FI79829B - Kemiskt aongskiktningsfoerfarande foer framstaellning av tennoxidbelaeggningar innehaollande fluor och produkt enligt detta foerfarande. - Google Patents

Kemiskt aongskiktningsfoerfarande foer framstaellning av tennoxidbelaeggningar innehaollande fluor och produkt enligt detta foerfarande. Download PDF

Info

Publication number
FI79829B
FI79829B FI855110A FI855110A FI79829B FI 79829 B FI79829 B FI 79829B FI 855110 A FI855110 A FI 855110A FI 855110 A FI855110 A FI 855110A FI 79829 B FI79829 B FI 79829B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
carrier gas
moles
organotin compound
weight
dopant
Prior art date
Application number
FI855110A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI855110A (fi
FI79829C (fi
FI855110A0 (fi
Inventor
Georg H Lindner
Original Assignee
M & T Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US06/687,067 external-priority patent/US4590096A/en
Priority claimed from US06/797,364 external-priority patent/US4696837A/en
Application filed by M & T Chemicals Inc filed Critical M & T Chemicals Inc
Publication of FI855110A0 publication Critical patent/FI855110A0/fi
Publication of FI855110A publication Critical patent/FI855110A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI79829B publication Critical patent/FI79829B/fi
Publication of FI79829C publication Critical patent/FI79829C/fi

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2453Coating containing SnO2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/407Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

i 79829
Kemiallinen höyrykerrostusmenetelmä fluoriseostettujen tinaoksidipäällysteiden valmistamiseksi ja näin valmistettu tuote 5 Tämä keksintö koskee menetelmää fluoriseostettujen tinaoksidipäällysteiden valmistamiseksi kemiallisella höy-rykerrostuksella ja näin valmistettua tuotetta.
Fluoriseostettujen tinaoksidipäällysteiden tiedetään antavan hyödyllisiä ominaisuuksia monille eri alus-10 tapinnoille, kuten lasille, keraameille, metalleille ja alkeisfilamenteille. Tällaisille päällystetyille alustoille löytyy käyttöä lämpöä heijastavina elementteinä, energiaa säästävissä ikkunoissa ja optiselektronisissa ja puoli johdelaitteissa.
15 Tinaoksidipäällysteiden kemiallista höyrykerrostus- ta on kuvattu kirjallisuudessa, ks. esim. US-patentit 3 677 814, 3 949 146, 4 130 673, 4 146 657, 4 213 594, 4 265 974; Thin Solid Films 77, 51-63 (1981); 65-66; ja J. Electrochem. Sos. 122, 1144 (1975).
20 Alalla aikaisemmin kuvatuilla kemiallisilla höyry- kerrostusmenetelmillä on yksi tai useampia epäkohtia siten, että käytetyt prosessiolosuhteet tai seokset tai saatujen tinaoksidipäällysteiden ominaisuudet eivät ole täysin tyydyttäviä tiettyihin kaupallisiin sovellutuksiin. 25 Kun tuote on esimerkiksi energiaa säästävä ikkuna, menestystä ovat rajoittaneet prosessissa saatujen päällysteiden suhteellisen suuri ja vaihteleva levyvastus ja pienet kerrostusnopeudet.
US-patentissa 3 949 146 on kuvattu tinaoksidipääl-30 lysteiden kemiallinen höyrykerrostus dibutyylitinadiase-taatista, bis(tri-n-propyyli)-tinaoksidista tai bis(tri-n-propyyli)-tinaoksidista tai bis(tri-n-butyyli)tinaoksidista, joka on seostettu antimonilla. Julkaisussa ei ole kuitenkaan kuvattu menetelmää pienen levyvastuksen omaa-35 van, fluoriseostetun päällysteen valmistamiseksi, jonka vastus on riippumaton prosessimuuttujista.
2 79829
Kemiallinen kerrostusmenetelmä on kuvattu US-paten-tissa 4 500 567. Tässä prosessissa käytetään monobutyyli-tinatrikloridin ja halogeenidifluorimetaanin kaasumaista seosta, joka muodostetaan kummankin reagenssin erillisistä 5 kaasumaisista virroista. Kaasuseos kerrostetaan sitten lasipinnalle. Tässä menetelmässä päällysteen sähköiset ominaisuudet eivät kuitenkaan ole riittäviä ja kerrostus-ajat ovat pitkiä.
Kuten yllä kuvatusta aikaisemman tekniikan kat-10 sauksesta käy ilmi, on olemassa tarvetta parannetusta kemiallisesta höyrykerrostusprosessista fluorilla seostettujen tinaoksidipäällysteiden valmistamiseksi, erityisesti prosessista, jolla aikaansaadaan tällaisia päällysteitä, joilla on vakio- ja minimilevyvastus vaihtelevissa proses-15 siolosuhteissa.
Tämän keksinnön mukainen parannettu kemiallinen höyrykerrostusmenetelmä fluorilla seostettujen tinaoksidipäällysteiden muodostamiseksi toteutetaan patenttivaatimuksessa 1 esitetyllä tavalla. Menetelmä toteutetaan mää-20 rätyissä prosessiolosuhteissa, niin että saadulla päällysteellä on minimi- ja vakiolevyvastus, joka on oleellisesti riippumaton lämpötilasta. Tämän prosessin muuttujia ovat kantajakaasun, veden, orgaanisen fluoriseostusaineen ja orgaanisen tinayhdisteen pitoisuudet höyryfaasissa. Nämä 25 pitoisuudet on suhteutettu toisiinsa parametrillä M, joka määritellään yhtälöllä: M = (ilma) (H, 0) (OFD) (0) 30 jossa (ilma) on kantajakaasun pitoisuus mooleina, (H20) on veden pitoisuus kantajakaasussa mooleina, (DFD) on orgaanisen fluoriseostusaineen pitoisuus kantaja-kaasussa mooleina, ja 35 (0) on orgaanisen tinayhdisteen pitoisuus kantajakaasussa mooleina.
3 79829
Parametrilla M on sopivasti arvo 50 000 tai pienempi ja edullisesti 20 000 tai pienempi. Näillä M:n arvoilla kerrostetulla tinaoksidipäällysteellä on minimi- ja muuttumaton neliövastus, joka on oleellisesti riippumaton ker-5 rostuslämpötilasta. Suuremmilla M:n arvoilla kuin tässä on esitetty neliövastus kasvaa oleellisesti M:n kasvaessa ja kasvaa kerrostuslämpötilan kasvaessa.
Kemiallinen höyrykerrostusprosessi toteutetaan käyttäen nestemäistä päällystysseosta, joka sisältää 1-30 10 paino-% orgaanista fluoriseostusainetta ja 70-99 % orgaanista tinayhdistettä. Edullinen seos sisältää 2-10 % orgaanista fluoriseostusainetta ja 90-98 % orgaanista tina-yhdistettä ja valinnaisesti 1-10 p-% polaarista orgaanista liuotinta.
15 Kerrostus suoritetaan lasille fluoriseostetun tina- oksidipäällysteen tuottamiseksi, jonka paksuus on 180-210 nm ja jonka minimi- ja vakioneliövastus on n. 25 ohm/cm2 M:n arvoilla, jotka ovat 50 000 tai alle sen, edullisesti 20 000 tai alle sen.
20 Kuva 1 on kaavamainen esitys laitteistosta, jolla toteutetaan sopiva kemiallinen höyrykerrostusprosessi.
Kuva 2 on graafinen esitys neliövastuksesta M-arvo-jen funktiona tinaoksidipäällysteille, jotka on valmistettu keksinnön mukaisesti.
25 Viitaten nyt kuvaan 1, siinä on kaavamainen esitys laitteistosta, joka sopii keksinnön mukaisen kemiallisen höyrykerrostusprosessin suorittamiseen. Kantajakaasua 10, joka sisältää happea, ilman ollessa edullinen, annostellaan syöttöputken 11 ja ilman kuivaustomin 12 läpi kuivan 30 virran 13 aikaansaamiseksi. Erillinen ilmavirta johdetaan kostuttimen 14 läpi, joka sisältää sopivan määrän vettä 15 kostean ilmavirran 16 aikaansaamiseksi, jolla on haluttu suhteellinen kosteus. Tämän jälkeen kostea ilmavirta 17 johdetaan haihduttimen 18 läpi, joka sisältää astian 35 19, joka sisältää nestemäistä päällystysseosta, jota haih duttimeen 18 syöttää mäntäpumppu 20 ja mäntä 21. Ilmavirta 4 79329 kuumennetaan öljyhauteesta (ei esitetty) saatavalla lämmöllä haluttuun höyrystyslämpötilaan.
Höyrystetty nestemäinen päällystysseos kulkee sitten ilmavirrassa 22 kerrostuskammioon 23, jossa on pääl-5 lystyssuutin 24 ja jossa alusta 25 on kiinnitetty lämmitetylle levylle 26. Halutun päällysteen kerrostuksen jälkeen kerrostuksen kaasumaiset sivutuotteet johdetaan ulos.
Keksinnön mukaisessa prosessissa käytetty nestemäinen päällystysseos sisältää: 10 a) 1-30 paino-% reaktiivista orgaanista fluoriseos- tusyhdistettä, jossa ainakin yksi fluoriatomi sijaitsee alfa- tai beeta-asemassa funktionaaliseen ryhmään nähden, jossa hiili on sitoutunut happeen ja joka on valittu kar-boksyylihaposta, anhydridistä, esteristä, alkoholista, 15 ketonista, happohalogenidista tai eetteristä; ja b) 70-99 paino-% orgaanista tinayhdistettä, joka on alkyylitinatrikloridi, dialkyylitinadikloridi, alkyylidi-klooritina-astaatti, alkyyliklooridiasetaatti tai esteri-tinatrikloridi tai -tinatetrakloridi.
20 Näin ollen sopivia funktionaalisia ryhmiä ja reak tiivisia orgaanisia fluoriseostusaineita ovat seuraavat: Karboksyylihapot trifluorietikkahappo klooridifluorietikkahappo 25 difluorietikkahappo heptafluorivoihappo pentafluoripropionihappo 3-trifluorimetyylikrotonihappo Anhydrldit 30 trifluorietikkahappoanhydridi heptafluorivoihappoanhydridi pentafluoripropionihappoanhydridi klooridifluorietikkahappoanhydridi perfluoriglutaarihappoanhydridi 35 perfluorimeripihkahappoanhydridi 5 79829
Esterit etyylitrifluoriasetaatti butyylitrifluoriasetaatti etyylibromidifluoriasetaatti 5 etyylikloorifluoriasetaatti metyylipentafluoripropionaatti metyyliheptafluoributyraatti metyylitrifluoriasetaatti metyyliperfluoributen-3-oaatti 10 2,2,2-trifluorietyylitrifluoriasetaatti 1.1.1- trifluori-isopropyyliasetaatti Alkoholit 2.2.2- trifluorietanoli 1H,ΙΗ-heptafluoributanoli-1 15 3,3,4,4,5,5,5-heptafluoripentanoli-2 heptafluori-isopropanoli heksa fluori-2-metyyli-i sopropanoli 1H,1H,5H-oktafluori-l-pentanoli perfluori-t-butanoli 20 2-trifluorimetyylipropanoli-2 1.1.1- trifluoripropanoli-2 Ketonit etyyli-4,4,4-trifluoriasetoasetaatti 1.1.1- trifluoriasetyyliasetoni 25 bis(perfluori-isopropyyli)ketoni 3-bromi-l,1,1-trifluoripropanoni etyyli-4,4,4-trifluoriasetoasetaatti heksafluoriasetyyliasetoni pentafluorietyy1ietyyliketoni 30 1,1,1-trifluoriasetoni metyyliheptafluoripropyyliketoni Happohalogenidit heptafluoributyryylikloridi perfluoriglutaryylifluoridi 35 perfluorioktanoyylikloridi perfluorisukkinyylikloridi 6 79829
Eetterit 2-kloori-l,1,2-trifluorietyylimetyylieetteri 2-kloori-l,1,2-trifluorietyylieetteri
Edustavia reaktiivisia orgaanisia fluoriseostusai-5 neita ovat trifluorietikkahappo, trifluorietikkahappoan-hydridi, etyylitrifluoriasetoasetaatti, trifluorietanoli, etyylitrifluoriasetaatti, pentafluoripropionihappo, 2-kloori-1,1,2-trifluorietyylimetyylieetteri, 1,1,1-trifluo-riasetyyliasetoni ja heptafluoributyylikloridi.
10 Tyypillisiä orgaanisia tinayhdisteitä ovat monobu- tyylitinatrikloridi, dibutyylitinadikloridi, butyylidi-klooritina-asetaatti, butyyliklooritinadiasetaatti, karb-etoksietyylitinatrikloridi. Tinatetrakloridia voidaan myös käyttää tinayhdisteenä.
15 Keksinnön edullisessa muodossa nestemäinen päällys- tysseos sisältää 2-10 p-% orgaanista fluoriyhdistettä ja 90-98 % orgaanista tinayhdistettä.
Keksinnön nestemäinen päällystysseos voi sisältää myös polaarista orgaanista yhdistettä n. 1-10 p-%:n mää-20 rän seoksesta, joka yhdiste varmistaa nestemäisen seoksen stabiilisuuden matalissa lämpötiloissa. Kun polaarista orgaanista nestettä on läsnä, nestemäinen päällystysseos sisältää 2-10 p-% orgaanista fluoriseostusainetta, 80-97 % p-% orgaanista tinayhdistettä ja 1-10 p-% polaa-25 rista orgaanista nestettä.
Keksinnön edullisessa muodossa orgaaninen fluori-seostusaine on trifluorietikkahappo, trifluorietikkahappo-anhydridi tai etyylitrifluoriasetoasetaatti ja orgaaninen tinayhdiste on monobutyylitinatrikloridi.
30 Höyrystyslämpötila vaihtelee prosessissa sopivasti välillä n. 100-400°C ja edullisesti välillä n. 150-250°C. Alustan lämpötila vaihtelee välillä n. 400-700°C ja edullisesti välillä n. 550-650°C.
Kantokaasu on happea sisältävä kaasu, joka voi olla 35 ilma tai hapen ja inertin kaasun seos ja se on edullisesti ilma.
7 79829
Kantokaasu sisältää vesihöyryä tämän keksinnön prosessissa.
Päällystettävä alusta voi olla lasia, keräämiä, kiinteän tilan materiaaleja, metalleja, alkeisfilamentteja 5 yms.
Tinaoksidikalvon neliövastus (ohm/cm2 ) mitataan tavanomaisella nelipistesondilla ASTM-standardimenetelmän F374-81 mukaisesti.
Kalvon paksuus mitataan beta-takaisinsirontamene-10 telmällä British Standards Institution-menetelmän BS 5411: Part 12, 1981, ISO 3543-1981 mukaisesti.
Viitaten nyt kuvaan 2, havaitaan, että parametria M, joka määrittelee tämän keksinnön prosessiolosuhteet, voidaan vaihdella fluoriseostettujen tinaoksidipäällystei-15 den aikaansaamiseksi, joilla on minimi- ja vakioleveysvas- tus. M:n arvoilla alle 50 000 päällysteen neliövastus n. 180-210 nm:n paksuudella on 25 ohm/cm2. M:n arvoilla yli 50 000 neliövastus kasvaa nopeasti M:n kasvaessa.
Esimerkki 1 20 Tinaoksidipäällysteet, jotka on valmistettu olo- suhteissa, joissa 'Win arvo on alle 50 000_
Nestemäistä päällystysseosta, jossa oli 100 osaa monobutyylitinatrikloridia (MBTC), 4,04 osaa trifluori-etikkahappoa (TFA) ja 1,45 osaa etikkahappoanhydridiä (AA) 25 (ominaispaino 1,62), pumpattiin nopeudella 10,5 g/h haihduttimeen, joka oli lämmitetty 120°C:en, mikä vastasi 0,035 mol/h MBTC:a ja 0,0035 mol/h TFA:a. Sen jälkeen kosteaa ilmaa, joka sisälsi 28,8 mol/h ilmaa ja 0,067 mol/h H20, johdettiin haihduttimen läpi ja höyry kerrostettiin 30 20 sekunnissa lasilevylle, joka oli kuumennettu 500°C:seen. Näin tuotetun päällysteen paksuus oli 210 nm. Laskettu M:n arvo oli 16 000. Päällysteen mitattu neliö-vastus oli 25 ohm/cm2.
Esimerkki 2 35 Tinaoksidipäällysteet, jotka on valmistettu olo- suhteissa, joissa "M";n arvo on yli 50 000_ 8 79829
Nestemäistä päällystysseosta, jossa oli 100 osaa MBTC:a, 2 osaa TFA:a ja 0,72 osaa AA:a, pumpattiin haihduttimeen nopeudella 10,5 g/h, mikä vastasi 0,036 mol/h MBTCra ja 0,0018 mol/h TFA:a. Tämän jälkeen kosteaa ilmaa, 5 joka sisälsi 27,6 mol/h ilmaa ja 1,02 mol/h H20, johdettiin haihduttimen läpi ja näin muodostettu höyryseos kerrostettiin lasilevylle, joka oli kuumennettu 500°C:eeen. 12 sekunnissa muodostui fluoriseostettu tinaoksidipäällys-te, jonka paksuus oli 190 nm. Laskettu M:n arvo oli 4,3 10 x 105. Päällysteen mitattu neliövastus oli 239 ohm/cm2.
Esimerkki 3
Noudattaen esimerkkien 1 ja 2 menettelyä pieniä muutoksia MBTC:n TFA:n, ilman ja veden pitoisuuksia vastaten M:n arvoja alle ja yli 50 000 testattiin ja rekiste-15 röitiin kuvan 2 graafisessa esityksessä. M:n arvoilla alle 50 000 neliövastukseksi mitattiin oleellisesti minimi- ja vakioarvo n. 30 ohm/cm2, kun taas M:n arvoilla yli 50 000 neliövastus oli oleellisesti suurempi ja kasvoi nopeasti M:n arvojen kasvaessa.
20 Tämän keksinnön seostetuilla tinaoksidipäällysteil- lä, jotka on tehty määrätyillä M:n arvoilla, havaitaan myös olevan minimi- ja vakioneliövastus laajalla kerros-tuslämpötilojen alueella, kun taas samanlaisilla päällysteillä, jotka on tehty suuremmilla M:n arvoilla (yli 25 50 000), on kohoava neliövastus eri päällystyslämpötilois- sa.
Vaikka tätä keksintöä on kuvattu viitaten sen määrättyihin toteutusmuotoihin, on ymmärrettävä, että muutoksia ja muunnelmia voidaan tehdä, jotka ovat tämän teknii-30 kan tietämyksen puitteissa. Näin ollen sitä rajoittavat vain liitteenä olevat patenttivaatimukset.

Claims (12)

1. Kemiallinen höyrykerrostusmenetelmä fluoriseos-tetun tinaoksidipäällysteen valmistamiseksi, jolla on mi-5 nimi- ja vakioneliövastus eri prosessiolosuhteissa, jossa menetelmässä (a) muodostetaan nestemäinen päällystysseos, joka sisältää orgaanista fluoriseostusainetta ja orgaanista tinayhdistettä, joka seos sisältää: (1) 1-30 paino-% orgaanista fluoriseostusainetta, jossa 10 ainakin yksi fluoriatomi sijaitsee alfa- tai beeta-asemassa funktionaaliseen ryhmään nähden, jossa hiili on sitoutunut happeen ja joka on valittu karboksyylihaposta, an-hydridistä, esteristä, alkoholista, ketonista happohalo-genidista tai eetteristä: ja 15 (2) 70-99 paino-% orgaanista tinayhdistettä, joka on al- kyylitinatrikloridi, dialkyylitinadikloridi, alkyylidi-klooritina-asetaatti, dialkyyliklooritinadiasetaatti tai esteritinatrikloridi; tai tinatetrakloridi, (b) höyrystetään mainittua nestemäistä päällystysseosta 20 kosteaan kantajakaasuun kantajakaasun, veden, orgaanisen fluoriseostusaineen ja orgaanisen tinayhdisteen höyryseok-sen muodostamiseksi; ja (c) kerrostetaan mainittu höyryseos alustalle mainitun päällysteen muodostamiseksi, tunnettu siitä, että 25 mainittujen komponenttien pitoisuudet höyryssä ovat sellaiset, että parametrilla M, joka määritellään: M = (ilma) (H,0) (OFD) (0) 30 jossa (ilma) on kantajakaasun pitoisuus mooleina, (H20) on veden pitoisuus kantajakaasussa mooleina, (OFD) on orgaanisen fluoriseostusaineen pitoisuus kantaja-kaasussa mooleina ja (0) on orgaanisen tinayhdisteen pi-35 toisuus kantajakaasussa mooleina, 10 79829 on arvo alle 50 000, jolloin muodostuu fluoriseostettu tinaoksidipäällyste, jolla on minimi- ja vakioneliövastus mainituilla M:n arvoilla.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, 5 tunnettu siitä, että M:n arvo on 20 000 tai pienempi.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että neliövastus on n. 25 ohm/cm2 n. 180-210 nm:n paksuudella.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että nestemäinen päällystysseos sisältää 2-10 paino-% orgaanista fluoriseostusainetta ja 90-98 % orgaanista tinayhdistettä.
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, 15 tunnettu siitä, että nestemäinen päällystysseos sisältää 1-10 paino-% polaarista orgaanista yhdistettä.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että seos sisältää 2-10 paino-% orgaanista fluoriseostusainetta, 80-97 paino-% orgaanista 20 tinayhdistettä ja 1-10 paino-% polaarista orgaanista yhdistettä.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että polaarinen orgaaninen yhdiste on etikkahappoanhydridi, etyyliasetaatti tai metyyli-iso- 25 butyyliketoni.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että höyrystyslämpötila on 100-400°C.
9. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, 30 tunnettu siitä, että kerrostuslämpötila on yli 400°C ja alle 700°C.
10. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että alusta on lasi.
11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että orgaaninen tinayhdiste on 11 79829 monobutyylitinatrikloridi, metyylitinatrikloridi, isobu-tyylitinatrikloridi, dibutyylitinadikloridi, di-t-butyyli-tinadikloridi, butyylidiklooritina-asetaatti, butyylikloo-ritinadiasetaatti tai karbetoksietyylitinatrikloridi.
12. Tuote, joka on valmistettu siten, että (a) muo dostetaan nestemäinen päällystysseos, joka sisältää orgaanista fluoriseostusainetta ja orgaanista tinayhdistettä, joka seos sisältää: (1) 1-30 paino-% orgaanista fluoriseostusainetta, jossa 10 ainakin yksi fluoriatomi sijaitsee alfa- tai beeta-asemassa funktionaaliseen ryhmään nähden, jossa hiili on sitoutunut happeen ja joka on valittu karboksyylihaposta, an-hydridistä, esteristä, alkoholista, ketonista, happohalo-genidista tai eetteristä; ja 15 (2) 70-99 paino-% orgaanista tinayhdistettä, joka on al- kyylitinatrikloridi, dialkyylitinadikloridi, alkyylidik-looritina-asetaatti, dialkyyliklooritinadiasetaatti tai esteritinatrikloridi; tai tinatetrakloridi, (b) höyrystetään mainittua nestemäistä päällystysseosta 20 kosteaan kantajakaasuun kantokaasun, veden, orgaanisen fluoriseostusaineen ja orgaanisen tinayhdisteen höyryseok-sen muodostamiseksi; ja (c) kerrostetaan mainittu höyryseos alustalle fluoriseos-tetun tinaoksidipäällysteen muodostamiseksi, jolloin mai- 25 nittujen komponenttien höyrypitoisuudet höyryssä ovat sellaiset, että parametrillä M, joka määritellään: M = (ilma) (H,O) 30 (0FD) (0) jossa (ilma) on kantajakaasun pitoisuus mooleina, (H20) on veden pitoisuus kantajakaasussa mooleina, (OFD) on orgaanisen fluoriseostusaineen pitoisuus kantaja-35 kaasussa mooleina ja (0) on orgaanisen tinayhdisteen pi- 12 79829 toisuus kantajakaasussa mooleina, on arvo alle 50 000, tunnettu siitä, että sillä on oleellisesti minimi- ja vakioneliövastus kerrostusläm-pötilan kasvaessa. 5 i3 79829
FI855110A 1984-12-28 1985-12-20 Kemiskt aongskiktningsfoerfarande foer framstaellning av tennoxidbelaeggningar innehaollande fluor och produkt enligt detta foerfarande. FI79829C (fi)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/687,067 US4590096A (en) 1984-12-28 1984-12-28 Water vapor, reaction rate and deposition rate control of tin oxide film by CVD on glass
US68706784 1984-12-28
US74864885A 1985-06-25 1985-06-25
US74864885 1985-06-25
US79736485 1985-11-12
US06/797,364 US4696837A (en) 1985-06-25 1985-11-12 Chemical vapor deposition method of producing fluorine-doped tin oxide coatings

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI855110A0 FI855110A0 (fi) 1985-12-20
FI855110A FI855110A (fi) 1986-06-29
FI79829B true FI79829B (fi) 1989-11-30
FI79829C FI79829C (fi) 1990-03-12

Family

ID=27418477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI855110A FI79829C (fi) 1984-12-28 1985-12-20 Kemiskt aongskiktningsfoerfarande foer framstaellning av tennoxidbelaeggningar innehaollande fluor och produkt enligt detta foerfarande.

Country Status (16)

Country Link
EP (1) EP0186481B1 (fi)
CN (1) CN1005996B (fi)
AU (1) AU578991B2 (fi)
BR (1) BR8506465A (fi)
CA (1) CA1261686A (fi)
DE (1) DE3577886D1 (fi)
DK (1) DK165556C (fi)
ES (1) ES8704141A1 (fi)
FI (1) FI79829C (fi)
GR (1) GR853132B (fi)
HK (1) HK87194A (fi)
IE (1) IE58679B1 (fi)
IL (1) IL77287A (fi)
IN (1) IN164438B (fi)
MX (1) MX161881A (fi)
NO (1) NO175946C (fi)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4880664A (en) * 1987-08-31 1989-11-14 Solarex Corporation Method of depositing textured tin oxide
US4853257A (en) * 1987-09-30 1989-08-01 Ppg Industries, Inc. Chemical vapor deposition of tin oxide on float glass in the tin bath
EP0338417A3 (en) * 1988-04-18 1990-03-07 Ppg Industries, Inc. Haze-free infrared-reflecting coated glass
CN1029016C (zh) * 1988-08-16 1995-06-21 M&T化学股份有限公司 液体涂料组合物及其化学气相淀积法
DE3915232C2 (de) * 1989-05-10 1995-09-21 Goldschmidt Ag Th Verfahren zur Herstellung elektrisch leitender, IR-reflektierender fluordotierter Zinnoxidschichten auf der Oberfläche von Gegenständen aus Glas oder Keramik oder von Emailbeschichtungen und Zubereitung zum Aufbringen solcher Schichten
GB9421335D0 (en) * 1994-10-22 1994-12-07 Epichem Ltd Chemical vapour deposition
GB9515198D0 (en) * 1995-07-25 1995-09-20 Pilkington Plc A method of coating glass
US5698262A (en) 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
GB9616983D0 (en) * 1996-08-13 1996-09-25 Pilkington Plc Method for depositing tin oxide and titanium oxide coatings on flat glass and the resulting coated glass
US6121159A (en) * 1997-06-19 2000-09-19 Lsi Logic Corporation Polymeric dielectric layers having low dielectric constants and improved adhesion to metal lines
CN102603207B (zh) * 2012-03-21 2014-04-16 浙江大学 在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法
CN102969104B (zh) * 2012-11-14 2016-05-18 宁波祈禧电器有限公司 一种二氧化锡薄膜电阻的沉积方法
CN103849844B (zh) * 2014-02-13 2016-04-13 大连七色光太阳能科技开发有限公司 用于磁控溅射的掺氟氧化锡靶材及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293594A (en) * 1980-08-22 1981-10-06 Westinghouse Electric Corp. Method for forming conductive, transparent coating on a substrate
AU575141B2 (en) * 1984-04-10 1988-07-21 Atofina Chemicals, Inc. Fluorine-doped tin oxide coating

Also Published As

Publication number Publication date
EP0186481A2 (en) 1986-07-02
IE853245L (en) 1986-06-28
DK165556C (da) 1993-04-26
FI855110A (fi) 1986-06-29
IE58679B1 (en) 1993-11-03
DK165556B (da) 1992-12-14
DK603885D0 (da) 1985-12-23
IN164438B (fi) 1989-03-18
BR8506465A (pt) 1986-09-02
ES8704141A1 (es) 1987-03-16
HK87194A (en) 1994-09-02
IL77287A (en) 1988-12-30
AU578991B2 (en) 1988-11-10
CN85109272A (zh) 1986-07-09
NO855142L (no) 1986-06-30
EP0186481A3 (en) 1987-05-20
GR853132B (fi) 1986-04-30
NO175946C (no) 1995-01-04
DE3577886D1 (de) 1990-06-28
MX161881A (es) 1991-02-20
EP0186481B1 (en) 1990-05-23
DK603885A (da) 1986-06-29
NO175946B (no) 1994-09-26
FI79829C (fi) 1990-03-12
FI855110A0 (fi) 1985-12-20
CN1005996B (zh) 1989-12-06
CA1261686A (en) 1989-09-26
ES550332A0 (es) 1987-03-16
AU5166685A (en) 1986-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004071B1 (ko) 플루오르-함유 산화주석 피막을 형성시키기 위한 화학적 증착법
FI79829B (fi) Kemiskt aongskiktningsfoerfarande foer framstaellning av tennoxidbelaeggningar innehaollande fluor och produkt enligt detta foerfarande.
US4601917A (en) Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
Kurtz et al. Chemical vapor deposition of doped TiO2 thin films
US4696837A (en) Chemical vapor deposition method of producing fluorine-doped tin oxide coatings
JP5406717B2 (ja) 酸化亜鉛被覆物品を製造するための低温法
KR101409711B1 (ko) 저 저항률의 도핑된 산화아연으로 코팅된 유리 물품의 제조방법 및 이에 의해 제조된 코팅된 유리 물품
US6416814B1 (en) Volatile organometallic complexes of lowered reactivity suitable for use in chemical vapor deposition of metal oxide films
US4743506A (en) Tin oxide coated article
EP0158399B1 (en) Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
US4600654A (en) Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings
US4788079A (en) Method of making haze-free tin oxide coatings
US5417757A (en) Liquid precursor for the production of fluorine doped tin oxide coatings and corresponding coating process
EP0225342B1 (en) Method of producing transparent, haze-free tin oxide coatings
JPH046796B2 (fi)
US4775552A (en) Nebulizable coating compositions for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings
KR890004619B1 (ko) 플루오르화물이 함유된 산화주석피막 형성용 액체조성물과 피막의 형성방법
Amjoud et al. MOCVD and properties of in situ doped Pt-SnO2 thin films
CN1009917B (zh) 制造高质量、高性能、掺氟氧化锡涂层的液态涂料组合物

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: ATOCHEM NORTH AMERICA, INC.