DK143084B - Elektrisk tyndfilmkomponent og fremgangsmaade til fremstilling af samme - Google Patents
Elektrisk tyndfilmkomponent og fremgangsmaade til fremstilling af samme Download PDFInfo
- Publication number
- DK143084B DK143084B DK325474AA DK325474A DK143084B DK 143084 B DK143084 B DK 143084B DK 325474A A DK325474A A DK 325474AA DK 325474 A DK325474 A DK 325474A DK 143084 B DK143084 B DK 143084B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- tantalum
- layer
- aluminum
- capacitor
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 77
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 26
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- PQLZZALLLYUAKL-UHFFFAOYSA-N [Au].[Cr].[Ni] Chemical class [Au].[Cr].[Ni] PQLZZALLLYUAKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GTMXPVGSGOGUIG-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta].[Ta] GTMXPVGSGOGUIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Ta+5] VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEJQQMLXZQUJHF-UHFFFAOYSA-L [K+].[I+].[I-].[I-] Chemical compound [K+].[I+].[I-].[I-] UEJQQMLXZQUJHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IOUCBGBSTUUBQE-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[AlH3].[Ta] IOUCBGBSTUUBQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical group [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
- H01L21/707—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thin-film circuits or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
(11) FREMLÆGGELSESSKRIFT 14308*+ DANMARK (B1) Int. Cl.3 H 01 L 49/02 (21) Ansøgning nr. 525^/7^· (22) Indleveret den 1 8. jun. 197^+ \Sffif (24) Løbed8° 18. Jun· 1974 >/ (44) Ansøgningen fremlagt og fremlæggelsesskriftet offentliggjort den 25 . ΓΠ8.Γ· 1 9Ql
DIREKTORATET FOR
PATENT- OG VAREMÆRKEVÆSENET (30> Prioritet ^ *·"
20. jun. 1975a 2551586, DE
(71) SIEMENS AKTIENGESELLSCHAPT, Berlin und Muenchen, 8 Muenchen 2, Wittels« TJacherplatz 2, DE.
(72) Opfinder: Wolf-Dieter Muenz, 8025 Unterhaching, Johann-strause-Strae= se 6, DE.
(74) Fuldmægtig under sagens behandling:
Internationalt Patent-Bureau.
(54) Elektrisk tyndfilmkomponent og fremgangsmåde til fremstilling af samme.
Opfindelsen angår en elektrisk tyndfilmkomponent, som i det mindste har en kondensator og en ledende bane og/eller en modstand, og hvor disse kobleelementer er frembragt på en bærer af isolerende materiale, såsom glas, safir, poleret finkornet keramik eller kvarts, idet der anvendes et anodisk oxideret tantal-aluminiumlag af en tantal-aluminium-legering med et i sammenligning med aluminiumindholdet relativt lavt tantalindhold af størrelsesorden fra 2 til 2o atomprocent. Desuden angår opfindelsen en fremgangsmåde til fremstilling af en sådan kobling.
I "Proceedings of the 1973, 23. Electronic Components Conference",
Washington, 14. til 16. 5. 1973, side 245 til 250, blev genstanden for den ældre tyske patentansøgning P 22 53 490.3 udførligt forklaret, nemlig at de kendte tantal-aluminium-legeringer egner sig godt til elektriske tynd- 2 143034 filmkomponenter på en bærer af isolerende materiale, og at der kan opnås særlig gunstige elektriske værdier med hensyn til temperaturkoefficienten og tidskonstansen, når tantalindholdet i modsætning til de hidtil kendte sammensætninger vælges relativt lavt i sammenligning med aluminiumindholdet, især i området mellem 2 og 2o atomprocent.
Det er for sådanne genstande af særlig betydning, at der ved et tantalindhold på ca. 7 atomprocent eller lavere dannes et såkaldt fcc-Al-gitter, i stedet for det tetragonale gitter, der dannes ved et højere tantalindhold, og at dette fcc-Al-gitter fører til en ganske særlig høj tidsmæssig stabilitet af de elektriske komponenter, som fremstilles ved denne tantal-åluminium-tyndfilm-teknik.
Opfindelsen tager sigte på en sådan udformning af en tyndfilmkomponent af den nævnte art, at der til dens fremstilling kun kræves et lille antal ætseproces-ser.
Ifølge opfindelsen løses denne opgave ved, at grundelektrodeme i det mindste i området for en kondensator består af to lag af en aluminiumlegering med indbyrdes forskelligt tantalindhold, idet et lag med relativt højt tantalindhold er anbragt umiddelbart på bæreren.
Kondensatormodelektroden består fortrinsvis af et nikkébchrom-guld-lag, og endvidere kan modstandene hensigtsmæssigt bestå af et lag med det højere tantalindhold. De ledende baner kan hensigtsmæssigt have et lag med det højere tantalindhold som grundmateriale og være overtrukket med et godt ledende lag, f.eks. et nikkel-chrom-guld-lag.
En fordelagtig fremgangsmåde til fremstilling af sådanne tyndfilmkomponen-ter er ejendommelig ved, at der på en bærer først anbringes et lag af en tantal-aluminium-legering med et tantalindhold mellem 30 og 70 atomprocent og derpå et yderligere lag af en tantal-aluminium-legering med et tantalindhold af størrelsesorden mellem 2 og 20 atomprocent, fortrinsvis ved katodeforstøvning, og at der derefter ved hjælp af en i og for sig kendt masketeknik og ætseteknik først fremstilles en gennembrydning på det sted, hvor en kondensator skal dannes, og efter opløsning af masken gennemføres en anodisk oxidering af tantal-aluminium-laget med lavt tantalindhold, at det tantal-aluminium-oxid-område, som skal anvendes til kondensatordannelsen, derefter overtrækkes med en yderligere maske, og de øvrige områder først ætses fri af tantal-aluminium-oxidet og derefter af tantal-aluminium-laget med lavt tantalindhold, og at der derefter i området for kondensatoren efter fjernelse af de resterende maskedele i det mindste ved hjælp af en i og for sig kendt maske- og ætseteknik påføres et godt ledende overfladelag, fortrinsvis i form af et nikkébchrom-guld-lag som kondensator-modelektrode, hvorved eventuelle modstande fremstilles af tantal-aluminium-laget med højt tantalindhold.
3 143084
Til anodisk oxidering af tantal-aluminium-laget anbefales en svag Vandig syre, som f.eks. vandig citronsyreopløsning. Den anodiske oxidering fortrinsvis 2 ved en strømtæthed af størrelsesordenen mellem 0,1 og 1,0 mA/cra fortsætter hensigtsmæssigt, indtil der opstår en formeringsspænding af størrelsesordenen nogle få hundrede volt, især op til 500 volt. Til ætsning af tantal-aluminium-laget anbefales det at anvende en flussyreholdig elektrolyt, f.eks. en vandig opløsning af flussyre og salpetersyre. Til ætsning af tantal-aluminium-laget med lavt tantalindhold anbefales det at anvende en vandig cerium-sulfat-opløsning eller vandig saltsyreopløsning eller natronlud. Til ætsning af tantal-aluminium-laget med højt tantal-indhold anbefales det at anvende en vandig flussyre-salpetersyre-opløsning. Med disse ætsningsmidler kan bearbejdningen foretages ved stuetemperaturen.
Opfindelsen forklares nærmere i det følgende under henvisning til tegningen, der viser et udførelseseksempel.
Som eksempel antages det, at der som vist i fig. 1, skal realiseres en firpol med en i tværgren liggende modstand RI og en i længdegren liggende kondensator C. Eventuelt kræves der endnu en i længdegrene i serie med kondensatoren C anbragt modstand R2.
Som det er vist i fig. 2, forsynes en bærer 1 af isolerende materiale, f.eks. af glas, kvarts, safir eller poleret finkornet keramik-,først med et tantal-aluminium-legeringslag 2, som har et indhold af tantal mellem 30 og 70 atomprocent, fortrinsvis i størrelsesordenen på 50 atomprocent. Dette lag anbringes på i og for sig kendt måde, f.eks. ved katodeforstøvning, som det er vist og beskrevet blandt andet i "Siemens-Bauteile-Informationen 9 (1971)9". På laget 2 påføres et yderligere lag 3 ligeledes af en tantal-aluminium-legering, som dog har et relativt lavere tantalindhold, og således, som det er angivet i hovedpatentet, nemlig af størrelsesordenen mellem 2 og 20 atomprocent.
Den således forberedte bærer overtrækkes nu f.eks. med en fotolakmaske 4, og efter passende belysning og fremkaldelse fjernes fotolakken på det til den senere kondensatordannelse bestemte sted, f.eks. det sted, der betegnes 5. Tantal-aluminium-laget ligger dermed, som det er vist i fig. 3, frit på dette sted 5. Ved hjælp af passende ætsning gennemføres der nu i området for denne gennembrydning 5 i fotolaklaget 4 en gennemætsning gennem de to tantal-aluminium-lag 2, 3 hen til bæreren l'g overflade. Dette fører til en åbning 4 U3084 (6 i fig. 4) i tantal-aluminium-lagene 2, 3. Hvis det drejer sig f.eks. om realisering af koblingen ifølge fig. 1, kan bæreren efter fjernelse af fotolakken f.eks. have den i fig. 5 skematisk viste form. Et snit gennem bæreren i denne tilstand og gennem området for åbningen 6 er vist i fig. 4.
Efter fjernelse af fotolakmasken 4, som forudsættes sket i fig. 4 og 5, foretages der en anodisk oxidering af tantal-aluminium-laget 3's overflade og samtidig også af frontfladen på begge tantal-aluminium-lag 2, 3. For at give et mål for lagenes tykkelse, skal det nævnes, at f.eks. tantal-aluminium-laget 2 har en tykkelse af størrelsesorden på nogle tiendedele af en pm og tantalaluminium- laget 3 en tykkelse af størrelsesorden på en pm ved en tykkelse af bæreren 1 på ca. 0,6 mm. Det ved den anodiske oxidering dannede tantal-aluminium-oxidlag 7 gøres som vist i fig. 6 så tykt, at der ved en strømbelastning - den anodiske oxidering gennemføres med en konstantstrømkilde - mellem 2 0,1 og 1 mA/cm mellem de frie sider af laget 7 og tantal-aluminium-lagene 2, 3 på bæreren 1 opbygges en spændingsforskel af størrelsesorden på nogle få gange 100 volt, om muligt op til 500 volt. I reglen vil det ved en yderligere oxidering og tilsvarende forhøjelse af den påtrykte spænding endnu være besværligt at undgå et gennemslag i tantal-aluminium-laget, og derfor anbefales det kun at gå op til denne værdi, som dog allerede resulterer i en relativt høj spændingsstabilitet i sammenligning med de øvrige tantal-aluminium-oxid-lag ved anvendelse som kondensator-dielektrikum.
Efter passende rensning af den på sin ene overflade over tantalaluminium-lagene 2, 3 med et tantal-aluminium-oxidlag 7 overtrukne bærer fastlægger man ved hjælp af en yderligere fotolakmaske 8, jfr. fig. 7, det område, hvor det til det senere kondensator-dielektrikum fornødne tantal-alumini-um-oxid skal bibeholdes. Fotolakmasken 8 anbringes på den i og for sig til tynd-filmkoblinger kendte måde. Efter dens færdiggørelse fjernes først det ikke-brugte tantal-aluminium-oxid i området uden for masken 8 ved en første ætse-proces, således at der som vist i fig. 8 kun er et tantal-aluminium-oxid-område 7* tilbage under masken 8. Ved en yderligere ætsning fjernes derpå også det for masken 8 frie område af laget 3, dvs. tantal-aluminium-laget med det relativt lavere tantalindhold. Ved opbygningen ifølge opfindelsen er dette muligt uden indvirkning på laget 2, fordi laget 3’ som følge af forskellen i tantalindhold ætses væsentligt hurtigere end laget 2, f.eks. med faktoren 5 til 20. På denne måde er det muligt og tilsigtet og med højere fremstillings-nøjagtighed at opnå den i fig. 9 viste slutform. Der forbliver et område 2, 2* af en tantal-aluminium-legering med højt aluminiumindhold, f.eks. af størrelsesorden på 50 atomprocent.
På tantal-aluminium-laget 2, 2* i området for kondensatoren findes der en lille resterende del 3* af tantal-aluminium-legeringen med det laveste 143084 5 tantalindhold og på denne lagrest 3*, dens ene frontside og frontsiden af tantal-aluminium- laget 2* findes der en tantal-aluminium-oxidfilm 7’, som i reglen ved de angivne formeringsværdier har en tykkelse af størrelsesorden på nogle tiendedele pm, og som tjener som kondensator-dielektrikum.
Den videre fremstilling af kondensatoren svarer nu til den kendte teknik, dvs. den rensede bærer med lagene 2, 2', 3' og 7’, overtrækkes på sin samlede overflade, som bærer lagene,først med et nikke1-chrom-guld-lag, f.eks. ved efter hinanden følgende pådampninger af et nikkel-chrom-lag 9 og et guldlag 10. Lagtykkelsen for dette nikke1-chrom-guld-lag 9, 10 er i reg* len af størrelsesorden på nogle tiendedele af én pm. Den her opnåede udformning er vist i fig. 10. Ved hjælp af en yderligere fotomaske overtrækkes den del 11 af nikke1-chrom-guld-laget 9, 10, som anvendes til dannelse af den ledende bane og kondensatorens modelektrode, og den øvrige del af nikkel-chrom-guldlaget 9, 10 ætses bort på i og for sig kendt måde, f.eks. ved hjælp af en vandig kaliumjodid-jod-opløsning for guldet og vandig cerium-sulfatopløsning for nikkel-chrom-delen. Derefter tilvejebringes modstanden RI laget 2 ved hjælp af en i og for sig kendt maske- og ætseteknik.
Skal der endnu som angivet i fig. 1 indføjes en modstand R2 i serie med kondensatoren, kan dette, jfr. fig. 11, ske ved hjælp af en yderligere bortætsning af nikkel-chrom-guld-laget oven over tantal-aluminium-laget 2*. Derefter tilbagestår kun den godt ledende kontaktbelægning 9, 10, som kun shunter den højohmske tantal-aluminium-legering ved den anden ende af den således dannede modstandsbane af tantal-aluminium-laget 2*, som i øvrigt også kan være meander-formet.
Dermed opnår man en opstilling, som vist i fig. 12, hvor afsnittene 10, 10* svarer til de tilsvarende afsnit i fig. 11. Endvidere er indtegnet den gennemgående bane 12 og modstandsbanen RI, hvorved modstandsbanen er ført meanderformet og umiddelbart går over i lagene 2 i afsnittene 9, 10 og 12.Modstandslaget for modstandene Ri og R2 består af tantal-aluminium-legeringen med det relativt høje tantalindhold. 1 området for de ledende baner er tantal-aluminium- laget med det høje tantalindhold afgrænset ved hjælp af de påførte nikkel-chrom-guld- lag til ledningsafsnit 9, 10 og 12 med højere ledningsevne.
I stedet for den viste skridtvise tilvejebringelse af det egentlige mønster af ledende baner og modstandene og kondensatoren er det også tænkeligt at udarbejde på én gang ledningsstrukturen og modstandsstrukturen direkte ud fra dei dobbelt belagte bærer 1, 2, 3 ifølge fig. 5 under anvendelse af tilsvarende masker og tilsvarende ætsning og derefter kun i området omkring stedet 6 for den senere kondensator at udforme denne kondensator som forklaret under henvisning til fig. 6 til 11 ved hjælp af yderligere masker og under anvendelse af den ano-diske oxidering.
Claims (6)
1. Elektrisk tyndfilmkomponent, som i det mindste har en kondensator og en ledende bane og/eller en modstand, og hvor disse kobleelementer er frembragt på en bærer (1) af isolerende materiale, såsom glas, safir, poleret finkornet keramik eller kvarts, idet der anvendes et anodisk oxideret tantal-aluminiumlag af en tantal-aluminium-legering med et i sammenligning med aluminiumindholdet relativt lavt tantalindhold af størrelsesorden fra 2 til 2o atomprocent, kendetegnet ved, at grundelektroderne (2 og 3) i det mindste i området for en kondensator består af to lag af en aluminiumlegering med indbyrdes forskelligt tantalindhold, idet et lag (2) med relativt højt tantalindhold er anbragt umiddelbart på bæreren (1).
2. Tyndfilmkomponent ifølge krav 1, kendetegnet ved, at der findes et nikkel-chrom-guld-lag som kondensatormodelelektrode.
3. Tyndfilmkomponent ifølge krav 1 eller 2, kendetegnet ved, at modstandene består af laget med højt tantalindhold.
4. Tyndfilmkomponent ifølge krav 1, 2 eller 3, kendetegnet ved, at ledende baner som grundmateriale har laget med højt tantalindhold og er overtrukket med et godt ledende lag, f.eks. et nikkel-chrom-guld-lag.
5. Fremgangsmåde til fremstilling af en elektrisk tyndfilmkomponent ifølge kravene 1-4, kendetegnet ved, at der på en bærer (1) først anbringes et lag (2) af en tantal-aluminium-legering med et tantalindhold mellem 30 og 70 atomprocent og derpå et yderligere lag (3) af en tantal-aluminium-legering med et tantalindhold af størrelsesorden mellem 2 og 20 atomprocent, fortrinsvis ved katodeforstøvning, og at der derefter ved hjælp af en i og for sig kendt masketeknik og ætseteknik først fremstilles en gennembrydning (6) på det sted, hvor en kondensator skal dannes, og efter opløsning af masken (4) gennemføres en anodisk oxidering af tantal-aluminiumlaget (3) med lavt tantalindhold, at det tantal-aluminium-oxid-område (7’), som skal anvendes til kondensatordannelsen, derefter overtrækkes med en yderligere maske (8), og de øvrige områder først ætses fri af tantal-aluminium-oxidet og derefter af tantal-aluminium-laget (3) med lavt tantalindhold, og at der derefter i området for kondensatoren efter fjernelse af de resterende maskedele (8) i det mindste ved hjælp af en i og for sig kendt maske- og ætseteknik påføres et godt ledende overfladelag (9, 10), fortrinsvis i form af et nikkel-chrom-guld-lag som kondensator-modelektrode, hvorved eventuelle modstande fremstilles af tantal-aluminium-laget med højt tantalindhold.
6. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at der til anodisk oxidering af tantal-aluminium-lagene anvendes en svag vandig syre, f.eks. citronsyreopløsning, fortrinsvis ved en strømtæthed af størrelsesorden mellem
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2331586 | 1973-06-20 | ||
| DE19732331586 DE2331586C3 (de) | 1973-06-20 | Aluminium-Tantal-Schichten für Dünnschichtschaltungen sowie diskrete Widerstände und Kondensatoren |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK325474A DK325474A (da) | 1975-02-17 |
| DK143084B true DK143084B (da) | 1981-03-23 |
| DK143084C DK143084C (da) | 1981-10-26 |
Family
ID=5884643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK325474A DK143084C (da) | 1973-06-20 | 1974-06-18 | Elektrisk tyndfilmkomponent og fremgangsmaade til fremstillingaf samme |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3949275A (da) |
| JP (1) | JPS5346266B2 (da) |
| AT (1) | AT342733B (da) |
| BE (1) | BE816632R (da) |
| CA (1) | CA1007382A (da) |
| CH (1) | CH574200A5 (da) |
| DK (1) | DK143084C (da) |
| FR (1) | FR2234638B2 (da) |
| GB (1) | GB1424980A (da) |
| IE (1) | IE39514B1 (da) |
| IL (1) | IL45045A (da) |
| IT (1) | IT1019657B (da) |
| LU (1) | LU70349A1 (da) |
| NL (1) | NL7408158A (da) |
| NO (1) | NO139021C (da) |
| SE (1) | SE405052B (da) |
| YU (2) | YU40428B (da) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108469A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Hitachi Metals Ltd | Gokanchoryukonbeya |
| US4445274A (en) * | 1977-12-23 | 1984-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a ceramic structural body |
| DE2823881C3 (de) * | 1978-05-31 | 1982-03-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Dünnschichtschaltungen für die Herstellung integrierter Leiterbahnüberkreuzungen |
| DE2906813C2 (de) * | 1979-02-22 | 1982-06-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektronische Dünnschichtschaltung |
| US4200502A (en) * | 1979-03-12 | 1980-04-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing an electrical thin layer circuit |
| US4654680A (en) * | 1980-09-24 | 1987-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sidewall gate IGFET |
| US4602192A (en) * | 1983-03-31 | 1986-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film integrated device |
| JPS6045008A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
| CA2028125C (en) * | 1989-02-28 | 1996-06-18 | Kenji Hasegawa | Ink jet head having heat generating resistor made of non-single crystalline substance containing ir and ta and ink jet apparatus having such ink jet head |
| US5027253A (en) * | 1990-04-09 | 1991-06-25 | Ibm Corporation | Printed circuit boards and cards having buried thin film capacitors and processing techniques for fabricating said boards and cards |
| US5419787A (en) * | 1994-06-24 | 1995-05-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Stress reduced insulator |
| WO1996007188A1 (en) * | 1994-08-26 | 1996-03-07 | Rohm Co., Ltd. | Chip type thick film capacitor and method of making the same |
| US5598131A (en) * | 1995-11-16 | 1997-01-28 | Emc Technology, Inc. | AC coupled termination |
| US5977582A (en) * | 1997-05-23 | 1999-11-02 | Lucent Technologies Inc. | Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric |
| KR100359860B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2003-02-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
| DE19902865A1 (de) * | 1999-01-25 | 2000-07-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Zero-IF-Konverter mit RC-Filter |
| US6278356B1 (en) * | 2000-05-17 | 2001-08-21 | Compeq Manufacturing Company Limited | Flat, built-in resistors and capacitors for a printed circuit board |
| DE10039710B4 (de) * | 2000-08-14 | 2017-06-22 | United Monolithic Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung passiver Bauelemente auf einem Halbleitersubstrat |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2179960A (en) * | 1931-11-28 | 1939-11-14 | Schwarzkopf Paul | Agglomerated material in particular for electrical purposes and shaped bodies made therefrom |
| US3217209A (en) * | 1960-05-12 | 1965-11-09 | Xerox Corp | Printed circuits with resistive and capacitive elements |
| US3386011A (en) * | 1962-10-23 | 1968-05-28 | Philco Ford Corp | Thin-film rc circuits on single substrate |
| US3172196A (en) * | 1963-01-22 | 1965-03-09 | Brush Beryllium Co | Sintered intermetallic compoundcomposition bodies |
| US3198628A (en) * | 1963-06-13 | 1965-08-03 | Dow Chemical Co | Uranium-tantalum-aluminum alloy |
| US3387952A (en) * | 1964-11-09 | 1968-06-11 | Western Electric Co | Multilayer thin-film coated substrate with metallic parting layer to permit selectiveequential etching |
| US3406043A (en) * | 1964-11-09 | 1968-10-15 | Western Electric Co | Integrated circuit containing multilayer tantalum compounds |
| US3423821A (en) * | 1965-03-18 | 1969-01-28 | Hitachi Ltd | Method of producing thin film integrated circuits |
| FR1537897A (fr) * | 1967-07-19 | 1968-08-30 | Europ Composants Electron | Procédé de fabrication de circuits électriques en couches minces |
| US3616282A (en) * | 1968-11-14 | 1971-10-26 | Hewlett Packard Co | Method of producing thin-film circuit elements |
| US3607679A (en) * | 1969-05-05 | 1971-09-21 | Bell Telephone Labor Inc | Method for the fabrication of discrete rc structure |
| US3718565A (en) * | 1970-11-27 | 1973-02-27 | Bell Telephone Labor Inc | Technique for the fabrication of discrete rc structure |
| US3781610A (en) * | 1972-05-22 | 1973-12-25 | G Bodway | Thin film circuits and method for manufacture |
-
1974
- 1974-06-07 GB GB2540174A patent/GB1424980A/en not_active Expired
- 1974-06-10 AT AT476974A patent/AT342733B/de not_active IP Right Cessation
- 1974-06-10 NO NO742086A patent/NO139021C/no unknown
- 1974-06-17 IL IL45045A patent/IL45045A/en unknown
- 1974-06-17 SE SE7407961A patent/SE405052B/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-06-17 CH CH823974A patent/CH574200A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-06-18 CA CA202,758A patent/CA1007382A/en not_active Expired
- 1974-06-18 FR FR7421128A patent/FR2234638B2/fr not_active Expired
- 1974-06-18 NL NL7408158A patent/NL7408158A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-06-18 LU LU70349A patent/LU70349A1/xx unknown
- 1974-06-18 DK DK325474A patent/DK143084C/da active
- 1974-06-19 IE IE1283/74A patent/IE39514B1/xx unknown
- 1974-06-19 US US05/480,826 patent/US3949275A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-06-19 IT IT24145/74A patent/IT1019657B/it active
- 1974-06-20 YU YU1732/74A patent/YU40428B/xx unknown
- 1974-06-20 JP JP7073674A patent/JPS5346266B2/ja not_active Expired
- 1974-06-20 BE BE145686A patent/BE816632R/xx not_active IP Right Cessation
-
1980
- 1980-11-10 YU YU02869/80A patent/YU286980A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO742086L (da) | 1975-01-13 |
| IL45045A (en) | 1977-04-29 |
| DK143084C (da) | 1981-10-26 |
| BE816632R (fr) | 1974-10-16 |
| NL7408158A (da) | 1974-12-24 |
| NO139021C (no) | 1978-12-20 |
| GB1424980A (en) | 1976-02-11 |
| IE39514L (en) | 1974-12-20 |
| AU7019474A (en) | 1975-12-18 |
| FR2234638B2 (da) | 1978-08-04 |
| JPS5346266B2 (da) | 1978-12-12 |
| YU286980A (en) | 1982-10-31 |
| NO139021B (no) | 1978-09-11 |
| US3949275A (en) | 1976-04-06 |
| DE2331586B2 (de) | 1976-11-25 |
| CA1007382A (en) | 1977-03-22 |
| ATA476974A (de) | 1977-08-15 |
| CH574200A5 (da) | 1976-03-31 |
| SE405052B (sv) | 1978-11-13 |
| LU70349A1 (da) | 1974-10-17 |
| SE7407961L (da) | 1974-12-23 |
| YU173274A (en) | 1982-02-28 |
| IE39514B1 (en) | 1978-10-25 |
| IL45045A0 (en) | 1974-09-10 |
| DK325474A (da) | 1975-02-17 |
| FR2234638A2 (da) | 1975-01-17 |
| IT1019657B (it) | 1977-11-30 |
| JPS5032474A (da) | 1975-03-29 |
| YU40428B (en) | 1986-02-28 |
| DE2331586A1 (de) | 1975-01-09 |
| AT342733B (de) | 1978-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK143084B (da) | Elektrisk tyndfilmkomponent og fremgangsmaade til fremstilling af samme | |
| US3406043A (en) | Integrated circuit containing multilayer tantalum compounds | |
| JP2011518336A (ja) | Ｍｅｍｓプローブカード及びその製造方法 | |
| CN107328808B (zh) | 用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法 | |
| WO2013184028A1 (ru) | Способ создания токопроводящих дорожек | |
| US20110169517A1 (en) | Mems probe card and method of manufacturing same | |
| TW552596B (en) | Chip resistor and method of making the same | |
| CN100555500C (zh) | 厚膜片式保险丝及其制造方法 | |
| CN105021303B (zh) | 一种铝基敏感材料的温度传感器制造方法 | |
| CN1357930A (zh) | 利用光刻技术和气相沉积技术制作新型热电偶 | |
| US3649392A (en) | Thin-film circuit formation | |
| JP5262159B2 (ja) | 薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| EP0016263A1 (de) | Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| CN207993600U (zh) | 一种片式电阻器及包含所述片式电阻器的电阻元件 | |
| JPH04245132A (ja) | チップヒューズ用基板及びそれを用いたチップヒューズ | |
| JP3388022B2 (ja) | フローセンサの製造方法 | |
| RU2791082C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрической подложке и устройство терморезистора (варианты) | |
| JPH0228249B2 (ja) | Pataankasaretadodenseisookeiseisuruhoho | |
| JPS6059318B2 (ja) | パタ−ン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法 | |
| Bawa et al. | Fabrication of Thin Film Resistors and Resistor Networks by a Selective Etching Process | |
| JPS5818954A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| US6697242B2 (en) | Main element of a surge protector device | |
| JPH02205081A (ja) | 熱電装置の製造方法 | |
| JP5374714B2 (ja) | 薄膜電極セラミック基板及びその製造方法 | |
| Winkler et al. | An introduction to microelectronics |