NO783379L - Koblingsanordning med hoeyspennings-krafttransistor - Google Patents
Koblingsanordning med hoeyspennings-krafttransistorInfo
- Publication number
- NO783379L NO783379L NO783379A NO783379A NO783379L NO 783379 L NO783379 L NO 783379L NO 783379 A NO783379 A NO 783379A NO 783379 A NO783379 A NO 783379A NO 783379 L NO783379 L NO 783379L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- transistor
- current
- base
- switch
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/60—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
- H03K4/62—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device
- H03K4/64—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device combined with means for generating the driving pulses
Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
Kretsanordning som inneholder en høyspenningseffekt-transistor.
Oppfinnelsen angår en kretsanordning som inneholder en høyspennings-effekttransistor, styreanordninger for å til-føre et pulsformet brytersignal til dens basiselektrode og en belastningsimpedanse forbundet med høyspennings-effekttransis-torens kollektorelektrode og med en driftspenningskilde, hvor høyspenningseffekttransistoren er styrt til mettingsområdet for driftspenningskilden, som er avbrytbar under innvirkning . av det pulsformede bryter-signal som benyttes hertil, og styreanordningeneomfatter en tilleggstransistor, hvis emitter-elektrode er forbundet med basiselektroden i høyspennings-ef f ekttransistoren og kollektorelektroden er forbundet med høyspennings-effekttransistorens kollektorelektrode.
En sådan kretsanordning, som f.eks. er hensikts-messig til bruk i linjeavbøyningskretsen i TV-mottakere, er kjent fra en artikkel publisert i tidsskriftet "Electronics", 9. juni 1977j side 192 og 19^. I denne artikkelen er det foreslått å konstruere kretsens høyspennings-effektbryter, . , som en såkalt "Darlington kopling", hvor tilleggstransistoren forsterker brytersignalet, som frembringes av et styretrinn, og som styrer basisen i den aktuelle høyspennings-effekttran-sistor. En fordel med Darlington-koplingen er at tilleggstransistoren som ikke må kople om store strømmer har en mye høyere strømforsterkningsfaktor enn høyspennings-effekttran-sistoren, slik at styretrinnet ikke må tilføre høy effekt.
I følge nevnte artikkel er basisstrømmen i tilleggstransistoren i størrelsesorden av 200 mA, slik at en styretra-nsformator ikke lenger er nødvendig.
Anvendelse av en styretransformator kan imidlertid være ønskelig f.eks. for å isolere kretsens jord fra den elektriske anordning. Dette benyttes særlig i kraftforsyninger av brytertypen, som også omfatter en høyspenningsbryter og som kan være utført på lignende måte som en linjeavbøyningskrets og/eller i kombinasjon med denne.
Koplingen ved hjelp av en transformator mellom styre-trinnet og slutt-trinnet forbruker mindre energi enn en motstandskopling, da en motstand må bli forbundet med en likespenningskilde mens styretrinnet kan bli matet, dersom lednings-isolasjon foreligger, med en lavere likespenningskilde .
Imidlertid er en slik transformatorkopling ikke uten problemer. Når kollektor-strømmen i høyspenningstransistoren, som er styrt til mettingsområdet, skal bli slått av, inneholder både dens basis- og kollektorsjikt et meget høyt overskudd av ladningsbærere som må bli fjernet. Dette fører til at basissperrestrømmen, som flyter i løpet av avbruddet, er meget stor, slik at styreenergien er av samme størrelses-orden i begge tidsintervallene, det vil si at intervallet, i hvilket nevnte transistor leder.og i intervallet, i hvilket den er ikkeledende. Dersom Darlington-koplingen er benyttet, er styreenergien mye lavere i nevnte første intervall, på grunn av strømforsterkningen i tilleggstransistoren, enn styreenergien i det andre intervallet. Av dette fremgår at styring ved hjelp av en styretransformator ikke er mulig uten ytterligere forholdsregler.
En ytterligere vanskelighet er resultat av det faktum at styringen av en høyspenningseffekttransistor ikke må tilfredsstille de samme forhold i løpet av begge intervallene. I løpet av intervallet, i hvilket transistoren leder, må basisledestrømmen ha en gitt variasjon, således at energiforbruket i løpet av avbruddet, som er avhengig av antallet av opphopede ladningsbærere i nevnte intervall, blir lavt. I motsatt tilstand, hvor basisstrømmen strømmer til-bake i løpet av avbruddet, må denne ha en variasjon som er beskrevet detaljert i nederlandsk patentskrift nr. 138.210. På grunn av anvendelsen av tilleggstransistoren kan konstruk-sjonen av styrekretsen for høyspenningseffekttransistoren i henhold til dette patentskrift ikke bli anvendt uten ytterligere forholdsregler.
Foreliggende oppfinnelse har til hensikt å fremskaffe en kretsanordning omfattende en Darlington-kopling, i hvilken., disse i konflikt til hverandre stående krav kan bli tilfreds-stillet, mens anvendelse av styretransformator er mulig. Kretsanordningen i henhold til oppfinnelsen er derforkarakterisert vedat styreanordningene også omfatter to strøm-baner, nemlig en første strømbane omfattende en bryterdrevet strømkilde forbundet med basiselektroden til tilleggstransistoren for å gjøre og opprettholde høyspenningseffekttransis-toren ledende, og en andre strømbane som omfatter en induktans, en i hovedsaken konstant spenningskilde og en bryter som er innkoplet mellom emitter- og basis-elektroden til høyspenningseffekttransistoren for å sperre denne transistor, idet bryterstrømmen flyter i løpet av operasjonen når bryteren er brutt, og ikke flyter når bryteren er ledende.
Da, ifølge foreliggende oppfinnelse, basislede-strømmen og basissperrestrømmen flyter gjennom forskjellige strømbaner, kan de bli optimaliserte hver for seg, mens en styretransformator ikke behøver å være satt inn i den andre strømbanen, idet den er beliggende mellom basis og emitter-elektroden til en og samme transistor.
Ifølge en ytterligere utførelsesform av foreliggende oppfinnelse er kretsanordningenkarakterisert vedat den i hovedsaken konstantspenningskilden er satt i drift av emitter-strømmen til høyspenningseffekttransistoren for å frembringe den i hovedsaken konstante spenningen.
I en utførelsesform av kretsanordningen ifølge foreliggende oppfinnelse omfatter den en diode anordnet parallelt med basisen-emitter-dioden i tilleggstransistoren og med ledningsretningen motsatt dertil, og erkarakterisert veden første transistor forbundet med primærvikling til en styre-transf ormator , en sekundærvikling, hvilke er forbundet over en adskillingsdiode med basisen til tilleggstransistoren, og ved en andre transistor, hvis basis er tilført et bryterstyresignal frembragt av styretransformatoren, hvor den andre transistor ligger i serie med induktansen, hvor en på denne måten utformet serie-kopling er forbundet med basisen i tilleggstransistoren, og den første transistor er innstilt til å virke som en bryterdreven strømkilde.
Oppfinnelsen skal nedenfor forklares nærmere ved hjelp av et ikke begrensende utførelseseksempel med henvis-ninger til tegningene. Fig. 1 viser et prinsippskjerna for kretsanordningen ifølge oppfinnelsen.
Fig. 2 viser bølgeformenes forløp'i kretsen.
Fig. 3 viser et koplingsskjerna for en utførelses-form av kretsen i fig. 1, og
fig. 4 viser en variant av en detalj i fig. 3-
Fig. 1 viser en høyspennings-effekttransistor 1 av npn-typen, hvis kollektor er forbundet via en vikling 2 med den positive klemmen til en spenningsforsyningskilde som av-gir en likespenning +!J!g. Dens negative klemme er forbundet med jord. Viklingen 2 kan være primærviklingen i en transformator (ikke vist på tegningene), som danner en del av en likespenningsomformer av kjent type som frembringer en eller flere likespenninger som er stabilisert mot variasjoner i spenningen U;Bog/eller til en last. Denne stabiliseringen er oppnådd på kjent måte, f.eks. ved hjelp av fasedreiing, avhengig av en sekundærspenning i transformatoren, av en av flankene i et brytersignal som tilføres basisen i transistoren 1. ^.Viklingen 2 kan også være primærvikling i en linjetransformator i en TV-mottager eller en transformator i en kombinert spenningsforsyning og linjeavbøyningskrets.
Emitteren i en transistor 3 av npn-typen er forbundet med nevnte basis og kollektor i transistor 3 er forbundet med kollektoren i transistor 1. En..diode 4 er anordnet parallell med basis-emitter-dioden i transistoren 3 og har motsatt ledningsretning. Elementene 1, 3 og 4 kan være utført som separate elementer, de kan alternativt være integrert på kjent måte i et og samme halvleder-legeme.
Dersom dette er tilfelle, omfatter de et element 5 som har
tre elektroder, hvor kollektoren i elementet 5 er kollektoren i transistor 1, mens basisen i elementets er basisen i tran-._. sistoren 3 og emitteren i elementet 5 er emitteren i transistoren 1, idet elementet 5 oppfører seg utad som en enkelt transistor. Ved ikke å ta med i betraktningen diode 4 i elementet 5 er dette en såkalt Darlington-kopling.
Basisen i transistoren 3 er forbundet via en strøm-kilde -7, med en positiv likespenningskilde 6,.mensTen induktans 8, en likespenningskilde 9 og en bryter 10 er koplet i serie mellom basisen i transistoren 3 og emitteren i transistoren 1. Et punkt i denne serieanordningen, f.eks. emitteren i transistoren .1, og også den negative klemmen av kilden 6, er forbundet med jord. Strømmen frembragt av kilden 7 er koplet om på slik måte at den periodisk antar verdien 1-^og null. På en lignende måte er bryteren 10 gjort periodisk ledende og ikkeledende. Begge har samme frekvens, f.eks. frekvensen til linjeavbøyningskretsen dersom kretsen i..fig. 1 omfatter en del av en TV-mottager (ikke vist) idet det forutsettes at strømmen 1-^flyter når bryteren 10 er ikkeledende og at strømmen 1^ikke flyter når bryter 10 leder.
På tidspunktet t-^begynner strømmen 1^, frembragt av strømkilden 7, å flyte til.basisen i transistoren 3, slik at denne transistor og følgelig også transistor 1 blir ledende. Variasjonen i strømmen 1^i forhold til tiden er vist på fig. 2a, mens fig. 2c og 2d, henholdsvis viser variasjonen av spenningen UgEmellom basisen i transistoren 3 og emitteren i transistoren 1, henholdsvis variasjonen av kollektor-strømmen Ic i transistoren 1. Variasjonen av strømmen 1^avhenger av tilstanden på eller av for transis-torene 1 og 3 • Strømmen 1-^kan f. eks. være konstant.
Verdien av den er tilstrekkelig til å styre transistor 1 til metting etter forsterking i transistoren 3. Spenningen UgEer positiv. Kilden 7 er en strømkilde, dvs. at basis-strømmen 1^ er frembragt ved at den er i det vesentlige uav-hengig av spenningen Ugg. Spenningen Ug er tilstede over viklingen 2 slik at strømmen I cøker lineært.
På tidspunktet t ? stopper strømmen, som er frembragt av kilden 7, å flyte når bryteren 10 er gjort ledende. Spenningskilden 9, hvis negative klemme er forbundet med induktansen 8, sikrer sperring av transistoren 1. Ladnings-bærernes tilstedeværelse i overskudd i basis- og i kollektor-sjiktet forårsaker derved, i forbindelse med spenningskilden 9, en negativ strøm 1^gjennom dioden 4 og induktansen 8, som er tegnet inn på fig. 2b i avhengighet av tiden. Variasjonen etter tidspunktet t 2 for strømmen L~^ > spenningen UgEog strømmen I cer nærmere forklart i nederlandsk patentskrift nr. 138.210, som tidligere henvist til. Følgelig vil det være tilstrekkelig å stadfeste følgende: På grunn av tilstedeværelsen av induktansen 8 er variasjonen av strømmen forsinket når transistoren 1 fremdeles er i mettingsområdet. På tidspunktet t^.<n>år strømmen 1^en maksimalverdi, hvoretter den minsker. På nøyaktig samme tidspunkt antar spenningen UDr,, ved tilstrekkelig energi i..induktansen, verdien av lavine-spenningen på basis-emitter-dioden i transistoren 1, mens strømmen I cminsker meget hurtig .og blir null. På tidspunktet tjj ved hvilket strømmen blir..null, antar spenningen UgE
verdien U F for- spenningskilden 9. Denne tilstand er opprett-holdtuinntil tidspunktet t'^, ved hvilket strømmen 1^flyter igjen mens bryteren 10 er bragt i utkoplet tilstand ved hvilken en ny periode tar til.
Dioden 4 danner vei for basissperrestrømmen I^, men denne strøm er ikke i stand til1 å flyte _til den motsatt polede basis-emitter-diode i transistoren 3. Dersom det imidlertid ikke er behov for at Darlington-koplingen 1,3 er..sammenfattet i et element 5 med bare tre klemmer, kan dioden 4 utelates på den betingelse at induktansen 8 ikke er forbundet med basisen i transistoren 33men ved basisen i transistoren 1.
Det var antatt i innledningen at innkoplingstiden for Darlington-koplingen er neglisjerbart kort, hvilket er riktig i mange tilfeller. Utkoplingstiden, på den andre side er forholdsvis lang og sterkt avhengig av såvel mengden av ladningsbærere i sjiktene i transistoren 1 som av den ikkekonstante strømforsterkningsfaktor for transistoren 3 og selvfølgelig av den gitte ledestrøm 1-^. Dersom strømmen 1-^er for stor, vil utkoplingstiden bli lengre; dersom den er for liten vil transistoren bli mindre mettet, dvs. at den så-kalte knespenning vil bli for høy. Begge tilfellene forårsaker en økning av tapet. Det er selvfølgelig klart, at en egnet variasjon må bli valgt for strømmen 1^, idet enhver variasjon, f.eks. for styring av virkningen av intervallene til t2 og spredningen av mengden av ladningsbæreren på grunn av toleransen av verdien av spenningen uV.^, må bli tatt til følge. Av foregående fremgår at strømmen 1-^må bli frembragt av en strømkilde fordi variasjonene av denne strøm er lite avhengig av egenskapene til kretsen som den flyter i. Kilden 9»som besørger styringen i løpet at utkop- lings.t.iden, altså mellom tidspunktene tp og t^, må tvert om være en spenningskilde. På grunn av at variasjonen av strøm-men lg er bestemt av verdien av spenningen Ug og av verdien av induktansen 8, er det nødvendig at kilden 9 har lav indre motstand. Variasjonen av strømmen 1^ kan bli holdt under kontroll ved valget av nevnte verdi og det på en slik måte at ladningsbærerne får anledning til å bevege seg til basissjiktet fra hvilket de siden fjernes uten at dette er diktert av en ytre strømkilde. Av det tidligere nevnte fremgår at variasjonen i basisledestrømmen 1^, i transistoren 1 og i basis-sperrestrømmen I ? kan optimaliseres hver for seg.
Fig. 3 viser- en utførelsesform av kretsanordningen på fig. 1. På fig. 3 anvendes samme henvisningstall for samme komponenter som på fig. 1. En styretransistor 11 ut-fører funksjonen til strømkilden 7. I den hensikt er dens basis forbundet med en konstant spenningskilde ved hjelp av en Zenerdiode 12, mens., en motstand 13 er forbundet med emitteren.
Et brytesignal er lagt til spenningen på basisen i trans.istoren 11 på en slik .måte at transistor 11 ikke blir mettet i løpet av leder-intervallet. Kollektoren i transistoren 11 er forbundet med primærviklingen 14 i en styre-transf ormator 15j hvis sekundærvikling 16 er forbundet med basisen i transistoren 3 over en diode 17. Lederetning til dioden 17 er den samme som for strømmen 1^på fig. 1. Vik-lingsretningen til viklingene 14 og 16 kan f,..eks. være slik at transistoren 11 leder, mens transistor 3 er sperret og om-vendt. Seriekoplingen av et RC-parallell-nettverk 18,19 og en diode 20 ligger parallelt med viklingen 16, hvor katoden i dioden 20 er forbundet med nettverket 18,19 og med basisen i transistoren 10 som er av; pnp-typen med funksj on _som_ bryter 10 på fig. 1. Emitteren i transistoren 10 er forbundet med induktansen 8 og med anoden..i dioden 20.
Spenningskilden 9 er dannet av et antall dioder., f.eks. tre 21^, 212og 21^ og innkoplet mellom emitteren i transistoren 1 og kollektoren i transistoren 10 og en filterkondensator 22 ligger parallelt med seriekoplingen av diodene, og diodene har samme lederetning som emitterstrømmen i tranr sistoren 1. Forbindelsespunktet mellom viklingen 16, dioden 20, kollektoren til transistoren 10, dioden 21^ og kondensatoren 22 er forbundet med den negative klemmen til kilden +Ug.
I løpet av ledeintervallet i transistor 1 forårsaker dens emitterstrøm et hovedsakelig konstant spenningsfall over diodene 21^, 21 ^ og 21^. Et enda mere konstant spenningsfall kan oppnås ved å benytte en Zenerdiode istedet for de ovenfor nevnte dioder. Dersom kondensatoren 22 har tilstrekkelig høy kapasitet, er spenningen over denne hovedsakelig konstant. Dette er den ovenfor definerte spenning Ug. På grunn av at det ovenfor nevnte forbindelsespunkt er forbundet med den negative klemme til forsyningskilden istedet for til emitteren i transistoren 1, er det sikret at spenningen Ug forblir hovedsakelig konstant også i korte leder-intervaller for transistoren 1. I motsatt fall ville kilden 9 på fig. 1 bli liggende i basiskretsen for transistoren 3j slik at ved korte leder-intervaller vil utilstrekkelig energi bli_tilført av basisstrømmen for å holde spenningen (Up, konstant.
Transistoren 11 virker som en strømkilde og dens kollektorstrøm tilføres, transformert ved hjelp av transformatoren 15, basisledestrømmen i transistoren 3, ... hvilken strøm flyter gjennom dioden 17. Transistoren 11 kan alternativt være utført som en bryter-transistor mens en strømkilde, f.eks. en transistor, er innkoplet mellom viklingen 14 og kilden 6. Dersom spenningen over viklingene 16 er utsatt for en negativ variasjon på tidspunktet t^ > blir transistoren 10 ledende og forårsaker at strømmen 1^ flyter, mens dioden 17 er sperret. Slik skiller dioden 17 lede-strømbanen fra sperrestrømbanen. I ovenfor nevnte tilfelle i hvilket induktansen 8 ikke er forbundet med basisen i transistoren 3, men med basisen i transistoren 1, kan ikke bare dioden 4 men også dioden 17 utelates, mens adskillelses-funksjonen utføres av basis-emitter-dioden i transistoren 3-På grunn av adskillelsen flyter ingen basissperrestrøm i begge tilfellene fra transistor 1 til viklingen 16, hvilket vil skje hurtig. På lignende måte flyter ingen strøm gjennom induktansen 8 i intervallet t-^til t^.. På grunn av slik strøm vil energi bli lagret i induktansen 8 som vil forår-sake en akselerasjon i variasjonen av strømmen mens derimot en forsinkelse er nødvendig. Som følge av det lille antall ladningsbærere i sjiktene i transistor 3 kan dens basis-sperrestrøm flyte raskt. Kondensatoren 19 og dioden 20 sikrer en forbedret bryting av transistoren 10. På tidspunktet t'^blir spenningen over viklingen 16 positiv, slik at dioden 17 leder, mens transistoren 10 er sperret.
Kretsen på fig. 3 har den fordel at en likespennings-isolasjon mellom effekttrinnet og de øvrige deler av anord-ningen hvor dette- trinn utgjør en del, kan bli realisert på enkel måte takket være tilstedeværelsen av transformatoren 15. Begge klemmer av spenningskilden +UD kan f.eks. være like-spenningsforbundet med den elektriske anordning, mens de ikke spenningsførende ledninger fra den resterende delen av an-ordningen, f. eks. ledningene til elementene 12 og 13/, som ikke er forbundet med transistoren 11, er forbundet med dens jord. Dette betyr at isolasjon ikke er nødvendig for strømbanen for strømmen 1^.. Under henvisning til fig. 3, skal det bemerkes at en forholdsvis stor lekkasjeinduktans, som kan bli ut-viklet av et antall sekundær-viklinger (ikke vist) til transformatoren 15, fremdeles er tillatelig, fordi bare strømmen 1-^må bli transformert av transformatoren, og hvis strøm er frembragt av en strømkilde.
Det skal bemerkes at spenningskilden 9 alternativt kan realiseres ved å innkople en transistor i emitterledningen til transistoren 1, f.eks. dersom spenningen Ug må ha en mere nøyaktig verdi. Fig. 4 vis.er en slik transistor 23 av pnp-typen. Ved hjelp avrto motstander~24—og 25 kan dens kollektor-emitter-spenning bli bragt til ønsket verdi, idet
motstanden 24 er innkoplet mellom kollektoren og basisen i transistoren 23 og motstanden 25 mellom basisen og emitteren.
Med en ytterligere variasjon av kretsen på fig. 3 er spenningen Ug frembragt ved hjelp av,'.en vikling som er koplet med viklingen 2. En strøm som er proporsjonal med strømmen f|£ flyter gjennom denne. En likeretter.og parallelt med seriekoplinge.tii som således dannes, en motstand som er nødvendig for emitterstrømmen, og en filterkondensator 22 er koplet i serie med nevnte vikling. Motstanden kan utelates dersom forbindelsespunktet med.transistoren 1, kondensatoren 22 og nevnte likeretter er forbundet med jord. Da, som regel, spenningen Ug ikke er konstant, er heller ikke spenningen Ug konstant, hvilket kan tillates i visse tilfeller. Ellers kan ILJi, bli stabilisert på kjent måte, f.eks. ved hjelp av en Zener-diode. Det er klart at spenningen U~E også kan bli frembragt ved hjelp av en transformator som er forbundet med det elektriske nettet.
Claims (11)
1. En kretsanordning omfattende en høyspennings-ef fekttransistor, styreanordninger for å tilføre et pulsformet brytersignal til dens basiselektrode og en belastnings-impedans forbundet med høyspenningseffekttransistorens kollektor-elektrode og med en driftsspenningskilde, hvor høyspen-nings-ef f ekttransistoren er styrt til mettingsområdet for driftspenningskilden, som er avbrytbar under innvirkning av det pulsformede brytersignal som benyttes hertil, og styre-anordningen omfatter en tilleggstransistor, hvis emitter-elektrode er forbundet med basiselektroden i høyspennings-ef f ekttransistoren og kollektor-elektroden er forbundet med høyspenningstransistorens kollektorelektrode, karakterisert ved at styreanordningene også omfatter to strømbaner, nemlig en første strømbane omfattende en bryterdrevet strømkilde forbundet med basiselektroden i tilleggstransistoren for å gjøre og opprettholde høyspennings-ef f ekttransistoren ledende, og en andre strømbane som omfatter en induktans, en i hovedsak...konstant spenningskilde og en bryter som er innkoplet mellom emitter- og basis-elektroden i høyspenningseffekttransistoren for å sperre denne transistor, idet bryterstrømmen flyter i løpet av operasjonen når bryteren er brutt og ikke flyter når bryteren er ledende.
2. En kretsanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at den i hovedsak^ konstante spenningskilde er satt i drift av emitter-strømmen i høyspenningseffekt-transistoren for å frembringe den i hovedsaken konstante spenningen.
3- En kretsanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at den i hovedsaken konstante spenningskilde er satt i drift av strømmen som er proporsjonal med kollektorstrømmen i høyspenningseffekttransistoren for å frembringe den i hovedsak konstante spenningen.
4. En kretsanordning ifølge fgtt av kravene 2 og 3,, karakterisert ved at den i hovedsaken konstante spenningskilde omfatter minst én diode og en kondensator anordnet parallelt med denne.
5. En kretsanordning ifølge krav 4, karakterisert vedat dioden er en Zenerdiode.
6. En kretsanordning ifølge krav 2, karakterisert ved at den i hovedsak konstante spenningskilden omfatter en transistor hvis kollektor-emitter-overgang er anordnet i emitterledningen i høyspennings-effekttransistoren, en kondensator som ligger parallelt med dens kollektor-emitter-overgang.
7. En kretsanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at den bryterdrevne strømkilde er innbe-fattet i den første strømbanen ved hjelp av en styretransformator.
8. En kretsanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at de to strømbanene er adskilt fra hverandre ved hjelp av en diode.
9. En kretsanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at bryteren er styrt av bryterstrømmen.
10. En kretsanordning ifølge ett av de foregående krav, omfattende en diode anordnet parallelt med basis-emitter-dioden til tilleggstransistoren og med ledningsretning motsatt dertil, karakterisert ved en første transistor forbundet med primærviklingen i en styretransformator, en sekundærvikling som er forbundet via en adskillingsdiode med basisen til tilleggstransistoren, og en andre transistor, hvis basis er tilført et bryterstyresignal frembragt av styretransformatoren, idet den andre transistor ligger i serie med induktansen, den således utformede serieanordning er forbundet med basisen til tilleggstransistoren, og den første transistoren er innstilt til å virke som en bryterdreven strømkilde.
11. En kretsanordning ifølge ett av kravene 1~9 , karakterisert ved en første transistor forbundet til primærviklingen i en styretransformator, hvis sekundærvikling er forbundet med basisen i tilleggstransisT__ toren, en andre transistor, hvis basis er tilført et bryterstyresignal frembragt av styretransformatoren, og den andre transistoren er arrangert i serie med induktansen, idet den slik utformede serieanordning er forbundet med basisen i høy-spenningsef f ekttransistoren, og den første transistor er inn stilt til å virke som en bryterdreven strømkilde.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7711083A NL7711083A (nl) | 1977-10-10 | 1977-10-10 | Schakeling voorzien van een hoogspannings- vermogenstransistor. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO783379L true NO783379L (no) | 1979-04-11 |
Family
ID=19829317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO783379A NO783379L (no) | 1977-10-10 | 1978-10-05 | Koblingsanordning med hoeyspennings-krafttransistor |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4227099A (no) |
JP (1) | JPS589630B2 (no) |
AT (1) | AT361995B (no) |
AU (1) | AU518334B2 (no) |
BE (1) | BE871102A (no) |
BR (1) | BR7806668A (no) |
DE (1) | DE2842726C3 (no) |
DK (1) | DK446878A (no) |
ES (1) | ES474033A1 (no) |
FI (1) | FI783053A (no) |
FR (1) | FR2405590A1 (no) |
GB (1) | GB2005947B (no) |
IT (1) | IT1160697B (no) |
NL (1) | NL7711083A (no) |
NO (1) | NO783379L (no) |
SE (1) | SE7810464L (no) |
ZA (1) | ZA785035B (no) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54126454A (en) * | 1978-03-25 | 1979-10-01 | Sony Corp | Switching circuit |
IT1166910B (it) * | 1979-10-03 | 1987-05-06 | Ates Componenti Elettron | Circuito di comando per interruttore statico a transistore per carichi in corrente continua ad elevata corrente di spunto |
US4393316A (en) * | 1981-03-11 | 1983-07-12 | Reliance Electric Co. | Transistor drive circuit |
US4506176A (en) * | 1982-05-26 | 1985-03-19 | Raytheon Company | Comparator circuit |
GB2137834A (en) * | 1983-03-31 | 1984-10-10 | Prutec Ltd | Control circuit for a motor |
IT1219780B (it) * | 1983-12-20 | 1990-05-24 | Ates Componenti Elettron | Circuito di comando in commutazione di carichi induttivi,integrabile monoliticamente,comprendente uno stadio finale di tipo darlington |
DE3413208A1 (de) * | 1984-04-07 | 1985-10-17 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Schaltungsanordnung zum schalten eines stromes in einem transistor |
DE3420312C2 (de) * | 1984-05-30 | 1986-10-09 | SGS Halbleiter-Bauelemente GmbH, 8018 Grafing | Ansteuerschaltung für einen Ablenk-Leistungstransistor |
JPS6172901U (no) * | 1984-10-18 | 1986-05-17 | ||
KR900008276B1 (ko) * | 1985-02-08 | 1990-11-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 2단계차단동작을이용한절연게이트바이폴라트랜지스터용보호회로 |
US4837457A (en) * | 1986-12-19 | 1989-06-06 | U.S. Philips Corp. | High voltage power transistor circuits |
US4891532A (en) * | 1988-11-08 | 1990-01-02 | Sundstrand Corporation | Darlington connected switch having base drive with active turn-off |
US5410190A (en) * | 1992-12-17 | 1995-04-25 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Circuit for shortening the turn-off time of a power transistor |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3192399A (en) * | 1961-12-11 | 1965-06-29 | Sperry Rand Corp | Amplifier-switching circuit employing plurality of conducting devices to share load crrent |
NL6708465A (no) * | 1967-06-17 | 1968-12-18 | ||
DE2408381C3 (de) * | 1974-02-21 | 1981-05-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur pulsbreitenmodulierten Ansteuerung von Leistungstransistoren |
-
1977
- 1977-10-10 NL NL7711083A patent/NL7711083A/xx not_active Application Discontinuation
-
1978
- 1978-09-05 ZA ZA785035A patent/ZA785035B/xx unknown
- 1978-09-12 US US05/941,564 patent/US4227099A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-09-30 DE DE2842726A patent/DE2842726C3/de not_active Expired
- 1978-10-05 NO NO783379A patent/NO783379L/no unknown
- 1978-10-06 GB GB7839579A patent/GB2005947B/en not_active Expired
- 1978-10-06 DK DK446878A patent/DK446878A/da unknown
- 1978-10-06 SE SE7810464A patent/SE7810464L/xx unknown
- 1978-10-06 FI FI783053A patent/FI783053A/fi unknown
- 1978-10-06 IT IT69322/78A patent/IT1160697B/it active
- 1978-10-06 FR FR7828621A patent/FR2405590A1/fr active Pending
- 1978-10-07 ES ES474033A patent/ES474033A1/es not_active Expired
- 1978-10-09 AU AU40531/78A patent/AU518334B2/en not_active Expired
- 1978-10-09 BE BE190988A patent/BE871102A/xx unknown
- 1978-10-09 BR BR7806668A patent/BR7806668A/pt unknown
- 1978-10-09 JP JP53124528A patent/JPS589630B2/ja not_active Expired
- 1978-10-09 AT AT725078A patent/AT361995B/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5464414A (en) | 1979-05-24 |
AT361995B (de) | 1981-04-10 |
NL7711083A (nl) | 1979-04-12 |
JPS589630B2 (ja) | 1983-02-22 |
SE7810464L (sv) | 1979-04-11 |
DE2842726C3 (de) | 1983-11-17 |
US4227099A (en) | 1980-10-07 |
BE871102A (fr) | 1979-04-09 |
FR2405590A1 (fr) | 1979-05-04 |
GB2005947A (en) | 1979-04-25 |
DE2842726A1 (de) | 1979-04-12 |
DK446878A (da) | 1979-04-11 |
ATA725078A (de) | 1980-09-15 |
FI783053A (fi) | 1979-04-11 |
DE2842726B2 (de) | 1981-04-16 |
ZA785035B (en) | 1980-04-30 |
GB2005947B (en) | 1982-02-17 |
BR7806668A (pt) | 1979-05-08 |
IT7869322A0 (it) | 1978-10-06 |
IT1160697B (it) | 1987-03-11 |
ES474033A1 (es) | 1979-04-01 |
AU4053178A (en) | 1980-04-17 |
AU518334B2 (en) | 1981-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO783379L (no) | Koblingsanordning med hoeyspennings-krafttransistor | |
FI92269C (fi) | Kytkentäjärjestely kytkentävirran pienentämiseksi kytkintyyppisissä virransyöttölaitteissa | |
US5793589A (en) | Circuit arrangement for current limiting | |
JPS63501330A (ja) | 電話加入者ル−プ過電圧保護回路 | |
EP0651490A1 (en) | Overvoltage protection circuit | |
US4972106A (en) | Binary-to-ternary converter for combining two binary signals | |
EP4140012A1 (en) | Protection circuit for battery management system | |
DK166977B1 (da) | Kredsloeb til beskyttelse af abonnenttilslutningskoblingers elektroniske interfacekobling | |
EP0284979B1 (en) | Integrated circuit for driving inductive loads | |
US4388499A (en) | Line interruption circuit for use in a telephone set | |
US3009115A (en) | Power supply circuit | |
US11094688B2 (en) | Isolation architecture | |
GB2141301A (en) | Protection circuit for integrated circuit devices | |
US4110636A (en) | Feeding bridge | |
NO162172B (no) | Stroemforsyning til seriematede elektroniske kretser. | |
US4224654A (en) | Relay driver circuit | |
SK283436B6 (sk) | Zapaľovací stupeň na spaľovacie motory | |
US4270159A (en) | Transistor protection circuits | |
US3601622A (en) | Contact protection using charge storage diodes | |
US4114072A (en) | High voltage protection circuit having predictable firing point | |
US3943432A (en) | Electronic feeding bridge | |
US8134810B2 (en) | Protective circuit arrangement | |
SE450068B (sv) | Styrkretskoppling for grindstyrda diodstromstellare | |
GB2146862A (en) | Electronic switching circuits | |
US5182470A (en) | Negative overvoltage protection circuit, in particular for output stages |