NO175946B - Underlag med et fluorforbedret tinnoksidbelegg og fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksidbelegg på et underlag - Google Patents

Underlag med et fluorforbedret tinnoksidbelegg og fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksidbelegg på et underlag Download PDF

Info

Publication number
NO175946B
NO175946B NO855142A NO855142A NO175946B NO 175946 B NO175946 B NO 175946B NO 855142 A NO855142 A NO 855142A NO 855142 A NO855142 A NO 855142A NO 175946 B NO175946 B NO 175946B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
fluorine
carrier gas
tin oxide
mixture
substrate
Prior art date
Application number
NO855142A
Other languages
English (en)
Other versions
NO175946C (no
NO855142L (no
Inventor
Georg H Lindner
Original Assignee
M & T Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US06/687,067 external-priority patent/US4590096A/en
Priority claimed from US06/797,364 external-priority patent/US4696837A/en
Application filed by M & T Chemicals Inc filed Critical M & T Chemicals Inc
Publication of NO855142L publication Critical patent/NO855142L/no
Publication of NO175946B publication Critical patent/NO175946B/no
Publication of NO175946C publication Critical patent/NO175946C/no

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2453—Coating containing SnO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

Oppfinnelsen angår et underlag belagt med et fluorforbedret tinnoksidbelegg og en forbedret fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksid-belegg.
Det er kjent at fluorforbedrede tinnoksidbelegg gir
mange forskjellige underlagsoverflater, herunder glass, kera-miske materialer, metaller og grunnstoffilamenter, egnede egenskaper. Slike belagte underlag anvendes som varmereflek-terende elementer i energigunstige vinduer og i optoelek-troniske innretninger og halvledere.
Kjemisk dampavsetning av tinnoksidbelegg er beskrevet
i litteraturen, se f.eks. US patentskriftene 3 677 814,
3 949 146, 4 130 673, 4 146 657, 4 213 594 og 4 265 974,
"Thin Solid Films" 77, 51-63 (1981), 65-66 og J. Electrochem. Soc. 122, 1144 (1975).
Den fremgangsmåte til kjemisk dampavsetning som er beskrevet i teknikkens stand, lider av en eller flere ulemper, idet prosessbetingelsene eller de anvendte blandinger eller egenskapene av de resulterende tinnoksidbelegg ikke er full-stendig tilfredsstillende for visse kommersielle anvendelser. Hvis produktet f.eks. er et energieffektivt vindu, har sukses-sen vært begrenset av den relativt høye og variable arkmotstand av de belegg som oppnås ved fremgangsmåten og av de lave avsetningshastigheter.
US patentskrift 3 949 146 beskriver kjemisk dampavsetning av tinnoksidbelegg fra dibutyltinndiacetat, bis(tri'-n-propyl)tinnoksid eller bis(tri-n-butyl)tinnoksid forbedret med antimon. Der er imidlertid ingen beskrivelse av en fremgangsmåte til fremstilling av et fluorforbedret belegg som har lav arkmotstand, og hvis motstand er uavhengig av prosess-variablene.
En kjemisk avsetningsmetode er også beskrevet i US patentskrift 4 500 567. Denne fremgangsmåte benytter en gass-blanding av monobutyltinntriklorid og et halodifluormetan som dannes fra separate gassformede strømmer av hver reaksjons-bestanddel. Den gassformede blanding blir deretter avsatt på en glassoverflate. Ved denne fremgangsmåte er imidlertid de elektriske egenskaper av belegget ikke tilstrekkelige,
og avsetningstidene er lange.
Som det vil fremgå av den ovenfor beskrevne gjennomgang av teknikkens stand, er der behov for en forbedret kjemisk dampavsetningsfremgangsmåte til fremstilling av fluorforbedrede tinnoksidbelegg, spesielt en fremgangsmåte som vil gi slike belegg med en konstant og minimal arkmotstand for et område av prosessbetingelsene.
Det er således hensiktene med den foreliggende oppfinnelse å tilveiebringe en forbedret kjemisk dampavsetningsfremgangsmåte til fremstilling av fluorforbedret tinnoksidbelegg på et underlag som har en minimal og konstant arkmotstand under forskjellige prosessbetingelser og et underlag med et fluorforbedret tinnoksidbelegg.
Disse hensikter oppnås med en fremgangsmåte og et fluorforbedret tinnoksidbelegg som er kjennetegnet ved de trekk som fremgår av kravene..
I -henhold til oppfinnelsen er der skaffet en fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret
tinnoksidbelegg på et underlag ved anvendelse av en flytende beleggblanding som inneholder et reaktivt organisk fluorholdig forbedrende middel og en organotinnforbindelse. Fremgangsmåten utføres under et fastsatt sett av prosessbetingelser, slik at det fremstilte belegg har en minimal og konstant arkmotstand som er hovedsakelig uavhengig av temperaturen. De variable ved fremgangsmåten er konsentrasjonene av bærergass, vann, organisk fluorholdig forbedringsmiddel og organotinnforbindelse i dampfasen. Disse konsentrasjoner gir en parameter M som er definert ved ligningen:
hvor
(AIR) er molkonsentrasjonen av bærergass,
(r^O) er molkonsentrasjonen av vann i bærergassen, (OFD) er molkonsentrasjonen av organisk fluorholdig forbedringsmiddel i bærergassen, og
(0) er molkonsentrasjonen av organotinnforbindelse i bærergassen.
M skal ha en verdi på 50.000 eller mindre, fortrinnsvis 20.000 eller mindre. Ved disse M-verdier har det avsatte tinnoksidbelegg en minimal og konstant arkmotstand som er hovedsakelig uavhengig av avsetningstemperaturen. Ved M-verdier som er høyere enn dem som er foreskrevet ifølge oppfinnelsen, vil arkmotstanden øke betydelig med økende M-verdi og med avsetningstemperaturen.
Den kjemiske dampavsetningsfremgangsmåte utføres under anvendelse av en flytende beleggblanding som inneholder 1-30 vektprosent av det' organiske fluorholdige forbedringsmiddel og 70-99% av organotinnforbindelsen. En foretrukket blanding består av 2-10% av det organiske fluorholdige forbedringsmiddel og 90-98 vektprosent av organotinnforbindelsen, samt eventuelt 1-10 vektprosent av et polart organisk oppløs-ningsmiddel.
I fremgangsmåten benyttes en blanding med en fordampningstemperatur på 100-400°C og avsetningstemperaturen er over 400°C og under 700°C.
Avsetningen utføres på glass for å gi et fluorforbedret
tinnoksidbelegg med en tykkelse på 180-210 nm som har en minimal og konstant arkmotstand som for et kvadratisk prøve-stykke ligger på ca. 25 ohm for M-verdier på 50.000 eller lavere, fortrinnsvis 20.000 eller lavere.
Fig. 1 er en skjematisk fremstilling av et apparat
til utførelse av en egnet kjemisk dampavsetningsprosess.
Fig. 2 er et diagram som viser arkmotstanden som funksjon av M-verdiene for tinnoksidbelegg fremstilt i henhold til fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen.
På fig. 1 er der vist skjematisk et apparat som er
egnet til utførelse av den kjemiske dampavsetningsfremgangsmåte ifølge den foreliggende oppfinnelse. En bærergass 10 som inneholder oksygen (luft foretrekkes), tilføres i utmålt mengde gjennom en tilførselsledning 11 og gjennom et luf t-tørketårn 12 for å gi en strøm 13 av tørr luft. En separat luftstrøm føres gjennom en fukter 14 som inneholder en passende mengde vann 15 til å gi en fuktig luftstrøm 16 med en ønsket relativ fuktighet. På denne måte fås der en fuktig luftstrøm 17 som føres gjennom en fordamper 18 som inneholder en beholder
19 som er fylt med en flytende beleggblanding som tilføres fordamperen 18 via en sugepumpe 20 og en sprøyte 21. Luft-strømmen oppvarmes ved hjelp av et oljebad (ikke vist) til
ønsket fordampningstemperatur.
Den fordampede væskeblanding i luftstrømmen 22 føres derpå til et avsetningskammer 23 som har en beleggdyse 24,
og hvori et underlag 25 er opplagret på en oppvarmet plate 26. Etter avsetning av det ønskede belegg blir de gassformede biprodukter i avsetningen suget ut.
Den flytende beleggblanding som benyttes ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen, inneholder: a) 1-30 vektprosent av et reaktivt organisk fluorholdig forbedringsmiddel, hvor minst ett fluoratom befinner seg i alfa- eller beta-stilling i forhold til en funksjonell gruppe som har karbon bundet til oksygen, idet forbedringsmiddelet er valgt fra karboksylsyre, anhydrid, ester, alkohol, keton, syrehalogenid eller eter, og b) 70-99 vektprosent av en organotinnforbindelse i form av: et alkyltinntriklorid, et dialkyltinn-diklorid, et alkyldiklortinnacetat, et alkyl-klordiacetat eller et estertinntriklorid eller tinntetraklorid.
Egnede reaktive organiske fluorholdige forbedringsmidler og funksjonelle grupper innbefatter således følgende for-bindelser :
Karboksylsyrer
trifluoreddiksyre
klordifluoreddiksyre
difluoreddiksyre
heptafluorsmørsyre
pentafluorpropionsyre
3-trifluormetylcrotonsyre
Anhydrider
trifluoreddiksyreanhydrid
heptafluorsmørsyreanhydrid
pentafluorpropionsyreanhydrid
klordifluoreddiksyreanhydrid
perfluorglutarsyreanhydrid
perfluorravsyreanhydrid
Estere
etyl-trifluoracetat butyl-trifluoracetat etyl-bromdifluoracetat etyl-klorfluoracetat metyl-pentafluorpropionat metyl-heptafluorbutyrat metyl-tri fluoracetat metyl-perfluorbuten-3-oat 2,2,2-trifluoretyltrifluoracetat 1.1.1- trifluorisopropylacetat Alkoholer
2.2.2- trifluoretanol 1H,1H-heptafluorbutanol-1 3,3,4,4,5,5,5-heptafluorpentanol-2 heptafluorisopropanol heksafluor-2-metylisopropanol 1H,1H,5H-oktafluor-1-pentanol perfluor-t-butanol 2- trifluormetylpropanol-2 1,1,1-trifluorpropanol-2
Ketoner
etyl-4,4,4-trifluoracetoacetat 1,1,1-trifluoracetylaceton bis(perfluorisopropyl)keton 3- brom-1,1,1-trifluorpropanon heksafluoracetylaceton pentafluoretyl-etylketon 1,1,1-trifluoraceton metyl-heptafluorpropyl-keton Syrehalogenider
heptafluorbutyryl-klorid perfluorglutaryl-fluorid perfluoroktanoyl-klorid perfluorsuccinyl-klorid Estere
2-klor-1 ,1,2-trifluoretyl-metyleter
2-klor-1,1,2-trifluoretyl-etyleter
Representative reaktive, organiske, fluorholdige forbedringsmidler innbefatter trifluoreddiksyre, trifluoreddiksyreanhydrid, etyl-trifluoracetoacetat, trifluoretanol, etyl-trifluoracetat, pentafluorpropionsyre, 2-klor-1,1,2-trifluoretyl-metyleter, 1,1,1,-trifluoracetylaceton og heptafluorbutyryl-klorid.
Typiske organotinnforbindelser omfatter monobutyltinntriklorid, dibutyltinn-diklorid, butyldiklortinn-acetat, butylklortinn-diacetat og carbetoksyetyltinn-triklorid. Tinntetraklorid kan også anvendes som tinnforbindelsen.
Ved en foretrukket utførelsesform av oppfinnelsen inneholder den flytende beleggblanding 2-10 vektprosent av den organiske fluorforbindelse og 90-98 vektprosent av organotinnforbindelsen.
Den flytende beleggblanding som anvendes ifølge oppfinnelsen, kan også innbefatte en polar organisk forbindelse i en mengde på ca. 1-10 vektprosent av blandingen, noe som vil sikre stabilitet av væskeblandingen ved lave temperaturer. Når den polare organiske væske er tilstede, vil den flytende beleggblanding inneholde 2-10 vektprosent av det organiske fluorholdige forbedringsmiddel, 80-97 vektprosent av organo-tinnf orbindelsen og 1-10 vektprosent av den polare organiske væske.
Ved en foretrukket form for oppfinnelsen er det organiske fluorholdige forbedringsmiddel trifluoreddiksyre, trifluoreddiksyreanhydrid eller etyltrifluoracetoacetat og organotinnforbindelsen monobutyltinntriklorid.
Fordampningstemperaturen ved fremgangsmåten ligger passende i området fra 100 til 400°C, fortrinnsvis 150-250°C. Underlagstemperaturen ligger i området fra 400 til 700°C, fortrinnsvis 550-650°C.
Bærergassen er en oksygenholdig gass som kan være luft eller en blanding av oksygen og en inert gass. Den er fortrinnsvis luft.
Bærergassen inneholder vanndamp ved fremgangsmåten
ifølge oppfinnelsen.
Det underlag som skal belegges, kan være glass, et keramisk materiale, faststoffer, metaller, grunnstoffilamerfter etc.
Arkmotstanden i ohm av et kvadratisk prøvestykke av tinnoksidfilmen blir målt med en konvensjonell firespiss-sonde i henhold til ASTM standardmetode F374-81.
Filmtykkelsen måles ved "beta-back-scatter"-metoden
i henhold til British Standards Institution metode BS5411:
Part 12, 1981, ISO 3543-1981.
Av fig. 2 vil det ses at parameteren M som bestemmer prosessbetingelsene ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen,
kan varieres for å gi fluorforbedrede tinnoksidbelegg med en minimal og konstant arkmotstand. For M-verdier på under 50.000 ligger arkmotstanden av belegget ved en tykkelse på
ca. 180-210 nm på 25 ohm. For M-verdier over 50.000 øker arkmotstanden raskt med økende M-verdi.
Eksempel 1 Tinnoksidbelegg fremstilt under
forhold hvor, M- verdien er under 50. 000
En flytende beleggblanding av 100 deler monobutyltinn-klorid (MBTC), 4,04 deler trifluoreddiksyre (TFA) og 1,45 deler eddiksyreanhydrid (AA) (spesifikk tyngde 1,62) ble pumpet med en hastighet på 10,5 g/h inn i en fordamper som var oppvarmet til 120°C, svarende til 0,035 mol/h av MBTC og 0,0035 mol/h av TFA. Så ble fuktig luft inneholdende 28,8 mol/h luft og 0,067 mol/h f^O ført gjennom fordamperen, og dampen ble avsatt i et tidsrom på 20 sekunder på en glassplate som var oppvarmet til 500°C. Det således fremstilte belegg hadde en tykkelse på 210 nm. Den beregnede M-verdi var 16.000.
Den målte arkmotstand av belegget var 25 ohm.
Eksempel 2
Tinnoksidbelegg fremstilt under
betingelser hvor M- verdien er over 50. 000
En flytende beleggblanding av 100 deler MBTC, 2 deler TFA og 0,72 deler AA ble pumpet inn i fordamperen med en hastighet på 10,5 g/h, svarende til 0,036 mol/h MBTC og 0,0018 mol/h TFA. Så ble fuktig luft inneholdende 27,6 mol/h luft og 1,02 mol/h t^O ført gjennom fordamperen, og den således dannede dampblanding ble avsatt på en glassplate som var oppvarmet til 500°C. På 12 sekunder ble der fremstilt et fluorforbedret tinnoksidbelegg med en tykkelse på 190 nm. Den beregnede M-verdi var 4,3-10<5>. Den målte arkmotstand
av belegget var på 239 ohm.
Eksempel 3
Under anvendelse av de fremgangsmåter som er beskrevet
i eksemplene 1 og 2/ ble små variasjoner i konsentrasjonene av MBTC, TFA, luft og vann svarende til M-verdier på over og under 50.000 utprøvet og plottet inn i diagrammet på fig. 2. Ved M-verdier på under 50.000 ble arkmotstanden målt som en hovedsakelig minimal og konstant verdi på ca. 30 ohm,
mens arkmotstanden for M-verdier på mer enn 50.000 var vesent-lig høyere og økte raskt med økende M-verdier.
De forbedrede tinnoksid-belegg som kan fremstilles ifølge oppfinnelsen ved de foreskrevne M-verdier, vil også ha en minimal og konstant arkmotstand over et stort område av avsetningstemperaturer, mens lignende belegg fremstilt ved høyere M-verdier (over 50.000) oppviser en økende arkmotstand ved økte avsetningstemperaturer.

Claims (7)

  1. ,1. Fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksidbelegg som har en minimal og konstant arkmotstand under forskjellige prosessbetingelser, på et underlag, fortrinnsvis glass, hvor (a) der dannes en flytende beleggblanding som inneholder et organisk fluorholdig forbedringsmiddel og en organotinnforbindelse, fortrinnsvis monobutyltinntriklorid, metyltinntriklorid, isobutyltinntri-klorid, dibutyltinntriklorid, di-t-butyltinndiklorid, butyldiklortinnacetat, butylklortinndiacetat eller carbetoksyetyltinntriklorid, og som inneholder (1) 1-30 vektprosent av et organisk fluorholdig forbedringsmiddel hvor minst ett fluoratom befinner seg i alfa- eller beta-stilling i -forhold til en funksjonell gruppe som har karbon bundet til oksygen, idet forbedringsmiddelet er valgt fra karboksylsyre, anhydrid, ester, alkohol, keton, syrehalogenid eller eter, og (2) 70-99 vektprosent av en organotinnforbindelse i form av et alkyltinntriklorid, et dialkyltinn-diklorid, et alkyldiklortinnacetat, et dialkyl-klortinndiacetat eller et estertinntriklorid eller tinntetraklorid, (b) den flytende beleggblanding fordampes i en våt bærergass for å danne en vandig blanding av bærergass, vann, organisk fluorholdig forbedringsmiddel og organotinnforbindelse, og (c) dampblandingen avsettes på underlaget, karakterisert ved at der benyttes slike dampkonsentrasjoner av bestanddelene at en parameter
    hvor
    (AIR) er den molare konsentrasjon av bærergass, (H2O) er den molare konsentrasjon av vann i bærergassen,
    (OFD) er den molare konsentrasjon av det organiske
    fluorholdige forbedringsmiddel i bærergassen, og (0) er den molare konsentrasjon av organotinnforbin
    delse i bærergassen,
    har en verdi på mindre enn 50.000, slik at der fås et fluorholdig tinnoksidbelegg med en minimal og konstant arkmotstand, og at der eventuelt benyttes en flytende beleggblanding som inneholder 1-10 vektprosent av en polar organisk forbindelse, fortrinnsvis eddiksyreanhydrid, etylacetat eller metylisobutyl-keton.
  2. 2. Fremgangsmåte som angitt i krav 1,
    karakterisert ved at der benyttes slike dampkonsentrasjoner at parameteren M har en verdi på 20.000 eller mindre.-
  3. 3. Fremgangsmåte <som angitt i krav 1 eller 2,
    karakterisert ved at der benyttes en flytende beleggblanding som inneholder 2-10 vektprosent av det organiske fluorholdige forbedringsmiddel og 90-98% av organotinnforbindelsen.
  4. 4. Fremgangsmåte som angitt i krav 1 eller 2,
    karakterisert ved at der benyttes en blanding som inneholder 2-10 vektprosent av det organiske fluorholdige forbedringsmiddel, 80-97 vektprosent av organotinnforbindelsen og 1-10 vektprosent av den polare organiske forbindelse.
  5. 5. Fremgangsmåte som angitt i et av de foregående krav, karakterisert ved at der benyttes en blanding
    med en fordampningstemperatur på 100-400°C-
  6. 6. Fremgangsmåte som angitt i et av de foregående krav, karakterisert ved at der benyttes en avsetningstemperatur på over 400°C og under 700°C.
  7. 7. Underlag, fortrinnsvis glass, med et fluorforbedret tinnoksidbelegg med en minimal og konstant arkmotstand under forskjellige prosessbetingelser, fremstilt ved (a) dannelse av en flytende beleggblanding som inneholder et organisk fluorholdig forbedringsmiddel og en organotinnforbindelse, (b) fordampning av den flytende beleggblanding i en våt bærergass for å danne en vandig blanding av bærergass, vann, organisk fluorholdig forbedringsmiddel og organo-tinnf orbindelse , og (c) avsetning av dampblandingen på underlaget, karakterisert ved at arkmotstanden av et kvadratisk prøvestykke av det fluorforbedrede tinnoksidbelegg er ca. 25 ohm ved en tykkelse på .. 180-210 nm, og at belegget er avsatt ved slike dampkonsentrasjoner av bestanddelene at .en-parameter
    hvor
    (AIR) er den molare konsentrasjon av bærergass,
    (H2O) er den molare konsentrasjon av vann i bærergassen, (OFD) er den molare konsentrasjon av det organiske
    fluorholdige forbedringsmiddel i bærergassen, og (0) er den molare konsentrasjon av organotinnforbin
    delse i bærergassen,
    har en verdi på mindre enn 50.000 slik at tinnoksidbelegget har en minimal og konstant arkmotstand som er hovedsakelig uavhengig av avsetningstemperaturen.
NO855142A 1984-12-28 1985-12-18 Underlag med et fluorforbedret tinnoksidbelegg og fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksidbelegg på et underlag NO175946C (no)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/687,067 US4590096A (en) 1984-12-28 1984-12-28 Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass
US74864885A 1985-06-25 1985-06-25
US06/797,364 US4696837A (en) 1985-06-25 1985-11-12 Chemical vapor deposition method of producing fluorine-doped tin oxide coatings

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO855142L NO855142L (no) 1986-06-30
NO175946B true NO175946B (no) 1994-09-26
NO175946C NO175946C (no) 1995-01-04

Family

ID=27418477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO855142A NO175946C (no) 1984-12-28 1985-12-18 Underlag med et fluorforbedret tinnoksidbelegg og fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksidbelegg på et underlag

Country Status (16)

Country Link
EP (1) EP0186481B1 (no)
CN (1) CN1005996B (no)
AU (1) AU578991B2 (no)
BR (1) BR8506465A (no)
CA (1) CA1261686A (no)
DE (1) DE3577886D1 (no)
DK (1) DK165556C (no)
ES (1) ES8704141A1 (no)
FI (1) FI79829C (no)
GR (1) GR853132B (no)
HK (1) HK87194A (no)
IE (1) IE58679B1 (no)
IL (1) IL77287A (no)
IN (1) IN164438B (no)
MX (1) MX161881A (no)
NO (1) NO175946C (no)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4880664A (en) * 1987-08-31 1989-11-14 Solarex Corporation Method of depositing textured tin oxide
US4853257A (en) * 1987-09-30 1989-08-01 Ppg Industries, Inc. Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath
EP0338417A3 (en) * 1988-04-18 1990-03-07 Ppg Industries, Inc. Haze-free infrared-reflecting coated glass
CN1029016C (zh) * 1988-08-16 1995-06-21 M&T化学股份有限公司 液体涂料组合物及其化学气相淀积法
DE3915232C2 (de) * 1989-05-10 1995-09-21 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender, IR-reflektierender fluordotierter Zinnoxidschichten auf der Oberfläche von Gegenständen aus Glas oder Keramik oder von Emailbeschichtungen und Zubereitung zum Aufbringen solcher Schichten
GB9421335D0 (en) * 1994-10-22 1994-12-07 Epichem Ltd Chemical vapour deposition
GB9515198D0 (en) * 1995-07-25 1995-09-20 Pilkington Plc A method of coating glass
US5698262A (en) 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
GB9616983D0 (en) * 1996-08-13 1996-09-25 Pilkington Plc Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass
US6121159A (en) 1997-06-19 2000-09-19 Lsi Logic Corporation Polymeric dielectric layers having low dielectric constants and improved adhesion to metal lines
CN102603207B (zh) * 2012-03-21 2014-04-16 浙江大学 在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法
CN102969104B (zh) * 2012-11-14 2016-05-18 宁波祈禧电器有限公司 一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法
CN103849844B (zh) * 2014-02-13 2016-04-13 大连七色光太阳能科技开发有限公司 用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293594A (en) * 1980-08-22 1981-10-06 Westinghouse Electric Corp. Method for forming conductive, transparent coating on a substrate
AU575141B2 (en) * 1984-04-10 1988-07-21 Atofina Chemicals, Inc. Fluorine-doped tin oxide coating

Also Published As

Publication number Publication date
IL77287A (en) 1988-12-30
EP0186481B1 (en) 1990-05-23
CN1005996B (zh) 1989-12-06
EP0186481A2 (en) 1986-07-02
CA1261686A (en) 1989-09-26
DK165556B (da) 1992-12-14
DK603885D0 (da) 1985-12-23
AU578991B2 (en) 1988-11-10
NO175946C (no) 1995-01-04
IE58679B1 (en) 1993-11-03
NO855142L (no) 1986-06-30
BR8506465A (pt) 1986-09-02
FI79829B (fi) 1989-11-30
GR853132B (no) 1986-04-30
EP0186481A3 (en) 1987-05-20
DK603885A (da) 1986-06-29
DE3577886D1 (de) 1990-06-28
HK87194A (en) 1994-09-02
FI855110A (fi) 1986-06-29
IE853245L (en) 1986-06-28
CN85109272A (zh) 1986-07-09
ES550332A0 (es) 1987-03-16
AU5166685A (en) 1986-07-03
FI79829C (fi) 1990-03-12
ES8704141A1 (es) 1987-03-16
FI855110A0 (fi) 1985-12-20
IN164438B (no) 1989-03-18
DK165556C (da) 1993-04-26
MX161881A (es) 1991-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004071B1 (ko) 플루오르-함유 산화주석 피막을 형성시키기 위한 화학적 증착법
NO175946B (no) Underlag med et fluorforbedret tinnoksidbelegg og fremgangsmåte til ved kjemisk dampavsetning å fremstille et fluorforbedret tinnoksidbelegg på et underlag
US4601917A (en) Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
US4696837A (en) Chemical vapor deposition method of producing fluorine-doped tin oxide coatings
NL7810511A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van verbeterde tinoxyde- bekledingen, alsmede de aldus gevormde voortbrengselen.
US4743506A (en) Tin oxide coated article
US20020136832A1 (en) Volatile organometallic complexes suitable for use in chemical vapor depositions on metal oxide films
US4731256A (en) Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
EP0158399B1 (en) Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
US4600654A (en) Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings
EP0745605B1 (en) Liquid methyltin halide compositions
US5417757A (en) Liquid precursor for the production of fluorine doped tin oxide coatings and corresponding coating process
US4788079A (en) Method of making haze-free tin oxide coatings
JPH046796B2 (no)
EP0225342B1 (en) Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings
JP3821963B2 (ja) ガラス用コーティング剤、およびそれを用いたガラス材料のコーティング方法
JPS59136477A (ja) 基体に酸化錫膜を形成する方法
KR890004619B1 (ko) 플루오르화물이 함유된 산화주석피막 형성용 액체조성물과 피막의 형성방법
JP2004018913A (ja) 透明導電膜形成液及びそれを用いた透明導電膜付基体の製造方法
Kozyrkin Investigation of composition, optical and electrophysical properties of tin dioxide films made by oxidative pyrolysis of tetraethyltin
MXPA96002106A (en) Liquid compositions of metilest halide
NO170198B (no) Fremgangsmaate ved fremstilling av transparente, klare tinnoksydbelegg