N8 plynnego zeliwa w ko¬ morze 60 kadzi 58.Aby wysokosc lustra plynnego zeliwa F we wnece krystalizatora osiagnela poziom górny N, 69 nalezy cisnienie gazu w komorze cisnieniowej 60 zwiekszyc do wartosci Px (fig. 14), przy której poziom plynnego zeliwa w tej komorze osiagnie poziom dolny N2, oznaczony linia przerywana. Dol¬ ny poziom Nj lustra plynnego zeliwa F we wnece .krystalizatora zostaje osiagniety wówczas, gdy cis¬ nienie gazu w komorze cisnieniowej ma wartosc minimalna P2, przy której poziom plynnego zeli- , wa w tej komorze osiagnie poziom górny N8, oz¬ naczony linia ciagla.Dla rozpoczecia procesu formowania rury wpro¬ wadza sie od góry drag rozruchowy. W momen¬ cie jego wprowadzenia, na sutek dzialania gazu o cisnieniu Pt w komorze cisnieniowej 60, we wnece krystalizatora lustro plynnego zeliwa F znajduje -sie na poziomie górnym N. Po uformo¬ waniu pierwszego odcinka rury zaczepionego, na koncu draga rozruchowego, unosi sie go skoko¬ wo do góry z kapieli plynnego zeliwa, przez co jej poziom nieco sie obniza.W celu ponownego podniesienia lustra plynne¬ go zeliwa do poziomu N, dostarcza sie nowa por¬ cje plynnego zeliwa przez wlew glówny, a jedno¬ czesnie zmienia sie cyklicznie wartosc cisnienia gazu w komorze cisnieniowej 60 miedzy wartoscia maksymalna Pj i wartoscia minimalna P2, korzy¬ stnie wedlug przebiegu zblizonego do sinusoidal-- nego, jak pokazano na wykresie wedlug fig. 14, kontynuujac przy tym uzupelnianie ubytków plyn¬ nego zeliwa podczas skokowego wyciagania ufor¬ mowanej rury z krystalizatora.Nalezy zauwazyc, ze pulsacja cisnienia gazu, feórej towarzyszy odpowiednio pulsacyjna zmia¬ na poziomu plynnego zeliwa we wnece krysta¬ lizatora, wywoluje zjawisko pompowania plynne¬ go zeliwa, doprowadzanego stycznie do powierzch¬ ni obwodowej 46 wneki krystalizatora. Tym sa¬ mym stworzony zostaje uklad pompowania, po¬ wodujacy wprawienie masy plynnego zeliwa wy¬ pelniajacego wneke krystalizatora w powolne wi¬ rowanie zgodnie ze strzalka f2.Zmieniajac w takim ukladzie pompowania cze¬ stotliwosc i amplitude, cisnienia gazu doprowa¬ dzanego do komory cisnieniowej 60, nastawia sie dokladnie predkosc wirowania plynnego zeliwa we wnece krystalizatora, od której uzalezniona jest grubosc scianki formowanej rury.Z a s t r z e z e n i a patentowe 1. Urzadzenie do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalnego, zawiera¬ jace krystalizator z ukladem wlewowo-zasilajacym, znamienne tym, ze ma element wprawiajacy plyn¬ ne zeliwo (F) w powolny ruch wirowy, przynaj¬ mniej w dolnej czesci wneki krystalizatora (6, 11, 13) przy czym element ten stanowi usytuowany stycznie do powierzchni obwodowej (46) wneki krystalizatora wlew doprowadzajacy (7) plynne ze¬ liwo, usytuowany swym wylotem bezposrednia'nad dnem (12) wneki krystalizatora. 10 15 20 25 30 35 40 45 50147 384 11 12 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze we Wnece krystalizatora, wspólosiowo do jego osi pionowej (X—X) usytuowana rura wlewowa (4) kadzi (1) typu syfonowego polaczonej ze zró¬ dlem gazu pod cisnieniem wystaje swym górnym koncem wylotowym ponad lustro plynnego zeli¬ wa (F) wypelniajacego wneke i jest otoczona przez stozkowa oslone (17), wystajaca z dna (12) wneki i ograniczajaca wewnetrzna powierzchnie wneki, przy czym przekrój poprzeczny rury wlewowej (4) jest wiekszy od poprzecznego wlewu doprowadza¬ jacego (7). 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze wlew doprowadzajacy (7) jest polaczony z ka¬ dzia (58) typu syfonowego, wypelniona plynnym zeliwem, której komora cisnieniowa (60) jest po¬ laczona ze zródlem gazu obojetnego pod cisnie¬ niem zmiennym ^cyklicznie, korzystnie zmiennym sinusoidalnie. 4. Urzadzenie do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalnego zawiera¬ jacego krystalizator z ukladem wlewowo-zasilaja- cym, znamienne tym, ze ma elementy wprawia¬ jace plynne zeliwo (F) w powolny ruch wirowy, przynajmniej w dolnej czesci wneki krysitalizatora (6, 11, 13), przy czym elementy te stanowia dy¬ sze gazowe (45, 52), swymi wylotami skierowane w poblize dna (12) wneki krystalizatora oraz sty¬ cznie do powierzchni obwodowej (46) tej wneki, zasilane gazem obojetnym pod cisnieniem. 5. Urzadzenie wedlug zastrz. 3, znamienne tym, ze dysze gazowe (45) sa zaopatrzone w koncówki wylotowe (47L wykonane z materialu porowatego, przepuszczajacego gaz obojetny. 6. Urzadzenie do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalnego, zawiera- 5. jaee krystalizator z ukladem wlewowo-zasilajacym, znamienne tym, ze ma elementy wprawiajace plynne zeliwo (F) w powolny ruah wirowy, przy¬ najmniej w dolnej czesci wneki krystalizatora (6,. 11, 13), przy czym elementy te stanowia magnesy lub elektromagnesy (36) osadzone na obrotowym wokól osi (X—X) krystalizatora wale (37), polaczo¬ nym z zespolem napedowym (38), a ponadto ma¬ gnesy lub elektromagnesy (36) sa umieszczone we¬ wnatrz. stozkowej oslony (34), ograniczajacej we¬ wnetrzna powierzchnie wneki krystalizatora. 7. Urzadzenie do ciaglego pionowego odlewania wznoszacego rur z zeliwa sferoidalnego, zawiera¬ jace krystalizator z ukladem wlewowo-zasilaja¬ cym, znamienne tym, ze ma elementy wprawiaja¬ ce plynne zeliwo (F) w powolny ruch wirowy, przynajmniej w dolnej czesci wneki krystalizato¬ ra (6, 11, 13), przy czym elementy te stanowia prety grafitowe (44) zawieszone na obwodzie po¬ ziomej plyty kolowej (43), osadzonej na górnym koncu walu (41) obrotowo umieszczonego w osi (X—X) krystalizatora, w oslonie stozkowej (39) u- sytuowarnej centrycznie we wnece krystalizatora i wystajacej z jego podstawy (6), natomiast dolny koniec walu (41) jest polaczony z zespolem nape¬ dowym (42), przy czym dolne konce pretów gra¬ fitowych (44) sa usytuowane bezposrednio nad 'dnem (12) wneki krystalizatora. 15 20 25147 384 Fig.1 Fig .2 Fig.A147 384 57 ^4=r 5, 33 3W~ Fig.7 Fig.9 As;;;/;;/\ 5.2 54 l 6^12/ i { ¦ ' / A \ y \l \ \ \ \ \ v \\ \ ^ \ 6i 7 63 Fig.12 Fig.13 Pi N2 N J P2N3N1 Fig. U DN-3, zam. 191/89 Cena 400 zl PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL