DE2850841A1 - Schaltungsanordnung fuer ein integrierbares elektronisches relais - Google Patents
Schaltungsanordnung fuer ein integrierbares elektronisches relaisInfo
- Publication number
- DE2850841A1 DE2850841A1 DE19782850841 DE2850841A DE2850841A1 DE 2850841 A1 DE2850841 A1 DE 2850841A1 DE 19782850841 DE19782850841 DE 19782850841 DE 2850841 A DE2850841 A DE 2850841A DE 2850841 A1 DE2850841 A1 DE 2850841A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- input
- output
- arrangement according
- circuit arrangement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M3/00—Automatic or semi-automatic exchanges
- H04M3/005—Interface circuits for subscriber lines
Description
J.Pernyeszi-2
Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für ein integrierbares
elektronisches Relais, dessen Eingang und Ausgang galvanisch entkoppelt sind.
Bekannte, für hohe zu schaltende Spannungen ausgelegte elektronische
Relais, bei denen der die hohe Spannung schaltende Teil auf einer integrierten Schaltung hergestellt werden muß,
muß zwischen den elektronischen Schaltstrecken und dem Steuereingang des Relais eine galvanische Entkopplung aufweisen.
Bekanntlieh wird diese galvanische Entkopplung mittels opto-elektronischer Koppler oder Transformatoren erreicht.
Weder opto-elektronische Koppler noch Transformatoren aber
können zusammen mit dem die hohe Spannung schaltenden Teil des Relais auf einem einzigen Chip integriert angeordnet werden,
wie die bisherige MOS-Technik zeigt. Eine galvanische Entkopplung zwischen dem die hohe Spannung schaltenden Teil und
dem Steuereingang des elektronischen Relais ist sehr wichtig bei integrierter Bauweise, weil die hohe Spannung am Relaisausgang
den Eingangsteil des Relais zerstören kann oder auch ein unbeabsichtigtes Schalten des Relais bewirken kann. Diese galvanische
Entkopplung ist auch in manchen Anwendungsfällen erwünscht, beispielsweise in Teilnehmerleitungsanschlußschaltungen,
bei denen ein erdfreier Bezugspunkt im Relais erforderlich ist.
Wie bereits erwähnt wurde, müssen opto-elektronische Koppler separat hergestellt werden; sie müssen mit den übrigen Teilen
des elektronischen Relais zusammengesetzt werden. Solche optoelektronische Koppler weisen beispielsweise eine lichtemittierende
Diode und Fototransistoren auf. An die lichtemittierende Diode wird eine Eingangsspannung angelegt. Das dadurch bewirkte
Licht der Diode schaltet den Fototransistor ein , wobei eine
909835/0503
J.Pernaeszi-2
galvanische Entkopplung erreicht wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art anzugeben, bei der die Eingangsschaltung
und der die hohe Spannung schaltende Teil des elektronisehen Relais auf einem einzigen Chip integrierbar sind, ohne
daß die hohe zu schaltende Spannung das Relais zerstören oder ein Fehlschalten des Relais bewirken kann.
Diese Aufgabe wird mit den im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmalen
gelöst. Die Erfindung kann vorzugsweise bei der MOS-Technik angewendet werden, die mit den bekannten dielektrischen
Isolationsprozessen arbeitet. Besonders vorteilhaft ist die Herstellung des Relais in VMOS-Technik, die an sich bekannt
ist. Das Relais kann jedoch auch als.großintegrierte Schaltung
hergestellt werden. Mit Vorteil läßt sich das elektronische Relais gemäß der Erfindung auch in Fernsprechteilnehmeranschlußleitungen
anwenden.
Die Erfindung wird nun an Hand eines Ausfuhrungsbeispieles und
eines Anwendungsbeispieles näher erläutert.
Fig.l zeigt eine Schaltungsanordnung für ein hohe Spannungen
schaltendes elektronisches Relais gemäß der Erfindung, während Fig.2 eine vereinfachte Schaltungsanordnung für einen Signalgenerator vom Typ einer erdfreien , galvanisch entkoppelten
Brückenschaltung, der in einer Teilnehmerleitungsanschlußschaltung verwendet wird, darstellt.
In Fig.l ist die Gesamtheit der gestrichelt umrandeten Teile mit 10 bezeichnet. In einer logischen Eingangsschaltung 12
ist eine NAND-Schaltung 20 enthalten, derem einen Eingang
eine rechteckförmige Wechselspannung mit der Frequenz von beispielsweise
5 MHz zugeführt wird. Die verstärkte Wechselspannung
•30 gelangt in einer Treiberschaltung 14 gegenphasig über zwei
909835/0 5 03
- ^- 285084t
J.Pernyeszi-2
Kondensatoren 28, 30 auf eine exclusive ODER-Schaltung 36,
die einen die hohe Spannung schaltenden Teil 16 des elektronischen Relais steuert. Die Koppelkondensatoren 28, 30 können beispielsweise
eine Kapazität von 10 pP und eine Zeitkonstante
-4
von 10 see haben. Die Eingangsschaltung 12, die Treiberschaltung
14 und der Teil 16 können auf einem einzigen Silizium-Chip angeordnet werden, dem eingangsseitig ein Steuerpotential
mittels eines Schalters l8 zuführbar ist. Zu diesem Zweck ist
24
der eine Eingang der NAND-Schaltung 20 mit dem Schalter l8 verbunden. In der Aus-Stellung wird Erdpotential an den Eingang gelegt. In der Einstellung gelangt ein Potential von +15 V an den Eingang 24, welches bewirkt, daß die Wechselspannung mit der Frequenz von 5MHz verstärkt am Ausgang der NAND-Schaltung 20 erscheint. In der Stellung fs des Schalters l8 wird ein Fremdpotential an den Eingang 24 angelegt. Dieses Fremdpotential kann ein Wechselpotential mit einer Frequenz von 100 Hz sein. Im Aus-Zustand des Schalters l8 wird die NAND-Schaltung 20 gesperrt, so daß an ihrem Ausgang nicht die Wechselspannung mit der Frequenz von 5 MHz auftritt.
der eine Eingang der NAND-Schaltung 20 mit dem Schalter l8 verbunden. In der Aus-Stellung wird Erdpotential an den Eingang gelegt. In der Einstellung gelangt ein Potential von +15 V an den Eingang 24, welches bewirkt, daß die Wechselspannung mit der Frequenz von 5MHz verstärkt am Ausgang der NAND-Schaltung 20 erscheint. In der Stellung fs des Schalters l8 wird ein Fremdpotential an den Eingang 24 angelegt. Dieses Fremdpotential kann ein Wechselpotential mit einer Frequenz von 100 Hz sein. Im Aus-Zustand des Schalters l8 wird die NAND-Schaltung 20 gesperrt, so daß an ihrem Ausgang nicht die Wechselspannung mit der Frequenz von 5 MHz auftritt.
Der Ausgang der NAND-Schaltung 20 ist einerseits über den Koppelkondensator
28 mit dem einen Eingang 40 der ODER-Schaltung 36 und andererseits mit dem Eingang eines Inverters 32 verbunden.
Der Ausgang des Inverters 32 ist über den Kondensator 30 mit
dem anderen Eingang 42 der ODER-Schaltung 36 gekoppelt. Die
NAND-Schaltung 20 und der Inverter 32 erhalten ein Speisepotential von +15 ''J von einer Gleichspannungsquelle 22. Aufgrund des
Zwischenschaltens des Inverters 32 sind die Wechselspannungen
an den Eingängen 40 und 42 gegenphasig. Die Kondensatoren 28, 30 dienen zur galvanischen Entkopplung. Mit den Eingängen 40,
ist der Eingang einer Dioden-Brückenschaltung 3^ verbunden,
die aus vier Dioden besteht und die ausgangsseitig mit dem Speiseeingang der ODER-Schaltung 36 verbunden ist. Dem Speiseeingang
der ODER-Schaltung 36 ist ein Kondensator 38 zur Glättung
909835/0 5 03
J.Pernyeszi-2
parallelgeschaltet. Die ODER-Schaltung 36 erhalt ihre Speisung
also von der Batterie 22 über die Koppelkondensatoren 28, 30 und die Dioden-Brückenschaltung 3^· Zwischen dem Fußpunkt des
Speiseeingangs der ODER-Schaltung 36 und den Eingängen 40,
liegt jeweils ein Widerstand 56 bzw. 58. Der Ausgang der ODER-Schaltung
36 ist über eine Diode 44 mit den Gate-Elektroden zweier MOS-Transistoren 48, 50 verbunden, während der Fußpunkt
des Speiseeingangs der ODER-Schaltung 36 mit den Source- Elektroden
dieser Transistoren ist. Den Steuerstrecken dieser Transistoren
liegen ein Kondensator 46 und ein 'Widerstand 60 parallel. Die Schaltstrecken der Transistoren 48, 50 liegen in Reihe an
Ausgansanschlüssen 52 und 54.
Eine Gleichspannung wird an den Gate-Elektroden der Transistoren 48, 50 auf fogende Weise erzeugt: Der Ausgang der ODER-Schaltung
36 führt nur dann hohes Potential, wenn die zwei Eingänge 40
und 42 gegenphasige Spannungen erhalten, d.h. wenn der eine Eingang ein hohes und der andere Eingang ein niedriges Potential
aufweist. Wenn der Ausgang der ODER-Schaltung 36 ein hohes Potential aufweist, dann gelangt dieses hohe Potential- über die
Diode 44 zum Kondensator 46, der geladen wird. Aufgrund der Spannung des Kondensators 46 werden die Transistoren 48, 50
eingeschaltet. Dadurch wird ein niederohmiger Weg zwischen den
Ausgangsanschlüssen 52 und 54 hergestellt. Die Transistoren
48, 50 können als VMOS-Transistoren ausgebildet sein und beispielsweise
eine Durchbruchsspannung von 90 V aufweisen.
Durch Änderung der Transistorparameter kann die Durchbruchsspannung
aber auch auf 400.bis 500 V erhöht werden.
Die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung nach Fig.l wird nun
im folgenden erläutert. Vorausgesetzt sei zunächst, daß der Schalter 18 in der gezeigten Stellung ist. Für diesen Fall
tritt am Ausgang der NAND-Schaltung 20 eine dauernde Gleichspannung
von 15 V auf, die durch die Koppelkondensatoren 28, von der übrigen Schaltung ferngehalten wird. Die Restladung
909835/05 03 "A
Pernyeszi-2
der Kondensatoren 28, 30 fließt als Leckstrom über die Widerstände
56 und 58 ab. Der Kondensator 46 wird über den Widerstand
6o entladen, wonach sich an den Gate-Source-Strecken
der Transistoren 48, 50 eine Spannung von O Volt einstellt,
die diese Transistoren sperrt, so daß zwischen den Ausgangsanschlüssen 52, 54 ein hoher Widerstand liegt.
Irgendwelche Fehlströ'me, die von den Ausgangsanschlüssen 52, 54
zu den Kondensatoren 28, 30 gelangen, ergeben diegleichen
Spannungsverschiebungen an diesen Kondensatoren, d.h. es treten
dadurch gleichphasige Signale an den Eingängen 40, 42 auf. Wie bereits erwähnt worden ist, tritt am Ausgang der exclusiven
ODER-Schaltung 36 nur dann ein Signal auf, wenn zwei gegenphasige
Spannungen an den Eingängen 40, 42 anstehen; diese ODER-Schaltung ist unempfindlich gegen gleichphasige Eingangsspannungen.
Somit ist ersichtlich, daß die an den Ausgangsanschlüssen 52, 54 auftretende hohe Spannung keinen Einfluß auf
die Arbeitsweise des elektronischen Relais hat, das nur dann eingeschaltet wird, wenn die Spannungen an den Eingängen 40, 42
gegenphasig sind. Die richtige Arbeitsweise des elektronischen Relais wird solange gewährleistet, wie die hohe Spannung an den
Ausgangsanschlussen 52, 54 nicht die Durchbruchsspannungswerte
für die Transistoren 48, 50 und der Kondensatoren 28, 30 übersteigt.
Diese Durchbruchsspannung kann bei 400 bis 500 V liegen. Da alle aktiven Elemente durch MOS-Transistoren gebildet werden
können, die in bekannter Herstellungstechnik gefertigt werden können, beispielsweise durch die üblichen dielektrischen Isolationsprozesse,
kann die ganze Schaltungsanordnung auf einem einzigen Chip hergestellt werden. Auf diese Weise kann an den
Ausgangsanschlüssen 52, 54 eine erdfrei geschaltete Gleichspannung
erreicht werden.
Das Anwendungsbeispiel in Fig.2 zeigt eine erdfreie, galvanisch
entkoppelte Brückenschaltung 100, die zur Anschaltung eines
-A 909835/0 5 03
J.Pernyeszi-2
Signalgenerators an eine Fernsprechteilnehmerleitungsanschlußschaltung
an eine Teilnehmerleitung 102, 104 dient. Es liegt hier ein sogenannter programmierbarer Signalgenerator vor.
In der weiter nicht dargestellten Teilnehmeranschlußschaltung erscheinen ankommende analoge Signale auf den Sprechadern 102,
104; diese werden erkannt, digitalisiert und von einem Mikroprozessorjverarbeitet,
der aus der digitalisierten Spannung ein moduliertes Steuersignal ableitet, das dann zum programmierbaren
Signalgenerator zurückgekoppelt wird. Das rückgekoppelte Signal führt zur Erzeugung verschiedener Signale, beispielsweise
zur Erzeugung der Rufspannung. Zu diesem Zweck muß der
Signalgenerator von der übrigen Teilnehmeranschlußschaltung
galvanisch entkoppelt werden, und zwar mit Hilfe einesjTransformators
106, der einen Ferritkern aufweist. Da die Größe des von dem programmierbaren Signalgenerator erzeugten Signals von
Eingangssteuersignalen abhängig 1st, die vom Mikroprozessor P stammen, wird der Signalgenerator als programmierbar bezeichnet.
Die Primärwicklung 108 des Transformators I06 liegt mit der
Arbeitsstrecke eines Transistors 110 in Reihe an einer Gleichspannungsquelle
Vcc. Die Sekundärwicklung II8 dieses Transformators ist über eine Diode 114 mit einem Kondensator 116 verbunden,
der an den Eingang der aus vier elektronischen Relais S^ bis S5 gebildeten Brückenschaltung angeschlossen ist. Der
Steuerelektrode s des Transistors 110 wird vom Mikroprozessor P eine Wechselspannung mit veränderlicher Impulslänge in der Größenordnung
von 50 bis 100 kHz zugeführt; die verstärkte Wechselspannung
dient zur Erzeugung einer festen Gleichspannung an den Sprechadern 102, 104. Die Impulslänge der an die Steuerelektrode
des Transistors 110 angelegten Wechselspannung wird durch den Mikroprozessor P gemäß den an den Sprechadern 102,
104 erkannten Laständerungen verändert; auf diese Weise wird
beispielsweise dem Abheben des Handapparats Rechnung getragen.
909835/0503
J.Pernyeszi-2
Außer der Brückenschaltung S3 bis S6 sind noch zwei elektronische
Relais Sl, S2 vorhanden. Jedes Relais Sl bis S6 wird durch ein Relais gemäß der Pig.l gebildet, wobei die vom Mikroprozessor
herkommenden Steuerleitungen (Fig.2) mit den Fremd-Steueranschlüssen
fs (Fig.l) dieser Relais verbunden sind.
Die Relais Sl, S2 werden zur Erdung der Leitungsadern 102,
benutzt, wie es für Prüfzwecke erforderlich ist; die zwischen
der Brückenschaltung S3 bis 36 und der Leitungsader 104 liegende
Induktivität 112 vermeidet einen wechselstrommäßigen Kurz-Schluß
der Leitungsadern 102, 104 über den relativ niederohmigen Ausgangswiderstand des Signalgenerators.
Die Primärwicklung 108 speichert Energie gemäß der Beziehung E = 1/2 L i . Wenn der Transistor 110 sich im leitenden Zustand
befindet, dann befindet sich die Diode 114 im Sperrzustand. Befindet sich der Transistor 110 im Sperrzustand, so
befindet sich die Diode 114 im leitenden Zustand, wobei der Kondensator 116 durch die in der Primärwicklung gespeicherte
und zur Sekundärwicklung übertragene Energie geladen wird. Diese Energieübertragung wird durch den Transistor 110 gesteuert,
und zwar aufgrund des an seiner Steuerelektrode s wirksamen, impulslängenmodulierten Signals.
Die elektronischen Relais Sj5 bis S6, die VMOS-Transistoren
aufweisen können, werden von Trenntransformatoren des Mikroprozessors gesteuert, denen Schaltimpulse zugeführt werden. Mit
Hilfe dieser Schaltsignale wird mittels des durch die Diode Il4 gleichgerichteten Signals und der Relais S3 bis S6 ein
Wechselstromsignal erzeugt. Wenn die Relais S3 und S4 eingeschaltet
sind, sind Die Relais S5 und So ausgeschaltet und umgekehrt. Wenn die Relais S3 und S4 eingeschaltet sind, gelangt
negatives Potential vom Kondensator 116 zur Leitungsader 102 und positives Potential zur Leitungsader 104. Es ist wichtig,
die Erdfreiheit und die galvanische Entkopplung dieser Relais aufrecht zu erhalten.
909 83 5/0 503
Leerseite
Claims (10)
- PatentanwaltStuttgart-FeuerbachKurze Str. 8J.Pernyeszi-2INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION, NEW YORKPatentansprüche(Ϊ/ Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais, dessen Eingang und Ausgang galvanisch entkoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß eine logische Eingangsschaltung (20) zur steuerbaren Anschaltung einer Eingangswechselspannung mit vorbestimmter Frequenz (5 MHz) an ihren Ausgang vorgesehen ist, daß eine zweite Schaltung (28, 30, 32) vorgesehen ist, die die am Ausgang der Eingangsschaltung (20) auftretende Wechselspannung mit zwei Eingängen einer dritten Schaltung (36) kapazitiv derart koppelt, daß die Wechselspannungen an diesen Eingängen entgegengesetzte Phasenlage aufweisen, daß ferner die dritte Schaltung (jj6) derart ausgebildet ist, daß an ihrem Ausgang nur dann ein Signal auftritt, wenn ihren beiden Eingängen gegenphasige Wechselspannungen zugeführt werden, und daß ein elektronischer Schalter (48, 50) vorgesehen ist, dessen Steuerkreis mit dem Ausgang der dritten Schaltung (36) verbunden ist und dessen Schaltstrecke hohe Durchbruchsspannungswerte und niedrige Durchlaßwiderstandswerte aufweist.
- 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die logische Eingangsschaltung (20) durch eine NAND-Schaltung mit zwei Eingängen (5 MHz, 24) gebildet ist, von denen dem einen Eingang die Eingangswechselspannung zugeführt ist und dem anderen Eingang ein Steuerpotential (Erde, +15 V, fs) zuführbar ist.cs/pi-Krü 909835/0 5 0320.II.78ORIGINAL INSPECTHDJ.Pernyeszi-2
- 3· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schaltung (28, 30, 32) einen ersten, zwischen dem Ausgang der Eingangsschaltung und dem einen Eingang (40) der dritten Schaltung (36) angeordneten Kondensator (28), einen mit seinem Eingang an den Ausgang der Eingangsschaltung (20) angeschlossenen Inverter (32) und einen zweiten, zwischen dem Ausgang des Inverters und dem anderen Eingang (42) der dritten Schaltung (36) angeordneten Kondensator (30) aufweist.
- 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schaltung ferner eine Dioden-Brückenschaltung (34) aufweist, die eingangsseitig mit den zwei Eingängen und ausgangsseitig mit den Speiseeingängen der dritten Schaltung (36) verbunden sind.
- 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Schaltung (36) durch eine exclusive ODER-Schaltung gebildet ist.
- 6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der steuerbare elektronische Schal ter (48, 50) durch zwei in Reihe liegende Schalttransistoren gebildet ist, die parallel gesteuert werden.
- 7· Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalttransistoren (48, 50) MOS-Transistoren sind.
- 8. Schaltungsordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Transistoren VMOS-Transistoren sind.
- 9· Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsschaltung (20), die zweite Schaltung (28, 30, 32), die dritte Schaltung (36) und der909835/0502 V-J. Pernyeszi-2elektronische Schalter (48, 50) auf einem einzelnen Silizium-Chip integriert sind.
- 10. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9> gekennzeichnet durch ihre Anwendung in Fernspreehteilnehmerleitungsanschlußschaltungen in der Weise, daß mittels mehrerer solcher elektronischer Relais (S3 bis S6) der Ausgang eines Signalgenerators (100) mit der Teilnehmerleitung (102, 104) verbindbar ist.9098-35/ÖS 03
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/880,833 US4170740A (en) | 1978-02-24 | 1978-02-24 | High voltage switch and capacitive drive |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2850841A1 true DE2850841A1 (de) | 1979-08-30 |
DE2850841C2 DE2850841C2 (de) | 1982-04-29 |
Family
ID=25377205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2850841A Expired DE2850841C2 (de) | 1978-02-24 | 1978-11-24 | Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais |
Country Status (34)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4170740A (de) |
JP (1) | JPS5917899B2 (de) |
AR (1) | AR224504A1 (de) |
AT (1) | AT380350B (de) |
AU (1) | AU519692B2 (de) |
BE (1) | BE874390R (de) |
BR (1) | BR7901228A (de) |
CA (1) | CA1121076A (de) |
CH (1) | CH642796A5 (de) |
DD (1) | DD141744A5 (de) |
DE (1) | DE2850841C2 (de) |
DK (1) | DK78879A (de) |
ES (1) | ES477965A1 (de) |
FI (1) | FI72625C (de) |
FR (1) | FR2418576B1 (de) |
GB (1) | GB2015285B (de) |
GR (1) | GR66639B (de) |
HK (1) | HK62483A (de) |
HU (1) | HU182966B (de) |
IN (1) | IN152152B (de) |
IT (1) | IT1192695B (de) |
MX (1) | MX146155A (de) |
NL (1) | NL7901339A (de) |
NO (1) | NO152395C (de) |
NZ (1) | NZ189635A (de) |
PL (1) | PL133016B1 (de) |
PT (1) | PT69277A (de) |
RO (1) | RO80667A2 (de) |
SE (1) | SE441559B (de) |
SG (1) | SG41683G (de) |
SU (1) | SU1302427A3 (de) |
TR (1) | TR21272A (de) |
YU (1) | YU41332B (de) |
ZA (1) | ZA79759B (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0089241A1 (de) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Fanuc Ltd. | Nichtpolarisiertes, kontaktloses Relais |
EP0142128A1 (de) * | 1983-11-11 | 1985-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zur Ableitung von Überspannungen |
US4564768A (en) * | 1982-04-27 | 1986-01-14 | Fanuc Ltd. | Contactless relay |
DE102009017543A1 (de) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh | Schalter |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE35836E (en) * | 1979-08-09 | 1998-07-07 | C. P. Clare Corporation | Solid state optically coupled electrical power switch |
GB2102230A (en) * | 1981-07-16 | 1983-01-26 | Plessey Co Ltd | A pulse drive circuit |
JPS58107629U (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | 株式会社チノ− | スイツチ駆動回路 |
JPS58107634U (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-22 | 株式会社チノ− | スイツチ駆動回路 |
JPS58139741U (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | ファナック株式会社 | 無接点リレ− |
JPS58139742U (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | ファナック株式会社 | 無極性無接点リレ− |
MX152678A (es) * | 1982-04-07 | 1985-10-07 | Int Standard Electric Corp | Mejoras en circuito para un relevador electronico integrable de estado solido |
US4454430A (en) * | 1982-05-19 | 1984-06-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Universal control grid modulator |
US4485342A (en) * | 1982-07-27 | 1984-11-27 | General Electric Company | Load driving circuitry with load current sensing |
BE897772A (fr) * | 1983-09-19 | 1984-03-19 | Itt Ind Belgium | Contacts electroniques et dispositifs associes |
AR241360A1 (es) * | 1986-06-30 | 1992-05-29 | Siemens Ag | Disposicion de circuito para desconectar los hilos de una linea de conexion de abonado de una red telefonica digital tiempo-multiplex con respecto a un circuito de alimentacion. |
US4809324A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-28 | Siemens Transmission Systems, Inc. | Subscriber line interface circuit (SLIC) isolation from lighting-induced ground overshoots |
JPH04229715A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-08-19 | Toshiba Corp | 双方向スイッチ回路 |
US5178140A (en) * | 1991-09-05 | 1993-01-12 | Telectronics Pacing Systems, Inc. | Implantable medical devices employing capacitive control of high voltage switches |
US20030016070A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-23 | Wenhua Yang | Bootstrap module for multi-stage circuit |
US6784500B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-08-31 | Analog Devices, Inc. | High voltage integrated circuit amplifier |
GB0130754D0 (en) * | 2001-12-21 | 2002-02-06 | Lucas Industries Ltd | Switch control circuit |
US6985014B2 (en) * | 2002-03-01 | 2006-01-10 | Broadcom Corporation | System and method for compensating for the effects of process, voltage, and temperature variations in a circuit |
US8035148B2 (en) | 2005-05-17 | 2011-10-11 | Analog Devices, Inc. | Micromachined transducer integrated with a charge pump |
US7737762B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-06-15 | Energate Inc | Solid-state switch |
EP2515439A1 (de) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Halbleiterschaltung mit verlässlichem Ausfallverhalten und niedriger Steuerleistung |
EP2528233A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Anschlussschaltung zum Anschließen einer Steuerschaltung an einen Halbleiterschalter |
WO2014057318A1 (en) * | 2012-10-10 | 2014-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for providing electrical isolation |
US9543942B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-01-10 | Nxp Usa, Inc. | Method and apparatus for controlling an IGBT device |
CN106230414B (zh) * | 2016-08-29 | 2023-03-24 | 成都信息工程大学 | 一种基于线性光耦隔离的mosfet/igbt高速驱动电路 |
EP3896855B1 (de) * | 2020-04-15 | 2024-03-20 | Melexis Bulgaria Ltd. | Schwimmschalter zur signalkommutierung |
CN115333518B (zh) * | 2022-10-14 | 2023-01-03 | 高澈科技(上海)有限公司 | 高压模拟集成开关电路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3657569A (en) * | 1969-10-27 | 1972-04-18 | Bose Corp The | Turn on turn off feedback drive switching circuit |
JPS52145A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Hitachi Ltd | Tertiary value generator |
US4052623A (en) * | 1976-08-10 | 1977-10-04 | General Electric Company | Isolated semiconductor gate control circuit |
US4128811A (en) * | 1977-07-05 | 1978-12-05 | General Electric Company | Frequency indicating circuit |
-
1978
- 1978-02-24 US US05/880,833 patent/US4170740A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-11-24 DE DE2850841A patent/DE2850841C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-02-13 GB GB7905110A patent/GB2015285B/en not_active Expired
- 1979-02-13 NZ NZ189635A patent/NZ189635A/xx unknown
- 1979-02-16 AR AR275539A patent/AR224504A1/es active
- 1979-02-16 ZA ZA79759A patent/ZA79759B/xx unknown
- 1979-02-16 AU AU44306/79A patent/AU519692B2/en not_active Ceased
- 1979-02-20 NO NO790555A patent/NO152395C/no unknown
- 1979-02-21 FR FR7904350A patent/FR2418576B1/fr not_active Expired
- 1979-02-21 NL NL7901339A patent/NL7901339A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-02-21 IT IT20414/79A patent/IT1192695B/it active
- 1979-02-22 HU HU79IE868A patent/HU182966B/hu unknown
- 1979-02-22 FI FI790606A patent/FI72625C/fi not_active IP Right Cessation
- 1979-02-22 ES ES477965A patent/ES477965A1/es not_active Expired
- 1979-02-22 AT AT0136579A patent/AT380350B/de not_active IP Right Cessation
- 1979-02-22 RO RO7996700A patent/RO80667A2/ro unknown
- 1979-02-22 GR GR58440A patent/GR66639B/el unknown
- 1979-02-22 SE SE7901568A patent/SE441559B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-02-22 DD DD79211180A patent/DD141744A5/de unknown
- 1979-02-23 YU YU460/79A patent/YU41332B/xx unknown
- 1979-02-23 DK DK78879A patent/DK78879A/da not_active Application Discontinuation
- 1979-02-23 CH CH180979A patent/CH642796A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-02-23 MX MX176711A patent/MX146155A/es unknown
- 1979-02-23 JP JP54020613A patent/JPS5917899B2/ja not_active Expired
- 1979-02-23 BE BE0/193691A patent/BE874390R/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-02-23 TR TR21272A patent/TR21272A/xx unknown
- 1979-02-23 BR BR7901228A patent/BR7901228A/pt unknown
- 1979-02-23 SU SU2733194A patent/SU1302427A3/ru active
- 1979-02-23 PT PT69277A patent/PT69277A/pt unknown
- 1979-02-23 CA CA000322135A patent/CA1121076A/en not_active Expired
- 1979-02-24 PL PL1979213695A patent/PL133016B1/pl unknown
- 1979-03-22 IN IN281/CAL/79A patent/IN152152B/en unknown
-
1983
- 1983-07-16 SG SG416/83A patent/SG41683G/en unknown
- 1983-12-01 HK HK624/83A patent/HK62483A/xx unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NICHTS-ERMITTELT * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0089241A1 (de) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Fanuc Ltd. | Nichtpolarisiertes, kontaktloses Relais |
US4554462A (en) * | 1982-03-16 | 1985-11-19 | Fanuc Limited | Non-polarized contactless relay |
US4564768A (en) * | 1982-04-27 | 1986-01-14 | Fanuc Ltd. | Contactless relay |
EP0142128A1 (de) * | 1983-11-11 | 1985-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zur Ableitung von Überspannungen |
DE102009017543A1 (de) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Dspace Digital Signal Processing And Control Engineering Gmbh | Schalter |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2850841C2 (de) | Schaltungsanordnung für ein integrierbares elektronisches Relais | |
DE2832595C2 (de) | ||
EP0525898A2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Schaltnetzteil | |
DE2810641A1 (de) | Spannungsfolge-steuerschaltung | |
EP0241976A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Gleichspannung aus einer sinusförmigen Eingangsspannung | |
EP0464240A1 (de) | Schaltungsanordnung für ein freischwingendes Sperrwandler-Schaltnetzteil | |
EP0019813A1 (de) | Elektronischer Sensor-Ein/Aus-Schalter | |
DE2263867A1 (de) | Steuerschaltung fuer thyristoren | |
DE1438649A1 (de) | Umformerstromkreisanordnung | |
DE3741221C1 (de) | Anordnung zum Befreien eines Halbleiterschalters vor hoher Sperrspannungsbeanspruchung sowie Anwendung hierzu | |
DE2814904C3 (de) | Triac-Schaltungsanordnung | |
DE2221717B2 (de) | Teilnehmerschaltung für Fernsprechvermittlungsanlagen zur Zuführung des Rufstromes an die Teilnehmerstation und zur Feststellung des Schleifenzustandes | |
DE2036928A1 (de) | Ansteuerschaltung fur gesteuerte Gleich richter | |
DE2554825C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Ausgangsspannung aus einer von einer Gleichspannungsquelle gelieferten Eingangsgleichspannung abhängig von einer vorgegebenen Sollspannung | |
EP0106247B1 (de) | Fernsprechanlage | |
CH592392A5 (en) | Telephone circuit without inductances - couples microphone amplifiers output to subscriber line and consists of DC feedback transistor in series with Zener diode | |
EP0546625A1 (de) | Vorrichtung zur Übertragung von Wählimpulsen | |
DE2243140A1 (de) | Taktgeber zur erzeugung sinusfoermiger taktimpulse | |
AT374321B (de) | Ansteuerschaltung fuer einen leistungs-feldeffekttransistor | |
DE3035999A1 (de) | Schaltungsanordnung zum umsetzen eines binaeren eingangssignals in ein telegrafiersignal | |
DE3511967A1 (de) | Einrichtung zur kontrolle von elektrischen verbrauchern in kraftfahrzeugen | |
DE3208449A1 (de) | Treiberschaltung fuer einen transistor | |
DE3035274C2 (de) | ||
DE3436284A1 (de) | Schaltungsanordnung zum stoerungsfreien umpolen der speisespannung einer teilnehmeranschlussschaltung in fernsprechanlagen | |
CH675376A5 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: GRAF, G., DIPL.-ING., PAT.-ASS., 7000 STUTTGART |
|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: MORSTADT, V., DIPL.-ING., PAT.-ASS., 7800 FREIBURG |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |