PL133016B1 - High voltage semiconductor switch - Google Patents

High voltage semiconductor switch Download PDF

Info

Publication number
PL133016B1
PL133016B1 PL1979213695A PL21369579A PL133016B1 PL 133016 B1 PL133016 B1 PL 133016B1 PL 1979213695 A PL1979213695 A PL 1979213695A PL 21369579 A PL21369579 A PL 21369579A PL 133016 B1 PL133016 B1 PL 133016B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voltage
input
output
circuit
capacitor
Prior art date
Application number
PL1979213695A
Other languages
English (en)
Other versions
PL213695A1 (pl
Inventor
Joseph Pernyeszi
Original Assignee
Int Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Int Standard Electric Corp filed Critical Int Standard Electric Corp
Publication of PL213695A1 publication Critical patent/PL213695A1/pl
Publication of PL133016B1 publication Critical patent/PL133016B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M3/00Automatic or semi-automatic exchanges
    • H04M3/005Interface circuits for subscriber lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest przelacznik pólprzewodnikowy wysokonapieciowy w ukladzie scalonym, zwlaszcza przelacznik wysokonapieciowy wraz z ukladem sterujacym o sprzezeniu pojemnosciowym, tworzacy wysokonapieciowy przekaznik ze sterowanym wejsciem, który nadaje sie do wykonania na pojedynczej plytce krzemowej, wynalazek dotyczy takze ukladów pólprze¬ wodnikowych linii telefonicznych, w których potrzebne jest stosowanie przekazników pradu stalego w postaci ukladów scalonych wraz z ukladami sterujacymi o sprzezeniu pojemnoscio¬ wym w celu doprowadzania wejsciowych napieó stalych do przelaczników wysokonapieciowych przy jednoczesnym zachowaniu izolacji miedzy przelacznikiem wysokonapieciowym a sterowanym wejsciem stalopradowym przelacznika* Znane przelaczniki wysokonapieciowe sluzace do wytwarzania wyjsciowego sygnalu wysoko¬ napieciowego z wejsciowego sygnalu stalopradowego, w którym wymaga sie, aby czesc obwodu przelaczajaca wykonana zostala np. na plytce krzemowej ukladu soalonego typu MOS, musza po¬ siadac izolacje elektryczna pomiedzy stykami przekaznika pólprzewodnikowego przelacznika wysokonapieciowego, a wejsciem sterujacym, za pomoca którego napiecie stalopradowe lub na¬ piecie impulsowe jest doprowadzane do ukladu.W znanych przelacznikach izolacje elektryozna uzyskuje sie za pomoca elementów sprze¬ gajacych optycznych lub transformatorów. Elementy sprzegajace optyczne trzeba wykonac od¬ dzielnie i sterowac w postaci zespolu, a nie jako uklad na pojedynczej plytce krzemowej do przekazywania sygnalów pomiedzy dwoma obwodami, które musza byc wzajemnie izolowane. Takie elementy sprzegajace optyczne zawieraja na ogól diode elektroluminescencyjna i tranzystory fotoelektryczne w takim ukladzie, ze napiecie wejsciowe jest podawane na koncówki diody elektroluminescencyjnej. Powstajace promieniowanie diody dochodzi do tranzystorów fotoelek- trycznych, prowadzac do wytworzenia wyjsciowego napiecia odizolowanego od napiecia wejscio¬ wego na wyjsciu tranzystora. Takie eleaenty sprzegajace optyczne sa dobrze znane i opisane w publikacji Modern Mioroeleetronics, wydanej przez Research and Education Association, wy¬ danie II, 1974, na stronach 312 i 313, przy czym 1? tej publikacji sa takze omówione metody wytwarzania poszczególnych elementów i struktur MOS.2 133 016 Znany jest takze przelacznik pólprzewodnikowy wysokonapieciowy z pojemnosciowym ukladem sterujacym do kierowania wejsciowego napiecia atalego lub impulsowego z wejscia sterujacego do przekaznika majacego wysokonapieciowy obwód wyjsciowy, w którym wyjscie jest odizolowane elektrycznie od jego wejscia sterujacego bez uzycia elementów sprzegajacych optycznych, po¬ jemnosciowy uklad sterujacy i wysokonapieciowy obwód przelacznika moga byc scalone na po¬ jedynczej plytce krzemowej przy uzyciu konwencjonalnych technik wytwarzania izolacji miedzy wejsciem sterujacym i wyjsciem wysokonapieciowego obwodu przekaznika, para dopasowanych elementów sprzegajacych pojemnosciowych jest zasilana w sposób przeciwsobny w celu dostar¬ czenia ladunku elektrycznego do ukladu sterujacego, który wlacza styk przekaznika wysokona¬ pieciowego. Element LUB zapobiega temu, zeby sygnaly wysokonapieciowe na koncówkach styko¬ wych nie wlaczaly niewlasciwie i reagowaly jedynie na sygnaly wejsciowe przesuniete w fazie.Opisany przelacznik wysokonapieciowy i sprzezony pojemnosciowo uklad sterujacy jest wlas¬ ciwy do wytworzenia go na pojedynczej plytce pólprzewodnikowej.Przelacznik wedlug wynalazku zawiera przeksztaltnik dolaczony do elementu ALBO poprzez pierwszy kondensator i drugi kondensator oraz mostek diodowy. Do wyjscia elementu ALBO jest dolaczona dioda i kondensator. Wejscie przeksztaltnika jest dolaczone do linii sterowania i poprzez pierwszy kondensator do pierwszego wejscia logicznego elementu ALBO. Drugie wejscie logiczne elementu ALBO jest dolaczone do wyjscia przeksztaltnika poprzez kondensator. Wej¬ scia mostka diodowego sa dolaczone do wejsc elementu ALBO. wyjscia mostka diodowego sa do¬ laczone do doprowadzen napieciowych elementu ALBO. Wyjscie elementu ALBO jest dolaczone do kondensatora poprzez diode, której wyjscie jest dolaczone do kondensatora dolaczonego do bramek tranzystorów, których zródla sa dolaczone razem do jednego wyjscia mostka diodowego.Wejscie diody jest anoda a wyjscie jest katoda.Kondensator stanowi filtr, przy czym jedna okladzina kondensatora jest dolaczona do po¬ laczonych pierwszego wejscia i pierwszego wyjscia filtru, podczas gdy druga okladzina kon¬ densatora jest dolaczona do polaczonych drugiego wejscia i drugiego wyjscia filtru. Mostek diodowy zawiera cztery diody polaczone w ukladzie mostkowym. Tranzystory sa tranzystorami typu MOS.Zaleta wynalazku jest zapewnienie przelacznika pólprzewodnikowego wysokonapieciowego o zwiekszonej niezawodnosci.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat przelacznika wysokonapieciowego wraz z ukladem sterujacym o sprze¬ zeniu pojemnosciowym i fig. 2 - uproszczony schemat ukladu generatora sygnalów typu odizolo¬ wanego mostka bez polaczenia galwanicznego do ziemi dla linii telefonicznej.Na fig. 1 przelacznik wysokonapieciowy 16 wraz z ukladem sterujacym 14 o sprzezeniu pojemnosciowym jest oznaczony ogólnie jako uklad 10, którego wejscie jest dolaczone do ukladu logicznego 12 zawierajacego element NIE-I 20. wejscie logiczne 24 elementu NIE-I 20 jest do¬ laczone do przelacznika 18, który w jednym polozeniu jest uziemiony a w drugim polozeniu do¬ laczony przewodem 26 do zródla 22 potencjalu 15 V.Wyjscie elementu NIE-I 20 jest dolaczone do wejscia przeksztaltnika 32 dolaczonego rów¬ niez do zródla 22 potencjalu 15 V# Wejscie i wyjscie przeksztaltnika 32 sa dolaczone do pa¬ ry dopasowanych kondensatorów pierwszego 28 i drugiego 30, których drugie koncówki sa do¬ laczone odpowiednio do rezystorów 56 i 58 polaczonych z drugiej strony ze soba. Rezystory 56 i 58 sa dolaczone.do mostka diodowego 34 dolaczonego do elementu ALBO 36 posiadajacego dwa wejscia logiczne 40 i 42. Do dwóch koncówek elementu 36 jest dolaczony kondensator 38, a do wyjscia elementu ALBO 36 jest dolaozona dioda 44, której wyjscie Jest dolaczone do jednej koncówki kondensatora 46, którego druga koncówka Jest dolaczona do kondensatora 38.Kondensator 38 ukladu sterujacego 14 jest dolaczony równolegle do rezystora 60 przela¬ cznika wysokonapieciowego 16, który zawiera dwa tranzystory 48 i 50, np. typu V MOS. Bramki obu tranzystorów 48 i 50 sa dolaczone do tej samej koncówki rezystora 60, którego druga kon¬ cówka jest dolaczona do polaczenia zródel tych tranzystorów. Dreny tranzystorów 48 i 50 sa dolaczone odpowiednio do koncówek wyjsciowych 52 i 54.133 016 3 Na fig. 2 jeat przedstawiony uproszczony schemat ukladu programowanego generatora 100 sygnalów typu odizolowanego mostka bez polaczenia galwanicznego do ziemi dla linii tele¬ fonicznej, programowany generator 100 sygnalów jest odizolowany od reszty ukladu linii za pomoca transformatora 106 posiadajacego uzwojenie pierwotne 108 i uzwojenie wtórne 118.Jedna koncówka uzwojenia pierwotnego 108 jest dolaczona do potencjalu + ycC, a druga do tran¬ zystora 110 z uziemionym emiterem, jedna koncówka uzwojenia wtórnego 118 j,est dolaczona do diody 114 dolaczonej do jednej koncówki kondensatora 116, którego druga Koncówka jest dola¬ czona do drugiej koncówki uzwojenia wtórnego 118. Wejsciowe linie 102 i 104 prowadza do sze¬ regu przelaczników S1, S2, S3, S4, S5 i S6, z których kazdy moze zawierac przelacznik wysoko¬ napieciowy wraz z ukladem sterujacym o sprzezeniu pojemnosciowym. Przelacznik S1 jest do¬ laczony do linii 102 i z drugiej strony uziemiony, a przelacznik S2 strony uziemiony, przelaczniki S3, S4, S5f S6 sa wlaczone w ukladzie mostka i kazdy z nich jest sterowany z zewnatrz.Zostanie teraz przedstawione dzialanie ukladu z fig* 1 • Sygnal z generatora zegarowego o czestotliwosci 5 MHz lub inny wlasciwy sygnal jest doprowadzany poprzez element NIE-I 20 w wejsciowym ukladzie logicznym 12 i zasila pare dopasowanych kondensatorów 28 i 30 w ukla¬ dzie sterujacym 14 o sprzezeniu pojemnosciowym, w celu doprowadzania napiecia stalego o cze- - stotliwosci zegarowej do przelacznika wysokonapieciowego 16 ukladu. Dopasowane kondensatory 28 i 30 maja zwykle pojemnosci okolo 10 pF i stale czasowe ofcolo 10-4. Wejsciowy uklad lo¬ giczny 12, uklad sterujacy 14 o sprzezeniu pojemnosciowym i przelacznik wysokonapieciowy 16 moga stanowic uklad na pojedynczej plytce krzemowej, do którego jest doprowadzony sygnal ze¬ garowy o czestotliwosci 5 MHz przez przelacznik 18 bedacy w stanie wlaczenia lub do którego moze byc doprowadzony z wejscia przelacznika 18 sygnal impulsowy, który moze miec na przyklad czestotliwosc 100 Hz lub mniej.Do jednego z wejsc logicznych elementu NIE-I 20 jest doprowadzony sygnal zegarowy 5 MHz, a do drugiego wejscia logicznego 24 sygnal, który ma albo maly poziom /0V/ albo duzy poziom /15 1/9 w celu przelaczenia przelacznika wysokonapieciowego 16 w stan wlaczenia lub wylacze¬ nia. Zródlo 22 napiecia 15 V jest dolaczone do elementu NIE-I 20 na wejsciu odpowiednim dla uzytego przyrzadu. Operacje przelaczenia impulsowego z czestotliwoscia sygnalu wejsciowego uzyskuje sie przy sygnale sterujacym impulsowym doprowadzonym do przelacznika 18.Wówczas, gdy przelacznik 18 jest w stanie wlaczenia, potencjal 15 V zródla 22 dochodzi poprzez polaczenia wewnetrzne w elemencie NIE-I do wejscia logicznego 24 elementu NIE-I 20.Wówczas gdy napiecie 15 V jest doprowadzone do elementu NIE-I 20 przewodem 26, na wyjsciu elementu NIE-I 20 pojawia sie sygnal zegarowy MHz, który jest doprowadzony do pary dopasowa¬ nych kondensatorów 28 i 30, przy czym napiecie sterujace jest doprowadzone bezposrednio do dopasowanego kondensatora 28 /w fazie/, a odwrócone przez przeksztaltnik 32 jest podawane /przesuniete w fazie/ do drugiego dopasowanego kondensatora 30.Dopasowane kondensatory sprzegajace o wartosciach pojemnosci rzedu 10 pF sluza do pojem¬ nosciowego sprzezenia sygnalu wejsciowego doprowadzonego do ukladu logicznego 12, przy po¬ ziomie napiecia ustalonym przez zródlo 22 pradu stalego, z obwodem mostka diodowego 34 zawie¬ rajacego cztery diody. Wejsciowy sygnal stalopradowy jest w wyniku tego oddzielony od napie¬ cia po stronie kondensatorów 28 i 30, dzieki czemu spelniane jest zadanie uprzednio realizo¬ wane przez element sprzegajacy optyczny, to znaczy zadanie izolowania elektrycznego. Napiecie 15 V doprowadzone do elementu NIE-I 20 i przeksztaltnika 32, który jest sprzezony z mostkiem diodowym 3^, jest takze podawane do elementu ALBO 36, który jest zasilany przez wyjscie mostka diodowego 34. Kondensator 38 filtruje sygnal wejsciowy doprowadzony do elementu ALBO 36 przez mostek diodowy 34, tworzacy prostownik pelnookresowy zasilany wejsciowym sygnalem prostokatnym o czestotliwosci 5 MHz.Napiecie stale na elektrodach sterujacych przelacznika wysokonapieciowego 16 wytwarzane jest w nastepujacy sposóbj sygnal wyjsciowy elementu ALBO 36 ma stan wysoki tylko wtedy, gdy dwa wejscia logiczne 40 i 42 tego ukladu otrzymuja z mostka diodowego 34 sygnaly przesuniete w fazie, to znaczy, gdy jeden sygnal ma stan wysoki /wartosc logiczna M1w/» a drugi raa stan niski /wartosc logiczna "0"/* wówczas, gdy sygnal wyjsciowy elementu ALBO 36 ma wartosc lo¬ giczna "1", to poprzez diode 44 i kondensator 46 doprowadzony jest on do tranzystorów wysoko¬ napieciowych 48 i 50 i powoduje, ze wchodza one w stan przewodzenia. Ma to na celu utworzenie4 133 016 sciezki o malej rezystancji pomiedzy koncówkami wyjsciowymi 52 i 54 przy drenach tranzysto¬ rów 48 i 50, Tranzystory 48 i 50 moga zawierac np. tranzystory typu VM0S majace polaczenie bramek, zródel i drenów, jak pokazano, lub ich równowazne zamienniki, produkowane przez firme silioone:* Corp., które moga pracowac przy napieciu wyjsciowym do 90 V. Ta wartosc mo¬ ze byc zwiekszana do 400-500 V przez zmiane parametrów tranzystorów, a przyklad 90 V poda¬ ny jest tylko w celu pogladowym.Dzialanie ukladu 10 zostanie teraz wyjasnione dla przypadku, gdy sygnal na wejsciu lo¬ gicznym 24 elementu NIE-I 20 ma niski poziom /O v/f to znaczy, gdy przelacznik 18 jest w stanie wlaczenia, w tych warunkach na wyjsciu elementu NIE-I 20 pojawia sie napiecie niemo- dulowane pradu stalego 15 V, które jest blokowane przez kondensatory 28 i 30. Resztkowy la¬ dunek kondensatorów 28 i 30 rozchodzi sie odpowiednio na rezystorach 56 i 58 jako prad uplywu.Kondensator 46 rozladowuje sie przez rezystor 60, w wyniku czego napiecie bramka-zródlo do¬ prowadzone do tranzystorów 48 i 50 zostaja przelaczone w stan nieprzewodzenia, a zatem pomie¬ dzy koncówkami 52 i 54 prsy drenach tranzystorów 48 i 50 powstaje obwód o duzej rezystancji.Kazdy prad, który moze byc doprowadzony do kondensatorów 28 i 30 z koncówek wyjsciowych 52 i 54 tranzystorów 48 i 50 da w wyniku te sama róznice napiec na kondensatorach 28 i 30, co zapewnia, ze sygnaly na koncówkach wejsciowych 40 i 42 elementu ALBO 36 sa w fazie. Ze wzgle¬ du na to, ze element ALBO 36 daje na wyjsciu sygnal tylko w odpowiedzi na sygnaly wejsciowe przesuniete w fazie, element ALBO 36 jako nieczuly na sygnal w fazie doprowadzony do jego wejsc 40 i 42. Napiecie wyjsciowe pojawiajace sie na koncówkach 52 i 54 przelacznika wysoko¬ napieciowego 16 nie bedzie mialo wplywu na dzialanie przelacznika, który przechodzi do stanu wlaczenia tylko w wyniku wysterowania sygnalami przesunietymi w fazie. Dzialanie elementu ALBO 36 utrzymuje wiec izolacje elektryczna napiecia wyjsciowego przelacznika 16 dla wszystkich napiec ponizej progu przebicia tranzystorów 48 i 50 i kondensatorów 28 i 30, które moga byc zawarte w zakresie 400 do 500 V. Poniewaz wszystkie elementy aktywne moga zawierac tranzysto¬ ry MOS, które moga byc wytwarzane wedlug dobrze znanych technik z wykorzystaniem tradycyjnych sposobów wytwarzania i obróbki warstw izolacyjnych, caly uklad moze byc wykonany na pojedyn¬ czej plytce krzemowej. Na koncówkach 52 i 54 uzyskuje sie wiec przelaczane, izolowane /od masy/ napiecie stale, bez odprowadzenia do masy.Zostanie teraz opisane dzialanie ukladu z fig. 2. programowany generator 100 sygnalów ty¬ pu odizolowanego mostka sluzy tu do przelaczania wyjscia wtórnego ukladu linii telefonicznej.Uklad ten moze byc uzywany jako programowany generator 100 sygnalów w obwodzie telefonicznych linii abonenckich do laczenia analogowych linii telefonicznych lub lacz dalekosieznych dla cy¬ frowego ukladu przelaczajacego. Dla celów opisu wystarczy wyjasnic zastosowanie przelaczników wedlug wynalazku dla przedstawionego generatora 100 sygnalów, w takim ukladzie lini wejsciowe sygnaly analogowe pojawiajace sie na liniach "a" i Mbw 102 i 104 sa wyczuwane przez mikropro¬ cesor, przetwarzane w sygnal cyfrowy i dalej w celu uzyskania modulowanego sygnalu sterujace¬ go kierowane do programowanego generatora 100 sygnalów w celu generowania róznych sygnalów, takich jak telefoniczny sygnal zewowy. Programowany generator 100 sygnalów musi byc odizolowa¬ ny od reszty ukladu linii /nie pokazanej/ za pomoca transformatora takiego, jak transformator 106 z rdzeniem ferrytowym, wartosc sygnalu generowanego przez programowany generator 100 sy¬ gnalów jest okreslona przez wejsciowe sygnaly sterujace, doprowadzone z mikroprocesora.Dla danej wartosci napiecia doprowadzanego do uzwojenia pierwotnego transformatora 106 za pomoca tranzystora 110 ukladu sterujacego, do bazy tranzystora doprowadzony jest z mikro¬ procesora sygnal sterujacy, który ma zmienna szerokosc impulsu przy czestotliwosci od 30 do 100 kHz, co prowadzi do wytworzenia ustalonego napiecia stalego na liniach "a" i wbw 102 i 104* Szerokosc impulsu sygnalu sterujacego bazy, doprowadzonego tranzystora 110, jest zmie¬ niana przez mikroprocesor zgodnie z wyczuwanymi zmianami obciazenia na liniach Na" i "b" 102 i 104, które sa wyczuwane w ukladzie linii i wykorzystywane przez mikroprocesor do zmiany szerokosci impulsów sterujacych podawanych na baze tranzystora 110, aby umozliwic np. wykry¬ cie zmian stanu widelek u abonenta.133 016 5 W takim generatorze sygnalów stosowany jest szereg przelaczników S1, 32, S3, S*, S5 i s6. Kazdy z przelaczników od s1 do s6 moze zawierac przelacznik wysokonapieciowy -wraz z ukladem sterujacym o sprzezeniu pojemnosciowym, które sa opisane w zwiazku z fig. 1, przy czym wejscie sterujace, które przedstawia przelacznik 18 na fig. 1, jest utworzone dla przelaczników od Si do s6 przez przelaczanie sygnalów sterujacych z mikroprocesora na wejsciach sterujacych przelaczników, przelaczniki S1 i S6 moga byó uzywane do uziemienia kazdej ze stron linii dla potrzeb przeprowadzenia testów, a indukcyjnosó 112 sluzy io izo¬ lowania od linii generatora sygnalów o stosunkowo malej impedancji. podczas pracy uzwojenie pierwotne 108 magazynuje energie zgodnie z zaleznoscia Z=1/2Li .Wówczas, gdy tranzystor 110 przewodzi /pokazane kropki oznaczajace dodatnia biegunowosc beda oznaczac biegunowosc ujemna/, dioda 114 nie przewodzi, wówczas, gdy tranzystor 110 nie przewodzi, dioda 114 przewodzi, kondensator bocznikujacy 116 laduje sie, a energia jest przenoszona z uzwojenia pierwotnego 118 do uzwojenia wtórnego 118, tzn. do kondensatora 116. przekazywanie energii z uzwojenia pierwotnego do wtórnego uzwojenia transformatora 106 jest regulowane przez przelaczanie tranzystora 110, natomiast wartosc energii przekazywanej /war¬ tosc skuteczna napiecia wyjsciowego/ jest regulowana przez cykl wlaczenia przelaczanego tranzystora 110, który z kolei jest regulowany przez sygnal o zmiennej szerokosci impulsu, doprowadzony do bazy tego tranzystora.Przelaczniki S3, S4, S5 i S6 wedlug wynalazku, które moga zawierac przelaczniki o struk¬ turze VM0S takiego typu, jaki opisano w zwiazku fig. 1, sa sterowane za pomoca doprowadzo¬ nych do ich wejsc impulsów przelaczajacych, regulowanych za pomoca mikroprocesora, z zasto¬ sowaniem sprzezenia przez izolowany transformator. Sygnal zmiennopradowy Jest wytwarzany za pomoca sygnalu z prostownika pólokresowego na przelacznikach S3 do S6. wówczas, gdy przelacz¬ niki S3 i S4 sa wlaczone, przelaczniki S3 i S6 sa wylaczone i na odwrót. Dla przykladu, gdy przelaczniki S3 i S4 sa wlaczone, polaryzacja ujemna z kondensatora 116 jest doprowadzona do linii "a" 112, a polaryzacja dodatnia do linii MbM 104. Istotne jest zachowanie ukladu mos¬ tka nieuziemionego, tak aby utrzymac izolacje wyjsc przelaczników S3 do S6 od wejsc steruja¬ cych.Wynalazek opisano w powiazaniu z zalecanym Jego rozwiazaniem, powinno byc zrozumiale, ze idea i zakres wynalazku wedlug podanych dalej zastrzezen obejmuja równiez inne rozwiaza¬ nia, wykonania i zastosowania, wynikajace w sposób oczywisty dla fachowców w tej dziedzinie.Zastrzezenia patentowe 1. przelacznik pólprzewodnikowy wysokonapieciowy, zawierajacy pierwszy tranzystor polo¬ wy i drugi tranzystor polowy, które maja polaczone razem zródla i polaczone razem bramki, a ich dreny sa dolaczone do koncówek wyjsciowych przylaczonych do przelaczanego ukladu, znamienny tym, ze zawiera przeksztaltnik /32/ dolaczony do elementu ALBO /36/ poprzez pierwszy kondensator /28/ i drugi kondensator /30/ oraz mostek diodowy /34/t do wyjscia elementu ALBO /36/ jest dolaczona dioda /44/ i kondensator /46/f wejscie przeksztalt¬ nika /32/ jest dolaczone do linii sterowania i poprzez pierwszy kondensator /28/ do pier¬ wszego wejscia logicznego /40/ elementu ALBO /36/, a drugie wejscie logiczne /42/ elementu ALBO /36/ jest dolaczone do wyjscia przeksztaltnika /32/ poprzez drugi kondensator /30/t przy czym wejsoia mostka diodowego /34/ sa dolaczone do wejsc elementu ALBO /36/r wyjscia mostka diodowego /34/ sa dolaczone do doprowadzen napieciowych elementu ALBO /36/f a wyj¬ scie elementu ALBO /36/ jest dolaczone do kondensatora /46/ poprzez diode /44/, której wyj¬ scie jest dolaczone do kondensatora /46/ dolaczonego do bramek tranzystorów /48, 50/, któ¬ rych zródla sa dolaczone razem do jednego wyjscia mostka diodowego /34/. 2. Przelacznik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wejscie diody /44/ jest anoda a wyjscie jest katoda.6 133 016 3. przelacznik wedlug zastrz. 1t znamienny tym, ze kondensator /46/ sta¬ nowi filtr, przy czym jedna okladzina kondensatora /4-6/ jest dolaczona do polaczonych pier¬ wszego wejscia i pierwszego wyjscia filtru, podczas gdy druga okladzina kondensatora /46/ jest dolaczona do polaczonych drugiego wejscia i drugiego wyjscia filtru. 4. Przelacznik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze mostek diodowy /34/ zawiera czitery diody polaczone w ukladzie mostkowym. 5. Przelacznik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze tranzystory /48, 50/ aa tranzystorami typu MOS.133 016 jip W ^S1 S5 + vcc 104 i 39-1.S2- PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL

Claims (1)

1.
PL1979213695A 1978-02-24 1979-02-24 High voltage semiconductor switch PL133016B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/880,833 US4170740A (en) 1978-02-24 1978-02-24 High voltage switch and capacitive drive

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL213695A1 PL213695A1 (pl) 1979-12-17
PL133016B1 true PL133016B1 (en) 1985-04-30

Family

ID=25377205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1979213695A PL133016B1 (en) 1978-02-24 1979-02-24 High voltage semiconductor switch

Country Status (34)

Country Link
US (1) US4170740A (pl)
JP (1) JPS5917899B2 (pl)
AR (1) AR224504A1 (pl)
AT (1) AT380350B (pl)
AU (1) AU519692B2 (pl)
BE (1) BE874390R (pl)
BR (1) BR7901228A (pl)
CA (1) CA1121076A (pl)
CH (1) CH642796A5 (pl)
DD (1) DD141744A5 (pl)
DE (1) DE2850841C2 (pl)
DK (1) DK78879A (pl)
ES (1) ES477965A1 (pl)
FI (1) FI72625C (pl)
FR (1) FR2418576B1 (pl)
GB (1) GB2015285B (pl)
GR (1) GR66639B (pl)
HK (1) HK62483A (pl)
HU (1) HU182966B (pl)
IN (1) IN152152B (pl)
IT (1) IT1192695B (pl)
MX (1) MX146155A (pl)
NL (1) NL7901339A (pl)
NO (1) NO152395C (pl)
NZ (1) NZ189635A (pl)
PL (1) PL133016B1 (pl)
PT (1) PT69277A (pl)
RO (1) RO80667A2 (pl)
SE (1) SE441559B (pl)
SG (1) SG41683G (pl)
SU (1) SU1302427A3 (pl)
TR (1) TR21272A (pl)
YU (1) YU41332B (pl)
ZA (1) ZA79759B (pl)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE35836E (en) * 1979-08-09 1998-07-07 C. P. Clare Corporation Solid state optically coupled electrical power switch
GB2102230A (en) * 1981-07-16 1983-01-26 Plessey Co Ltd A pulse drive circuit
JPS58107629U (ja) * 1982-01-18 1983-07-22 株式会社チノ− スイツチ駆動回路
JPS58107634U (ja) * 1982-01-19 1983-07-22 株式会社チノ− スイツチ駆動回路
US4554462A (en) * 1982-03-16 1985-11-19 Fanuc Limited Non-polarized contactless relay
JPS58139742U (ja) * 1982-03-16 1983-09-20 ファナック株式会社 無極性無接点リレ−
JPS58139741U (ja) * 1982-03-16 1983-09-20 ファナック株式会社 無接点リレ−
AU556843B2 (en) * 1982-04-07 1986-11-20 Alcatel N.V. Solid state relay
JPS58164338U (ja) * 1982-04-27 1983-11-01 フアナツク株式会社 無接点リレ−
US4454430A (en) * 1982-05-19 1984-06-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Universal control grid modulator
US4485342A (en) * 1982-07-27 1984-11-27 General Electric Company Load driving circuitry with load current sensing
EP0143473B1 (en) * 1983-09-19 1992-05-06 BELL TELEPHONE MANUFACTURING COMPANY Naamloze Vennootschap Electronic contacts and associated devices
DE3340927A1 (de) * 1983-11-11 1985-05-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur ableitung von ueberspannungen
AR241360A1 (es) * 1986-06-30 1992-05-29 Siemens Ag Disposicion de circuito para desconectar los hilos de una linea de conexion de abonado de una red telefonica digital tiempo-multiplex con respecto a un circuito de alimentacion.
US4809324A (en) * 1987-07-27 1989-02-28 Siemens Transmission Systems, Inc. Subscriber line interface circuit (SLIC) isolation from lighting-induced ground overshoots
JPH04229715A (ja) * 1990-11-15 1992-08-19 Toshiba Corp 双方向スイッチ回路
US5178140A (en) * 1991-09-05 1993-01-12 Telectronics Pacing Systems, Inc. Implantable medical devices employing capacitive control of high voltage switches
US20030016070A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-23 Wenhua Yang Bootstrap module for multi-stage circuit
US6784500B2 (en) * 2001-08-31 2004-08-31 Analog Devices, Inc. High voltage integrated circuit amplifier
GB0130754D0 (en) * 2001-12-21 2002-02-06 Lucas Industries Ltd Switch control circuit
US6985014B2 (en) * 2002-03-01 2006-01-10 Broadcom Corporation System and method for compensating for the effects of process, voltage, and temperature variations in a circuit
US8035148B2 (en) 2005-05-17 2011-10-11 Analog Devices, Inc. Micromachined transducer integrated with a charge pump
US7737762B2 (en) * 2006-09-12 2010-06-15 Energate Inc Solid-state switch
DE102009017543A1 (de) * 2009-04-17 2010-10-21 Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh Schalter
EP2515439A1 (en) 2011-04-18 2012-10-24 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Semiconductor switch with reliable blackout behavior and low control power
EP2528233A1 (en) * 2011-05-24 2012-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Coupling circuit for coupling a control circuit to a semiconductor switch
WO2014057318A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for providing electrical isolation
US9543942B2 (en) 2013-11-22 2017-01-10 Nxp Usa, Inc. Method and apparatus for controlling an IGBT device
CN106230414B (zh) * 2016-08-29 2023-03-24 成都信息工程大学 一种基于线性光耦隔离的mosfet/igbt高速驱动电路
EP3896855B1 (en) * 2020-04-15 2024-03-20 Melexis Bulgaria Ltd. Floating switch for signal commutation
CN115333518B (zh) * 2022-10-14 2023-01-03 高澈科技(上海)有限公司 高压模拟集成开关电路
WO2024211218A1 (en) * 2023-04-05 2024-10-10 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to drive solid-state relay circuitry

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3657569A (en) * 1969-10-27 1972-04-18 Bose Corp The Turn on turn off feedback drive switching circuit
JPS52145A (en) * 1975-06-23 1977-01-05 Hitachi Ltd Tertiary value generator
US4052623A (en) * 1976-08-10 1977-10-04 General Electric Company Isolated semiconductor gate control circuit
US4128811A (en) * 1977-07-05 1978-12-05 General Electric Company Frequency indicating circuit

Also Published As

Publication number Publication date
BR7901228A (pt) 1979-10-02
GB2015285A (en) 1979-09-05
ZA79759B (en) 1980-02-27
HK62483A (en) 1983-12-09
SG41683G (en) 1985-03-08
ATA136579A (de) 1985-09-15
DE2850841A1 (de) 1979-08-30
FI72625C (fi) 1987-06-08
NZ189635A (en) 1982-06-29
BE874390R (nl) 1979-08-23
NL7901339A (nl) 1979-08-28
RO80667A2 (ro) 1983-02-01
JPS5917899B2 (ja) 1984-04-24
NO152395C (no) 1985-09-18
SE7901568L (sv) 1979-08-25
AT380350B (de) 1986-05-12
PT69277A (en) 1979-03-01
CA1121076A (en) 1982-03-30
AR224504A1 (es) 1981-12-15
SU1302427A1 (ru) 1987-04-07
GB2015285B (en) 1982-05-06
IT1192695B (it) 1988-05-04
AU4430679A (en) 1979-08-30
NO152395B (no) 1985-06-10
US4170740A (en) 1979-10-09
YU46079A (en) 1983-04-30
SU1302427A3 (ru) 1987-04-07
FI72625B (fi) 1987-02-27
ES477965A1 (es) 1979-10-16
DE2850841C2 (de) 1982-04-29
FR2418576A1 (fr) 1979-09-21
DK78879A (da) 1979-08-25
SE441559B (sv) 1985-10-14
TR21272A (tr) 1984-03-15
PL213695A1 (pl) 1979-12-17
DD141744A5 (de) 1980-05-14
IN152152B (pl) 1983-10-29
CH642796A5 (de) 1984-04-30
IT7920414A0 (it) 1979-02-21
FR2418576B1 (fr) 1985-02-01
YU41332B (en) 1987-02-28
MX146155A (es) 1982-05-19
AU519692B2 (en) 1981-12-17
HU182966B (en) 1984-03-28
GR66639B (pl) 1981-04-03
FI790606A7 (fi) 1979-08-25
NO790555L (no) 1979-08-27
JPS54136166A (en) 1979-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL133016B1 (en) High voltage semiconductor switch
US4438356A (en) Solid state relay circuit employing MOSFET power switching devices
KR880013251A (ko) 모놀리틱 집적회로 소자
KR940003156A (ko) 전원 공급 회로와 그 회로를 갖춘 전기 장치
KR970009242B1 (ko) 스위치형 캐패시터 회로망
GB915853A (en) Inverter network utilising controlled semi-conductor devices
WO2002065819A2 (en) Lamp electronic end cap for integral lamp
US4130767A (en) Semiconductor switch
JPS5953747B2 (ja) 線路インタラプシヨン装置
US4241369A (en) Electrical power source for an electronic flash unit
KR830000096B1 (ko) 고압스위치와 용량성 구동회로
JP2016208235A (ja) 半導体リレー
KR820001509B1 (ko) 미소신호용 아이솔레이터
US4099072A (en) Variable pulse width circuit
JPS5917894B2 (ja) パルス幅信号変換器
SU739616A1 (ru) Устройство дл дистанционного управлени
SU983932A1 (ru) Устройство дл управлени высоковольтным тиристорным вентилем
SU1406682A1 (ru) Устройство дл защиты от коротких замыканий тиристорного электропривода с двигателем посто нного тока независимого возбуждени
RU2006152C1 (ru) Устройство для управления коммутирующим элементом
RU1817211C (ru) Управл емый ключ
SU1022256A1 (ru) Устройство дл защиты четырехпроводной сети от изменени чередовани и обрыва фаз
SU1647757A1 (ru) Устройство дл подключени потребител электроэнергии к двум источникам переменного напр жени различной величины с блокировкой при неправильном включении
SU824389A1 (ru) Инвертор
SU1290495A1 (ru) Тиристорный генератор
SU1631704A1 (ru) Измерительный преобразователь напр жени