NO139021B - Elektrisk tyntskiktkobling. - Google Patents
Elektrisk tyntskiktkobling. Download PDFInfo
- Publication number
- NO139021B NO139021B NO742086A NO742086A NO139021B NO 139021 B NO139021 B NO 139021B NO 742086 A NO742086 A NO 742086A NO 742086 A NO742086 A NO 742086A NO 139021 B NO139021 B NO 139021B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- tantalum
- layer
- aluminium
- capacitor
- content
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 108
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 47
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Ta+5] VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 13
- PQLZZALLLYUAKL-UHFFFAOYSA-N [Au].[Cr].[Ni] Chemical compound [Au].[Cr].[Ni] PQLZZALLLYUAKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- XWROUVVQGRRRMF-UHFFFAOYSA-N F.O[N+]([O-])=O Chemical compound F.O[N+]([O-])=O XWROUVVQGRRRMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UEJQQMLXZQUJHF-UHFFFAOYSA-L [K+].[I+].[I-].[I-] Chemical compound [K+].[I+].[I-].[I-] UEJQQMLXZQUJHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
- H01L21/707—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thin-film circuits or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår en elektrisk tyntskiktkobling som inneholder minst en kondensator og en lederbane og/eller motstand,
og hvor disse koblingselementer er dannet ved hjelp av tilsvarende formede skikt på et substrat av isolerende materiale som glass,
safir, polert finkornet keramikk eller kvarts, idet der anvendes et skikt av en tantal-aluminium-legering med en i forhold til aluminium-andelen forholdsvis liten tantal-andel i størrelsesorden 2 til 20 atomprosent tantal, og dette skikt i området for en
kondensator er oksydert på sin fra substratet bortvendte flate for å danne kondensatordielektriket, og der på dette oksydasjonsskikt er anordnet en kondensator-motelektrode. Videre angår oppfinnelsen en fremgangsmåte til fremstilling av en slik kobling.
I fremstillingen til søkerens prioritets-eldre patent er
det vist at de kjente tantal-aluminium-legeringer egner seg godt for elektriske tyntskiktskoblinger på et substrat av isolasjonsmateriale, og at der fås særlig gunstige elektriske verdier når det gjelder temperaturkoeffisient og konstans av de elektriske egenskaper, når tantalandelen i motsetning til de tidligere kjente sammensetninger velges relativt liten sammenholdt med aluminium-andelen, særlig i området mellom 2 og 20 atomprosent.
For denne gjenstand er det av særlig betydning at der ved en tantalandel på ca. 7 atomprosent og mindre utformer seg et såkalt fcc-Al-gitter istedenfor det tetragonale gitter som utformer ség ved et høyere tantalinnhold, og at dette fcc-Al-gitter fører til en særlig god kronologisk stabilitet av de elektriske komponenter som fremstilles i denne tantal-aluminium-tynnfilmteknikk.
Gjenstanden for det eldre patent er også beskrevet i "Proceedings of the 1973, 23. Electronic Components Conference", Washington, 14. til 16.5.1973, side 245 til 250.
Til grunn for den foreliggende oppfinnelse ligger den oppgave med utgangspunkt i teknikken ifølge det eldre patent å gi anvisning på en vei som gjør det mulig ved en tyntskiktkobling som er opp-bygget i tantal-aluminium-teknikk og inneholder minst en kondensator og minst en lederbane og/eller motstand, å innstille tantal-aluminium-oksydskiktet som danner kondensator-dielektriket, uavhengig av lederbanen resp. motstandsbanen for å sikre en eksakt reproduser-barhet.
Med en elektrisk tyntskiktkobling av den innledningsvis omtalte art blir denne oppgave ifølge oppfinnelsen løst ved at skiktet med relativt liten tantal-andel er anordnet på et skikt som ligger direkte an på substratet og består av entantal-aluminiumlegering med vesentlig høyere tantalinnhold.
Ved anvendelse av to slike over hinannen liggende skikt oppnår man på en gunstig måte at der dels finnes et skikt som kan oksyderes for dannelse av kondensatorens dielektrikum, og som har meget liten motstand så kondensatorens tapsmotstand kan holdes liten, og der dels finnes et skikt som hår relativt lite tantalinnhold og kan etses selektivt i forhold til skiktet med relativt høyt tantalinnhold, så kondensator-områdene for forskjellige kondensatorer anordnet på samme substrat kan forbli innbyrdes forbundet via skiktet med relativt høyt tantalinnhold, hvis skiktet med lavere tantalinnhold etter pådampningen av skiktet med høyt tantalinnhold og den påfølgende pådampning av skiktet med lavere tantalinnhold blir underkastet en etseprosess for dannelse av kondensator-grunnelektrodene under fremstillingen av tyntskiktkoblingen. For det etsemiddel som anvendes ved denne etseprosess, kan velges slik at det ikke angriper det skikt med større tantalinnhold som ligger under det skikt som har lavere tantalinnhold og skal etses fra. Skiktet med høyere tantalinnhold kan da fordelanktig som motstands-skikt igjen etses selektivt i forhold til kondensator-grunne1ektrode-skiktet med lavere tantalinnhold.
Fordelaktig består kondensatorens motelektrode av et nikkel-krom-gull-skikt, og i den forbindelse er det enn videre gunstig om motstandene består åv et skikt med det høyere tantalinnhold. Lederbaner har hensiktsmessig som grunn-materiale et skikt med det høyere tantalinnhold og er overtrukket med et godt ledende skikt, eksempelvis et nikkel-krom-gull-skikt.
En fordelaktig fremgangsmåte til fremstilling av slike tynn<1 >filmkoblinger er karakterisert ved at der på substratet først påføres et skikt av en tantal-aluminium-legering med en tantalandel mellom
30 og 70 atomprosent og på dette et ytterligere skikt av en tantal-aluminium-legering med en tantalandel i størrelsesorden mellom 2
og 20 atomprosent, fortrinnsvis ved katodeforstøvning, at der så ved hjelp av en i og for seg kjent maskerings- og etseteknikk først fremstilles et avbrudd på stedet for en kondensator som skal dannes,
og etter fraløsning av masken gjennomføres en anodisk oksydasjon av tantal-aluminium-skiktet, at det tantal-aluminium-oksyd-område som skal utnyttes for dannelse av kondensatoren, så tildekkes med en ytterligere maske og de øvrige områder etses frie for tantal-aluminium-oksydet og derpå for tantal-aluminium-skiktet med det lavere tantalinnhold, og at der så etter fjernelse av de resterende maskedeler ved hjelp av i og for seg kjent maskerings- og etseteknikk, i det. minste i området for kondensatoren påføres et godt ledende overflateskikt, fortrinnsvis i form av et nikkel-krom-gull-skikt,
som kondensator-motelektrode, mens eventuelt forekommende motstander fremstilles av tantal-aluminium-skiktet med høyere tantalinnhold.
Til den anodiske oksydasjon av tantal-aluminiumskiktet egner
seg en svakt vandig syre, som en vandig sitronsyreoppløsning. Den anodiske oksydasjon blir fortrinnsvis ved en strømtetthet i størrelsesorden mellom 0,1 og 1,0 mA/cm^ med fordel fortsatt så lenge til der innstiller seg en formeringsspenning i størrelsesorden j noen hundre volt, særlig i området omkring 500 volt. Til etsning av tantal-aluminium-oksyd-skiktet egner seg en flussyreholdig elektrolytt, f.eks. en vandig oppløsning av flussyre og salpetersyre. Til etsning av tantal-aluminium-skiktet med lavere tantalinnhold egner seg en vandig cersulfat-oppløsning eller vandig saltsyre-oppløsning eller vandig natronlut. Til etsning av tantal-aluminium-skiktet med høyere tantalinnhold egner seg en vandig flussyre-salpetersyre-oppløsning. Med disse etsemidler kan der arbeides ved væreIsetemperatur.
I det følgende vil oppfinnelsen bli belyst nærmere ved et ut-føreslseseksempel som er vist på tegningen for de vesentlige delers vedkommende.
Som eksempel er der som vist på fig. 1, valgt en firepol
som skal realiseres med en motstand RI i tverrgrenen og en kondensator C i langs-grenen. Eventuelt kan der i tillegg også foreligge krav
om en motstand R2 i serie med kondensatoren C i langs-grenen.
Som vist på fig. 2, blir et substrat 1 av isolasjonsmateriale, f.eks. av glass, kvarts, safir eller polert finkornet keramikk, til dette formål først forsynt med et tantal-aluminium-legeringsskikt 2 som har et tantalinnhold mellom 30 og 70 atomprosent, fortrinnsvis i størrelsesorden 50 atomprosent. Dette skikt påføres på i og for seg kjent måte, f.eks. ved katodeforstøvning slik det er vist og beskrevet blant annet i "Siemens-Bauteile-Information 9 (1971)9". På skiktet 2 påføres et ytterligere skikt 3, likeledes av en tantal-aluminium-legering, som imidlertid har en relativt lavere tantal-andel, nemlig slik det er angitt i det eldre patent, altså i størrelsesorden mellom 2 og 2 0 atomprosent.
Det således forberedte substrat blir nå overtrukket med en fotolakkmaske 4,og etter passende belysning fjernes fotolakken ved frem-kalling av denne på det sted hvor kondensatoren senere skal dannes, f.eks. stedet 5. Tantal-aluminium-skiktet 3 ligger dermed fritt på dette sted 5, slik det er vist på fig. 3. Ved en passende etseprosess blir der nå i området for denne gjennombrytning 5 i fotolakk-skiktet 4 gjennomført en gjennometsning av de to tantal-aluminium-skikt 2, 3 j inntil overflaten av substratet 1. Dette fører til en åpning (6 på j fig. 4) i tantal-aluminium-skiktehe 2 og 3. Dreier det seg for eksempel! om å realisere koblingen på fig. 1, kan substratet etter fjernelse
av fotolakken 4 f.eks. ha en tilstand som skjematisk vist på fig. 5.
Et snitt gjennom substratet i denne tilstand tatt i området for åpningen 6, er vist på fig. 4.
Etter fjernelse av fotolakk-masken 4, noe som var forutsatt på fig. 4 og 5,blir der foretatt en anodisk oksydasjon av overflaten av tantal-aluminium-skiktet 3 og dermed nødvendigvis også av randflaten av de to tantal-aluminium-skikt 2, 3. For å gi et mål for tykkelsen av skiktene skal det nevnes at tantal-aluminium-skiktet 2 f.eks. kan ha en tykkelse .Ji størrelsesorden noen tiendels mikrometer og tantal-aluminiumskiktet 3 en tykkelse i størrelsesorden en mikrometer ved en tykkelse av substratet 1 på ca. 0,6 mm. Det tantal-aluminium-oksyd-skikt 7 som dannes ved en anodisk oksydasjon, blir - som det fremgår av fig. 6 - gjort så tykt at der ved en strømbelastning - den anodiske oksydasjon gjennomføres med en konstant strømkilde - mellom 0,1 og 1 mA/cm<2> mellom den frie side av skiktet 7 og tantal-aluminium-skiktet 2, 3 på substratet 1 bygger seg opp en spenningsdifferanse i størrelses-orden noen hundrede volt,om mulig opp til 500 volt. I regelen vil det ved en ytterligere oksydasjon og tilsvarende høyning av den påtrykte spenning for nærværende ennå vanskelig latt seg gjøre å unngå et gjennomslag gjennom tantal-aluminium-oksyd-skiktet, og det er derfor å anbefale bare å gå til denne verdi,som imidlertid allerede gir en relativt høy spenningsfasthet sammenholdt med de vanlige tantal-aluminium-oksyd-skikt ved anvendelse som kondensator-dielektrikum.
Etter passende rensning av substratet 1 med det ensidige over-trekk av tantal-aluminium-skiktene 2, 3 pluss et tantal-aluminium-oksyd-skikt 7 fastlegger man ved hjelp av ytterligere fotolakkmaske
8 ~ jfr. fig. 7 - det område hvor tantal-aluminium-oksydet skal levnes for det senere nødvendige kondensator-dielektrikum. Fotolakkmasken 8 blir påført på en måte som i og for seg er kjent for tynnfilm-koblin-ger. Etter at det er tilveiebragt, blir først det tantal-aluminium-oksyd i området utenfor masken 8 som ikke behøves, fjernet i en første etseprosess så der bare som vist på fig. 8,under masken 8 forblir et område 7' med tantal-aluminium-oksyd. Ved en ytterligere etseprosess fjernes så også det for masken 8 frie område av skiktet 3, dvs. tantal-aluminium-skiktet med det relativt lave tantalinnhold. Ved oppbygningen 1 henhold til oppfinnelsen lar det seg gjøre uten å influere på skiktet 2 , fordi skiktet 3 på grunn av det forskjellige tantalinnhold - f.eks. i et forhold av 5 - 20 - blir etset raskere fra enn skiktet 2. Det er på denne måte mulig på målbestemt måte og med større nøyaktighet å fremstille den endelige form,som er vist på fig. 9. Der er tilbake et område 2, 2' av en tantal-aluminium-legering med høyt aluminium-innhold, f.eks. i størrelsesorden 50 atomprosent.
På tantal-aluminium-skiktet 2, 2" finnes der i området for kondensatoren en liten restandel 3' av tantal-aluminium-legeringen med den lavere tantalandel, og på denne skiktrest 3', dens ene randflate og randflaten av tantal-aluminium-skiktet 2' finnes der en tantal-aluminium-oksydfilm 7' som i regelen ved de angitte formeringsverdier har en tykkelse i størrelsesorden noen tiendels mikrometer og tjener som kondesatoz—dielektrikum.
Den videre fremstilling av kondensatoren skjer nå i samsvar med vanlig teknikk, dvs. at det rensede substrat som er forsynt med skiktene 2, 2', 3' og 7<*>, først på hele den overflate som bærer skiktene,blir overtrukket med et nikkel-krom-gull-skikt, f.eks. ved suksessiv pådampning av et nikkel-krom-skikt 9 og et gullskikt 10. Tykkelsen av dette nikkel-krom-gull-skikt 9, 10 ligger i regelen i størrelsesorden noen tiendels mikrometer. Den utformning som herved fås,er vist på
fig. 10. Ved hjelp av en ytterligere fotomaske blir den del 11 av nikkel-krom-gull-skiktet 9, 10 som behøves for dannelse av lederbanen og motelektroden for kondensatoren,tildekket og den øvrige del av nikkel-krom-gulliskiktet 9, 10 på i og for seg kjent måte etset fra, f.eks. ved hjelp av en vandig kaliumjodid-jod-oppløsning for gull og vandig Cer-sulfatoppløsning for nikkel-krom-andelen. Derpå utarbeides motstanden RI fra skiktet 2 ved i og for seg kjent maskerings- og etseteknikk.
Skal der dessuten som antydet på fig. 1, innføres en langsmotstand
R2 i serie med kondensatoren, kan dette - jfr. fig. n - skje ved en ytterligere bortetsning av nikkel-krom-gull-skiktet over tantal-
alumiinium-skiktet 2'. Ved den annen ende av den således dannede mot-
standsbane av et tantal-aluminium-skikt 2' som eventuelt også kan være ført meanderformig, blir da bare tilbake det godt ledende kontakt-teririgsbelegg 9, 10 som shunter den høyohmige tantal-aluminium-legering.
Der fås dermed et totalbilde som vist på fig. 12, hvor avsnittene 10,
10' svarer til avsnittene med de samme betegnelser på fig. 11. Videre er også inntegnet gjennomgående lederbane 12 og motstandsbanen RI som er ført meanderformig og går direkte over i skiktene 2 i avsnittene 9, 10 og 12. Motstandsskiktet av RI og R2 består av tantal-aluminium-
legeringen med den relativt høye tantalandel. I området for leder-
banene er tantal-aluminium-skiktet med den høyere tantalandel supplert med de påførte nikkel-krom-gull-skikt til ledningsavsnitt 9, 10 og 12
med større ledningsevne.
Istedenfor den viste skrittvise utformning av det definitive
lederbilde med motstander og kondensatorer er det også tenkelig å ut-
arbeide ledningsstrukturen og motstandsstrukturen samtidig direkte fra det dobbelt belagte substrat 1, 2, 3 ifølge fig. 5 under anvendelse av tilsvarende masker og etsning og derpå bare i området omkring stedet 6 for den senere kondensator å utforme kondensatoren ved hjelp av ytterligere masker og under anvendelse av anodisk oksydasjon som for-
klart under henvisning til fig. 6 til 11.
Claims (10)
1. Elektrisk tyntskiktkobling som inneholder minst en kondensator og en lederbane og/eller motstand, og hvor disse koblingselementer er dannet ved hjelp av tilsvarende formede skikt på et substrat av isolerende materiale som glass, safir, polert finkornet keramikk eller kvarts, idet der anvendes et skikt av en tantal-aluminium-
legering med en i forhold til aluminium-andelen forholdsvis liten tantal-andel i størrelsesorden 2 til 20 atomprosent tantal, og dette skikt i området for en kondensator er oksydert på sin fra substratet bortvendte flate for å danne kondensatordielektriket, og der på dette oksydasjonsskikt er anordnet en kondensator-motelektrode,karakterisert ved at skiktet med relativt liten tantal-andel er anordnet på et skikt som ligger direkte an på substratet og består av en tantal-aluminiumlegering med vesentlig høyere tantalinnhold.
2. Tyntskiktkobling som angitt i krav 1,karakterisert ved at der som kondensator-motelektrode tjener et nikkel-krom-gull-skikt.
3. Tyntskiktkobling som angitt i krav 1 eller 2, karakterisert ved at motstander består av skikt med det høyere tantalinnhold.
4. Tyntskiktkobling som angitt i krav 1, 2 eller 3, karakterisert ved at lederbaner har som grunnmateriale skiktet med det høyere tantalinnhold og er overtrukket med et godt ledende skikt, som et nikkel-krom-gull-skikt.
5. Fremgangsmåte til fremstilling av en elektrisk tyntskiktkobling som angitt i et av kravene 1-4, karakterisert ved at der på substratet (1) først påføres et skikt (2) av én tantal-aluminium-legering med en tantalandel mellom 30 og 70 atomprosent og på dette et ytterligere skikt (3) av en tantal-aluminium-legering med en tantal-andel i størrelsesorden mellom 2 og 20 atomprosent, fortrinnsvis ved katodeforstøvning, at der så ved hjelp av en i og for seg kjent maskerings- og etseteknikk først fremstilles et avbrudd (6) på stedet for en kondensator som skal dannes,og etter fraløsning av masken (4) gjennomføres en anodisk oksydasjon av tantal-aluminium-skiktet (3),
at det tantal-aluminium-oksyd-område (7') som skal utnyttes for dannelse av kondensatoren, så tildekkes med en ytterligere maske (8) og de øvrige områder etses frie for tantal-aluminium-oksydet og derpå for tantal-aluminium-skiktet (3) med det lavere tantalinnhold, og at der så etter fjernelse av de resterende maskedeler (8) ved hjelp av i og for seg kjent maskerings- og etseteknik, i det minste i området for kondensatoren påføres et godt ledende overflateskikt (9, 10), fortrinnsvis i form av et nikkel-krom-gull-skikt, som kondensator-motelektrode, mens eventuelt forekommende motstander fremstilles av tantal-aluminium-skiktet med høyere tantalinnhold.
6. Fremgangsmåte som angitt i krav 5, karakterisert ved at der til den anodiske oksydasjon av tantal-aluminium-skiktene anvendes en svak vandig syre, som sitronsyreoppløsning, fortrinnsvis 2 ved en strømtetthet i størrelsesorden mellom 0,1 og 1,0 mA/cm .
7. Fremgangsmåte som angitt i krav 5 eller 6, karakterisert ved at den anodiske oksydasjon fortsettes så lenge til der innstiller seg en formeringsspenning i størrelsesorden noen hundre volt, særlig i området omkring 500 volt.
8. Fremgangsmåte som angitt i krav 5, karakterisert,
ved at der til etsningen av oksydskiktet på tantal-aluminium-skiktet med det lavere tantalinnhold anvendes en flussyreholdig elektrolytt, som en vandig oppløsning av flussyre og salpetersyre.
9. Fremgangsmåte som angitt i krav 6, karakterisert ved at der til etsningen av tantal-aluminium-skiktet med lavt tantalinnhold anvendes en vandig cersulfat-oppløsning eller vandig saltsyre-oppløs-ning eller vandig natronlut.
10. Fremgangsmåte som angitt i krav 6, karakterisert ved at der til etsningen av tantal-aluminium-skiktet med høyere tantalinnhold anvendes en vandig flussyre-salpetersyre-oppløsning.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19732331586 DE2331586C3 (de) | 1973-06-20 | Aluminium-Tantal-Schichten für Dünnschichtschaltungen sowie diskrete Widerstände und Kondensatoren |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO742086L NO742086L (no) | 1975-01-13 |
| NO139021B true NO139021B (no) | 1978-09-11 |
| NO139021C NO139021C (no) | 1978-12-20 |
Family
ID=5884643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO742086A NO139021C (no) | 1973-06-20 | 1974-06-10 | Elektrisk tyntskiktkobling. |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3949275A (no) |
| JP (1) | JPS5346266B2 (no) |
| AT (1) | AT342733B (no) |
| BE (1) | BE816632R (no) |
| CA (1) | CA1007382A (no) |
| CH (1) | CH574200A5 (no) |
| DK (1) | DK143084C (no) |
| FR (1) | FR2234638B2 (no) |
| GB (1) | GB1424980A (no) |
| IE (1) | IE39514B1 (no) |
| IL (1) | IL45045A (no) |
| IT (1) | IT1019657B (no) |
| LU (1) | LU70349A1 (no) |
| NL (1) | NL7408158A (no) |
| NO (1) | NO139021C (no) |
| SE (1) | SE405052B (no) |
| YU (2) | YU40428B (no) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108469A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Hitachi Metals Ltd | Gokanchoryukonbeya |
| US4445274A (en) * | 1977-12-23 | 1984-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a ceramic structural body |
| DE2823881C3 (de) * | 1978-05-31 | 1982-03-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Dünnschichtschaltungen für die Herstellung integrierter Leiterbahnüberkreuzungen |
| DE2906813C2 (de) * | 1979-02-22 | 1982-06-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektronische Dünnschichtschaltung |
| US4200502A (en) * | 1979-03-12 | 1980-04-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing an electrical thin layer circuit |
| US4654680A (en) * | 1980-09-24 | 1987-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sidewall gate IGFET |
| EP0139764B1 (en) * | 1983-03-31 | 1989-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin-film integrated devices |
| JPS6045008A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
| JPS60147462U (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | 長谷川化学工業株式会社 | 竹刀 |
| JP3411983B2 (ja) * | 1989-02-28 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | Ｉｒ、Ｔａ及びＡｌを含有する非単結晶質物質 |
| US5027253A (en) * | 1990-04-09 | 1991-06-25 | Ibm Corporation | Printed circuit boards and cards having buried thin film capacitors and processing techniques for fabricating said boards and cards |
| US5419787A (en) * | 1994-06-24 | 1995-05-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Stress reduced insulator |
| CN1046817C (zh) * | 1994-08-26 | 1999-11-24 | 罗姆股份有限公司 | 片式厚膜无源组合元件 |
| US5598131A (en) * | 1995-11-16 | 1997-01-28 | Emc Technology, Inc. | AC coupled termination |
| US5977582A (en) * | 1997-05-23 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric |
| KR100359860B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-02-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
| DE19902865A1 (de) * | 1999-01-25 | 2000-07-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Zero-IF-Konverter mit RC-Filter |
| US6278356B1 (en) * | 2000-05-17 | 2001-08-21 | Compeq Manufacturing Company Limited | Flat, built-in resistors and capacitors for a printed circuit board |
| DE10039710B4 (de) * | 2000-08-14 | 2017-06-22 | United Monolithic Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung passiver Bauelemente auf einem Halbleitersubstrat |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2179960A (en) * | 1931-11-28 | 1939-11-14 | Schwarzkopf Paul | Agglomerated material in particular for electrical purposes and shaped bodies made therefrom |
| US3217209A (en) * | 1960-05-12 | 1965-11-09 | Xerox Corp | Printed circuits with resistive and capacitive elements |
| US3386011A (en) * | 1962-10-23 | 1968-05-28 | Philco Ford Corp | Thin-film rc circuits on single substrate |
| US3172196A (en) * | 1963-01-22 | 1965-03-09 | Brush Beryllium Co | Sintered intermetallic compoundcomposition bodies |
| US3198628A (en) * | 1963-06-13 | 1965-08-03 | Dow Chemical Co | Uranium-tantalum-aluminum alloy |
| US3406043A (en) * | 1964-11-09 | 1968-10-15 | Western Electric Co | Integrated circuit containing multilayer tantalum compounds |
| US3387952A (en) * | 1964-11-09 | 1968-06-11 | Western Electric Co | Multilayer thin-film coated substrate with metallic parting layer to permit selectiveequential etching |
| US3423821A (en) * | 1965-03-18 | 1969-01-28 | Hitachi Ltd | Method of producing thin film integrated circuits |
| FR1537897A (fr) * | 1967-07-19 | 1968-08-30 | Europ Composants Electron | Procédé de fabrication de circuits électriques en couches minces |
| US3616282A (en) * | 1968-11-14 | 1971-10-26 | Hewlett Packard Co | Method of producing thin-film circuit elements |
| US3607679A (en) * | 1969-05-05 | 1971-09-21 | Bell Telephone Labor Inc | Method for the fabrication of discrete rc structure |
| US3718565A (en) * | 1970-11-27 | 1973-02-27 | Bell Telephone Labor Inc | Technique for the fabrication of discrete rc structure |
| US3781610A (en) * | 1972-05-22 | 1973-12-25 | G Bodway | Thin film circuits and method for manufacture |
-
1974
- 1974-06-07 GB GB2540174A patent/GB1424980A/en not_active Expired
- 1974-06-10 AT AT476974A patent/AT342733B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-06-10 NO NO742086A patent/NO139021C/no unknown
- 1974-06-17 SE SE7407961A patent/SE405052B/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-06-17 CH CH823974A patent/CH574200A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-06-17 IL IL45045A patent/IL45045A/en unknown
- 1974-06-18 FR FR7421128A patent/FR2234638B2/fr not_active Expired
- 1974-06-18 CA CA202,758A patent/CA1007382A/en not_active Expired
- 1974-06-18 NL NL7408158A patent/NL7408158A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-06-18 DK DK325474A patent/DK143084C/da active
- 1974-06-18 LU LU70349A patent/LU70349A1/xx unknown
- 1974-06-19 US US05/480,826 patent/US3949275A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-06-19 IT IT24145/74A patent/IT1019657B/it active
- 1974-06-19 IE IE1283/74A patent/IE39514B1/xx unknown
- 1974-06-20 JP JP7073674A patent/JPS5346266B2/ja not_active Expired
- 1974-06-20 YU YU1732/74A patent/YU40428B/xx unknown
- 1974-06-20 BE BE145686A patent/BE816632R/xx not_active IP Right Cessation
-
1980
- 1980-11-10 YU YU02869/80A patent/YU286980A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5346266B2 (no) | 1978-12-12 |
| FR2234638A2 (no) | 1975-01-17 |
| NO139021C (no) | 1978-12-20 |
| FR2234638B2 (no) | 1978-08-04 |
| NO742086L (no) | 1975-01-13 |
| ATA476974A (de) | 1977-08-15 |
| DK143084B (da) | 1981-03-23 |
| YU286980A (en) | 1982-10-31 |
| DK143084C (da) | 1981-10-26 |
| AT342733B (de) | 1978-04-25 |
| US3949275A (en) | 1976-04-06 |
| SE405052B (sv) | 1978-11-13 |
| AU7019474A (en) | 1975-12-18 |
| IE39514L (en) | 1974-12-20 |
| DE2331586A1 (de) | 1975-01-09 |
| DK325474A (no) | 1975-02-17 |
| IE39514B1 (en) | 1978-10-25 |
| IT1019657B (it) | 1977-11-30 |
| YU173274A (en) | 1982-02-28 |
| CH574200A5 (no) | 1976-03-31 |
| IL45045A (en) | 1977-04-29 |
| DE2331586B2 (de) | 1976-11-25 |
| NL7408158A (no) | 1974-12-24 |
| JPS5032474A (no) | 1975-03-29 |
| LU70349A1 (no) | 1974-10-17 |
| CA1007382A (en) | 1977-03-22 |
| IL45045A0 (en) | 1974-09-10 |
| GB1424980A (en) | 1976-02-11 |
| SE7407961L (no) | 1974-12-23 |
| BE816632R (fr) | 1974-10-16 |
| YU40428B (en) | 1986-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO139021B (no) | Elektrisk tyntskiktkobling. | |
| US3406043A (en) | Integrated circuit containing multilayer tantalum compounds | |
| TWI495761B (zh) | 蝕刻劑成分以及使用其製造金屬圖樣及薄膜電晶體陣列面板之方法 | |
| US3489656A (en) | Method of producing an integrated circuit containing multilayer tantalum compounds | |
| EP0016251B1 (de) | Elektronische Dünnschichtschaltung und deren Herstellungsverfahren | |
| SE7513853L (sv) | Forfarande for framstellning av elektriska ledare pa ett isolerande substrat | |
| US3718565A (en) | Technique for the fabrication of discrete rc structure | |
| US4025404A (en) | Ohmic contacts to thin film circuits | |
| US3314869A (en) | Method of manufacturing multilayer microcircuitry including electropolishing to smooth film conductors | |
| GB1130341A (en) | Thin-film electrical components | |
| US3829316A (en) | Method for the preparation of metallic layers on a substrate | |
| JP2007194595A (ja) | 薄膜チップ抵抗器、薄膜チップコンデンサおよび薄膜チップインダクタの製造方法 | |
| JP2006226797A (ja) | 薄膜電極基板及びその作製方法 | |
| CN100382203C (zh) | 薄膜电阻的制造方法 | |
| CN102655077B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| US3487522A (en) | Multilayered thin-film intermediates employing parting layers to permit selective,sequential etching | |
| US4200502A (en) | Method for producing an electrical thin layer circuit | |
| JP2003185674A (ja) | プローブユニットおよびその製造方法 | |
| JPS5818954A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| US1644626A (en) | Electric fuse | |
| US3481843A (en) | Technique for anodization of thin film resistors | |
| JPS6059318B2 (ja) | パタ−ン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法 | |
| DE2331586C3 (de) | Aluminium-Tantal-Schichten für Dünnschichtschaltungen sowie diskrete Widerstände und Kondensatoren | |
| JPS60140747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006134745A (ja) | プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 |