FI97176B - Puolijohdekytkimen ohjauspiiri - Google Patents

Puolijohdekytkimen ohjauspiiri Download PDF

Info

Publication number
FI97176B
FI97176B FI944485A FI944485A FI97176B FI 97176 B FI97176 B FI 97176B FI 944485 A FI944485 A FI 944485A FI 944485 A FI944485 A FI 944485A FI 97176 B FI97176 B FI 97176B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
coupling
voltage
semiconductor
transformer
control
Prior art date
Application number
FI944485A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI944485A (fi
FI97176C (fi
FI944485A0 (fi
Inventor
Erkki Miettinen
Original Assignee
Abb Industry Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Abb Industry Oy filed Critical Abb Industry Oy
Publication of FI944485A0 publication Critical patent/FI944485A0/fi
Priority to FI944485A priority Critical patent/FI97176C/fi
Priority to US08/520,470 priority patent/US5530385A/en
Priority to GB9518030A priority patent/GB2293933B/en
Priority to FR9510883A priority patent/FR2727586B1/fr
Priority to DE19535166A priority patent/DE19535166C2/de
Priority to JP7247146A priority patent/JPH08111635A/ja
Priority to IT95TO000767A priority patent/IT1281363B1/it
Publication of FI944485A publication Critical patent/FI944485A/fi
Publication of FI97176B publication Critical patent/FI97176B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI97176C publication Critical patent/FI97176C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F29/00Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00
    • H01F29/14Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias
    • H01F2029/143Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with variable magnetic bias with control winding for generating magnetic bias

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Relay Circuits (AREA)

Description

97176
Puolijohdekytkimen ohjauspiiri Tämän keksinnön kohteena on puolijohdekytkimen ohjauspiiri, joka käsittää muuntajakytkennän sekä ohjaus-5 energian että ohjaustiedon sisältävien vaihtojännitesig-naalien kehittämiseksi, tasasuuntauskytkennän muuntajakytkennän kehittämien vaihtojännitesignaalien tasasuuntaami-seksi puolijohdekytkimen sytyttämiseen ja sammuttamiseen soveltuvien tasajännitetasojen kehittämiseksi, ensimmäisen 10 vastuksen kytkettynä ensimmäisestä päästään puolijohdekytkimen ohjauselektrodiin, toisen vastuksen kytkettynä puolijohdekytkimen ohjauselektrodin ja emitteri- tai source-elektrodin väliin ja apupuolijohdekytkimen sovitettuna puolijohdekytkimen ohjauselektrodin ja tasasuuntauskytken-15 nän kehittämän, puolijohdekytkimen sammutukseen tarkoitetun tasajänniteulostulon väliin apupuolijohtimen ohjaus-elektrodin ollessa kytkettynä tasasuuntauskytkennän kehittämään, apupuolijohdekytkimen ohjaukseen tarkoitettuun tasaj änniteulostuloon.
20 Keksinnön mukainen ohjauspiiri on tarkoitettu eri tyisesti pienten IGBT- tai FET-puolijohdekytkinkomponent-tien ohjaukseen taajuusmuuttajissa ja muissa vastaavissa. Jatkossa näistä puolijohdekytkinkomponenteista käytetään yhteisnimitystä tehokomponentti. Ohjauspiirejä vastaavien 25 tehokomponenttien ohjaamiseen tunnetaan esimerkiksi US-patenttijulkaisusta 5168182 ja EP-hakemusjulkaisusta 561316. Niissäkin kuvatut ratkaisut perustuvat suoraan sytytysenergian välitykseen muuntajan kautta. Molemmille ratkaisuille on kuitenkin tyypillistä, että niissä ohjat-30 tavan tehokomponentin ohjauselektrodin, jota jatkossa nimitetään hilaksi, jännite on stabiloimaton oikosulkutilan-teessa. US-patenttijulkaisusta 5168182 tunnetulle ratkaisulle on lisäksi tyypillistä, että siinä tehokomponentin sammutus perustuu ainoastaan hilapotentiaalin viemiseen 35 lähelle tehokytkimen emitteripotentiaalia. EP-hakemusjui- 97176 2 kaisussa 561316 kuvatussa ratkaisussa sammutukseen käytetään tehokomponentin emitteripotentiaaliin nähden negatiivista potentiaalia. Tämän negatiivisen potentiaalin synnyttämiseen tarvitaan kuitenkin energiavarasto, kuten kon-5 densaattori, johon tarvittava sammutusenergia joudutaan ennalta lataamaan. Lisäksi energiavarastona käytetty kondensaattori on komponentti, joka tyypillisesti on rakenteeltaan elektrolyyttiä sisältävä ja jonka elinikä lyhenee dramaattisesti, mikäli se sijoitetaan lähelle tehokom-10 ponenttia ja siten kuumaan ympäristöön. Sijoitus kauemmaksi puolestaan johtaa suuriin hajainduktansseihin. Kyseisen ohjauspiirin puutteena voidaan lisäksi mainita, että siinä sammutusjännite on yhtä suuri kuin sytytysjännite, mistä seurauksena on peräkkäin toistuvien sytytyksien hidastumi-15 nen, koska tehokomponentin hilapotentiaali on aina välillä vedettävä täyttä sytytysjännitettä vastaavaan negatiiviseen arvoon. Edelleen kyseisen kytkennän ongelmana on sammutuksen hidas käynnistyminen, koska tehokomponentin sammutus voi alkaa vasta, kun apupuolijohdekytkinkomponentti-20 na käytetyn FETin hilakapasitanssi on varautunut suurioh-misen vastuksen kautta riittävän suureen potentiaaliin.
Esillä olevan keksinnön tavoitteena on tuoda esiin puolijohdekytkimen ohjauspiiri, johon ei liity yllä mainittuja aikaisemmin tunnettujen ohjauspiiriratkaisujen 25 puutteita. Tähän päästään keksinnön mukaisen ohjauspiirin avulla, jolle on tunnusomaista että se lisäksi käsittää zenerdiodin kytkettynä ensimmäisen vastuksen toisen pään ja tasasuuntauskytkennän kehittämän, puolijohdekytkimen sytytykseen tarkoitetun tasajänniteulostulon väliin ja 30 diodin kytkettynä päästösuuntaisena tasasuuntauskytkennän sammutusjänniteulostulon ja puolijohdekytkimen emitteri-tai source-elektrodin väliin.
Todettakoon, että tämän hakemuksen yhteydessä diodilla ja zenerdiodilla ei tarkoiteta pelkästään vastaavan 35 nimisiä diskreettejä komponentteja vaan mitä tahansa vas- • li 97176 3 taavan toiminnan aikaansaavia komponentteja tai komponent-tikokoonpanoja, jotka muodostuvat diskreeteistä komponenteista tai ovat osana integroitua piiriä.
Käytetyn kytkennän ansiosta sammutusenergiaa kye-5 tään syöttämään tehokomponentin hilalle jatkuvasti muunta-jakytkennän kautta ulkoa ja mitään energiavarastoa ei tarvita eikä tällaisten energiavarastojen lämpövanheneminen siten myöskään muodostu ongelmaksi. Vaikka energiavarastoa ei ole, on sammutus nopea sen seurauksena, että sytytyksen 10 aiheuttama hilaVaraus tehokomponentissa purkautuu nopeasti apupuolijohdekytkimen ja diodin kautta vain näiden komponenttien impedanssien rajoittamalla nopeudella.
Edullisesti ohjauspiiri lisäksi käsittää zener-diodin ja diodin sarjaankytkennän kytkettynä päästösuun-15 täisenä puolijohdekytkimen ohjauselektrodin ja apupuolijohdekytkimen ohjauselektrodin väliin. Tämän kytkennän ansiosta sytytysjännitteen liiallinen nousu kyetään estämään ja siten estämään puolijohdekytkimen tuhoutuminen tällaisessa tilanteessa.
20 Edelleen on edullista, että kytkentä käsittää li säksi kolmannen vastuksen kytkettynä apupuolijohdekytkimen ja puolijohdekytkimen sammutukseen tarkoitetun tasajänni-teulostulon väliin. Tällaisen edullisesti pieniohmisen vastuksen avulla kyetään puolijohdekytkimen hilavarauksen 25 purkautumisen synnyttämän virran huippuarvo rajoittamaan tiettyyn haluttuun arvoon.
Keksinnön mukaisen ohjauskytkennän eräänä periaatteellisena lähtökohtana on, että käytettävissä on useita erilaisia tasajännitetasoja. Edullisesti tähän päästään 30 siten, että ohjauspiirissä käytetty muuntajakytkentä käsittää sytytysjännitteeksi tasasuunnattavan jännitteen kehittävän ensimmäisen muuntajan ja sammutusjännitteeksi ja apupuolijohdekytkimen ohjaus jännitteeksi tasasuunnat tavat jännitteet kehittävän toisen muuntajan ja että ensim-35 mäisen muuntajan toisiokäämin toinen napa ja toisen muun- • 97176 4 ta jän toisiokäämin keskipiste on kytketty toisiinsa ja puolijohdekytkimen emitteri- tai source-elektrodiin ver-tailupotentiaalin muodostamiseksi.
Seuraavassa keksinnön mukaista ohjauspiiriä kuva-5 taan yksityiskohtaisemmin viitaten oheiseen piirustukseen, jossa kuvio 1 esittää keksinnön mukaisen ohjauspiirin kytkentäkaavion ja kuvio 2 esittää keksinnön mukaisen ohjauspiirin 10 kytkentäkaaviota, kun ohjattavia puolijohdekytkimiä on kaksi ja ne ohjataan vuorotellen johtaviksi.
Kuviossa 1 on esitetty keksinnön mukaisen ohjaus-piirin esimerkinomaisen suoritusmuodon kytkentäkaavio. Tämän ohjauspiirin avulla ohjataan tehokomponenttia SW1, 15 joka tyypillisesti on IGBT- tai FET-komponentti ja kuviossa 1 esitetyssä tapauksessa IGBT-komponentti. Kytkentä sopii erityisesti käytettäväksi silloin, kun tehokomponen-tin emitterikollektorivirtatien tai lähdekollektorivirta-tien nimellisvirta ei ylitä arvoa 25 A. Kuviossa 1 kuvattu 20 kytkentä käsittää muuntajakytkennän, joka käsittää muuntajat Tl ja T2, joiden kehittämät vaihtojännitesignaalitasot tasasuunnataan sopiviksi tehokomponentin SW1 ohjaamiseen soveltuviksi tasajännitetasoiksi kahden tasasuuntaussillan DB1 ja DB2 avulla. Muuntajien Tl ja T2 avulla syötetään • 25 sekä ohjausinformaatio että ohjausenergia tehokom- ponentille SW1.
Tehokomponentti SW1 sytytetään ja sammutetaan kahdella vuorottain vaikuttavalla kanttiaallolla (sytytys, sammutus), jotka kumpikin samanvaiheisena ja invertoituna 30 ohjaavat oman muuntajansa Tl ja vastaavasti T2 ensiökää-miä. Muuntajien ensiökäämien keskipisteet on kytketty +15 V:n jännitteeseen ja käämien vapaat päät kytketään vuorotellen maapotentiaaliin sytytys- ja vastaavasti sammutus-signaalin ohjaamien FETien FI...F4 avulla. Muuntajien toi-35 siokäämeihin syntyy ohjausta vastaavat signaalit, jotka il 97176 5 tasasuunnataan tasasuuntaussilloilla DB1 ja DB2 jännitteiksi UI ja vastaavasti U2 ja U3. Jännite UI saadaan muuntajan Tl toisesta navasta sen toisen navan ollessa kytkettynä vertailupotentiaaliin, jota on merkitty merkin-5 nällä OV. Tähän vertailupotentiaaliin on liitetty myös toisen muuntajan toisiokäämin keskipiste samoikuin teho-komponentin SW1 emitterielektrodi. Toisen muuntajan T2 toisesta navasta tasasuunnataan jännite U2 ja toisesta jännite U3. Nämä jännitteet U2 ja U3 ovat vastakkaissuun-10 täisiä verrattuna toisiokäämin keskipisteessä olevaan vertailupotentiaaliin OV nähden.
Sytytyksen alkaessa jännite UI nousee nopeasti noin arvoon 20 V, jolloin tehokomponentin SW1 hilakapasitanssi alkaa latautua zenerdiodin V2 ja hilavastuksen R2 kautta 15 kulkevan virran vaikutuksesta. Zenerdiodin arvoksi on merkitty 4,7 V. Tehokomponentti SW1 syttyy noin yhden mik-rosekunnin päästä ja hilavirta alkaa pienentyä lähestyen nollaa. Tehokomponentin SW1 ohjauselektrodi eli hila on kytketty apupuolijohdekytkinkomponenttina käytetyn FETin 20 VI ja vastuksen R3 kautta jännitetasoon U3. Lisäksi teho-komponentin SW1 ohjauselektrodi on 12 V zenerdiodin V3 ja diodin V5 kautta kytketty jännitetasoon U2, joka puolestaan liittyy FETin VI ohjauselektrodiin. Tämän kytkennän ansiosta päästään siihen, että mikäli jännite tehokom-25 ponentin SW1 hilalla ylittää noin 15 V tason, alkaa FET VI johtaa, jolloin sen ja jännitetason U3 ja vertailujännite-tason OV väliin kytketyn diodin V4 kautta kulkeva virta rajoittaa jännitteen nousun edelleen. Tämän takia tehokomponentin hilajännite ei voi ylittää mainittua noin 15 V 30 jännitettä. Samasta syystä, mikäli tehokomponentti menisi oikosulkuun, estyy hilajännitteen nousu yli kyseisen jännitteen. Oikosulkutilanteessa voidaan ensin poistaa syty-tysohjaus ja antaa tehokomponentin sammua "pehmeästi" vastuksen Rl varassa ja kytkeä vasta myöhemmin jäykkä sammu-35 tus päälle. Vastus Rl on kytketty tehokomponentin hilan ja 97176 6 sen emitterielektrodin väliin.
Sammutuksen alkaessa FETin VI hilalla vaikuttava tasajännitetaso U2 nousee hyvin nopeasti +5 V tasoon, minkä seurauksena FET VI siirtyy johtavaan tilaan. Vastaavas-5 ti FETin VI sourcejännite U3 pyrkii laskemaan samanaikaisesti kohti -5 V tasoa, mutta syntyvä virta nostaa aluksi kyseisen sourcejännitteen diodin V4 päästöjännitteen verran positiiviseksi. Tehokomponentin SW1 hilavaraus purkautuu aluksi vain FETin VI sisäisen resistanssin rajoitta-10 maila virralla diodin V4 kautta. Tämän virran suuruutta on kuviossa 1 kuvatussa kytkennässä lisäksi rajoitettu pie-niohmisella vastuksella R3, joka on kytketty FETin VI source-elektrodin ja jännitetason U3 väliin. Noin 200 ns kuluttua sammutuksen alkamisesta tehokomponentin hilajän-15 nite on emitteripotentiaalissa ja lähestyy sekä lopuksi saavuttaa tason -5 V, sillä zenerdiodi V2 estää virran kulun tasasuuntaussillan DB1 ja muuntajan Tl toision kautta. Ilman zenerdiodin V2 vaikutusta hilajännite ei pääsisi tähän negatiiviseen tasoon. Lisäksi muuntajan Tl sydämen 20 kyllästyminen tasavirran vaikutuksesta estyy.
Tehokomponentin SW1 hilan ja emitterin väliin kytketty vastus Rl pitää tehokomponentin hilan emitteripotentiaalissa ja komponentin sammuksissa silloin, kun apujän-nitettä eikä ohjaussignaaleja ole käytettävissä.
* 25 Kuviossa 2 on esitetty ratkaisu, jonka avulla ku viossa 1 kuvattua ohjauspiiriä voidaan käyttää kokonaisen haaran ohjaamiseen eli tilanteessa, jossa ohjattavia teho-puolijohdekomponentteja on kaksi kappaletta eli tehokom-ponentit SW1 ja SW2 ja ne ohjataan vuorotellen johtaviksi. 30 Kummankin tehokomponentin ohjauspiiri on kuviossa 1 esitetyn kaltainen ja ne toimivat aiemmin esitetyn mukaisesti, mutta muuntajakytkentää ja sen ohjaimia ei ole kuitenkaan kahdennettu. Kuviossa 2 esitetyn kytkennän avulla säästetään tällaiseen kahdennettuun tapaukseen nähden kak-35 si muuntajaa ja niiden ohjaimet. Tähän päästään siten, il 97176 7 että samalla kun toinen ohjaussignaali sytyttää ylähaaran tehokomponentin se myös samalla kehittää jännitteen, joka sammuttaa alahaaran tehokomponentin. Vastaavasti toinen muuntaja kehittää toisen tehokomponentin sammutukseen tar-5 vittavat jännitetasot ja vastaavasti toisen tehokomponentin sytyttämiseen tarvittavat jännitetasot. Koska keksinnön mukaisessa ohjauskytkennässä tehokompontin sammutus on useita kertoja nopeampi kuin sytytys, saadaan toinen teho-komponentti sammumaan ennen kuin samalla ohjaussignaalilla 10 ohjattu toinen tehokomponentti saadaan syttymään, jolloin haaran läpisyttyminen estyy. Jos molempia tehokomponentte-ja ohjataan hetkellisesti yhtä aikaa, sammuvat molemmat tehokomponentit. Tämä perustuu siihen, että molempien te-hokomponenttien apupuolijohdekytkinkomponentit saavat hi-15 lalleen ohjauksen, jolloin ne molemmat siirtyvät johtavaan tilaan. Tällöin niiden kautta kulkeva virta kasvaa niin suureksi, ettei muuntajan sytytysenergiaa syöttävä käämi pysty ylläpitämään tehokomponentin hilajännitettä vaan se tulee alas ja komponentti sammuu. Kumpikin ohjaus voidaan 20 muutaman kymmenen mikrosekunnin kuluttua poistaa samanaikaisesti. Tällöin tehokomponentit jäävät aiemmin esitetyn mukaisesti sammuksiin niiden hilaemitterivälille kytketyn vastuksen vaikutuksesta.
Kuten edellä on todettu, keksinnön mukaisessa teho-25 komponentin ohjauspiirissä tehokomponentin sytytykseen tarvittava energia tuodaan suoraan muuntajan läpi en-siöpiirin puolelta eikä tehokomponentin emitteripotenti-aalissa tarvita lainkaan energiavarastoa. Koska keksinnön mukaisessa ratkaisussa ei tarvita sammutusenergiavarastona 3 0 lämmönkestoltaan huonohkoja elektrolyyttikondensaattoreita eikä muitakaan lämpötilalle arkoja komponentteja, on keksinnön mukainen ohjauspiiri mahdollista sijoittaa kuumaankin ympäristöön käyttöiän silti vaarantumatta.
Yhteenvetona voidaan vielä todeta, että keksinnön 35 mukaiselle ohjauspiirille on tyypillistä, että sen avulla 8 97176 kyetään toteuttamaan täydellinen galvaaninen eristys mielivaltaiseen jännitetasoon saakka muuntajakytkennän ansiosta, erillistä tehonsyöttöä hilanohjauspiirille ei tarvita, tehokomponentin sammutus aikaansaadaan negatiivisel-5 la hilajännitteellä, pehmeä sammutus on mahdollinen oi-kosulkutilanteessa, sytytysjännitteen regulointi ja hila-jännitteen rajoitus tapahtuvat oikosulkutilanteessa automaattisesti ja sammutus on useita kertoja nopeampi kuin sytytys, mistä seurauksena olevan kuolleen ajan ansiosta 10 push-pull -kytketty tehoaste ei voi syttyä läpi.
Yllä keksinnön mukaista puolijohdekytkimen ohjaus-piiriä on kuvattu vain yhden esimerkinomaisen suoritusmuodon avulla ja on ymmärrettävää, että siihen voidaan tehdä joitakin muutoksia poikkeamatta kuitenkaan oheisten pa-15 tenttivaatimusten määrittelemästä suojapiiristä. Täten kuvauksessa tehokomponenttina käytetty IGBT-komponentti voisi olla FET-komponentti. Samoin apupuolijohdekytkimenä soveltuvat käytettäväksi muutkin elektroniset kytkinkom-ponentit kuin kuvioissa esitetty FET.
Il

Claims (4)

97176 9
1. Puolijohdekytkimen ohjauspiiri, joka käsittää muuntajakytkennän (Tl, T2) sekä ohjausenergian että 5 ohjaustiedon sisältävien vaihtojännitesignaalien kehittämiseksi , tasasuuntauskytkennän (DB1, DB2) muuntajakytkennän (Tl, T2) kehittämien vaihtojännitesignaalien tasasuuntaa-miseksi puolijohdekytkimen (SW1) sytyttämiseen ja sammut-10 tamiseen soveltuvien tasajännitetasojen (UI, U3, U2) kehittämiseksi, ensimmäisen vastuksen (R2) kytkettynä ensimmäisestä päästään puolijohdekytkimen (SW1) ohjauselektrodiin, toisen vastuksen (Rl) kytkettynä puolijohdekytkimen 15 ohjauselektrodin ja emitteri- tai lähde-elektrodin väliin ja apupuolijohdekytkimen (VI) sovitettuna puolijohde-kytkimen (SW1) ohjauselektrodin ja tasasuuntauskytkennän kehittämän, puolijohdekytkimen sammutukseen tarkoitetun 20 tasajänniteulostulon (U3) väliin apupuolijohtimen (VI) ohjauselektrodin ollessa kytkettynä tasasuuntauskytkennän kehittämään, apupuolijohdekytkimen ohjaukseen tarkoitettuun tasajänniteulostuloon (U2) , tunnettu siitä, että se lisäksi käsittää 25 zenerdiodin (V2) kytkettynä ensimmäisen vastuksen (R2) toisen pään ja tasasuuntauskytkennän kehittämän, puoli johdekytkimen (SW1) sytytykseen tarkoitetun tasajänniteulostulon (UI) väliin ja diodin (V4) kytkettynä päästösuuntaisena tasasuun-30 tauskytkennän sammutusjänniteulostulon (U3) ja puolijohde-: kytkimen (SW1) emitteri- tai lähde-elektrodin väliin.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että se lisäksi käsittää zenerdiodin (V3) ja diodin (V5) sarjaankytkennän 35 kytkettynä päästösuuntaisena puolijohdekytkimen (SW1) oh- 97176 10 jauselektrodin ja apupuolijohdekytkimen (VI) ohjauselekt-rodin väliin.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen ohjauspiiri, tunnettu siitä, että se lisäksi käsittää kol- 5 mannen vastuksen (R3) kytkettynä apupuolijohdekytkimen (VI) ja puolijohdekytkimen sammutukseen tarkoitetun tasa-jänniteulostulon (U3) väliin.
4. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen ohjaus-piiri, tunnettu siitä, että muuntajakytkentä kä- 10 sittää sytytysjännitteeksi (UI) tasasuunnattavan jännitteen kehittävän ensimmäisen muuntajan (Tl) ja sammutusjän-nitteeksi (U3) ja apupuolijohdekytkimen (VI) ohjausjännitteeksi (U2) tasasuunnattavat jännitteet kehittävän toisen muuntajan (T2) ja että ensimmäisen muuntajan (Tl) toi-15 siokäämin toinen napa ja toisen muuntajan (T2) toisiokää-min keskipiste on kytketty toisiinsa ja puolijohdekytkimen emitteri- tai lähde-elektrodiin vertailupotentiaalin (0V) muodostamiseksi. il 97176 11
FI944485A 1994-09-27 1994-09-27 Puolijohdekytkimen ohjauspiiri FI97176C (fi)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI944485A FI97176C (fi) 1994-09-27 1994-09-27 Puolijohdekytkimen ohjauspiiri
US08/520,470 US5530385A (en) 1994-09-27 1995-08-28 Control circuit for a semiconductor switch
GB9518030A GB2293933B (en) 1994-09-27 1995-09-05 A control circuit for a semiconductor switch
FR9510883A FR2727586B1 (fr) 1994-09-27 1995-09-11 Circuit de commande pour un interrupteur a semi-conducteur
DE19535166A DE19535166C2 (de) 1994-09-27 1995-09-22 Ansteuerschaltung für einen Halbleiterschalter
JP7247146A JPH08111635A (ja) 1994-09-27 1995-09-26 半導体スイッチの制御回路
IT95TO000767A IT1281363B1 (it) 1994-09-27 1995-09-26 Circuito di controllo per un commutatore a semiconduttore

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI944485A FI97176C (fi) 1994-09-27 1994-09-27 Puolijohdekytkimen ohjauspiiri
FI944485 1994-09-27

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI944485A0 FI944485A0 (fi) 1994-09-27
FI944485A FI944485A (fi) 1996-03-28
FI97176B true FI97176B (fi) 1996-07-15
FI97176C FI97176C (fi) 1996-10-25

Family

ID=8541457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI944485A FI97176C (fi) 1994-09-27 1994-09-27 Puolijohdekytkimen ohjauspiiri

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5530385A (fi)
JP (1) JPH08111635A (fi)
DE (1) DE19535166C2 (fi)
FI (1) FI97176C (fi)
FR (1) FR2727586B1 (fi)
GB (1) GB2293933B (fi)
IT (1) IT1281363B1 (fi)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5910738A (en) * 1995-04-07 1999-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Driving circuit for driving a semiconductor device at high speed and method of operating the same
US5663672A (en) * 1995-11-17 1997-09-02 Sundstrand Corporation Transistor gate drive circuit providing dielectric isolation and protection
US5686854A (en) * 1996-03-14 1997-11-11 Magl Power Inc. Isolated driver circuit for high frequency solid-state switches
DE19704808A1 (de) * 1997-02-08 1998-08-13 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Ansteuerung eines elektromagnetischen Verbrauchers
JP3067687B2 (ja) * 1997-05-08 2000-07-17 富士電機株式会社 Igbt駆動回路
GB2356753B (en) * 1999-11-29 2004-08-11 Eev Ltd Switching arrangement
JP3855116B2 (ja) * 2000-03-22 2006-12-06 日本光電工業株式会社 半導体スイッチ駆動回路
EP1391900A1 (de) 2002-08-22 2004-02-25 Abb Research Ltd. Signaltransformator sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Signaltransformers
FI116109B (fi) * 2004-05-10 2005-09-15 Abb Oy Puolijohdekomponentin ohjauskytkentä
JP4957495B2 (ja) * 2007-10-03 2012-06-20 株式会社豊田自動織機 信号伝達回路
US20090167412A1 (en) * 2007-12-17 2009-07-02 Lawson Labs, Inc. Gate-charge retaining switch
US8816653B2 (en) * 2008-09-25 2014-08-26 Infineon Technologies Austria Ag Circuit including a transformer for driving a semiconductor switching element
US7679410B1 (en) 2008-09-29 2010-03-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy System and method for improving the efficiency and reliability of a broadband transistor switch for periodic switching applications
US8400789B2 (en) * 2010-04-27 2013-03-19 Power Integrations, Inc. Power supply with input filter-controlled switch clamp circuit
FI10493U1 (fi) 2013-02-20 2014-05-22 Vacon Oyj Järjestely tehoelektroniikkalaitteissa käytettävien jänniteohjattujen tehopuolijohdekytkinten hilaohjausjännitteen muodostamiseksi
DE112013006773T5 (de) 2013-03-06 2015-12-10 SiEVA Vorrichtung für high-side Transistor-Brückentreiber

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3616097A1 (de) * 1986-05-13 1987-11-19 Bbc Brown Boveri & Cie Schaltungsanordnung zur ansteuerung von leistungs-feldeffekttransistoren
EP0354435B1 (en) * 1988-08-12 1995-12-20 Hitachi, Ltd. A drive circuit for an insulated gate transistor; and its use in a switching circuit, a current switching apparatus and an induction motor system
US5055762A (en) * 1989-04-17 1991-10-08 General Motors Corporation Current controlled full wave transitor bridge inverter for a multiple phase AC machine
FR2669477A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-22 Gen Electric Cgr Circuit de commande de commutation basse frequence de transistors a effet de champ et de transistors bipolaires a grille isolee.
DE4139997A1 (de) * 1990-12-06 1992-07-09 Ozcan Akdogan Schaltungsanordnung mit leistungs-mosfet-transistoren
US5257323A (en) * 1991-05-29 1993-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Selection agent for a symbol determination system with multiple character recognition processors
US5168182A (en) * 1991-06-24 1992-12-01 United Technologies Corporation 0-100% duty cycle, transformer isolated fet driver
FI90605C (fi) * 1991-12-09 1994-02-25 Abb Stroemberg Drives Oy Puolijohdekytkimen ohjauspiiri
DE4208894A1 (de) * 1992-03-19 1993-09-23 Abb Patent Gmbh Schaltung zur ansteuerung eines spannungsgesteuerten halbleiterschalters
FR2693604B1 (fr) * 1992-07-10 1994-10-07 Sgs Thomson Microelectronics Convertisseur commandé par impulsions et commande électrique de moteur.

Also Published As

Publication number Publication date
FR2727586B1 (fr) 1998-11-20
GB2293933A (en) 1996-04-10
ITTO950767A0 (it) 1995-09-26
US5530385A (en) 1996-06-25
ITTO950767A1 (it) 1997-03-26
FR2727586A1 (fr) 1996-05-31
DE19535166A1 (de) 1996-03-28
FI944485A (fi) 1996-03-28
DE19535166C2 (de) 2002-10-24
IT1281363B1 (it) 1998-02-18
FI97176C (fi) 1996-10-25
JPH08111635A (ja) 1996-04-30
FI944485A0 (fi) 1994-09-27
GB2293933B (en) 1998-10-28
GB9518030D0 (en) 1995-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI97176B (fi) Puolijohdekytkimen ohjauspiiri
FI69740C (fi) Foerkopplingsanordning foer anvaendning vid laogtrycksurladdningslampor
KR920011040A (ko) 단상 ac 전력 변환 장치
KR960702207A (ko) 역률보정을 하는 고주파 ac/ac 컨버터(high frequency ac/ac converter with power factor correction)
KR900702629A (ko) 유입전류를 제한하기위한 변환회로
FI90605C (fi) Puolijohdekytkimen ohjauspiiri
HU218120B (hu) Teljesítményátalakító soros és párhuzamos rezgőkörrel
ATE41083T1 (de) Umrichter von gleich- in wechselspannung mit galvanisch getrenntem ein- und ausgang.
GB2270808A (en) Electronic ballast for a discharge lamp
KR900702755A (ko) 유도성 부하 전력 제어회로
EP0507398A1 (en) Circuit arrangement
KR910016226A (ko) Dc-ac 컨버터를 구비한 회로 장치
JP2005198494A (ja) パルス動作を備える連続モード安定器
JPH10315849A (ja) 車両用電気機器装置の保護装置
RU2579529C1 (ru) Устройство управления тиристорами мостовой схемы прибора для проверки электросчётчиков
JP3327754B2 (ja) 半導体スイッチング素子のゲート駆動装置
SU1067485A2 (ru) Стабилизированный источник посто нного напр жени
SU1022627A1 (ru) Коммутатор
SU744517A2 (ru) Стабилизированный источник посто нного напр жени
SU756579A1 (ru) Преобразователь постоянного напряжения в переменное1 2
RU2123234C1 (ru) Высоковольтный ключ
SU1422330A1 (ru) Преобразователь переменного напр жени в посто нное
SU742900A1 (ru) Ключевой стабилизатор переменного напр жени
SU1094149A1 (ru) Выключатель переменного тока
SU1661946A1 (ru) Транзисторный полумостовой инвертор

Legal Events

Date Code Title Description
BB Publication of examined application