DE2850841A1 - Schaltungsanordnung fuer ein integrierbares elektronisches relais - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer ein integrierbares elektronisches relais

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DE2850841A1 DE19782850841 DE2850841A DE2850841A1 DE 2850841 A1 DE2850841 A1 DE 2850841A1 DE 19782850841 DE19782850841 DE 19782850841 DE 2850841 A DE2850841 A DE 2850841A DE 2850841 A1 DE2850841 A1 DE 2850841A1
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Description

J.Pernyeszi-2
Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais, dessen Eingang und Ausgang galvanisch entkoppelt sind.
Bekannte, für hohe zu schaltende Spannungen ausgelegte elektronische Relais, bei denen der die hohe Spannung schaltende Teil auf einer integrierten Schaltung hergestellt werden muß, muß zwischen den elektronischen Schaltstrecken und dem Steuereingang des Relais eine galvanische Entkopplung aufweisen. Bekanntlieh wird diese galvanische Entkopplung mittels opto-elektronischer Koppler oder Transformatoren erreicht. Weder opto-elektronische Koppler noch Transformatoren aber können zusammen mit dem die hohe Spannung schaltenden Teil des Relais auf einem einzigen Chip integriert angeordnet werden, wie die bisherige MOS-Technik zeigt. Eine galvanische Entkopplung zwischen dem die hohe Spannung schaltenden Teil und dem Steuereingang des elektronischen Relais ist sehr wichtig bei integrierter Bauweise, weil die hohe Spannung am Relaisausgang den Eingangsteil des Relais zerstören kann oder auch ein unbeabsichtigtes Schalten des Relais bewirken kann. Diese galvanische Entkopplung ist auch in manchen Anwendungsfällen erwünscht, beispielsweise in Teilnehmerleitungsanschlußschaltungen, bei denen ein erdfreier Bezugspunkt im Relais erforderlich ist.
Wie bereits erwähnt wurde, müssen opto-elektronische Koppler separat hergestellt werden; sie müssen mit den übrigen Teilen des elektronischen Relais zusammengesetzt werden. Solche optoelektronische Koppler weisen beispielsweise eine lichtemittierende Diode und Fototransistoren auf. An die lichtemittierende Diode wird eine Eingangsspannung angelegt. Das dadurch bewirkte Licht der Diode schaltet den Fototransistor ein , wobei eine
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galvanische Entkopplung erreicht wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art anzugeben, bei der die Eingangsschaltung und der die hohe Spannung schaltende Teil des elektronisehen Relais auf einem einzigen Chip integrierbar sind, ohne daß die hohe zu schaltende Spannung das Relais zerstören oder ein Fehlschalten des Relais bewirken kann.
Diese Aufgabe wird mit den im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmalen gelöst. Die Erfindung kann vorzugsweise bei der MOS-Technik angewendet werden, die mit den bekannten dielektrischen Isolationsprozessen arbeitet. Besonders vorteilhaft ist die Herstellung des Relais in VMOS-Technik, die an sich bekannt ist. Das Relais kann jedoch auch als.großintegrierte Schaltung hergestellt werden. Mit Vorteil läßt sich das elektronische Relais gemäß der Erfindung auch in Fernsprechteilnehmeranschlußleitungen anwenden.
Die Erfindung wird nun an Hand eines Ausfuhrungsbeispieles und eines Anwendungsbeispieles näher erläutert.
Fig.l zeigt eine Schaltungsanordnung für ein hohe Spannungen schaltendes elektronisches Relais gemäß der Erfindung, während Fig.2 eine vereinfachte Schaltungsanordnung für einen Signalgenerator vom Typ einer erdfreien , galvanisch entkoppelten Brückenschaltung, der in einer Teilnehmerleitungsanschlußschaltung verwendet wird, darstellt.
In Fig.l ist die Gesamtheit der gestrichelt umrandeten Teile mit 10 bezeichnet. In einer logischen Eingangsschaltung 12 ist eine NAND-Schaltung 20 enthalten, derem einen Eingang eine rechteckförmige Wechselspannung mit der Frequenz von beispielsweise 5 MHz zugeführt wird. Die verstärkte Wechselspannung
•30 gelangt in einer Treiberschaltung 14 gegenphasig über zwei
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Kondensatoren 28, 30 auf eine exclusive ODER-Schaltung 36, die einen die hohe Spannung schaltenden Teil 16 des elektronischen Relais steuert. Die Koppelkondensatoren 28, 30 können beispielsweise eine Kapazität von 10 pP und eine Zeitkonstante
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von 10 see haben. Die Eingangsschaltung 12, die Treiberschaltung 14 und der Teil 16 können auf einem einzigen Silizium-Chip angeordnet werden, dem eingangsseitig ein Steuerpotential mittels eines Schalters l8 zuführbar ist. Zu diesem Zweck ist
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der eine Eingang der NAND-Schaltung 20 mit dem Schalter l8 verbunden. In der Aus-Stellung wird Erdpotential an den Eingang gelegt. In der Einstellung gelangt ein Potential von +15 V an den Eingang 24, welches bewirkt, daß die Wechselspannung mit der Frequenz von 5MHz verstärkt am Ausgang der NAND-Schaltung 20 erscheint. In der Stellung fs des Schalters l8 wird ein Fremdpotential an den Eingang 24 angelegt. Dieses Fremdpotential kann ein Wechselpotential mit einer Frequenz von 100 Hz sein. Im Aus-Zustand des Schalters l8 wird die NAND-Schaltung 20 gesperrt, so daß an ihrem Ausgang nicht die Wechselspannung mit der Frequenz von 5 MHz auftritt.
Der Ausgang der NAND-Schaltung 20 ist einerseits über den Koppelkondensator 28 mit dem einen Eingang 40 der ODER-Schaltung 36 und andererseits mit dem Eingang eines Inverters 32 verbunden. Der Ausgang des Inverters 32 ist über den Kondensator 30 mit dem anderen Eingang 42 der ODER-Schaltung 36 gekoppelt. Die NAND-Schaltung 20 und der Inverter 32 erhalten ein Speisepotential von +15 ''J von einer Gleichspannungsquelle 22. Aufgrund des Zwischenschaltens des Inverters 32 sind die Wechselspannungen an den Eingängen 40 und 42 gegenphasig. Die Kondensatoren 28, 30 dienen zur galvanischen Entkopplung. Mit den Eingängen 40, ist der Eingang einer Dioden-Brückenschaltung 3^ verbunden, die aus vier Dioden besteht und die ausgangsseitig mit dem Speiseeingang der ODER-Schaltung 36 verbunden ist. Dem Speiseeingang der ODER-Schaltung 36 ist ein Kondensator 38 zur Glättung
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parallelgeschaltet. Die ODER-Schaltung 36 erhalt ihre Speisung also von der Batterie 22 über die Koppelkondensatoren 28, 30 und die Dioden-Brückenschaltung 3^· Zwischen dem Fußpunkt des Speiseeingangs der ODER-Schaltung 36 und den Eingängen 40, liegt jeweils ein Widerstand 56 bzw. 58. Der Ausgang der ODER-Schaltung 36 ist über eine Diode 44 mit den Gate-Elektroden zweier MOS-Transistoren 48, 50 verbunden, während der Fußpunkt des Speiseeingangs der ODER-Schaltung 36 mit den Source- Elektroden dieser Transistoren ist. Den Steuerstrecken dieser Transistoren liegen ein Kondensator 46 und ein 'Widerstand 60 parallel. Die Schaltstrecken der Transistoren 48, 50 liegen in Reihe an Ausgansanschlüssen 52 und 54.
Eine Gleichspannung wird an den Gate-Elektroden der Transistoren 48, 50 auf fogende Weise erzeugt: Der Ausgang der ODER-Schaltung 36 führt nur dann hohes Potential, wenn die zwei Eingänge 40 und 42 gegenphasige Spannungen erhalten, d.h. wenn der eine Eingang ein hohes und der andere Eingang ein niedriges Potential aufweist. Wenn der Ausgang der ODER-Schaltung 36 ein hohes Potential aufweist, dann gelangt dieses hohe Potential- über die Diode 44 zum Kondensator 46, der geladen wird. Aufgrund der Spannung des Kondensators 46 werden die Transistoren 48, 50 eingeschaltet. Dadurch wird ein niederohmiger Weg zwischen den Ausgangsanschlüssen 52 und 54 hergestellt. Die Transistoren 48, 50 können als VMOS-Transistoren ausgebildet sein und beispielsweise eine Durchbruchsspannung von 90 V aufweisen.
Durch Änderung der Transistorparameter kann die Durchbruchsspannung aber auch auf 400.bis 500 V erhöht werden.
Die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung nach Fig.l wird nun im folgenden erläutert. Vorausgesetzt sei zunächst, daß der Schalter 18 in der gezeigten Stellung ist. Für diesen Fall tritt am Ausgang der NAND-Schaltung 20 eine dauernde Gleichspannung von 15 V auf, die durch die Koppelkondensatoren 28, von der übrigen Schaltung ferngehalten wird. Die Restladung
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der Kondensatoren 28, 30 fließt als Leckstrom über die Widerstände 56 und 58 ab. Der Kondensator 46 wird über den Widerstand 6o entladen, wonach sich an den Gate-Source-Strecken der Transistoren 48, 50 eine Spannung von O Volt einstellt, die diese Transistoren sperrt, so daß zwischen den Ausgangsanschlüssen 52, 54 ein hoher Widerstand liegt.
Irgendwelche Fehlströ'me, die von den Ausgangsanschlüssen 52, 54 zu den Kondensatoren 28, 30 gelangen, ergeben diegleichen Spannungsverschiebungen an diesen Kondensatoren, d.h. es treten dadurch gleichphasige Signale an den Eingängen 40, 42 auf. Wie bereits erwähnt worden ist, tritt am Ausgang der exclusiven ODER-Schaltung 36 nur dann ein Signal auf, wenn zwei gegenphasige Spannungen an den Eingängen 40, 42 anstehen; diese ODER-Schaltung ist unempfindlich gegen gleichphasige Eingangsspannungen. Somit ist ersichtlich, daß die an den Ausgangsanschlüssen 52, 54 auftretende hohe Spannung keinen Einfluß auf die Arbeitsweise des elektronischen Relais hat, das nur dann eingeschaltet wird, wenn die Spannungen an den Eingängen 40, 42 gegenphasig sind. Die richtige Arbeitsweise des elektronischen Relais wird solange gewährleistet, wie die hohe Spannung an den Ausgangsanschlussen 52, 54 nicht die Durchbruchsspannungswerte für die Transistoren 48, 50 und der Kondensatoren 28, 30 übersteigt. Diese Durchbruchsspannung kann bei 400 bis 500 V liegen. Da alle aktiven Elemente durch MOS-Transistoren gebildet werden können, die in bekannter Herstellungstechnik gefertigt werden können, beispielsweise durch die üblichen dielektrischen Isolationsprozesse, kann die ganze Schaltungsanordnung auf einem einzigen Chip hergestellt werden. Auf diese Weise kann an den Ausgangsanschlüssen 52, 54 eine erdfrei geschaltete Gleichspannung erreicht werden.
Das Anwendungsbeispiel in Fig.2 zeigt eine erdfreie, galvanisch entkoppelte Brückenschaltung 100, die zur Anschaltung eines
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Signalgenerators an eine Fernsprechteilnehmerleitungsanschlußschaltung an eine Teilnehmerleitung 102, 104 dient. Es liegt hier ein sogenannter programmierbarer Signalgenerator vor. In der weiter nicht dargestellten Teilnehmeranschlußschaltung erscheinen ankommende analoge Signale auf den Sprechadern 102, 104; diese werden erkannt, digitalisiert und von einem Mikroprozessorjverarbeitet, der aus der digitalisierten Spannung ein moduliertes Steuersignal ableitet, das dann zum programmierbaren Signalgenerator zurückgekoppelt wird. Das rückgekoppelte Signal führt zur Erzeugung verschiedener Signale, beispielsweise zur Erzeugung der Rufspannung. Zu diesem Zweck muß der Signalgenerator von der übrigen Teilnehmeranschlußschaltung galvanisch entkoppelt werden, und zwar mit Hilfe einesjTransformators 106, der einen Ferritkern aufweist. Da die Größe des von dem programmierbaren Signalgenerator erzeugten Signals von Eingangssteuersignalen abhängig 1st, die vom Mikroprozessor P stammen, wird der Signalgenerator als programmierbar bezeichnet.
Die Primärwicklung 108 des Transformators I06 liegt mit der Arbeitsstrecke eines Transistors 110 in Reihe an einer Gleichspannungsquelle Vcc. Die Sekundärwicklung II8 dieses Transformators ist über eine Diode 114 mit einem Kondensator 116 verbunden, der an den Eingang der aus vier elektronischen Relais S^ bis S5 gebildeten Brückenschaltung angeschlossen ist. Der Steuerelektrode s des Transistors 110 wird vom Mikroprozessor P eine Wechselspannung mit veränderlicher Impulslänge in der Größenordnung von 50 bis 100 kHz zugeführt; die verstärkte Wechselspannung dient zur Erzeugung einer festen Gleichspannung an den Sprechadern 102, 104. Die Impulslänge der an die Steuerelektrode des Transistors 110 angelegten Wechselspannung wird durch den Mikroprozessor P gemäß den an den Sprechadern 102, 104 erkannten Laständerungen verändert; auf diese Weise wird beispielsweise dem Abheben des Handapparats Rechnung getragen.
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Außer der Brückenschaltung S3 bis S6 sind noch zwei elektronische Relais Sl, S2 vorhanden. Jedes Relais Sl bis S6 wird durch ein Relais gemäß der Pig.l gebildet, wobei die vom Mikroprozessor herkommenden Steuerleitungen (Fig.2) mit den Fremd-Steueranschlüssen fs (Fig.l) dieser Relais verbunden sind.
Die Relais Sl, S2 werden zur Erdung der Leitungsadern 102, benutzt, wie es für Prüfzwecke erforderlich ist; die zwischen der Brückenschaltung S3 bis 36 und der Leitungsader 104 liegende Induktivität 112 vermeidet einen wechselstrommäßigen Kurz-Schluß der Leitungsadern 102, 104 über den relativ niederohmigen Ausgangswiderstand des Signalgenerators.
Die Primärwicklung 108 speichert Energie gemäß der Beziehung E = 1/2 L i . Wenn der Transistor 110 sich im leitenden Zustand befindet, dann befindet sich die Diode 114 im Sperrzustand. Befindet sich der Transistor 110 im Sperrzustand, so befindet sich die Diode 114 im leitenden Zustand, wobei der Kondensator 116 durch die in der Primärwicklung gespeicherte und zur Sekundärwicklung übertragene Energie geladen wird. Diese Energieübertragung wird durch den Transistor 110 gesteuert, und zwar aufgrund des an seiner Steuerelektrode s wirksamen, impulslängenmodulierten Signals.
Die elektronischen Relais Sj5 bis S6, die VMOS-Transistoren aufweisen können, werden von Trenntransformatoren des Mikroprozessors gesteuert, denen Schaltimpulse zugeführt werden. Mit Hilfe dieser Schaltsignale wird mittels des durch die Diode Il4 gleichgerichteten Signals und der Relais S3 bis S6 ein Wechselstromsignal erzeugt. Wenn die Relais S3 und S4 eingeschaltet sind, sind Die Relais S5 und So ausgeschaltet und umgekehrt. Wenn die Relais S3 und S4 eingeschaltet sind, gelangt negatives Potential vom Kondensator 116 zur Leitungsader 102 und positives Potential zur Leitungsader 104. Es ist wichtig, die Erdfreiheit und die galvanische Entkopplung dieser Relais aufrecht zu erhalten.
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Claims (10)

  1. Patentanwalt
    Stuttgart-Feuerbach
    Kurze Str. 8
    J.Pernyeszi-2
    INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORK
    Patentansprüche
    (Ϊ/ Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais, dessen Eingang und Ausgang galvanisch entkoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß eine logische Eingangsschaltung (20) zur steuerbaren Anschaltung einer Eingangswechselspannung mit vorbestimmter Frequenz (5 MHz) an ihren Ausgang vorgesehen ist, daß eine zweite Schaltung (28, 30, 32) vorgesehen ist, die die am Ausgang der Eingangsschaltung (20) auftretende Wechselspannung mit zwei Eingängen einer dritten Schaltung (36) kapazitiv derart koppelt, daß die Wechselspannungen an diesen Eingängen entgegengesetzte Phasenlage aufweisen, daß ferner die dritte Schaltung (jj6) derart ausgebildet ist, daß an ihrem Ausgang nur dann ein Signal auftritt, wenn ihren beiden Eingängen gegenphasige Wechselspannungen zugeführt werden, und daß ein elektronischer Schalter (48, 50) vorgesehen ist, dessen Steuerkreis mit dem Ausgang der dritten Schaltung (36) verbunden ist und dessen Schaltstrecke hohe Durchbruchsspannungswerte und niedrige Durchlaßwiderstandswerte aufweist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die logische Eingangsschaltung (20) durch eine NAND-Schaltung mit zwei Eingängen (5 MHz, 24) gebildet ist, von denen dem einen Eingang die Eingangswechselspannung zugeführt ist und dem anderen Eingang ein Steuerpotential (Erde, +15 V, fs) zuführbar ist.
    cs/pi-Krü 909835/0 5 03
    20.II.78
    ORIGINAL INSPECTHD
    J.Pernyeszi-2
  3. 3· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schaltung (28, 30, 32) einen ersten, zwischen dem Ausgang der Eingangsschaltung und dem einen Eingang (40) der dritten Schaltung (36) angeordneten Kondensator (28), einen mit seinem Eingang an den Ausgang der Eingangsschaltung (20) angeschlossenen Inverter (32) und einen zweiten, zwischen dem Ausgang des Inverters und dem anderen Eingang (42) der dritten Schaltung (36) angeordneten Kondensator (30) aufweist.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schaltung ferner eine Dioden-Brückenschaltung (34) aufweist, die eingangsseitig mit den zwei Eingängen und ausgangsseitig mit den Speiseeingängen der dritten Schaltung (36) verbunden sind.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schaltung (36) durch eine exclusive ODER-Schaltung gebildet ist.
  6. 6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der steuerbare elektronische Schal ter (48, 50) durch zwei in Reihe liegende Schalttransistoren gebildet ist, die parallel gesteuert werden.
  7. 7· Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalttransistoren (48, 50) MOS-Transistoren sind.
  8. 8. Schaltungsordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Transistoren VMOS-Transistoren sind.
  9. 9· Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsschaltung (20), die zweite Schaltung (28, 30, 32), die dritte Schaltung (36) und der
    909835/0502 V-
    J. Pernyeszi-2
    elektronische Schalter (48, 50) auf einem einzelnen Silizium-Chip integriert sind.
  10. 10. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9> gekennzeichnet durch ihre Anwendung in Fernspreehteilnehmerleitungsanschlußschaltungen in der Weise, daß mittels mehrerer solcher elektronischer Relais (S3 bis S6) der Ausgang eines Signalgenerators (100) mit der Teilnehmerleitung (102, 104) verbindbar ist.
    9098-35/ÖS 03
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JP (1) JPS5917899B2 (de)
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GB (1) GB2015285B (de)
GR (1) GR66639B (de)
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HU (1) HU182966B (de)
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IT (1) IT1192695B (de)
MX (1) MX146155A (de)
NL (1) NL7901339A (de)
NO (1) NO152395C (de)
NZ (1) NZ189635A (de)
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PT (1) PT69277A (de)
RO (1) RO80667A2 (de)
SE (1) SE441559B (de)
SG (1) SG41683G (de)
SU (1) SU1302427A3 (de)
TR (1) TR21272A (de)
YU (1) YU41332B (de)
ZA (1) ZA79759B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0089241A1 (de) * 1982-03-16 1983-09-21 Fanuc Ltd. Nichtpolarisiertes, kontaktloses Relais
EP0142128A1 (de) * 1983-11-11 1985-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Ableitung von Überspannungen
US4564768A (en) * 1982-04-27 1986-01-14 Fanuc Ltd. Contactless relay
DE102009017543A1 (de) * 2009-04-17 2010-10-21 Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh Schalter

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE35836E (en) * 1979-08-09 1998-07-07 C. P. Clare Corporation Solid state optically coupled electrical power switch
GB2102230A (en) * 1981-07-16 1983-01-26 Plessey Co Ltd A pulse drive circuit
JPS58107629U (ja) * 1982-01-18 1983-07-22 株式会社チノ− スイツチ駆動回路
JPS58107634U (ja) * 1982-01-19 1983-07-22 株式会社チノ− スイツチ駆動回路
JPS58139741U (ja) * 1982-03-16 1983-09-20 ファナック株式会社 無接点リレ−
JPS58139742U (ja) * 1982-03-16 1983-09-20 ファナック株式会社 無極性無接点リレ−
MX152678A (es) * 1982-04-07 1985-10-07 Int Standard Electric Corp Mejoras en circuito para un relevador electronico integrable de estado solido
US4454430A (en) * 1982-05-19 1984-06-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Universal control grid modulator
US4485342A (en) * 1982-07-27 1984-11-27 General Electric Company Load driving circuitry with load current sensing
BE897772A (fr) * 1983-09-19 1984-03-19 Itt Ind Belgium Contacts electroniques et dispositifs associes
AR241360A1 (es) * 1986-06-30 1992-05-29 Siemens Ag Disposicion de circuito para desconectar los hilos de una linea de conexion de abonado de una red telefonica digital tiempo-multiplex con respecto a un circuito de alimentacion.
US4809324A (en) * 1987-07-27 1989-02-28 Siemens Transmission Systems, Inc. Subscriber line interface circuit (SLIC) isolation from lighting-induced ground overshoots
JPH04229715A (ja) * 1990-11-15 1992-08-19 Toshiba Corp 双方向スイッチ回路
US5178140A (en) * 1991-09-05 1993-01-12 Telectronics Pacing Systems, Inc. Implantable medical devices employing capacitive control of high voltage switches
US20030016070A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-23 Wenhua Yang Bootstrap module for multi-stage circuit
US6784500B2 (en) * 2001-08-31 2004-08-31 Analog Devices, Inc. High voltage integrated circuit amplifier
GB0130754D0 (en) * 2001-12-21 2002-02-06 Lucas Industries Ltd Switch control circuit
US6985014B2 (en) * 2002-03-01 2006-01-10 Broadcom Corporation System and method for compensating for the effects of process, voltage, and temperature variations in a circuit
US8035148B2 (en) 2005-05-17 2011-10-11 Analog Devices, Inc. Micromachined transducer integrated with a charge pump
US7737762B2 (en) * 2006-09-12 2010-06-15 Energate Inc Solid-state switch
EP2515439A1 (de) * 2011-04-18 2012-10-24 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Halbleiterschaltung mit verlässlichem Ausfallverhalten und niedriger Steuerleistung
EP2528233A1 (de) * 2011-05-24 2012-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Anschlussschaltung zum Anschließen einer Steuerschaltung an einen Halbleiterschalter
WO2014057318A1 (en) * 2012-10-10 2014-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for providing electrical isolation
US9543942B2 (en) 2013-11-22 2017-01-10 Nxp Usa, Inc. Method and apparatus for controlling an IGBT device
CN106230414B (zh) * 2016-08-29 2023-03-24 成都信息工程大学 一种基于线性光耦隔离的mosfet/igbt高速驱动电路
EP3896855B1 (de) * 2020-04-15 2024-03-20 Melexis Bulgaria Ltd. Schwimmschalter zur signalkommutierung
CN115333518B (zh) * 2022-10-14 2023-01-03 高澈科技(上海)有限公司 高压模拟集成开关电路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3657569A (en) * 1969-10-27 1972-04-18 Bose Corp The Turn on turn off feedback drive switching circuit
JPS52145A (en) * 1975-06-23 1977-01-05 Hitachi Ltd Tertiary value generator
US4052623A (en) * 1976-08-10 1977-10-04 General Electric Company Isolated semiconductor gate control circuit
US4128811A (en) * 1977-07-05 1978-12-05 General Electric Company Frequency indicating circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0089241A1 (de) * 1982-03-16 1983-09-21 Fanuc Ltd. Nichtpolarisiertes, kontaktloses Relais
US4554462A (en) * 1982-03-16 1985-11-19 Fanuc Limited Non-polarized contactless relay
US4564768A (en) * 1982-04-27 1986-01-14 Fanuc Ltd. Contactless relay
EP0142128A1 (de) * 1983-11-11 1985-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Ableitung von Überspannungen
DE102009017543A1 (de) * 2009-04-17 2010-10-21 Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh Schalter

Also Published As

Publication number Publication date
CA1121076A (en) 1982-03-30
IT1192695B (it) 1988-05-04
SU1302427A1 (ru) 1987-04-07
GB2015285A (en) 1979-09-05
FI72625C (fi) 1987-06-08
BR7901228A (pt) 1979-10-02
GR66639B (de) 1981-04-03
SE7901568L (sv) 1979-08-25
ES477965A1 (es) 1979-10-16
DD141744A5 (de) 1980-05-14
NO152395B (no) 1985-06-10
DK78879A (da) 1979-08-25
ZA79759B (en) 1980-02-27
JPS54136166A (en) 1979-10-23
AT380350B (de) 1986-05-12
PT69277A (en) 1979-03-01
CH642796A5 (de) 1984-04-30
IN152152B (de) 1983-10-29
SE441559B (sv) 1985-10-14
NO152395C (no) 1985-09-18
NO790555L (no) 1979-08-27
FR2418576A1 (fr) 1979-09-21
AU519692B2 (en) 1981-12-17
MX146155A (es) 1982-05-19
YU41332B (en) 1987-02-28
RO80667A2 (ro) 1983-02-01
YU46079A (en) 1983-04-30
JPS5917899B2 (ja) 1984-04-24
BE874390R (nl) 1979-08-23
IT7920414A0 (it) 1979-02-21
HU182966B (en) 1984-03-28
TR21272A (tr) 1984-03-15
GB2015285B (en) 1982-05-06
AU4430679A (en) 1979-08-30
FI72625B (fi) 1987-02-27
SU1302427A3 (ru) 1987-04-07
US4170740A (en) 1979-10-09
ATA136579A (de) 1985-09-15
FR2418576B1 (fr) 1985-02-01
NL7901339A (nl) 1979-08-28
PL213695A1 (pl) 1979-12-17
NZ189635A (en) 1982-06-29
FI790606A (fi) 1979-08-25
PL133016B1 (en) 1985-04-30
SG41683G (en) 1985-03-08
HK62483A (en) 1983-12-09
DE2850841C2 (de) 1982-04-29
AR224504A1 (es) 1981-12-15

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