FI72625C - Halvledaromkopplare med logiska ingaongskretsar. - Google Patents
Halvledaromkopplare med logiska ingaongskretsar. Download PDFInfo
- Publication number
- FI72625C FI72625C FI790606A FI790606A FI72625C FI 72625 C FI72625 C FI 72625C FI 790606 A FI790606 A FI 790606A FI 790606 A FI790606 A FI 790606A FI 72625 C FI72625 C FI 72625C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- input
- circuit
- output
- transistors
- voltage
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/005—Interface circuits for subscriber lines
Description
ΓΜ KUULUTUSJULKA.SU „ ο s q r ® ^ *·Β] (11) UTLÄGG ΝΙNGSSKRIFT /ΖΟΖΟ (45) Pate t - :Ι··Λ 33 30 1307 (51) Kv.ik//int.ci/ Η 03 Κ 17/56 SUOMI—FINLAND (21) Patenttihakemus — Patentansökning 790606 (22) Hakemispäivä — Ansökningsdag 22.02.79 ^ ^ (23) Alkupäivä — Giltighetsdag 22.02.79 (41) Tullut julkiseksi — Blivit offentlig 25.08.79
Patentti- ja rekisterihallitus Nähtäväksipanon ja kuul.julkaisun pvm. _
Patent- och registerstyrelsen ' ' Ansökan utlagd och utl.skrlften pubiieerad 27.02.87 (86) Kv. hakemus — Int. ansökan (32)(33)(31) Pyydetty etuoikeus — Begärd prioritet 24.02.78 USA(US) 880833 (71) International Standard Electric Corporation, 320 Park Avenue, New York,
New York, USA(US) (72) Joseph Pernyeszi, Fairfield, Connecticut, USA(US) (74) Oy Koister Ab (54) Puol ijohdekytkin, jossa on loogiset sisäänmenopiirit -Ha 1vledaromkopplare med logiska ingängskretsar Tämän keksinnön kohteena on puolijohdekytkin, jossa on loogiset sisäänmenopiirit sisäänmenosignaalin valikoivaa edelleen kytkemistä varten yhteen loogisista sisäänmenopiireistä ennalta määrätyllä taajuudella siten, että sisäänmenosignaali toimii ulostulosignaalina yhdessä puolijohdekytkimen ulostuloista ja siten, että sisäänmenosignaali ja ulostulosignaali ovat galvaanisesti erotetut toisistaan, ja jossa edelleenkytkentä suoritetaan kapasitiivisesti.
Tekniikan tason mukaisissa suurjännitekytkimissä, joilla saadaan aikaan korkea lähtösignaalijännite tasajännitetulosta ja joissa kytkinosan on tehtävä IC-piirinä piisirulle esim. MOS-rakenteella, on oltava sähköinen erotus suurjännitekytkimen puolijohdekoskettimien ja sen ohjaustulon välillä, johon tulee tasajännite tai sykkivä tasa-jännite. Tähän asti tämä sähköerotus on saatu aikaan optisilla kytkimillä tai muuntajilla. Optisia kytkimiä eikä muuntajia voida yhdistää suurjännitekytkimeen yhdelle IC-piisirulle nykyisellä MOS-tekniikal-la. Suurjännitekytkimen puolijohderelelähdön ja sen ohjaustulon erot- 72625 taminen on olennaisen välttämätöntä integroidussa piirissä, koska relelähdön korkea jännite muutoin tuhoaisi piirin tulopuolen logiik-kaosan ja aiheuttaisi releen ei-toivottavaa toimimista. Lisäksi suur-jännitekytkimen lähtönapojen erottaminen ohjaustulosta on erityisen sopiva esim. puhelinlinjapiireihin, joissa kytkimessä tarvitaan kelluvaa maata.
Kuten edellä mainittiin, optiset kytkimet on valmistettava erikseen ja koottava, eikä niitä voida valmistaa yhdelle piisirulle silloin, kun signaaleja on siirrettävä kahden piirin välillä, jotka on erotettava toisistaan sähköisesti. Tällaisissa optisissa kyktimis-sä on tyypillisessä tapauksessa valodiodi (LED) ja valoherkkiä transistoreja ja tulojännite tuodaan LED:in napoihin. Tämän seurauksena LED lähettää valoa, joka käynnistää valoherkät transistorit ja saa siten valotransistorin lähdössä aikaan tulojännitteestä sähköisesti erotetun lähtöjännitteen. Tällaiset optiset kytkimet ovat tunnettuja ja niitä on kuvattu tarkemmin Research and Education Associationin julkaisussa Modern Microelectronics, toinen painos, 1974, s. 312 ja 313.
Englantilaisesta patenttijulkaisusta GB-1242339 on periaatteessa tunnettu kytkentälaite sisäänmenosignaalin kapasitiiviseksi edelleen kytkemiseksi tai sen vaiheen johtamiseksi. Tällä kytkentälaitteella on kuitenkin useita puutteita, joita on esimerkiksi selitetty yllä optisten kytkimien yhteydessä.
Esillä olevaa keksintöä voidaan soveltaa edullisesti MOS-pii-reissä, jotka on valmistettu tunnetuilla dielektrisillä erotuspro-sesseilla, joita on selostettu yksityiskohtaisemmin esimerkiksi em. julkaisussa Moderna Microelectronics, toinen painos, 1974, s. 425-434. Eräs tunnettu valmistustekniikka, jossa metallioksidipuolijoh-depalan (VMOS) pinnalle syövytetään V-muotoisia uria, on tunnettu valmistusmenetelmä, jossa kahden diffuusiokerroksen välinen pysty-etäisyys (kanavan pituus) pidetään lyhyenä, esim. muutamana mikronina. Tämä on yksi esimerkki MOS-tekniikasta, joka soveltuu esillä olevan keksinnön mukaisen piirin valmistamiseen ja jossa tekniikan tason mukaisia optisia kytkimiä ei voida sisällyttää ko. integroituun piiriin. Koska nämä valmistusmenetelmät ovat tunnettuja, niitä ei selosteta tässä yksityiskohtaisesti, vaan viitataan em. julkaisuun Modern Microelectronics, jossa on selostettu VMOS-valmistustekniikkaa.
3 72625 Tässä esitettävä piiri, jossa ei ole optisia kytkimiä eikä muuntajia, voidaan myös valmistaa ns. LSI-piireille (Large Scale Intergration) yhdessä muiden laitteiden kanssa, ja se on erityisen sopiva ja kustannuksiltaan edullinen sellaisissa LSI-piireissä, jotka on tarkoitettu valmistettavaksi suurina määrinä, esim. US-patentti-hakemuksessa n:o 773 713 (hakija Robert Treiber, jättöpäivämäärä 2.3.1977) esitetyn tyyppisten puhelinlinjapiirien signaaligeneraat-toriosassa.
Lyhyesti sanottuna voidaan keksinnön katsoa koskevan suurjän-nitekytkimen ja kapasitiivisesti kytketyn ohjauspiirin sisältävää integroidulla piirillä toteutettua relettä, jossa ohjaustulojännite on erotettu releen lähdön korkeasta jännitteestä kahdella yhteenso-vitetulla kondensaattorilla ja EHDOTON-TAI-portilla, joka reagoi ainoastaan epävaiheiseen ohjaustuloon. Vuorovaihekytketyt ja yhteensovitetut kondensaattorit antavat logiikkaportin lähtöön signaalin, joka kahden MOS-transistorin hiloille tuotuna käynnistää nämä transistorit ja aiheuttaa suurjännitteen kytkennän niiden lähtöön. EHDO-TON-TAI-portti ei reagoi oikeavaiheiseen ohjaustuloon, joten rele ei kytke tahattomasti kytkimen lähdön ja ohjaustulon välisen erotuksen pettäessä. Kytkimen ja kapasitiivisesti kytketyn ohjauspiirin yhdistelmä voidaan valmistaa kokonaan yhdelle VMOS-piisirulle tarvitsematta käyttää optisia kytkimiä tai muuntajia.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on saada aikaan alussa kuvattua tyyppiä oleva puolijohdekytkin, jossa sisäänmenopiirit ja elektronisen releen suurjännitekytkin voidaan integroida samalle sirulle ilman, että korkea kytkentäjännite vahingoittaa relettä tai aikaansaa väärinkytkentöjä. Tämä saavutetaan oheisten patenttivaatimusten mukaisilla piirteillä.
Seuraavassa keksintöä selitetään tarkemmin viitaten oheisten piirustusten mukaisiin esimerkkeihin, joissa kuvio 1 on kaaviokuva esillä olevan keksinnön mukaisesta suur-jännitekytkimestä ja kapasitiivisesti kytketystä ohjauspiiristä, ja kuvio 2 on yksinkertaistettu piirikaavio puhelinlinjapiirissä käytettävästä kelluvan erotussillan signaaligeneraattorista, jossa voidaan käyttää tätä keksintöä.
Keksinnön edullisessa suoritusmuodossa (kuvio 1) on suurjänni-tekytkimen ja kapasitiivisesti kytketyn ohjauspiirin yhdistelmä 10. 5 4 72625 MHz:n kellosignaali tai muu sopiva signaali tuodaan tulologiikan 12 EI-JA-portin kautta ohjaamaan kapasitiivisesti kytketyn ohjauspiirin 14 kahta yhteensovitettua kondensaattoria, jolloin tuotu tasajännite kytkeytyy käytetyllä kellotaajuudella piirin suurjännitekytkinosaan 16. Kondensaattorien 28 ja 30 arvo on tyypillisessä tapauksessa n.
10 pF ja aikavakio n. 10-4. Tulologiikka 12, kapasitiivisesti kytketty ohjain 14 ja suurjännitekytkin 16 voidaan valmistaa yhdelle piisirulle, johon 5 MHz:n kello tuodaan kytkimen 18 ollessa kytkettynä tai johon voidaan tuoda sykkivä tasajännitesignaali kytkimen 18 oh-jaustuloon esim. 100 Hz:n tai sitä pienemmällä taajuudella. EI-JA-port-tin 20 yhteen loogiseen tuloon on kytketty 5 MHz:n kello ja toiseen loogiseen tuloon 24 signaali, joka on joko alhaalla (O V) tai ylhäällä (15 V), jolloin kytkin 16 on vastaavasti kytkemättömänä tai kytkettynä. EI-JA-porttiin 20 on kytketty 15 V tasajännitelähde 22 käytetylle laitteelle sopivaan jännitetuloon. Ohjaustaajuudella sykkivä kytkentätoiminto saadaan aikaan kytkimen 18 pulssiohjaustulossa.
Kun kytkin 18 on kytkettynä, kohtaan 22 tuleva 15 V tasajänni-te on kytketty EI-JA-portin sisällä portin 10 loogiseen lähtöön 24. EI-JA-porttiin 20 linjalla 26 5 MHz:n kellotaajuudella kytketty 15 V tulee EI-JA-portin 20 lähtöön ja tuodaan kahteen kondensaattoriin 28 ja 30 ja ohjausjännite tuodaan suoraan kondensaattoriin 28 (vaiheessa) ja käännetään invertterillä 32 ennen kuin se tuodaan toiseen kondensaattoriin 30 (ei vaiheessa). Kytkentäkondensaattorit 28 ja 30, joiden arvo on luokkaa 10 pF, kytkevät tasajännitelähteen 22 määräämän, logiikan 12 tuloon tuodun jännitteen kapasitiivisesti neljän diodin muodostamaan diodisiltaan 34. Tämä poistaa tulotasajännitteen kondensaattorien 28 ja 30 diodisillan puoleisesta jännitteestä suorittaen täten optisen kytkimen akaisemmin aikaansaaman toiminnon eli sähköerotuksen. EI-JA-porttiin 20 ja invertteriin 32, joka on kytketty diodisiltaan 34 tuotu 15 V tasajännite, tuodaan myös EHDOTON-TAI-portiiin 36, joka saa virtaa diodisillan 34 lähdöstä. Kondensaattori 39 suodattaa diodisillan 34 porttiin 36 syöttämän tulon saaden aikaan kokoaaltosuuntaajan, jota syötetään 5 MHz:n taajuisella neliöaallolla.
Suurjännitekytkimen 16 hilaelektrodeille tuodaan tasajännite, seuraavasti: portin 36 lähtö on ylhäällä (kytkettynä) vain silloin, kun portin loogiset tulot 40 ja 42 ovat erivaiheiset eli kun toinen tulo on ylhäällä (looginen 1) ja toinen alhaalla (looginen 0). Kun 5 72625 portin 36 lähtö on ylhäällä (looginen 1), se kytkee diodin 44 kautta varaamaan kondensaattoria 46 ja kytkemään suurjännitetransistorit 48 ja 50 toimintaan. Transistorien 48 ja 50 kollektorin lähtönapojen 52 ja 54 syntyy tällöin pieniresistanssinen tie. Transistorit 48 ja 50 voivat olla esim. VMOS-transistoreita VMP 22, jokta on kytketty kuvion esittämällä tavalla, taikka vastaavia, Siliconex-yhtiön valmistamia transistoreita, joilla on 90 V:n kapasiteetti. Tätä voidaan nostaa 400-500 volttiin transistorien parametrejä muuttamalla ja 90 V on annettu ainoastaan esimerkinluontoisesti.
Suurjännitekytkimen ja kapasitiivisen ohjauspiirin 10 toimintaa selostetaan seuraavassa tapauksessa, jossa linjalta 24 EI-JA-porttiin 20 tuleva tulo on alhaalla (O V), eli kytkin 18 on auki. Tällöin EI-JA-portin 20 lähtönä on kellottamaton 15 V:n tasajännite, jonka kondensaattorit 28 ja 30 estävät. Kondensaattorien 28 ja 30 jäännösvaraus kuluu vastuksien 56 ja 58 vuotovirtana. Kondensaattori 46 purkautuu vastuksen 60 kautta aiheuttaen transistoreihin 48 ja 50 O V:n hila-emitterijännitteen, joka sulkee transistorit 48 ja 50 ja aiheuttaa suuren resistanssin niiden kollektorinapojen 42 ja 54 välille.
Mikä tahansa virta, joka mahdollisesti tulee kondensaattorei-hin 28 ja 30 transistorien 52 ja 54 lähtönavoista, aiheuttaa saman jännitesiirtymän kondensaattoreiden 28 ja 30 yli, mikä taas aiheuttaa EHDOTON-TAI-portin tuloihin 40 ja 42 samassa vaiheessa olevat signaalit. Kuten edellä mainittiin, portista 36 tulee lähtösignaali ainoastaan erivaiheisilla signaaleilla, joten portti ei reagoi tuloihinsa 40 ja 42 tuleviin samanvaiheisiin signaaleihin. On siis selvää, että suurjännitekytkimen navoissa 52 ja 54 oleva lähtöjännite ei vaikuta kytkimen toimintaan, sillä kytkin toimii ainoastaan erivaiheisella ohjauksella. Portti 36 pitää siis yllä kytkimen 16 lähtöjännitteen erotuksen kaikilla jännitteillä, jotka ovat transistorien 48 ja 50 ja kondensaattorien 28 ja 30 läpilyöntijännitteen alapuolella. Kuten edellä jo mainittiin, tämä jännite voi olla luokkaa 400-500 V. Koska kaikki aktiiiviset komponentit voivat olla MOS-transistoreita, jotka voidaan valmistaa tunnetuilla menetelmillä ja tavanomaisella dielektri-sellä erotustekniikalla, koko piiri voidaan toteuttaa yhdelle piisirulle. Napoihin 52 ja 54 saadaan siis (maasta) erotettu kelluva tasa jännite .
72625
Kuviossa 2 on esitetty puhelinlinjapiirin toision lähtöä kytkevä kelluva erotussiltapiiri 100. Tätä piiriä voidaan käyttää ohjelmoitavana signaaligeneraattorina puhelinlinjapiirissä kytkemään analogiset puhelinlinjat digitaaliseen kytkinjärjestelmään, jollainen on kuvattu US-patenttihakemuksessa n:o 733 713 ja johon viitataan linjapiirin ja ohjelmoitavan signaaligeneraattorin yksityiskohtien suhteen. Tätä selostusta varten riittää tämän keksinnön mukaisten kytkimien liittäminen kuvion signaaligeneraattoriin. Tällaisessa lin-japiirijärjestelmässä luetaan a- ja soittolinjojen 102 ja 104 tulevat analogiasignaalit, muunnetaan ne digitaalimuotoon ja käsitellään mikroprosessorilla, jolloin saadaan moduloitu ohjaussignaali, joka sitten tuodaan takaisin ohjelmoitavaan signaaligeneraattoriin muodostamaan erilaisia signaaleja, esim. puhelimen soittojännitteen. Em. linjapiirin toiminta on selostettu US-patenttihakemuksessa n:o 733 313, mutta tämän keksinnön tyypillisen sovellutuksen ymmärtämiseksi riittää se tieto, että ohjelmoitava signaaligeneraattori 100 on erotettava muusta Iinjapiiristä (ei esitetty) muuntajalla, esim. fer-riittimuuntajalla 106. Koska ohjelmoitavan signaaligeneraattorin synnyttämän signaalin suuruus määrätytyy mikroprosessorista tulevista ohjaussignaaleista, signaaligeneraattoria 100 kutsutaan yleensä ohjelmoitavaksi signaaligeneraattoriksi.
Tietyllä ohjaustransistorin 110 muuntajan 106 ensiöön 108 tuoman jännitteen arvolla saadaan mikroprosessorista kantajaohjaus, jonka säädettävä pulssitaajuus on luokkaa 50-100 kHz kiinteän tasajännitteen aikaansaamiseksi linjoille 104 ja 104. Transistoriin 100 tuotavan kantaohjauksen pulssinkestoa säädetään mikroprosessorilla linjoilta 102 ja 104 luettujen kuormitusmuutosten mukaisesti. Nämä muutokset luetaan Iinjapiirissä ja mikroprosessori muuttaa niiden perusteella transistorin 100 kantaohjauksen pulssinkestoa, jolloin saadaan ilmaistuksi esim. puhelinliittymän varaustilanne.
Tällaisessa signaaligeneraattorissa käytetään joukkoa kytkimiä, S1, S2, S3, S4, S5 ja S6. Kussakin kytkimessä S1-S6 on tämän keksinnön mukainen suurjännitekytkin ja kapasitiivisesti kytketty ohjaus-piiri (kuvio 1), ja kuvion 1 kytkimellä 18 esitetty ohjaussignaali-tulo saadaan aikaan kytkimillä S3-S6 tuomalla ohjaussignaaleita mikroprosessorista kytkimien ohjaustuloihin. Kytkimillä S1 ja S2 voi- daan maattaa linjan kumpi puoli tahansa testausta varten, ja in duktanssi 112 erottaa suhteellisen pieni-impedanssisen signaaligene raattorin linjasta.
7 72625 2
Ensio 108 varaa itseensä energiaa kaavan E = 1/2 L i mukaisesti. Kun transistori 110 käynnistyy (kuviossa esitetyt positiivisen napaisuuden ilmaisevat pisteet muuttuvat negatiivisiksi), diodi 114 ei johda. Kun transistori 110 ei toimi, diodi 114 johtaa ja varaa kondensaattoria 116 siirtäen siis ensiöön 108 tallentuneen energian toisioon 118 eli kondensaattoriin 116. Energian siirtoa muuntajan 106 ensiöstä toisioon ohjataan kytkemällä transistoria 110 ja siirtyvän energian määrää (tehollista lähtöjännitettä) säädetään transistorin 110 toimintajaksolla, jota taas ohjataan transistorin kannalle tuodulla, pulssinkestomoduloidulla signaalilla.
Kytkimiä S3, S4, S5 ja S6, jotka voivat olla kuvion 1 avulla selostettuja VMOS-kytkimiä, ohjataan erotetulla, muuntajakytketyillä ja mikroprosessorin ohjaamilla kytkentäpulsseilla, jotka tulevat kytkimien tuloihin. Puoliaaltotasasuunnatulla signaalilla ja kytkimillä S3-S6 muodostetaan vaihtovirtasignaali. Kun kytkimet S3 ja S4 ovat kiinni, kytkimet S5 ja S6 ovat auki ja päinvastoin. Kun kytkimet S3 ja S4 ovat kiinni, kondensaattorin 116 negatiivinen napaisuus kytkeytyy a-linjalle 102 ja positiivinen napaisuus soittolinjalle 104.
On tärkeää ylläpitää kelluva silta, jotta säilytettäisiin kytkimien S3-S6 lähtöjen ja ohjaustulojen välinen erotus.
Vaikka tätä keksintöä onkin tässä selostettu sen yhdellä edullisella suoritusmuodolla, on ymmärrettävä, että keksinnön piiriin kuuluu muunnoksia ja sovellutuksia, jotka ovat alan ammattimiehille ilmeisiä ja joita kuvataan oheisissa patenttivaatimuksissa.
Claims (6)
1. Puolijohdekytkin (10), jossa on loogiset sisäänmenopiirit (12) sisäämenosignaalin valikoivaa edelleen kytkemistä varten yhteen loogisista sisäänmenopiireistä (12) ennalta määrätyllä taajuudella siten, että sisäänmenosignaali toimii ulostulosignaalina yhdessä puoli johdekytkimen ulostuloista ja siten, että sisäänmenosignaali ja ulostulosignaali ovat galvaanisesti erotetut toisistaan, ja jossa edelleenkytkentä suoritetaan kapasitiivisesti, tunnettu siitä, että kytkin (10) käsittää EI-JA-piirin (20), jossa on kaksi si-säänmenoa (5 MHz, 24) ennalta määrätyn taajuuden (5 MHz) omaavan si-säänmenovaihtojännitteen oh jättävää edelleen kytkemistä varten ulostuloonsa, jolloin sisäänmenovaihtojännite viedään toiseen sisäänme-noon ja vapaavalintainen ohjauspotentiaali (maa, + 15 V, fo) voidaan viedä toiseen sisäänmenoon; että EI-JA-piirin (20) ulostulo on yhdistetty ensimmäisen kondensaattorin (28) ensimmäiseen sivuun ja invert-terin (32) sisäänmenoon, jonka invertterin ulostulo on yhdistetty toisen kondensaattorin (30) ensimmäiseen sivuun; että kahden kondensaattorin muut sivut ovat kukin kytketty EHDOTON-TAI-piirin (36) kahteen syöttösisäänmenoon (40, 42) sekä diodisiltakytkentään (34), joka on kytketty syöttösisäänmenojen (40, 42) kautta TAI-piiriin (36), ja että se lisäksi käsittää elektronisen kytkimen (48, 50), jonka ohjauspiiri on yhdistetty TAI-piirin (36) ulostuloon, ja jonka kytkentä johtotiellä on korkea katkaisujännitearvo ja alhainen läpikyt-kentävastus.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen puolijohdekytkin, tunnettu siitä, että elektroninen kytkin (48, 50) koostuu kahdesta sarjassa olevasta kytkentätransistorista, joita ohjataan rinnakkain.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen puolijohdekytkin, tunnettu siitä, että kytkentätransistorit ovat MOS-transistoreita.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen puolijohdekytkin, tunnettu siitä, että MOS-transistorit ovat VMOS-transistoreita.
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen puolijohdekytkin, tunnettu siitä, että EI-JA-piiri (20), invertteri (32), kondensaattorit (28, 30), diodisiltakytkentä (34) , EHDOTON-TAI-piiri (36) ja elektroninen kytkin (48, 50) on integroitu yhdelle piisirulle. 9 72625
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-5 mukainen puolijohdekytkin, tunnettu siitä, että sitä käytetään puhelintilaajien linja-piireissä siten, että signaaligeneraattorin (100) ulostulo useampien tällaisten puolijohdekytkimien avulla (53-56, kuvio 2) voidaan yhdistää puhelintilaajalinjoihin (102, 104). 10 72625
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/880,833 US4170740A (en) | 1978-02-24 | 1978-02-24 | High voltage switch and capacitive drive |
| US88083378 | 1978-02-24 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI790606A FI790606A (fi) | 1979-08-25 |
| FI72625B FI72625B (fi) | 1987-02-27 |
| FI72625C true FI72625C (fi) | 1987-06-08 |
Family
ID=25377205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI790606A FI72625C (fi) | 1978-02-24 | 1979-02-22 | Halvledaromkopplare med logiska ingaongskretsar. |
Country Status (34)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4170740A (fi) |
| JP (1) | JPS5917899B2 (fi) |
| AR (1) | AR224504A1 (fi) |
| AT (1) | AT380350B (fi) |
| AU (1) | AU519692B2 (fi) |
| BE (1) | BE874390R (fi) |
| BR (1) | BR7901228A (fi) |
| CA (1) | CA1121076A (fi) |
| CH (1) | CH642796A5 (fi) |
| DD (1) | DD141744A5 (fi) |
| DE (1) | DE2850841C2 (fi) |
| DK (1) | DK78879A (fi) |
| ES (1) | ES477965A1 (fi) |
| FI (1) | FI72625C (fi) |
| FR (1) | FR2418576B1 (fi) |
| GB (1) | GB2015285B (fi) |
| GR (1) | GR66639B (fi) |
| HK (1) | HK62483A (fi) |
| HU (1) | HU182966B (fi) |
| IN (1) | IN152152B (fi) |
| IT (1) | IT1192695B (fi) |
| MX (1) | MX146155A (fi) |
| NL (1) | NL7901339A (fi) |
| NO (1) | NO152395C (fi) |
| NZ (1) | NZ189635A (fi) |
| PL (1) | PL133016B1 (fi) |
| PT (1) | PT69277A (fi) |
| RO (1) | RO80667A2 (fi) |
| SE (1) | SE441559B (fi) |
| SG (1) | SG41683G (fi) |
| SU (1) | SU1302427A3 (fi) |
| TR (1) | TR21272A (fi) |
| YU (1) | YU41332B (fi) |
| ZA (1) | ZA79759B (fi) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE35836E (en) * | 1979-08-09 | 1998-07-07 | C. P. Clare Corporation | Solid state optically coupled electrical power switch |
| GB2102230A (en) * | 1981-07-16 | 1983-01-26 | Plessey Co Ltd | A pulse drive circuit |
| JPS58107629U (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | 株式会社チノ− | スイツチ駆動回路 |
| JPS58107634U (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | 株式会社チノ− | スイツチ駆動回路 |
| JPS58139741U (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | ファナック株式会社 | 無接点リレ− |
| US4554462A (en) * | 1982-03-16 | 1985-11-19 | Fanuc Limited | Non-polarized contactless relay |
| JPS58139742U (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | ファナック株式会社 | 無極性無接点リレ− |
| MX152678A (es) * | 1982-04-07 | 1985-10-07 | Int Standard Electric Corp | Mejoras en circuito para un relevador electronico integrable de estado solido |
| JPS58164338U (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-01 | フアナツク株式会社 | 無接点リレ− |
| US4454430A (en) * | 1982-05-19 | 1984-06-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Universal control grid modulator |
| US4485342A (en) * | 1982-07-27 | 1984-11-27 | General Electric Company | Load driving circuitry with load current sensing |
| BE897772A (fr) * | 1983-09-19 | 1984-03-19 | Itt Ind Belgium | Contacts electroniques et dispositifs associes |
| DE3340927A1 (de) * | 1983-11-11 | 1985-05-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur ableitung von ueberspannungen |
| AR241360A1 (es) * | 1986-06-30 | 1992-05-29 | Siemens Ag | Disposicion de circuito para desconectar los hilos de una linea de conexion de abonado de una red telefonica digital tiempo-multiplex con respecto a un circuito de alimentacion. |
| US4809324A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-28 | Siemens Transmission Systems, Inc. | Subscriber line interface circuit (SLIC) isolation from lighting-induced ground overshoots |
| JPH04229715A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-08-19 | Toshiba Corp | 双方向スイッチ回路 |
| US5178140A (en) * | 1991-09-05 | 1993-01-12 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Implantable medical devices employing capacitive control of high voltage switches |
| US20030016070A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | Wenhua Yang | Bootstrap module for multi-stage circuit |
| US6784500B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-08-31 | Analog Devices, Inc. | High voltage integrated circuit amplifier |
| GB0130754D0 (en) * | 2001-12-21 | 2002-02-06 | Lucas Industries Ltd | Switch control circuit |
| US6985014B2 (en) * | 2002-03-01 | 2006-01-10 | Broadcom Corporation | System and method for compensating for the effects of process, voltage, and temperature variations in a circuit |
| US8035148B2 (en) | 2005-05-17 | 2011-10-11 | Analog Devices, Inc. | Micromachined transducer integrated with a charge pump |
| US7737762B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-06-15 | Energate Inc | Solid-state switch |
| DE102009017543A1 (de) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh | Schalter |
| EP2515439A1 (en) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Semiconductor switch with reliable blackout behavior and low control power |
| EP2528233A1 (en) * | 2011-05-24 | 2012-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Coupling circuit for coupling a control circuit to a semiconductor switch |
| WO2014057318A1 (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for providing electrical isolation |
| US9543942B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-01-10 | Nxp Usa, Inc. | Method and apparatus for controlling an IGBT device |
| CN106230414B (zh) * | 2016-08-29 | 2023-03-24 | 成都信息工程大学 | 一种基于线性光耦隔离的mosfet/igbt高速驱动电路 |
| EP3896855B1 (en) * | 2020-04-15 | 2024-03-20 | Melexis Bulgaria Ltd. | Floating switch for signal commutation |
| CN115333518B (zh) * | 2022-10-14 | 2023-01-03 | 高澈科技(上海)有限公司 | 高压模拟集成开关电路 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3657569A (en) * | 1969-10-27 | 1972-04-18 | Bose Corp The | Turn on turn off feedback drive switching circuit |
| JPS52145A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Hitachi Ltd | Tertiary value generator |
| US4052623A (en) * | 1976-08-10 | 1977-10-04 | General Electric Company | Isolated semiconductor gate control circuit |
| US4128811A (en) * | 1977-07-05 | 1978-12-05 | General Electric Company | Frequency indicating circuit |
-
1978
- 1978-02-24 US US05/880,833 patent/US4170740A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-11-24 DE DE2850841A patent/DE2850841C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-02-13 GB GB7905110A patent/GB2015285B/en not_active Expired
- 1979-02-13 NZ NZ189635A patent/NZ189635A/xx unknown
- 1979-02-16 AR AR275539A patent/AR224504A1/es active
- 1979-02-16 ZA ZA79759A patent/ZA79759B/xx unknown
- 1979-02-16 AU AU44306/79A patent/AU519692B2/en not_active Ceased
- 1979-02-20 NO NO790555A patent/NO152395C/no unknown
- 1979-02-21 FR FR7904350A patent/FR2418576B1/fr not_active Expired
- 1979-02-21 NL NL7901339A patent/NL7901339A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-02-21 IT IT20414/79A patent/IT1192695B/it active
- 1979-02-22 HU HU79IE868A patent/HU182966B/hu unknown
- 1979-02-22 FI FI790606A patent/FI72625C/fi not_active IP Right Cessation
- 1979-02-22 ES ES477965A patent/ES477965A1/es not_active Expired
- 1979-02-22 AT AT0136579A patent/AT380350B/de not_active IP Right Cessation
- 1979-02-22 RO RO7996700A patent/RO80667A2/ro unknown
- 1979-02-22 GR GR58440A patent/GR66639B/el unknown
- 1979-02-22 SE SE7901568A patent/SE441559B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-02-22 DD DD79211180A patent/DD141744A5/de unknown
- 1979-02-23 YU YU460/79A patent/YU41332B/xx unknown
- 1979-02-23 DK DK78879A patent/DK78879A/da not_active Application Discontinuation
- 1979-02-23 CH CH180979A patent/CH642796A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-02-23 MX MX176711A patent/MX146155A/es unknown
- 1979-02-23 JP JP54020613A patent/JPS5917899B2/ja not_active Expired
- 1979-02-23 BE BE0/193691A patent/BE874390R/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-02-23 TR TR21272A patent/TR21272A/xx unknown
- 1979-02-23 BR BR7901228A patent/BR7901228A/pt unknown
- 1979-02-23 SU SU2733194A patent/SU1302427A3/ru active
- 1979-02-23 PT PT69277A patent/PT69277A/pt unknown
- 1979-02-23 CA CA000322135A patent/CA1121076A/en not_active Expired
- 1979-02-24 PL PL1979213695A patent/PL133016B1/pl unknown
- 1979-03-22 IN IN281/CAL/79A patent/IN152152B/en unknown
-
1983
- 1983-07-16 SG SG416/83A patent/SG41683G/en unknown
- 1983-12-01 HK HK624/83A patent/HK62483A/xx unknown
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI72625C (fi) | Halvledaromkopplare med logiska ingaongskretsar. | |
| US11302518B2 (en) | Efficient energy recovery in a nanosecond pulser circuit | |
| US20210288582A1 (en) | Nanosecond pulser bias compensation | |
| US10601302B1 (en) | Bootstrap power supply circuit | |
| KR100369855B1 (ko) | 전계발광램프용전원회로 | |
| US20160079964A1 (en) | Integrated level shifter | |
| EP1768257B1 (en) | High voltage high side transistor driver | |
| KR101137242B1 (ko) | 전력 시스템 억제 방법 및 디바이스 및 그 구조 | |
| US20100214807A1 (en) | Internal high-voltage current source in an ac/dc power converter | |
| JPH05252730A (ja) | 半導体スイッチ用制御回路 | |
| US10554112B1 (en) | GaN driver circuit | |
| US6518814B1 (en) | High-voltage capacitor voltage divider circuit having a high-voltage silicon-on-insulation (SOI) capacitor | |
| US20200044648A1 (en) | Level shifting in a gan half bridge circuit | |
| US4385261A (en) | Method and apparatus for the execution of gas discharge reactions | |
| KR20090031285A (ko) | 전원과 접속가능한 부하를 서비싱하는 회로 및 전원과 접속가능한 부하를 스위칭하는 방법 | |
| FI97176B (fi) | Puolijohdekytkimen ohjauspiiri | |
| KR850002326A (ko) | 반도체 장치의 정전기 파괴 시험방법 및 장치 | |
| US10490365B2 (en) | Direct-current switching device | |
| WO1997018899A1 (en) | System for treating gases or fluids with pulsed corona discharges | |
| US7166853B2 (en) | Active method and system of establishing electrical contact | |
| KR102003834B1 (ko) | 직렬 연결된 커패시터들의 전압 밸런싱 방법 | |
| CN112514231B (zh) | 用于切换交流电压的电路 | |
| US6211481B1 (en) | Power supply device for electric discharge machining apparatus | |
| JP2016208235A (ja) | 半導体リレー | |
| KR830000096B1 (ko) | 고압스위치와 용량성 구동회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CO |