NO169150B - Koblingsanordning til begrensing av innkoblingsstroem og overspenningsvern ved pulsstroemforsyninger - Google Patents

Description

Oppfinnelsen angår en i innledningen til krav 1 angitt koblingsanordning til begrensing av innkoblingsstrøm og til overspenningsvern ved pulsstrømforsyninger.

Pulsstrømforsyningsanordninger omfatter generelt i inngangs-kretsen en forholdsvis stor kapasitans, vanligvis utført som en elektrolyttkondensator. Denne kapasitans tjener som en lavohmig kilde for frekvensomformerkoblingens primærsidige pulsstrøm og utgjør sammen med den foran seg koblede induktans et reaksjons-filter i det vesentlige ansvarlig for innkoblingsstrømmens høyde og form.

Ladestrømmen som ved innplugging eller innkobling av den an-gjeldende strømforsyning går i lagringskondensatoren, kan bringe forkoblede sikringer til utløsning og ved pluggbare strømforsyninger ødelegge kontaktstiftene, i den utstrekning det som innskudd, innsats eller pluggbar komponent utførte apparat plugges inn under spenning.

Videre er det vanlig å underkaste strømforsyninger av den i innledningen nevnte art en testing, hvorved strømforsyningen ved sin inngang gis spenningspulser med bestemt form og høyde. Disse pulser kan ødelegge ømfintlige komponenter som f.eks. halvledere.

Hensikten med oppfinnelsen er å forsyne en strømforsyning av den art som er angitt i innledningen til krav 1 med en kobling som både begrenser innkoblingsstrømmen og som også gir et vern mot overspenninger på lagringskondensatoren.

Man kan til dette formål velge en med hensyn til innkoblings-strømmen tilsvarende stor sikringsautomat og også benytte en Z-diode som vern mot overspenninger, idet denne dog med høyden på spenningspulsen må oppta en overproporsjonalt økende energi og derfor etter omstendighetene selv står i fare.

Overlegninger innenfor oppfinnelsens ramme har gitt at det for å oppnå den angitte hensikt er hensiktsmessig å koble et pådragsorgan foran lagringskondensatoren og

a) ved øyeblikket for plugging eller innkobling av strøm-forsyningen å begrense inngangsstrømmen enten til null

eller til en valgbar og for levetiden av pluggkontaktene eller bryteren ved forholdsvis hyppig innplugging eller

kobling tilstrekkelig lav verdi,

b) etter en valgbar tid å begrense inngangsstrømmen til en høyere verdi, som på den ene side er tilstrekkelig stor

for start av strømforsyningen og på den annen side med henblikk på forhåndsgitte innkoblingsstrømkrav allikevel kan tillates og denne verdi skal eventuelt være slik at den tillatelige plugg-kontaktbelastning i innplugget

tilstand ikke overskrides,

c) etter starten av strømforsyningen å gjennomstyre på-dagsorganet slik at det fås lavest mulige tap, d) ved forekomst av en overspenningspuls og den herav forårsakede strømøkning å la den under b) beskrevne

strømbegrensning igjen virke, hvorved den kortvarige spenningsforhøyelse på inngangssiden på grunn av inngangskapasitansen bare uvesentlig kan påvirke inngangen av den etterfølgende strømforsyningsanordning.

I henhold til oppfinnelsen er strømforsyningen utført på den i karakteristikken av patentkrav 1 angitte måte. Derved kan lagringskondensatoren over en bryter og/eller plugg forbindes med forsyningsspenningskilden. Source-drain-området i felteffekttransistoren og strømmålemotstanden kan ligge i de samme eller forskjellige grener av matekretsen.

Ved disse tiltak oppnås den fordel at det ved hjelp av ett og det samme pådragsorgan samtidig kan oppnås en tidsbestemt trinnvis beskyttelse mot overstrømmer og en virkningsfull beskyttelse mot overspenninger.

Fordelaktige utførelser av oppfinnelsen fremgår av de uselv-stendige krav.

ELLER-kretsen kan bestå av to dioder, hvor forsinkelseskretsen er utført ved et RC-ledd og felteffekttransistoren har en egen port-formotstand. Ved videreutviklingen i henhold til krav 2 tjener motstanden av RC-leddet på fordelaktig måte samtidig som port-formotstand.

Ved en videreutvikling i henhold til krav 3 er forsterkeren tilsluttet en ekstern referansespenningskilde. Ved videreutviklingen i henhold til krav 4 er på fordelaktig måte en ekstern referansespenningskilde ikke nødvendig.

Ved videreutviklingen av oppfinnelsen i henhold til krav 5 er forsinkelsesleddet utført slik at det før forsinkelsestidens utløp avgir et potensial som sperrer felteffekttransistoren. Ved videreutviklingen i henhold til krav 7 blir det ledende, styrende potensial koblet ut før utløpet av forsinkelsestiden. Sperringen av felteffekttransistoren fås i dette tilfelle ved fraværet av det ledende, styrende potensial i forbindelse med den mellom port og kilde virksomme motstand.

Ved tiltak i henhold til krav 10 fås det på fordelaktig måte et vern av koblingsanordningen ved inverse strømmer i lagringskondensatorens ladekrets.

Oppfinnelsen skal forklares nærmere i tilknytning til de på tegningen viste utførelseseksempler. Fig. 1-3 viser hver en koblingsanordning for innkoblings-strømbegrensning og til overspenningsvern ved en pulsstrøm-forsyning, hvori det i ladestrømkretsen for en lagringskondensator er anordnet en felteffekttransistor som tjener som pådragsorgan. Fig. 1 viser en koblingsanordning med én differensialforsterker som forsterker for strømbegrensningen og med et RC-ledd som forsinkelsesledd. Fig. 2 viser en koblingsanordning hvor en bipolar transistor samtidig tjener som referansespenningsgiver og komparator for strømbegrensningen. Fig. 3 viser en koblingsanordning hvor lagringskon densatoren er en del av et forsinkelsesledd. Fig. 4 viser for koblingsanordningene på fig. 1-3 en anordning hvor den som et pådragsorgan anordnede felteffekttransistor samtidig tjener som en styrespennings-giver til inn/ut-kobling av strømforsyningsanordningen.

Den på fig. 1 viste koblingsanordning for innkoblingsstrøm-begrensing og til overspenningsvern er anordnet mellom et forsyningsnett resp. forsyningsspenningskilden 1 og lagringskondensatoren 12 i strømforsyningsanordningen 13. Koblingsanordningen til innkoblingsstrømbegrensning og til overspenningsvern er sammen med den strømforsyningsanordning som skal vernes, anbragt i ett og samme apparat og kan forbindes over kontakten 2 på en på figuren ikke nærmere vist multippel-stikkontakt med forsyningsspenningskilden 1. Lagringskondensatoren 12 er på den ene side forbundet med plusspolen på forsyningsspenningskilden 1 over en stikkontakt og på den annen side over drain-source-området til den som lednings-MOS-FET utførte felteffekttransistor 11, den dertil i serie koblede og som er-verdigiver benyttede strømmålemotstand 4 og en ytterligere kontakt på multippel-stikkontakten er forbundet med minuspolen på forsyningsspenningskilden 1.

Porten G til den som pådragsorgan benyttede felteffekttransistor 11 er på den ene side forbundet over dioden 6 med utgangen på forsterkerelementet 5 og på den annen side over motstanden 10 med utgangen A på et av motstanden 9 og kondensatoren 8 bestående RC-ledd. Seriekoblingen av kondensator 8 og motstand 9 er tilkoblet forsyningsspenningskilden 1. Forbindelsespunktet til kondensator 8 og motstand 9 utgjør utgangen A på forsinkelsesleddet. Z-dioden 7 ligger parallelt med kondensatoren 8. Z-dioden 7 er polet slik at den på kondensatoren 8 opptredende spenning er begrenset til verdien for dens zener-spenning.

Det forsterkerelement 5 som tjener til en sammenligning av er-og bør-verdi, er dannet av en differensialforsterker, hvis ikke-inverterende inngang + er forbundet til bør-verdigiveren 3 og hvis inverterende inngang - til koblingspunktet av strømmot-stand 4 og kilden på felteffekttransistoren 11. Bør-verdigiveren 3 og forsterkerelementet 5 blir (eventuelt over egnede forsyningsinnretninger) matet fra forsyningsspenningskilden 1 med driftsspenning. Dioden 6 er polet slik at den for plusspotensial på utgangen av differensialforsterkeren 5 sperrer og ved minuspotensial på utgangen av differensialforsterkeren 5 leder. Dioden 6 kan utgå når differensialforsterkeren 5 har en åpen kollektorutgang, slik at ytterligere avkoblingstiltak på dens utgang ikke er nødvendige.

Legges en spenning på den av kontakten 2 dannede inngang på koblingsanordningen, så går til å begynne med på grunn av den fremdeles utladede kondensator 8 ennå ikke noen ladestrøm i kondensatoren 12. Derved avgir forsterkeren 5 på utgangen en positiv spenning som dog på grunn av den som avkoblingsdiode benyttede diode 6 ved porten G på felteffekttransistoren resp. MOS-FET 11 ikke kan ha noen virkning.

Kondensatoren 8 blir samtidig over den som lademotstand benyttede motstand 9 langsomt ladet. Straks spenningen på kondensatoren 8 og dermed portspenningen på MOS-FET 11 stiger til terskelspenningen for MOS-FET 11 etter en ved ladetids-konstanten fastlagt forsinkelsestid, begynner MOS-FET 11 å bli lavohmig og tillater at strøm går i den. tilsluttede strømfor-syningsanordning 13.

Når denne strøm en høyde slik at dens spenningsfall på strøm-motstanden 4 når den av referansespenningsgiveren 3 avgitte referansespenning, går utgangsspenningen på forsterkeren 3 mot minuspotensial og begrenser ved den direkte'kontakt med porten av MOS-FET 11 strømmen til den således fastlagte verdi. Avhengig av motstanden 10, som ligger mellom kondensatoren 8 og avkoblingsdioden 6, kan denne innkobling foregå uavhengig av spenningen på kondensatoren 8. Straks inngangskondensatoren 12 i strømforsyningsanordningen 13 er ladet og denne er i drift, synker strømmen til sin statiske inngangsstrømstyrke, forsterkeren 5 blir igjen positiv på sin utgang, og kondensatoren 8 kan nå over lastmotstanden 9 opplades fullstendig til den ved Z-dioden 7 fastlagte spenning. Ligger denne spenning tilstrekkelig høyt, f.eks. på ca. 10 V, så er MOS-FET 11 lavohmig og det er sikret en lavtapsdrift.

Forekommer en overspenningspuls skal den tilknyttede strøm-forsyningsanordning være i drift, kondensatoren 8 oppladet til begrensningsspenningen, forsterkeren 5 positivt overstyrt og strømløs på utgangen og dermed MOS-FET 11 lavohmig. Ved en rask spenningsøkning på inngangen av koblingsanordningen resp. på kontaktene 2 stiger - avhengig av inngangskapasitansen til strømforsyningsanordningen - inngangsstrømmen hurtig, men blir dog likedan som ved innkobling av komparatorkoblingen, forsterkeren 5, avkoblingsdioden 6 og MOS-FET 11 begrenset til den fastlagte verdi, idet motstanden 10 muliggjør et uforsinket innkobling av forsterkeren 5.

Ved den strømbegrensende virkning av koblingsanordningen fører de i forsyningsnettene forekommende høye, men kortvarige overspenninger bare til en liten stigning U12 av spenningen ved inngangen av strømforsyningsanordningen 13. Spennings-differansen ligger på MOS-FET 11 i beskyttelseskretsen, som er dimensjonert for denne spenning. Når overspenningen opphører, vender koblingsanordningen igjen tilbake til normaltilstanden med fullt gjennomstyrt MOS-FET 11.

Den på fig. 2 viste koblingsanordning stemmer i stor utstrekning overens med den på fig. 1. Til forskjell fra fig. 1 er det som forsterker anordnet den bipolare transistor 17, hvis emitter er forbundet til minuspolen på forsyningsspenningskilden 1, hvis kollektor til styreelektrodeh på felteffekttransistoren 11 og hvis basis over motstanden 18 til forbindelsespunktet av strømmålemotstanden 4 og kilden S på felteffekttransistoren 11. I tillegg er det istedenfor den på fig.

1 anordnede Z-diode 7 anordnet en anordning til spennings-begrensning, hvor kondensatoren 8 med sin til utgangen A på RC-leddet liggende tilkobling er ført over den i gjennomgangsretningen polede diode 16 til utgangen på en anordning for spenningsstabiliseringen. Som anordning for spennings-stabilisering tjener den på forsyningsspenningskilden 1 tilknyttede seriekobling av motstanden 14 og den for for-synings spenningen i sperreretningen polede Z-diode 15. Derved er anodene på Z-dioden 15 og dioden 16 forbundet med hverandre. Katoden på Z-dioden 15 ligger på minuspolen til forsyningsspenningskilden 1. Til forskjell fra fig. 2 kan Z-dioden 15 isteden være tilkoblet minuspolen på kilden S i felteffekttransistoren 11.

I tillegg er det parallelt til drain-source-området av felteffekttransistoren 11 som avlastingsmotstand anordnet en motstand 20. Denne motstand 20 tjener til en reduksjon av impulsbelastningen på MOS-FET 11. Dermed blir det ikke koblet inn ved en strøm med verdien 0, men ved en strøm bestemt av inngangsspenningen og størrelsen på motstanden 20. Bør-verdi-resp. referansespenningsgiveren 3 og forsterkeren 5 på fig. 1 er realisert med en eneste transistor 17. Terskelspenningen på dens basis-emitterområde danner bør-verdien. Motstanden 18 er anordnet som en basis-beskyttelsesmotstand. Avkoblingsdioden 6 på fig. 1 er ikke nødvendig.

Den av koblingsorganene 14, 15, 16 bestående begrensnings-kobling til begrensning av portspenningen er spesielt anordnet for forholdsvis lange forsinkelsestider, altså en meget høyohmig lademotstand 9. Av denne grunn er det anordnet en separat mating av Z-dioden 15 over motstanden 14. Begrens-ningen av spenningen på ladekondensatoren 8 skjer ved hjelp av lavine-dioden 16.

Til overspenningsvern av MOS-FET 11 er den til Z-dioden 19 svarende spenning lagt over den negative gren av beskyt-telseskoblingen. Denne Z-diode 19 tjener samtidig som vern ved inverse strømmer.

Den på fig. 3 viste koblingsanordning stemmer i stor utstrekning overens med den på fig. 2. Til forskjell fra fig. 2 blir lagringskondensatoren 12 dessuten benyttet som en del av forsinkelsesleddet. Parallelt med lagringskondensatoren 12 ligger den av motstanden 23, Z-dioden 24 og motstanden 25 bestående spenningsdeler. Z-dioden 24 er anordnet mellom de to motstander 23 og 25 og polet for den på lagringskondensatoren 12 opptredende ladespenning i sperreretningen. Transistoren 22 er med sin emitter tilsluttet plusspolen på forsyningsspenningskilden 1 og med sin basis forbindelsespunktet mellom motstand 23 og Z-diode 24. Mellom port G og kilde S på felteffekttransistoren 11 ligger motstanden 33.

Kollektoren på transistoren 22 utgjør utgangen på forsinkelseskretsen og er som sådan ført over motstanden 10 til porten G på felteffekttransistoren 11. Dessuten er det parallellt med emitter-kollektor-området i transistoren 17 anordnet en Z-diode 21, hvor anoden til Z-dioden 21 er forbundet med emitteren på transistoren 17.

I forbindelse med motstanden 20 tjener istedenfor ladekondensatoren 8 på fig. 2 lagringskondensatoren 12 selv som for-sinkelsesleddets kondensator. Ved hjelp av spenningsdeleren 23...25 blir spenningen på utgangen av beskyttelseskretsen registrert. Ved overskridelse av en forhåndsgitt verdi legges porten G over motstanden 10 og den bipolare transistor 22 på den positive inngangsspenning. Til begrensning av portspenningen tjener Z-dioden 21.

Koblingsanordningens oppførsel ved overspenningspulser stemmer overens med den for fig. 1 og 2.

Fig. 4 viser for de på fig. 1-3 viste koblihgsanordninger en innretning til automatisk utkobling av strømforsyningsanordnin-gen 13. Den elektriske utkobling av strømforsyningsanordningen 13 resp. den egentlige frekvensomformerkobling av strømfor-syningen skjer først når lagringskondensatoren 12 er nesten fullstendig oppladet til den forekommende verdi av forsynings-spenningen. Som kriterium for denne tilstand tjener den spenning som fås fra drain-source-området på felteffekttransistor en 11.

Strømforsyningsanordningen 13 omfatter f.eks. som integrert kontrollkrets kontrollkomponenten 32 av type TDA4718. Denne kontrollkomponent 32 er en del av en taktstyrt frekvens-omformer eller av en lignende vanlig type, som derfor ikke er nærmere vist på figuren.

Av kontrollkomponentens 32 tilkoblinger er bare tilkoblingene al, a6 og a7 betegnet med henvisningstall. Disse henvisningstall stemmer hver med tilkoblingsnumrene til den integrerte komponent TDA4718. Tilkoblingen a6 tjener til utkobling ved underspenning, tilkoblingen a7 til utkobling ved overspenning. Utkoblingen bevirker at strømforsyningsanordningen 13 ikke tar ut noen effekt.

Tilkoblingen al for referansepotensial resp. 0 V er forbundet med minuspolen på kondensatoren 12. Mellom den positive tilkobling av lagringskondensatoren 12 og tilkoblingen al på kontrollkomponenten 32 ligger den av motstandene 29, 30 og 31 bestående spenningsdeler. Ved denne spenningsdeler ligger motstanden 29 mellom lagringskondensatoren 12 og tilkoblingen a6, motstanden 30 mellom tilkoblingene a6 og a7 og motstanden 31 mellom tilkoblingene a7 og 1.

Blir den ennå utladede lagringskondensator 12 ladet opp, så beveger den tilsvarende delingsforholdet for spenningsdeleren delte spenning ved tilkoblingen a6 seg først til området for underspenningsutkoblingen, slik at styringen resp. regu-leringen nullstilles. Spenningsdeleren er dimensjonert slik at ved ikke-ledende transistordel på optokobleren 28 forlater den til tilkoblingen a6 tilførte spenning området for underspenningsutkoblingen så snart lagringskondensatoren 12 er oppladet til en forhåndsgitt verdi av spenningen. Ved overskridelse av en forhåndsgitt øvre grenseverdi av konden-satorspenningen går den på tilkoblingen a7 opptredende spenning inn i området for overspenningsutkoblingen.

Optokobleren 28 ligger med emitterkollektorområdet på sin transistordel mellom tilkoblingene a6 og al. I ledende tilstand av transistordelen forsvinner spenningen på tilkoblingen a6, slik at utkoblingen av kontrollkomponenten trer i kraft ved underspenning. Dette tilfelle inntrer når drain-source-spenningen på MOS-FET 11 overskrider en hovedsakelig ved Zener-spenningen på Z-dioden 27 forhåndsgitt verdi.

Draintilkoblingen D på felteffekttransistoren 11 er via en seriekobling bestående av motstanden 26, Z-dioden 27 og diodedelen av optokobleren 28 til kilden S. Z-dioden 27 og dioden i optokobleren 28 er slik polet at Z-dioden og diodedelen er koblet i serie til hverandre med motsatt rettet polaritet og at diodedelen med hensyn til lagringskondensatorens ladningsstrøm er polet i gjennomgangsretningen.

Transistordelen av optokobleren 28 utgjør en elektronisk bryter hvormed drain-source-spenningen til MOS-FET 11 er styrbar.

Ved hjelp av den på fig. 4 viste anordning oppnås det at en pulsstrømforsyningsanordning 13 først blir utkoblet når spenningen på drain-source-området i MOS-FET 11 underskrider en forhåndsgitt verdi, dvs. straks lagringskondensatoren 12 hovedsakelig stemmer overens med spenningen til forsyningsspenningskilden 1. Herved fås den fordel at pådragsorganet under starten blir lavere belastet på grunn av den kortere ladetid.

Som kobling til begrensning av port-spenningen på MOS-FET1 en tjener i henhold til fig. 1 en Z-diode 7, i'henhold til fig. 2 komponentene 14, 15, 16, og i henhold til fig. 3 Z-dioden 21. Istedenfor disse, i de angitte koblingsanordninger utskiftbare innretninger kan eventuelt andre egnede spenningsbegrensere komme til anvendelse.

Claims (11)

1. Koblingsanordning til begrensning av innkoblingsstrøm og til overspenningsvern ved pulsstrømforsyninger, med en lagringskondensator (12), som danner en lavohmig spenningskilde for en dertil tilkoblet strømforsyningsanordning, karakterisert ved at det.til begrensning av den i lagringskondensatoren (12) forekommende ladestrøm og til begrensning av den på lagringskondensatoren (12) opptredende ladespenning (U12) mellom matespenningskilden (1) og lagringskondensatoren (12) er anordnet en seriekobling av source-drain-området i en felteffekttransistor (11) og en strømmålemotstand (4), og at porten (G) på felteffekttransistoren (11) er tilkoblet utgangen på en ELLER-krets, hvis ene inngang er tilkoblet utgangen til en til strømmålemotstanden (4) tilsluttet forsterker (5, 17) som utgjør en strømbegrenser, og hvis andre inngang er tilkoblet utgangen (A) på et forsinkelsesledd (8, 9;

4, 20, 12, 23, 24, 25, 22), som ved tilkobling av den utladede lagringskondensator (12) til forsyningsspenningskilden (1) etter utløp av en forhåndsgitt forsinkelsestid på sin utgang (A) avgir et potensial (+) som styrer felteffekttransistoren til ledning.

2. Koblingsanordning i henhold til krav 1, karakterisert ved at ELLER-kretsen omfatter en av-koblingsmotstand (10), som er anordnet mellom porten (G) på felteffekttransistoren (11) og utgangen (A) på forsinkelseskretsen (8, 9; 4, 20, 12, 23, 24, 25, 22).

3. Koblingsanordning i henhold til krav 1 eller 2, karakterisert ved at strømmålemotstanden (4) er anordnet mellom matespenningskilden (1) og kilden (S) på felteffekttransistoren (11), at forsterkeren med sin inverterende inngang (-) er tilkoblet forbindelsespunktet mellom strømmålemotstanden (4) og kilden (3) på felteffekttransistoren (11), at forsterkeren er utført som en differensialforsterker (5) med åpen kollektorutgang eller med etterkoblet avkoblingsdiode (6), og at den ikke-inverterende inngang (+) på differensialforsterkeren (5) er koblet til utgangen på en referansespenningsgiver (3).

4. Koblingsanordning i henhold til krav 1 eller 2, karakterisert ved at forsterkeren er utført som en bipolar transistor (17), hvis emitter-basis-område tjener som referansespenningsgiver og hvis emitter er ført til forsyningsspenningskilden (1), kollektoren til porten (G) på felteffekttransistoren (11) og dens basis over en første motstand (18) til forbindelsespunktet mellom strømmålemot-standen (4) og kilden (S) på felteffekttransistoren (11).

5. Koblingsanordning i henhold til et av kravene 1-4, karakterisert ved at forsinkelsesleddet er utført som et RC-ledd som består av en kondensator (8) og en til denne i serie anordnet annen motstand (9) og som ligger parallelt til den av forsyningsspenningskilden (1) og strøm-målemotstanden (4) bestående seriekobling, og at kondensatoren (8) er forbundet med kilden (S) på felteffekttransistoren (11).

6. Koblingsanordning i henhold til et av kravene 1-5, karakterisert ved at det ligger en tredje motstand (20) parallelt med source-drain-området i felt-ef fekttransistoren (11) .

7. Koblingsanordning i henhold til krav 6, karakterisert ved at forsinkelseskoblingen utgjøres av lagringskondensatoren (12) og strømmotstanden (4) og den tredje motstand (20) og ved en av spenningen på lagringskondensatoren (12) styrbar og til et potensial (+) som styrer felteffekttransistoren (11) til ledning, forbundet elektronisk bryter.

8. Koblingsanordning i henhold til krav 7', karakterisert ved at den elektroniske bryter utgjøres av en bipolar transistor (22), hvis basis er forbundet med uttaket fra en spenningsdeler som ligger parallelt med lagringskondensatoren (12) og hvis emitter er forbundet med forsyningsspenningskilden (1) og hvis kollektor utgjør utgangen (A) på forsinkelseskoblingen.

9. Koblingsanordning i henhold til krav 8, karakterisert ved at spenningsdeleren mellom basis og emitter på transistoren (22) omfatter en fjerde motstand (23) og i en annen gren en seriekobling av en første Z-diode (24) og en femte motstand (25).

10. Koblingsanordning i henhold til et av kravene 1-9, karakterisert ved at det parallelt til den av strømmålemotstanden (4) og den av source-drain-området på felteffekttransistoren (11) bestående seriekobling er anordnet en for ladestrømmen til lagringskondensatoren (12) i sperreretningen polet diode eller annen Z-diode (19).

11. Koblingsanordning i henhold til et av de foregående krav, karakterisert ved at strømforsynings-anordningen (13) omfatter en ved spenningen til lagringskondensatoren (12) styrbar innretning til utkobling av strøm-forsyningen (13) ved underspenning på inngangssiden, og at anordningen til utkobling av strømforsyningsanordningen i tillegg ved drain-source-spenningen (U^g) til felteffekttransistoren (11) er styrbar på en slik måte at strømforsynings-anordningen (13) kobles ut ved drain-source-spenninger (U^g) som ligger over en forhåndsgitt grenseverdi.