Przedmiotem wynalazku jest uklad lincaryzacji charakterystyk wyjsciowych tranzystora polowego, znajdujacy zastosowanie w technice pomiarów elektrycznych, zwlaszcza jako rezystor sterowany napieciem.Z artykulu A. Bilotti, pt. „Operation of a MOS transistor as a variabk resistor", opublikowanego w czasopismie Proc. IEEE, 54/1966, s. 1093, znany jest uklad lincaryzacji charakterystyk wyjsciowych tranzy¬ stora polowego, skladajacy sie z dwóch rezystorów, przy czym jeden rezystor jest wlaczony miedzy dren a bramke tranzystora, a drugi — miedzy bramke tranzystora a jeden z zacisków wejsciowych ukladu. Drugi zacisk wejsciowy ukladu jest polaczony ze zródlem tranzystora, natomiast napieciem wyjsciowym ukladu jest napiecie na kanale dren-zródlo tranzystora polowego. Petla ujemnego sprzezenia zwrotnego, utworzona przez rezystory i laczaca dren tranzystora z wejsciem ukladu, umozliwia uzyskanie quasi-liniowych charakte¬ rystyk wyjsciowych ukladu w ograniczonym obszarze. Ograniczenie to jest powodowane skonczona wartos¬ cia rezystancji kanalu dren-zródlo tranzystora, co wplywa na ograniczenie zakresu zastosowan tranzystora polowego jako rezystora sterowanego napieciem.Istota wynalazku polega na wyposazeniu znanego ukladu we wzmacniacz operacyjny, który jest wlaczony miedzy dren tranzystora polowego a rezystory. Nieodwracajace wejscie wzmacniacza operacyjnego jest polaczone z drenem tranzystora, a wyjscie i odwracajace wejscie wzmacniacza sa polaczone z rezystorem.Uklad wedlug wynalazku eliminuje wplyw rezystancji kanalu dren-zródlo tranzystora polowego na dzialanie petli ujemnego sprzezenia zwrotnego, dzieki czemu nastepuje kilkakrotne zwiekszenie obszaru liniowosci charakterystyk wyjsciowych.Przedmiot wynalazku jest objasniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia schemat ideowy ukladu lincaryzacji charakterystyk wyjsciowych tranzystora polowego, a fig. 2— wykres bledów nieliniowosci charakterystyk wyjsciowych dla napiec wejsciowych ukladu -2 Vi -2V.Przykladowy uklad wedlug wynalazku sklada sie z operacyjnego wzmacniacza 1, ktróego wyjscie i nieodwracajace wejscie sa polaczone poprzez rezystor 2 z drugim rezystorem 3 i z bramka polowego tranzystora 4. Nieodwracajace wejscie operacyjnego wzmacniacza 1 jest polaczone z drenem polowego tranzystora 4, a zródlo tranzystora 4 jest polaczone z uziemionym punktem ukladu. Wejsciowe napiecie U jest doprowadzane miedzy drugi rezystor 3 a zródlo tranzystora 4, natomiast wyjsciowe napiecie ukladu jest napieciem U w panujacym na kanale dren-zródlo tranzystora 4. Operacyjny wzmacniacz 1 spelnia w ukladzie role transformatora rezystancji, przenoszac potencjal drenu tranzystora 4 na pierwszy rezystor 2. Przy pomijalnie malej rezystancji wyjsciowej wzmacniacza 1, w porównaniu z rezystancja pierwszego2 121*3 rezystora 2, wyjsciowe napiecie Uuswraz z wejsciowym napieciem U jest dzielone na rezystorowym dzielniku, utworzonym przez rezystory 2,3, dajac napiecie Uosna kanale bramka-zródlo, sterujace polowy tranzystor 4.W przykladowym ukladzie rezystancja rezystorów 2, 3 wynosi 10 kiloomów, wzmocnienie wzmacniacza 1 w ynasi 10s. Przy zastosowaniu tranzystora polowego 2N 3922, uzyskano bledy nieliniowosci ÓR.i charaktery¬ styk wyjsciowych ukladu, których wykres przedstawia linia ciagla na fig. 2 Linia przerywana na fig. 2 przedstawia wykres bledów nieliniowosci charakterystyk wyjsciowych znanego ukladu, w którym rezystan¬ cja petli sprzezenia zwrotnego wynosi 2 megaomy. Z wykresów tych wynika, ze bledy nieliniowosci charakte¬ ry styk wyjsciowych ukladu wedlug wynalazku sa kilkakrotnie mniejsze, a bledy niesymetrii charakterystyk sa kilkunastokrotnie mniejsze niz w ukladzie znanym.Zastrzezenie patentowe Uklad linearyzacji charakterystyk wyjsciowych tranzystora polowego, zawierajacy petle ujemnego sprzezenia zwrotnego, laczaca dren tranzystora polowego z wejsciem ukladu i zawierajaca co najmniej dwa rezystory, Twlr—y tyai, ze w petli sprzezenia zwrotnego, miedzy drenem polowego tranzystora (4) a rezystorami, jest wlaczony operacyjny wzmacniacz (1), przy czym nieodwracajace wejscie wzmacniacza (1) jest polaczone z drenem polowego tranzystora (4), a wyjscie i odwracajace wejscie wzmacniacza (1) sa polaczone z rezystorem (2).FIG { FIG 2 Pracownia Poligraficzna UP PRL. NaklaJ 120 cgz.Cena 100 zl PL