NL9500511A - Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen. - Google Patents

Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen. Download PDF

Info

Publication number
NL9500511A
NL9500511A NL9500511A NL9500511A NL9500511A NL 9500511 A NL9500511 A NL 9500511A NL 9500511 A NL9500511 A NL 9500511A NL 9500511 A NL9500511 A NL 9500511A NL 9500511 A NL9500511 A NL 9500511A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
substrate
building block
mold
encapsulation
encapsulant
Prior art date
Application number
NL9500511A
Other languages
English (en)
Inventor
Bruce J Freyman
John Briar
Young Wook Heo
Il Kwon Shim
Original Assignee
Amkor Electronics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Amkor Electronics filed Critical Amkor Electronics
Publication of NL9500511A publication Critical patent/NL9500511A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4864—Cleaning, e.g. removing of solder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15173—Fan-out arrangement of the internal vias in a single layer of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

Korte aanduiding: Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen.
Deze uitvinding heeft betrekking op van een behuizing voorziene, elektrische bouwstenen, zoals van een behuizing voorziene, geïntegreerde schakelingsplakjes. In het bijzonder heeft de uitvinding betrekking op fabricage van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen, waarbij inkapse-lingsmiddel zodanig over de elektronische bouwstenen wordt gevormd, dat overtollig inkapselingsmiddel kan worden verwijderd zonder de ingekapselde elektronische bouwsteen te beschadigen.
Naarmate geïntegreerde schakelingen complexer zijn geworden, is er behoefte ontstaan aan een, van een behuizing voorziene, geïntegreerde schakeling met een groot aantal betrouwbare, externe hoge dichtheidsbehuizingsverbindingen. Het is ook wenselijk oni in een, van een behuizing voorziene, geïntegreerde schakeling een of meer geleidende lagen voor signaal routering en/of voorziening in aard-en/of voedingsvlakken op te nemen. Om aan deze vraag te beantwoorden, is de kogel roosterinrichting ontwikkeld.
Het zou wenselijk zijn om conventionele twee-stuks-vormapparatuur te gebruiken om het inkapselingsmiddel over het geïntegreerde schakelingsplakje in een kogelroosterinrichting te vormen. Twee-stuksvormapparatuur wordt reeds wijdverbreid gebruikt voor inkapseling in kunststof van andere halfgeleiderbouwstenen. Aldus reduceert het gebruik van twee-stuksvormapparatuur fabricagekosten, aangezien een grote hoeveelheid van dergelijke apparatuur reeds beschikbaar is in fabricagefaciliteiten en de bijbehorende processen goed worden begrepen. Verder kan het gebruik van twee-stuksvormapparatuur gemakkelijk worden geautomatiseerd, en is dit gedaan, waarbij de fabricagekosten nog meer worden gereduceerd.
Bij toepassing van conventionele twee-stuksvormapparatuur moet echter overtollig inkapselingsmiddel worden verwijderd. Maar wanneer het overtollige inkapselingsmiddel van het sub-straatoppervlak wordt verwijderd, hecht het inkapselingsmiddel aan het substraatoppervlak, waarbij het substraat wringt en het substraat-oppervlak scheurt of breekt, waardoor beschadiging van de, van een behuizing voorziene, bouwsteen wordt veroorzaakt, die cosmetisch (b.v.
ontsiering van hetsubstraatoppervlak) en/of functioneel (b.v. breken van het substraat; vernietiting van de elektrisch geleidende sporen op het substraatoppervlak; het wegtrekken van het soldeermasker op het substraatoppervlak, waardoor bijvoorbeeld koper ongewenst wordt blootgelegd; en/of het verzwakken of verbreken van de afdichting tussen het inkapselingsmiddel en het substraatoppervlak) kan zijn.
Verder is het, bij produktie, wenselijk om een aantal substraten integraal in een strook met uitrichtgaten te vormen, die zijn geplaatst op gereedschapspennen van een bevestigingsorgaan, zodat het behuizingsproces (inclusief inkapseling) kan worden geautomatiseerd. Het overtollige inkapselingsmiddel moet voorafgaand aan verdere verwerking van de strook worden verwijderd, aangezien indien het overtollige inkapselingsmiddel op de strook wordt achtergelaten, dit zich uitstrekt voorbij de kant van de strook, waardoor geautomatiseerde behandeling bij daaropvolgende processen wordt belet. Hechting van het overtollige inkapselingsmiddel aan het substraat gedurende verwijdering van het overtollige inkapselingsmiddel kan wringing van de strook veroorzaken, die de strook vervormd en de strook onbruikbaar voor verdere verwerking maakt.
Aldus kunnen standaard twee-stuksvormen actueel niet worden gebruikt voor het vormen van inkapselingsmiddel over substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwstenen zoals hierboven beschreven. Thans wordt het inkapselingsmiddel voor dergelijke bouwstenen over het geïntegreerde schakelingsplakje gevormd onder gebruikmaking van hetzij een drie-stuksvorm, hetzij een gemodificeerde twee-stuksvorm, zoals is geïllustreerd in het Amerikaanse octrooi schrift 4 954 308.
In het geval van toepassing van een drie-stuksvorm kan het overtollige inkapselingsmiddel van het behuizingsinkapselingsmiddel dat het geïntegreerde schakelingsplakje insluit, worden verwijderd zonder de, van een behuizing voorziene bouwsteen te beschadigen.
Het gebruik van de drie-stuksvorm is echter duur en schept aanvullende problemen. Ten eerste is het moeilijk, zo niet onmogelijk, een vormproces, dat van een drie-stukkenvorm gebruik maakt, te automatiseren. Dientengevolge is de doorvoersnelheid, d.w.z. het aantal elektronische bouwstenen dat per tijdseenheid wordt inge-kapseld, aanzienlijk verlaagd in vergelijking met een conventionele twee-stuksvorm. Aldus is het gebruik van een drie-stuksvorm niet levensvatbaar voor gebruik bij hoogvolumeproduktie. Aanvullend is het niet mogelijk met een drie-stuksvorm bij de bovenste hoek van het behuizingsinkapselingsmiddel een radius te vormen. Een dergelijke radius is behulpzaam bij het uit de vorm verwijderen van de van een behuizing voorziene bouwsteen. Tenslotte is het, ofschoon vorming onder gebruikmaking van hoekaanvormselverwijdering wenselijk is, omdat hoekaanvormselverwijdering voorziet in het beste vormholtevulprofiel, niet praktisch hoekaanvormselverwijdering te gebruiken.
In overeenstemming met de uitvinding wordt een op een substraat gemonteerde, elektronische bouwsteen onder gebruikmaking van een conventionele twee-stuksvorm ingekapseld. Een, op een oppervlak van het substraat gevormd, nieuw aanvormselverwijderingsgebied hecht zwak aan het inkapselingsmiddel ten opzichte van de verbinding die wordt gevormd tussen het inkapselingsmiddel en het substraat, hetgeen verwijdering van het gedurende vorming op het substraatopper-vlak gevormde, overtollige inkapselingsmiddel toestaat, zonder de rest van de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te beschadigen.
Het aanvormselverwijderingsgebied wordt verschaft zonder aanvullende stappen in het proces voor het vormen van de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te introduceren. Dit is zo, omdat het materiaal van het aanvormselverwijderingsgebied hetzelfde materiaal is en op hetzelfde moment wordt toegepast als materiaal dat wordt gebruikt om ander op het substraat gevormd, elektrisch geleidend materiaal te plateren. Aldus voorziet de uitvinding in goede aanvormselverwijdering zonder aanvullende kosten.
De aanwezigheid van het aanvormselverwijderingsgebied elimineert de noodzaak van het gebruiken van een drie-stuks- of gemodificeerde twee-stuksvorm om aanvormselverwijdering aan de bovenkant te bereiken, teneinde aanvormsels te verwijderen zonder de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te beschadigen. Dientengevolge worden de bij drie-stuks- en gemodificeerde twee-stuksvormen behorende problemen, zoals lage doorvoersnelheid en verhoogde vormcomplexiteit, vermeden. Verder staat de werkwijze in overeenstemming met de uitvinding het toe, dat de grote hoeveelheid bestaande twee-stuksvormapparatuur wordt gebruikt, waarbij aldus produktiekosten worden gereduceerd. Hetzij conventionelen, hetzij geautomatiseerde twee-stuksvormen kunnen met de uitvinding worden gebruikt.
Een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen in overeenstemming met de uitvinding is voorzien van een substraat, een aan een eerste oppervlak van het substraat bevestigde, elektronische bouwsteen, en op het eerste oppervlak van het substraat gevormd inkapselingsmiddel om de elektronische inrichting in te sluiten. Het inkapselingsmateriaal en het aanvormsel-verwijderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapselingsmiddel zijn zodanig gekozen, dat de hechtkracht tussen het inkapselingsmateri aal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal zwakker is dan de hechtkracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmate-riaal. Bij voorkeur is de hechtkracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal minder dan de helft van de hechtkracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmate-riaal, en het meest de voorkeur verdienend bij benadering 10% van de hechtkracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmate-riaal. In een uitvoeringsvorm is het aanvormselverwijderingsgebied, waaraan het inkapselingsmiddel is bevestigd, dat het te verwijderen aanvormsel vormt, goud. In een andere uitvoeringsvorm is het aanvorm-selverwijderingsgebied pal1adiurn.
Bij een werkwijze in overeenstemming met de uitvinding wordt een, aan een oppervlak van een substraat bevestigde, elektronische bouwsteen ingekapseld om een, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te vormen door de stappen van: 1) het op het substraatopppervlak vormen van een aanvormselverwijderingsgebied; 2) het op het substraatoppervlak vormen van een inkapselingsmiddel om de elektronische bouwsteen in te sluiten, waarbij het inkapselingsmateri aal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal zodanig zijn gekozen, dat de hechtkracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapse-1ingsmiddel zwakker is dan de hechtkracht tussen het inkapselingsmate-riaal en het substraatmateriaal; en 3) het zodanig verwijderen van op het aanvormselverwijderingsgebied gevormde inkapselingsmateriaal, dat de elektronische bouwsteen door het inkapselingsmiddel ingesloten blijft en de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen niet wordt beschadigd.
De uitvinding zal nu nader worden beschreven aan de hand van uitvoeringsvormen en onder verwijzing naar de aangehechte tekening, waarin: figuur 1 een aanzicht in doorsnede van een typische kogel roostennrichting is; figuren 2A en 2B aanzichten in doorsnede van een conventionele twee-stuksvorm zijn, waarbij figuur 2A is genomen langs doorsnedelijn 2B-2B van figuur 2B en figuur 2B is genomen langs doorsnede! ijn 2A-2A van figuur 2A; figuur 3 een aanzicht in doorsnede van een type drie-stuksvorm is; figuur 4 een blokschema van een proces in overeenstemming met een uitvoeringsvorm van de uitvinding voor het vormen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen zoals een kogelroosterinrichting is; figuren 5A en 5B samen een blokschema vormen van een proces in overeenstemming met een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding voor het vormen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen zoals een kogelrooster-inrichting; figuur 6A een bovenaanzicht van een aantal in een strook gevormde substraten in overeenstemming met een uitvoeringsvorm van de uitvinding is; figuur 6B een bovenaanzicht van de strook van figuur 6A na vorming van een aanvormselverwijderingsmateriaal op de substraten is; figuur 6C een bovenaanzicht van een van de substraten van figuur 6B is; figuren 7A en 7B respectievelijk een bovenaanzicht en een aanzicht in doorsnede van een automatische twee-stuksvorm voor gebruik bij het voortbrengen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen in overeenstemming met de uitvinding zijn; figuur 8A een zij-aanzicht van een, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen in overeenstemming met de uitvinding onmiddellijk na het hard worden van het inkapselingsmiddel is; figuur 8B een zij-aanzicht van een, van een behuizing voorziene, elektronische inrichting in overeenstemming met de uitvinding is, dat de verwijdering van overtollig inkapselingsmiddel illustreert; en figuur 9 een gedetailleerd bovenaanzicht van een gedeelte van een substratenstrook in overeenstemming met de uitvinding is, dat de plaatsing van een vormrunner met betrekking tot een op de substratenstrook gevormd aanvormselverwijderingsgebied illustreert.
Figuur 1 is een aanzicht in doorsnede van een typische kogelroosterinrichting 100. Een halfgeleiderplakje 101 is met (niet getoond) hechtmiddel aan een oppervlak (halfgeleiderplakjebeves-tigingsoppervlak) 102a van een substraat 102, b.v. een printplaat (PCB) bevestigd. Elektrisch geleidende bondcontactvlakken (die niet zijn getoond) op het halfgeleiderplakje 101 zijn verbonden met elektrisch geleidende bonddraden 103 naar elektrisch geleidende sporen 102b en/of elektrisch geleidende gebieden (die niet zijn getoond) die op het halfgeleiderplakjebevestigingsoppervlak 102a van het substraat 102 zijn gevormd. Elektrisch geleidende contactgaten 102c zijn vanaf de sporen 102b en/of gebieden op het halfgeleiderplakjebevestigings-oppervlak 102a door het substraat 102 naar een oppervlak (montage-oppervlak) 102d van het substraat 102 gevormd, dat tegengesteld aan het halfgeleiderplakjebevestigingsoppervlak 102a is. Op het montage-oppervlak 102d gevormde, elektrisch geleidende sporen 102e strekken zich uit naar op het montage-oppervlak 102d gevormde soldeercontact-vlakken 102f. De soldeerbulten 104 worden opnieuw vloeibaar gemaakt om het substraat 102 op een (niet getoonde) grotere montageplaat te bevestigen.
Een inkapseling 105, zoals kunststof, wordt gevormd om het halfgeleiderplakje 101, de bonddraden 103, en een gedeelte van het halfgeleiderplakjebevestigingsoppervlak 102a van het substraat 102 inclusief het meeste van de sporen 102b en/of gebieden in te sluiten. De contactgaten 102c liggen buiten de inkapseling 105. De inkapseling 105 wordt vaak door spuitgieten in het algemeen of spuitgieten met verhardende produkten of een transferpersproces gevormd.
Figuren 2A en 2B zijn aanzichten in doorsnede van een conventionele twee-stuksvorm 201. Figuur 2A is genomen langs door-snedelijn 2B-2B van figuur 2B. Figuur 2B is genomen langs doorsnede-lijn 2A-2A van figuur 2A.
De vorm 201 is voorzien van een eerste vormsectie 202 (bovenste vormsectie, zoals getoond in figuur 2A) en een tweede vormsectie 203 (benedenste vormsectie, zoals getoond in figuur 2A). In de benedenste vormsectie 203 is een uitsparing 203a gevormd, waarin een substraat 206 is gepositioneerd. Een halfgeleiderplakje 207 is op het substraat 206 bevestigd. In de bovenste vormsectie 202 is een holte 202a zo gevormd, dat wanneer de bovenste vormsectie 202 en de benedenste vormsectie 203 in contact met elkaar worden gebracht, het halfgeleiderplakje 207 binnen de holte 202a wordt gepositioneerd.
De benedenste vormsectie 203 is gevormd met een kamer 203b, waarin een tablet van vast inkapselingsmiddel 205 is geplaatst. De bovenste vormsectie 202 is gevormd met een gat 202d, waardoorheen zich beweegbaar een transferplunjer 204 uitstrekt. De transferplunjer 204 is boven het inkapselingsmiddel 205 in de kamer 203b gepositioneerd. Een runner (spuitkanaal) 202b in de bovenste vormsectie 202 strekt zich vanaf het gat 202d naar de holte 202a uit.
Ofschoon dit niet volledig in figuren 2A en 2B is getoond, kan een andere runner 202e zich vanaf het gat 202d tegenover de plaats uitstrekken, waarvanaf de runner 202b zich uitstrekt. De runner 202e strekt zich uit naar een (niet getoonde, maar in een uitvoeringsvorm diametraal tegenover holte 202a liggende holte) die een (niet getoond) halfgeleiderplakje insluit, dat is bevestigd aan een (niet getoond) substraat dat is gemonteerd in een (niet getoonde) uitsparing in de benedenste vormsectie 203, op dezelfde manier als hierboven is beschreven. Ofschoon in figuur 2A twee runners 203b en 203e zijn getoond, kan welk geschikt aantal runners dan ook zich vanaf gat 202d naar andere holten, zoals holte 202a uitstrekken, d.w.z. een, drie of meer. Verder kan de vorm 201 zijn voorzien van een aantal kamers, waarbij elke kamer een of meer runners heeft, die zich zoals hierboven is beschreven naar een of meer holten uitstrekken.
Nadat het substraat 206 in de uitsparing 203a van de benedenste vormsectie 203 is gepositioneerd, wordt het inkapse-1ingsmiddel 205 in de kamer 203b gepositioneerd, en worden de bovenste vormsectie 202 en de benedenste vormsectie 203 in contact met elkaar gebracht. Dan wordt de transferplunjer 204 (in figuur 2A naar beneden) bewogen door het gat 202d om het inkapselingsmiddel 205 samen te drukken. De vorm 200 en het inkapselingsmiddel 205 worden voorverwarmd, zodat wanneer de transferplunjer 204 het inkapselingsmiddel 205 samendrukt, het vloeibaar geworden inkapselingsmiddel 205 door de runner 2026 wordt geforceerd om de holte 202a te vullen. Nadat het inkapselingsmiddel 205 de holte 202a vult, wordt het inkapselingsmiddel 205 uitgehard om hard te worden, waarbij een, van een behuizing voorziene bouwsteen wordt gevormd. De transferplunjer 202 wordt teruggetrokken, de bovenste vormsectie 202 en de benedenste vormsectie 203 worden van elkaar gescheiden en de, van de behuizing voorziene bouwsteen inclusief substraat 206 wordt uit de benedenste vormsectie 203 verwijderd.
Zoals uit inspectie van figuren 2A en 2B blijkt, sluit wanneer de, van een behuizing voorziene bouwsteen inclusief substraat 206 uit de benedenste vormsectie 203 wordt verwijderd, het inkapselingsmiddel 205 niet alleen het halfgeleiderplakje 207 in ("behuizingsinkapselingsmiddel"), maar strekt het zich eveneens langs het oppervlak van het substraat 206, waar de runner 202b zich bevond, en in de kamer 203b uit. Het overtollige inkapselingsmiddel, d.w.z. het andere inkapselingsmiddel, dan dat noodzakelijk is om het halfgeleiderplakje 207 in te sluiten, moet worden verwijderd.
Figuur 3 is een aanzicht in doorsnede van een type drie-stuksvorm 301. De vorm 301 is voorzien van een eerste vormsectie 302 (bovenste vormsectie, zoals getoond in figuur 3), een tweede vormsectie 303 (benedenste vormsectie, zoals getoond in figuur 3), en een aanvormselplaat 308. In de benedenste vormsectie 303 is een uitsparing 303a gevormd, waarin een substraat 306 is gepositioneerd. Een halfgeleiderplakje 307 is aan het substraat 306 bevestigd. De aanvormselplaat 308 is in de uitsparing 303a in het substraat 306 gepositioneerd om het halfgeleiderplakje 307 te omgeven en een holte 308a te bepalen, die wordt gevormd, wanneer de bovenste vormsectie 302 en de benedenste vormsectie 303 in contact met elkaar worden gebracht.
Gelijksoortigerwijze aan de hierboven beschreven vorm 201 is de benedenste vormsectie 303 voorzien van een kamer 303b, waarin een tablet van vast inkapselingsmiddel 305 is geplaatst.
Runners 303c en 308b zijn in respectievelijk de benedenste vormsectie 303 en de aanvormselplaat 308 gevormd, om zich vanaf de kamer 303b naar de holte 308a uit te strekken. Een transferplunjer 304 wordt door een gat 302a in de bovenste vormsectie 302 (in figuur 3 naar beneden) bewogen om het inkapselingsmiddel 305 samen te drukken en het inkapse-lingsmiddel 305 door de runners 303c en 308b te forceren om de holte 308a te vullen. Het inkapselingsmiddel 305 wordt hard, de transferplunjer 304 wordt teruggetrokken, de bovenste vormsectie 302 en de benedenste vormsectie 303 worden van elkaar gescheiden, de aanvormsel-plaat 308 wordt verwijderd, en de, van substraat 306 voorziene, behuisde bouwsteen wordt uit de benedenste vormsectie 303 verwijderd.
Het gebruik van de aanvormselplaat 308 maakt het mogelijk dat het bij de runners 303c en 308b behorende, overtollige inkapselingsmiddel weg vanaf het oppervlak van het substraat 306 wordt gehouden, d.w.z. dat de vorm 301 aan de bovenkant van een aanvormsel is voorzien. In figuur 3 is de bovenste hoek van het behuizingsinkapselingsmiddel met 305a aangegeven.
In overeenstemming met de uitvinding wordt een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen, zoals een kogelroosterinrichting (ball grid array) voortgebracht onder gebruikmaking van een standaard twee-stuksvorm. Een nieuw aanvormselverwijderingsgebied wordt op een oppervlak van het substraat, b.v. een printplaat (PCB), gevormd, dat verwijdering van gedurende vorming op het oppervlak gevormd overtollig inkapselingsmiddel toestaat zonder de rest van de van een behuizing voorziene elektronische bouwsteen te beschadigen. Het materiaal van het nieuwe aanvormselverwijderingsgebied vormt een zwakke verbinding met het inkapselingsmiddel met betrekking tot de tussen het inkapselingsmiddel en het substraat gevormde verbinding, zodat het inkapselingsmiddel vanaf het aanvormselverwijderingsgebied kan worden weggetrokken zonder het substraat of een ander gedeelte van de, van de behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te beschadigen.
Figuur 4 is een blokschema van proces 400 in overeenstemming met een uitvoeringsvorm van de uitvinding voor het vormen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen, zoals een kogelroosterinrichting.
In stap 401 wordt, zoals hieronder met betrekking tot figuur 5 voor een bepaalde uitvoeringsvorm van de uitvinding gedetailleerder wordt toegelicht, een substraat voorbereid. Kort gezegd wordt een oppervlak van het substraat met een elektrisch geleidend materiaal, b.v. een metaal zoals koper, gestructureerd, en worden sommige van de gestructureerde gebieden bekleed met een elektrisch isolerend materiaal. Contactgaten en doorlopende gaten worden in het substraat gevormd om op tegengestelde zijden van het substraat gevormd, elektrisch geleidend materiaal door te verbinden.
In stap 402 wordt op een oppervlak van het substraat, waarop een elektronische bouwsteen moet worden bevestigd, een aanvormselverwijderingsgebied gevormd. Het aanvormselverwijderingsge-bied strekt zich vanaf de kant van het substraat uit naar een plaats, die in de voltooide inrichting ligt aan de kant van het op het sub-straatoppervlak gevormde inkapselingsmiddel ("behuizingsinkapselings-middel") om de elektronische inrichting te bedekken. Het aanvormselverwi jderingsgebied wordt zodanig geplaatst, dat wanneer het substraat in een vorm wordt geplaatst, een vormrunner over het aanvormselverwijder! ngsgebied wordt gepositioneerd, waarbij het gebied van het door het aanvormselverwijderingsgebied bedekte substraatoppervlak volledig het door de vormrunner bedekte gebied omgeeft. Het aanvormselverwijde-ringsgebiedmateriaal dat contact met het inkapselingsmiddel maakt, wordt gekozen om een materiaal te zijn, dat slecht aan het inkapse-lingsmateriaal hecht in vergelijking met de hechtkracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmateriaal.
In stap 403 wordt een elektronische bouwsteen, zoals een geïntegreerd schakelingsplakje, in een bouwsteenbevesti-gingsgebied aan het substraatoppervlak bevestigd. Bevestiging van de elektronische bouwsteen wordt bewerkstelligd onder gebruikmaking van conventionele materialen en processen. De elektronische bouwsteen wordt eveneens elektrisch verbonden met elektrisch geleidend materiaal dat in of op het oppervlak van het substraat wordt gevormd, onder gebruikmaking van welke dan ook van een aantal conventionele technieken, zoals draadbonden, flipchipverbinding (C4) of TAB.
In stap 404 wordt inkapselingsmiddel op het substraatoppervlak gevormd om de elektronische bouwsteen en ten minste een gedeelte van het aanvormselverwijderingsgebied in te sluiten, zoals hieronder gedetailleerder wordt toegelicht. Kort gezegd, wordt het substraat zodanig in een vorm geplaatst, dat de elektronische inrichting in een vormholte wordt gepositioneerd. Inkapselingsmiddel wordt door middel van de vormrunner in de vormholte getransporteerd, totdat de holte is gevuld. Het inkapselingsmiddel wordt hard en de vorm wordt geopend. Overtollig inkapselingsmiddel is gevormd op het substraatoppervlak waar de vormrunner was gepositioneerd, toen het substraat in de vorm was en de vorm was gesloten.
In stap 405 wordt het overtollig inkapselingsmiddel van het substraatoppervlak verwijderd. De vormrunner is zodanig bemeten, dat het inkapselingsmiddel een kleine doorsnede-oppervlakte bij het grensvlak tussen het overtollige inkapselingsmiddel en het behuizingsinkapselingsmiddel heeft. Het overtollige inkapselingsmiddel wordt vanaf het oppervlak van het substraat weggetrokken en weggebroken van het behuizingsinkapselingsmiddel dat de elektronische bouwsteen insluit bij het grensvlak tussen het overtollige inkapselings-middel en het behuizingsinkapselingsmiddel.
Omdat het aanvormselverwijderingsgebied is gevormd van materiaal dat slecht aan het inkapselingsmateriaal hecht, wordt het overtollige inkapselingsmateriaal schoon vanaf het aanvormselverwijderingsgebied weggetrokken. Verder maken het aanvormselverwijde-ringsgebiedmateriaal en de kleine inkapselingsmiddeldoorsnede bij het grensvlak tussen het overtollige inkapselingsmiddel en behuizingsinkapsel ingsmiddel het mogelijk dat het overtollige inkapselingsmiddel gemakkelijk vanaf het behuizingsinkapselingsmiddel wordt weggebroken zonder iets van het behuizingsinkapselingsmiddel vanaf het substraatoppervl ak weg te trekken, of het substraat of inkapselingsmiddel te wringen waardoor beschadiging van de van een behuizing voorziene elektronische bouwsteen, hetzij cosmetisch, mechanisch hetzij elektrisch zou worden veroorzaakt.
In stap 406 wordt een structuur voor het maken van extern elektrische verbinding, b.v. verbinding tussen de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen en een andere montage-plaat, op de, van een behuizing voorziene, elektronische inrichting gevormd. De structuur kan bijvoorbeeld bestaan uit op een oppervlak van het substraat gevormde soldeerbulten, een aantal aan een oppervlak van het substraat bevestigde aansluitingen, of een stuk aan een oppervlak van het substraat bevestigd TAB-band.
Figuren 5A en 5B zijn samen een blokschema van een proces 500 in overeenstemming met een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding voor het vormen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen, zoals een kogelrooster-inrichting.
In stap 501 wordt een aantal standaard dubbelzijdige PCB-substraten in een strookconfiguratie gevormd. De strook van substraten is bijvoorbeeld gemaakt van epoxyglas of polyimideglas. De PCB-substraten kunnen meerlagige of enkellaagssubstraten zijn. Indien meerlagige substraten worden gebruikt, kunnen elektrisch geleidende sporen en/of gebieden (b.v. aardvlakken of voedingsvlakken) binnen de meerlagige substraten worden gevormd en met contactgaten of doorlopende gaten met buitenoppervlakken van het meerlagige substraat worden verbonden.
Figuur 6A is een bovenaanzicht van een aantal in overeenstemming met een uitvoeringsvorm van de uitvinding in een strook 600 gevormde substraten 601-607. Ofschoon de strook 600 is voorzien van zeven substraten 601-607, kan een strook voor gebruik met de uitvinding zijn voorzien van welk aantal substraten dan ook, dat verenigbaar is met de fabricage-apparatuur, b.v. vorm, die wordt gebruikt.
De strook 600 is voorzien van gereedschapsgaten 609 (voor de eenvoud zijn slechts twee gereedschapsgaten met het verwij-zingsgetal 609 in figuur 6A aangegeven) die op intervallen langs tegengestelde zijden van de strook 600 zijn gevormd. De gereedschapsgaten 609 worden gebruikt om de strook 600 op de verscheidene stukken fabricage-apparatuur, b.v. vorm, te positioneren, die wordt gebruikt bij de produktie van een, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen in overeenstemming met de uitvinding.
De strook 600 is eveneens voorzien van ponsgaten 608 (voor de eenvoud zijn er slechts twee met het verwijzingsgetal 608 in figuur 6A aangegeven) die zijn gevormd bij de hoeken van elk van de substraten 601-607. De ponsgaten 608 helpen ruwe kanten bij de hoeken van de substraten 601-607 te vermijden, wanneer de substraten 601-607 van de strook 600 worden gescheiden, zoals hieronder gedetailleerder wordt beschreven. Geen ponsgat 608 is gevormd aan een hoek van elk van de substraten 601-607 waar een aanvormselverwijderingsgebied wordt gevormd, zoals hieronder gedetailleerder wordt beschreven (zie figuur 6B), zodat materiaal, dat wordt gebruikt om het aanvormselverwijde-ringsgebied te vormen, niet ongewenst het gat kan vullen.
De strook 600 is verder voorzien van sleuven 616 (voor de eenvoud is (in figuur 6A aangegeven) slechts één sleuf met het verwijzingsgetal 616 die zijn gevormd op intervallen langs tegengestelde zijden van de strook 600 tussen de gereedschapsgaten 609. De sleuven 616 voorzien in spanningsontlasting voor de strook 600 om potentiële kromtrekking van de strook 600 onder controle helpen te houden.
Hierna wordt een proces 500 in het algemeen met betrekking tot een enkel substraat beschreven. Het dient te worden begrepen dat elk van de hieronder beschreven stappen met betrekking tot een enkel substraat wordt toegepast op elk van de substraten 601-607 in de strook 600.
In stap 502 wordt een elektrisch geleidend materiaal, zoals koper, aan beide zijden van het substraat gevormd, door b.v. 1 aminering onder gebruikmaking van technieken en apparatuur zoals goed bekend in de techniek zijn. Andere werkwijzen voor het vormen van het elektrisch geleidende materiaal op de substraatoppervlakken kunnen worden gebruikt, zoals sputteren en het niet-elektrolytisch bekleden met metaal.
In stap 503 worden contactgaten en doorlopende gaten in het substraat gevormd. Contactgaten en doorlopende gaten kunnen door welke dan ook van een aantal goed bekende technieken, waaronder mechanisch boren of laserboren, worden gevormd.
In stap 504 worden de contactgaten en doorlopende gaten met een elektrisch geleidend materiaal, zoals koper, bekleed onder gebruikmaking van welke dan ook van een aantal goed bekende technieken, zoals niet-elektrolytisch plateren. Wanneer de contactgaten en doorlopende gaten zijn geplateerd maken zij het mogelijk dat elektrische verbinding tussen elektrisch geleidend materiaal, zoals sporen, aardvlakken en vermogensvlakken, die in of op oppervlakken van het substraat of binnen het substraat zijn gevormd, wordt gemaakt. Contactgaten of doorlopende gaten zijn bijvoorbeeld noodzakelijk om elektrische verbinding te maken tussen sporen die zich uitstrekken vanaf soldeervlakken aan een zijde van het substraat (die worden gevormd zoals hieronder wordt beschreven) en sporen die zijn gevormd op een tegengestelde zijde van het substraat en elektrisch zijn verbonden met een elektronische bouwsteen die aan die zijde van het substraat is bevestigd (die eveneens worden gevormd zoals hieronder wordt beschreven).
In stap 505 wordt fotolak over de gelamineerde oppervlakken van het substraat gevormd onder gebruikmaking van conventionele technieken en materialen, dan afgebeeld en ontwikkeld. Zoals goed bekend is, wordt een masker gebruikt om slechts zekere gebieden van de fotolak af te beelden, die, wanneer ze zijn ontwikkeld, worden verwijderd om gedeelten van het elektrisch geleidende laminaatmate-riaal blootgelegd te laten.
In stap 506 wordt het blootgelegde, elektrisch geleidende laminaatmateriaal geëtst, zodat wanneer de rest van de fotolak wordt verwijderd, zoals hieronder zal worden toegelicht, een gewenst patroon van elektrisch geleidend materiaal blootliggend op de substraatoppervlakken wordt achtergelaten. Het elektrisch geleidende materiaal wordt geëtst onder gebruikmaking van een etsmiddel en etstijden die geschikt voor dat materiaal zijn, zoals goed bekend in de techniek is.
Op een oppervlak (bouwsteenbevestigingsoppervlak) van het substraat kan elektrisch geleidend materiaal in het bouwsteen-bevestigingsgebied worden blootgelegd, indien het gewenst is om de achterzijde van de elektronische bouwsteen elektrisch voor te spannen, zoals soms bij geïntegreerde schakelingsplakjes wordt gedaan. Elektrisch geleidend materiaal wordt blootgelegd om een inrichting van elektrisch geleidende sporen rondom het bouwsteenbevestigingsgebied te vormen. Elektrisch geleidend materiaal wordt eveneens blootgelegd in het, hieronder gedetailleerder beschreven aanvormselverwijderingsge-bied, teneinde het elektrolytisch bekleden met een aanvormselverwijde-ringsmateriaal van het elektrisch geleidende materiaal toe te staan, teneinde een sterkere bevestiging te vormen, dan zou worden gevormd, indien het aanvormselverwijderingsmateriaal direkt op het substraat-materiaal zou worden gevormd. Elektrisch geleidend materiaal kan eveneens in een ring rondom elk van de contactgaten of doorlopende gaten worden gevormd, indien zulks is gewenst, om een goede elektrische verbinding tussen elk contactgat of doorlopend gat en een overeenkomstig spoor op het oppervlak van het substraat te helpen verzekeren.
Op een tegengesteld oppervlak van het substraat (montage-oppervlak) wordt elektrisch geleidend materiaal blootgelegd om soldeervlakken en bijbehorende sporen te vormen. De soldeervlakken kunnen in welke gewenste vorm dan ook, b.v. cirkel vormig, en in welk gewenst patroon dan ook, b.v. een rechthoekige reeks, worden gevormd.
In stap 507 wordt de overblijvende fotolak verwijderd om het gewenste patroon van elektrisch geleidend materiaal bloot te leggen. De fotolak wordt verwijderd door losmaking (stripping) onder gebruikmaking van oplossende losmaakmiddelen en losmaaktijden zoals goed bekend zijn.
In stap 508 wordt een soldeermasker, zoals een vloeibaar foto-afbeeldbaar soldeermasker of een droog filmsoldeermas-ker gebruikt om de gestructureerde oppervlakken van het substraat te bekleden, dan afgebeeld en ontwikkeld. Het soldeermasker wordt bijvoorbeeld aangebracht door 1 aminering of zeefdrukken. Een masker wordt gebruikt om alleen zekere gebieden van het soldeermasker af te beelden, die worden ontwikkeld om elektrisch geleidend materiaal blootliggend te laten, b.v. het aanvormselverwijderingsgebied en de binnenste einden van de inrichting van elektrisch geleidende sporen rondom het bouwsteenbevestigingsgebied. Gebieden, waarop het noodzakelijk of wenselijk is om een elektrische isolator over het elektrisch geleidende materiaal te vormen, worden onontwikkeld gelaten, b.v. de buitenste gedeelten van de inrichting van sporen rondom het bouwsteenbevestigingsgebied. Het overblijvende soldeermasker bepaalt de in de eerstvolgende stap van het proces met metaal te bekleden gebieden.
In stap 509 wordt op het blootgelegde elektrisch geleidende materiaal een "aanvormselverwijderingsmateriaal" gevormd. Het aanvormselverwijderingsmateriaal kan bijvoorbeeld worden bekleed onder gebruikmaking van conventionele technieken, zodat het aanvormsel verwijder!ngsmateriaal alleen op het elektrisch geleidende materiaal (dat typisch metaal zoals koper is) wordt gevormd. Het aanvormsel verwi jderingsmateri aal is illustratief 20-40 micro-inch dik.
Figuur 6B is een bovenaanzicht van de strook 600 van figuur 6A na vorming van het aanvormselverwijderingsmateriaal 614 op de substraten 601-607. Figuur 6C is een bovenaanzicht van een van de substraten 601-607 van figuur 6B. (Elk van de substraten 601-607 ziet eruit zoals in figuur 6C is aangegeven).
In figuur 6B is een soldeermasker gevormd op het bouwsteenbevestigingsgebied 610 en over de elektrisch geleidende sporen (behalve de binnenste einden 612, zoals hieronder is beschreven) die in een gebied 613 zijn gevormd. Figuur 6c illustreert gedetailleerder de elektrisch geleidende sporen, b.v. spoor 621, en bijbehorende contactgaten, b.v. contactgat 622. Een gebied 615 is een gedeelte van het substraat dat door het soldeermasker blootgelegd blijft.
Een aantal gaten 611 is gevormd door het soldeermasker op het bouwsteenbevestigingsgebied 610 om elektrische verbinding met onder het soldeermasker gevormd, elektrisch geleidend materiaal toe te staan, waardoor voorspanning van de achterzijde van de aan het bouwsteenbevestigingsgebied 610 bevestigde elektronische bouwsteen mogelijk is. De gaten 611 kunnen in welk gewenst patroon dan ook zijn gevormd en welke gewenste grootte dan ook hebben. In een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding zijn de gaten 611 niet aanwezig en wordt de achterzijde van de elektronische inrichting niet voorgespannen.
Aangezien de binnenste einden 612 van de inrichting van elektrisch geleidende sporen rondom het bouwsteenbevestigingsgebied blootgelegd worden gelaten, wordt aanvormselverwijderingsmate-riaal over de binnenste einden 612 gevormd. Aldus moet het aanvormsel-verwijderingsmateriaal een materiaal zijn, dat het toestaat dat een goede verbinding wordt gevormd met een structuur voor het doorverbinden van de elektronische bouwsteen (die in een later stap van het proces aan het substraat wordt bevestigd) met de sporen, b.v. een aantal bonddraden. Voor de eenvoud zijn de binnenste einden 612 van de sporen als een continu gebied in figuur 6B getoond. Figuur 6C laat de afzonderlijke binnenste einden 612 van de sporen zien.
Aanvormselverwijderingsmateriaal wordt eveneens in het blootgelegde aanvormselverwijderingsgebied 614 gevormd. Het aanvormselverwijderingsgebied 614 is een gebied van het bouwsteen- bevestigingsoppervlak, waarover een vormrunner wordt gepositioneerd gedurende inkapseling van de elektronische bouwsteen. Zoals hierboven is beschreven, is het noodzakelijk dat inkapselingsmiddel, dat in de vormrunner op het aanvormselverwijderingsgebied 614 hard wordt, gemakkelijk van het aanvormselverwijderingsgebied 614 wordt gescheiden. Aldus moet het aanvormselverwijderingsmateriaal eveneens een materiaal zijn, dat slecht hecht aan het inkapselingsmateriaal in vergelijking met de aanhechting tussen het inkapselingsmateriaal en het substraat-materi aal.
Aanvullend wordt, in uitvoeringsvormen van de uitvinding, waarin een elektrisch geleidend bouwsteenbevestigings-gebied gedeeltelijk of geheel blootliggend wordt gelaten, het aanvormselverwi jderingsmateriaal eveneens over de blootliggende gedeelten van het bouwsteenbevestigingsgebied gevormd. Het aanvormselverwijderingsmateriaal wordt eveneens op de soldeervlakken op het montage-oppervlak van het substraat gevormd om oxydatie van de soldeervlakken te voorkomen.
In een uitvoeringsvorm van de uitvinding is het aanvormselverwijderingsmateriaal goud. Goud vormt een goede verbinding met gouden of aluminium bonddraden die kunnen worden gebruikt om de elektronische bouwsteen te bevestigen aan de sporen van het bouwsteen-bevestigingsoppervlak van het substraat. Verder is voor typische inkapselings- en substraatmaterialen de aanhechtingskracht tussen goud en het inkapselingsmateriaal veel zwakker dan de aanhechtingskracht tussen het substraatmateriaal en het inkapselingsmateriaal.
Onderstaande tabel A toont aanhechtingsgegevens voor illustratieve inkapselings- en substraatmaterialen. De aanhech-tingskrachten (in krachtkilogrammen, kgf) tussen het inkapselingsmiddel en het blote substraat, en tussen het inkapselingsmiddel en goud zijn gegeven voor een verscheidenheid van combinaties van inkapse-lingsmiddel en substraat. De als KMC210-9 en X-43-2215 aangeduide inkapselingsmaterialen zijn in de handel verkrijgbaar bij Shin-Etsu te Japan. De als CCL-HL802 en CCL-H0832 aangeduide substraatmaterialen zijn in de handel verkrijgbaar bij Mitsubishi Gas Chemical te Japan. Het als TL-01 aangeduide substraatmateriaal is verkrijgbaar bij Teijin Limited te Japan. Het als R-4785 aangeduide substraatmateriaal is in de handel verkrijgbaar bij Matsushita te Japan.
Figure NL9500511AD00191
Tabel A
Aldus is, zoals uit tabel A blijkt, voor typische inkapselings- en substraatmaterialen de aanhechtingskracht tussen goud en het inkapselingsmiddel bij benadering een tiende van de aanhech-tingskracht tussen het substraat en het inkapselingsmiddel.
In een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding is het aanvormselverwijder!ngsmateriaal palladium. Net zoals goud hecht palladium eveneens goed aan conventioneel bonddraadmateriaal en hecht dit aan typisch inkapselingsmateriaal veel minder dan het substraat-materiaal doet.
Zoals hierboven is besproken, is de aanhechtings-kracht tussen het aanvormselverwijderingsmateriaal en het inkapse-1ingsmateriaal zwakker (en in sommige gevallen veel zwakker) dan de aanhechtingskracht tussen het substraatmateriaal en het inkapselings-materiaal. Naast dat het inkapselingsmiddel contact maakt met het aanvormselverwijderingsgebied en het substraat, maakt dit eveneens contact met het soldeermasker dat op sommige gebieden van het sub-straatoppervlak is gevormd. In het algemeen is de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het soldeermaskermateriaal, en tussen het soldeermaskermateriaal en het substraatmateriaal gelijk aan of groter dan de aanhechtingskracht tussen het substraatmateriaal en het inkapselingsmateriaal. Dientengevolge zijn de vergelijkende gegevens in bovenstaande tabel A zelfs met sterkere kracht van toepassing bij vergelijking van de aanhechtingskracht tussen het aanvormsel-verwijder!ngsmateriaal en het inkapselingsmateriaal met de aanhech- tingskracht tussen het soldeeraaskermateriaal en het inkapselingsmateriaal of het substraatmateriaal. In het algemeen is dan de hechting tussen het substraat en inkapselingsmiddel van groter belang dan de hechting tussen het soldeermasker en het inkapselingsmiddel of substraat, en is de beschrijving hierin specifiek gericht op de vergelijking tussen aanhechting van het inkapselingsmateriaal aan het aanvorm-selverwijderingsmateriaal en het substraatmateriaal. Het dient echter te worden opgemerkt, en het ligt binnen de omvang van de uitvinding, dat de aanhechtingskracht tussen het aanvormselverwijderingsmateriaal en het inkapselingsmateriaal wordt gereduceerd met betrekking tot de aanhechtingskracht tussen het soldeermaskermateriaal en hetzij het substraatmateriaal, hetzij inkapselingsmateriaal op dezelfde manier als hierin is beschreven met betrekking tot de aanhechtingskracht tussen het substraatmateriaal en inkapselingsmateriaal.
In stap 510 wordt een elektronische bouwsteen, zoals een geïntegreerd schakelingsplakje, aan het bouwsteenbevesti-gingsgebied van het substraat bevestigd. De elektronische bouwsteen wordt bevestigd met een conventioneel hechtmiddel onder gebruikmaking van conventionele processen en apparatuur. Het hechtmiddel kan elektrisch geleidend zijn, b.v. met zilver gevuld epoxy, indien het gewenst is het lichaam van de elektronische bouwsteen voor te spannen door het elektrisch verbinden van het lichaam met blootgelegd elektrisch geleidend materiaal dat in het bouwsteenbevestigingsgebied is gevormd. Alternatief kan de elektronische bouwsteen eutectisch met het substraat worden verbonden.
De elektronische bouwsteen wordt elektrisch met in of op het oppervlak van het substraat gevormd elektrisch geleidend materiaal, zoals de hierboven genoemde inrichting van elektrisch geleidende sporen rondom het bouwsteenbevestigingsgebied, verbonden door bijvoorbeeld draadbonden, flipchipverbinding (C4) of TAB. Conventionele apparatuur en processen kunnen worden gebruikt om de elektrische verbinding te maken. In een uitvoeringsvorm van de uitvinding, waarin het aanvormselverwijderingsmateriaal goud is, wordt elektrische verbinding tussen de elektronische bouwsteen en het substraat gemaakt met gouden of aluminium bonddraad.
In stap 511 wordt de strook van substraten in een vorm geplaatst voor inkapseling van de op de substraten gevormde elektronische bouwstenen. Figuren 7A en 7B zijn respectievelijk een bovenaanzicht en aanzicht in doorsnede van een automatische twee-stuksvorm 700 voor gebruik bij het produceren van substraat-gebaseer-de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwstenen in overeenstemming met de uitvinding. De vorm 700 is gelijksoortig aan de vorm 201 (figuren 2A en 2B) die hierboven is beschreven. In het algemeen kan inkapseling van de elektronische bouwsteen in een substraat-geba-seerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen in overeenstemming met de uitvinding worden uitgevoerd onder gebruikmaking van welke conventionele twee-stuksvorm dan ook.
Zoals in figuur 7B is te zien, is de vorm 700 voorzien van een eerste vormsectie 702 (bovenste vormsectie) en een tweede vormsectie 703 (benedenste vormsectie). Een strook 701 van substraten is tussen de bovenste vormsectie 702 en de benedenste vormsectie 703 aan beide zijden van een aantal in de benedenste vormsectie 703 gevormde kamers 703a gepositioneerd. Een aantal vormholten 702a is gevormd aan tegengestelde zijden van elke kamer 703a. Een (niet getoond) halfgeleiderplakje is zodanig aan elk substraat in de substratenstrook 701 bevestigd, dat het halfgeleiderplakje in een overeenkomstige van de vormholten 702a is gepositioneerd. Een vorm-runner 702b strekt zich vanaf elke kamer 703a uit naar elk van een overeenkomstig tweetal van de vormholten 702a.
In stap 512 (figuren 5A en 5B) wordt (niet getoond) inkapselingsmiddel vanuit elk van de kamers 703a (figuren 7A en 7B) overgebracht naar overeenkomstige vormholten 702a door het omlaag brengen van een transferplunjer 704 in elke kamer 703a om (niet getoond) inkapselingsmiddel vanuit de kamer 703a in de vormholten 702a te forceren. Nadat de vormholten 702a zijn gevuld, wordt het inkapse-1ingsmiddel uitgehard om hard te worden in overeenstemming met een tijd/temperatuurprofiel dat geschikt voor het inkapselingsmiddel is, dat wordt gebruikt. In plaats van het transferpersen kan de inkapseling worden gevormd door spuitgieten of reactiespuitgieten. Het inkapselingsmiddel is in het algemeen hetzij een thermoplastische (typisch gebruikt bij transferpersen) hetzij thermo-uithardende (typisch gebruikt bij spuitgieten) verbinding. Illustratief wordt een van de verbindingen in bovenstaande tabel A gebruikt.
Figuur 8A is een zij-aanzicht van een, van een behuizing voorziene, elektronische inrichting 800 in overeenstemming met de uitvinding onmiddellijk na het hard worden van het inkapse-lingsmiddel. Voor de duidelijkheid bij de toelichting van figuur 8A, en onderstaande figuur 8B, is de vorm 700 niet getoond.
Nadat het inkapselingsmiddel hard wordt, wordt het inkapselingsmiddel (behuizingsinkapselingsmiddel) 805a binnen de vormholte 702a (figuren 7A en 7B) zoals gewenst over de elektronische inrichting gevormd. Het inkapselingsmiddel (overtollige inkapselings-middel) 805b wordt echter eveneens op het substraatoppervlak gevormd, waar de vormrunner 702b was gepositioneerd, en strekt zich vanaf het behuizingsinkapselingsmiddel 805a uit naar het inkapselingsmiddel 805c binnen de kamer. Het overtollige inkapselingsmiddel 805b moet worden verwijderd alvorens de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen 800 is voltooid.
In stap 513 (figuren 5A en 5B) wordt het overtollige inkapselingsmiddel 805b van de, van een behuizing voorziene, elektronische inrichting 800 verwijderd in een proces dat bekend staat als "aanvormselverwijdering". Figuur 8B is een zij-aanzicht van de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen 800 dat aanvormsel verwijdering van het overtollige inkapselingsmiddel 805b illustreert. Aanvormselverwijdering wordt uitgevoerd op een aanvormselverwijder! ngsstati on onder gebruikmaking van conventionele apparatuur en technieken. Bij aanvormselverwijdering wordt het substraat 801 met betrekking tot het overtollige inkapselingsmiddel 805b geheld, zoals in figuur 8B is getoond. Aangezien, zoals hierboven en hieronder gedetailleerder is en wordt toegelicht, het overtollige inkapselingsmiddel 805b niet sterk aan het aanvormselverwijderingsgebied aanhecht, wordt wanneer het substraat 801 wordt geheld, het overtollige inkapse-1ingsmiddel 805b weggetrokken vanaf het aanvormselverwijderingsgebied. Tenslotte knapt, aangezien de doorsnede van het overtollige inkapse-1ingsmiddel 805b klein is bij het grensvlak tussen het overtollige inkapselingsmiddel 805b en het behuizingsinkapselingsmiddel 805a, het overtollige inkapselingsmiddel 805b af bij het grensvlak, waarbij alleen het behuizingsinkapsel ingsmiddel 805a op de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen 800 wordt achtergelaten. Aanvormsel verwijdering kan, zoals hierboven is beschreven, worden geautomati seerd als deel van het inkapselingsproces in een automatisch vorm-systeem, of kan worden uitgevoerd als een aparte en onderscheidene processtap indien een manuele twee-stuksvorm wordt gebruikt.
Figuur 9 is een gedetailleerd bovenaanzicht van een gedeelte van een substratenstrook 900 in overeenstemming met de uitvinding dat de plaatsing van een vormrunner 903 met betrekking tot een op de substratenstrook 900 gevormd aanvormselverwijderingsgebied 902 illustreert. Figuur 9 illustreert eveneens de contour van een substraat 901, een bouwsteenbevestigingsoppervlak 904 en een behui-zingsinkapselingsmiddel 905 dat de (niet getoonde) elektronische inrichting insluit.
Het aanvormselverwijderingsgebied 902 strekt zich weg vanaf het substraat 901 uit naar de kant van het behuizingsinkap-selingsmiddel 905. In een uitvoeringsvorm heeft het aanvormselverwijder! ngsgebied 902 een breedte 912a van 3,4 mm vanaf het substraat 901 en een breedte 912b van 1,5 mm nabij de kant van het behuizingsinkap-selingsmiddel 905. De vormrunner 903 is bij benadering centraal binnen de contour van het aanvormselverwijderingsgebied 902 gepositioneerd.
In een uitvoeringsvorm heeft de vormrunner 903 een breedte van 911a van 2,0 mm boven het gedeelte van het aanvormselverwijderingsgebied 902 vanaf het substraat 901, en gaat dit geleidelijk over in een breedte 911b van 1,25 mm naburig aan de kant van het behuizings-inkapselingsmiddel 905. In het algemeen is het alleen noodzakelijk dat de breedte van de vormrunner 903 kleiner is dan de breedte van het aanvormselverwijderingsgebied 902. De hoogte (loodrecht op het vlak van figuur 9) van de vormrunner 903 snoert eveneens in vanaf een eerste hoogte boven het gedeelte van het aanvormselverwijderingsgebied 902 vanaf het substraat 901 naar een tweede hoogte, die kleiner is dan de eerste hoogte, naburig aan de kant van het behuizingsinkapselings-middel 905. De exacte, bij de insnoering van de vormrunner 903 behorende afmetingen worden tot stand gebracht in overeenstemming met principes die goed bekend zijn in de vormtechniek.
Aangezien de kanten van de vormrunner 903 volkomen binnen de oppervlakte van het aanvormselverwijderingsgebied 902 liggen, maakt het binnen de vormrunner 903 gevormde overtollige inkapselingsmiddel alleen contact met het aanvormselverwijderingsgebied 902. Aangezien het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal slecht aan het inkapselingsmateriaal hecht, wordt het overtollige inkapse-lingsmiddel gemakkelijk weggetrokken vanaf het aanvormselverwijde-ringsgebied 902, zonder het oppervlak van het substraat 901 te beschadigen of aan het substraat 901 te hechten, waardoor de substraten-strook 900 zou wringen of anderszins vervormen, De kleine doorsnede van de vormrunner 903 naburig aan de kant van het behuizingsinkapse-lingsmiddel 905 maakt het mogelijk dat het overtollige inkapselings-middel gemakkelijk van het behuizingsinkapselingsmiddel 905 kan worden weggebroken.
In stap 514 worden soldeerbulten gevormd op de soldeervlakken op het montage-oppervlak van het substraat door bekleding met soldeerplatering, opnieuw vloeibaarmaking met soldeerpasta of soldeerkogeltjes, of een andere geschikte werkwijze. Illustratief worden de soldeerbulten van een tin-loodlegering gemaakt. Elk van de soldeerbulten wordt elektrisch met de elektronische bouwsteen, b.v. een bondvlak op een geïntegreerd schakelingsplakje, verbonden door middel van een spoor dat op het montage-oppervlak is gevormd, een contactgat dat door het substraat is gevormd (of een combinatie van contactgaten en een of meer sporen die binnen het substraat zijn gevormd), een spoor dat is gevormd op het bouwsteenbevestigingsopper-vlak en, illustratief, een bonddraad. Na vorming van de soldeerbulten is een aantal van een behuizing voorziene elektronische inrichtingen gevormd en zijn ze in een strook met elkaar verbonden.
Alternatief zouden, in plaats van het vormen van soldeerbulten, een raam met aansluitpootjes of een TAB-band aan het montage-oppervlak van elk substraat kunnen worden bevestigd om te voorzien in een structuur voor het maken van externe elektrische verbinding vanaf de van een behuizing voorziene elektronische bouwsteen. In dit geval zouden de aansluitingen van het raam met aansluitpootjes of de TAB-band direkt kunnen worden bevestigd aan de contactgaten of doorlopende gaten die in het substraat zijn gevormd, of zouden de aansluitingen kunnen worden bevestigd aan elektrisch geleidende sporen die zich vanaf de contactgaten of doorlopende gaten naar de kant van het substraat uitstrekken.
In stap 515 wordt de strook van, van een behuizing voorziene, elektronische bouwstenen uit de vorm verwijderd en worden de van een behuizing voorziene elektronische bouwstenen van elkaar gescheiden, hetgeen resulteert in een aantal voltooide kogelrooster-inrichtingen. De van een behuizing voorziene elektronische inrichtingen worden gescheiden door bijvoorbeeld ponsen, zagen of breken. Pons-gaten (b.v. ponsgaten 608 van figuur 6A) kunnen in de strook zijn gevormd om bij het van de strook scheiden van de substraten te helpen. Aanvullend kan de strook zijn ingekerfd om elk substraat te bepalen en de substraten langs de inkervingslijn van de strook te scheiden.
In de bovenstaande beschrijving is een enkele elektronische bouwsteen aan een oppervlak van het substraat bevestigd. Typisch is de elektronische bouwsteen een geïntegreerd schakelings-plakje; de elektronische bouwsteen kan echter een ander type actieve component, zoals een transistor of diode zijn, of een passieve component, zoals een weerstand, condensator of spoel. Verder kunnen meer dan één elektronische bouwsteen aan een substraatoppervlak zijn bevestigd. De verscheidene elektronische bouwstenen zijn alle binnen het behuizingsinkapselingsmiddel ingesloten.
In overeenstemming met de uitvinding kan, zoals in de hierboven beschreven uitvoeringsvormen is geïllustreerd, een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen worden gevormd onder gebruikmaking van conventionele apparatuur voor bevestiging van de elektronische bouwsteen aan het substraat, elektrische verbinding van de elektronische bouwsteen met het substraat, en vorming van inkapselingsmiddel om de elektronische bouwsteen in te sluiten. Verder kan een aantal, van een behuizing voorziene, elektronische inrichtingen in overeenstemming met de uitvinding in één keer in een strookconfiguratie worden gefabriceerd. Dientengevolge kunnen van een behuizing voorziene, elektronische bouwstenen in overeenstemming met de uitvinding snel en tegen lage kosten worden geproduceerd.
In het bijzonder is er voorzien in een aanvormsel-verwijderingsgebied dat gemakkelijke verwijdering van overtollig inkapselingsmiddel toestaat, zonder aanvullende stappen in het proces voor het vormen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te introduceren. Dit is zo, omdat het aanvormselverwijderingsmateriaal hetzelfde materiaal is en op hetzelfde moment wordt toegepast als het materiaal dat wordt gebruikt om ander elektrisch geleidend materiaal op het substraat te bekleden.
Aldus voorziet de uitvinding in goede aanvormselverwijdering, zonder aanvullende kosten.
De aanwezigheid van het aanvormselverwijderings-gebied elimineert de noodzaak van het gebruiken van een drie-stuks- of gemodificeerde twee-stuksvorm om aanvormselverwijdering aan de bovenzijde te bereiken, teneinde aanvormsels te verwijderen, zonder de van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te beschadigen. Dienovereenkomstig zijn de bij drie-stuks- en gemodificeerde twee-stuksvormen behorende problemen vermeden. De grote hoeveelheid bestaande twee-stuksvormapparatuur kan worden gebruikt, waarbij aldus produktiekosten worden gereduceerd. Hetzij conventionele, hetzij automatische twee-stuksvormen kunnen worden gebruikt.
Verscheidene uitvoeringsvormen van de uitvinding zijn beschreven. De beschrijvingen zijn bedoeld om illustratief, niet beperkend te zijn. Aldus zal het aan vaklui op dit gebied van de techniek duidelijk zijn, dat zekere modificaties met betrekking tot de uitvinding, zoals zij is beschreven, kunnen worden uitgevoerd zonder buiten de beschermingsomvang van de hieronder uiteengezette conclusies te komen.

Claims (19)

1. Substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen, omvattende een substraat met eerste en tweede oppervlakken, waarbij een aanvormselverwijderingsgebied op het eerste oppervlak van het substraat is gevormd en een structuur voor het maken van externe elektrische verbinding vanaf de bouwsteen op het tweede oppervlak van het substraat is gevormd, een aan het eerste oppervlak van het substraat bevestigde elektronische bouwsteen die elektrisch met de structuur voor het maken van externe elektrische verbinding is verbonden en op het eerste oppervlak van het substraat gevormd inkapsel ingsmateri aal om de elektronische bouwsteen in te sluiten, waarbij het aanvormselverwijder!ngsgebied buiten het inkapselingsmateriaal is gevormd, waarbij het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijde-ringsgebiedmateriaal in contact met het inkapselingsmateriaal zodanig zijn gekozen, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateri-aal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal zwakker is dan de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraat-materiaal.
2. Bouwsteen volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormsel verwi jderingsgebiedmateri aal in contact met het inkapselingsmate-riaal minder dan de helft van de aanhechtingskracht tussen het inkapsel ingsmateri aal en het substraatmateriaal is.
3. Bouwsteen volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormsel verwi jderingsgebiedmateri aal in contact met het inkapselingsma-teriaal bij benadering 10% van de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmateriaal is.
4. Bouwsteen volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapselingsmateriaal goud is.
5. Bouwsteen volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het inkapselingsmateriaal een thermo-uithardende epoxyhars is.
6. Bouwsteen volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de structuur voor het maken van externe elektrische verbinding verder een aantal op het tweede oppervlak van het substraat gevormde soldeerbulten omvat.
7. Bouwsteen volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de elektronische bouwsteen een geïntegreerd schakelingsplakje is.
8. Bouwsteen volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het substraat een meerlagig substraat is, waarbij elektrisch geleidende sporen en/of gebieden binnen het meer-lagige substraat zijn gevormd.
9. Substraat voor gebruik bij het vormen van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen, waarin een oppervlak van het substraat is ingericht voor montage van een elektronische bouwsteen, een aanvormselverwijderings-gebied op het oppervlak van het substraat op een zodanige plaats is gevormd, dat de kanten van een vormrunner van een voor het inkapselen van de elektronische bouwsteen gebruikte vorm volkomen binnen het aanvormselverwijderingsgebied past, wanneer het substraat gedurende inkapseling van de elektronische bouwsteen in de vorm is gepositioneerd, en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal zodanig is gekozen, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapselingsmateriaal zwakker is dan de aanhechtingskracht tussen het inkapsel ingsmateriaal en het substraatmateriaal.
10. Substraat volgens conclusie 9, met het kenmerk, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvorm sel verwi jderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapselingsmateriaal bij benadering 10% van de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmateriaal is.
11. Aantal in een strookconfiguratie gevormde substra ten voor gebruik bij vorming van een aantal substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwstenen, met het kenmerk, dat elk van de substraten is gevormd zoals in conclusie 9 of 10.
12. Werkwijze voor inkapseling van een op een oppervlak van een substraat bevestigde, elektronische bouwsteen om een, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen te vormen, waarbij de werkwijze de stappen omvat van het vormen van een aanvormselverwijderingsgebied op het substraatoppervlak, het vormen van een inkapseling op het substraatoppervlak om de elektronische bouwsteen in te sluiten, waarbij het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijderingsge-biedmateriaal in contact met de inkapseling zodanig wordt gekozen, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvorm-selverwijderingsgebiedmateriaal zwakker is dan de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmateriaal en het zodanig verwijderen van op het aanvormselverwijderingsgebied gevormd inkapselingsmateriaal, dat de elektronische bouwsteen door het inkapselingsmateriaal ingesloten blijft en de, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen niet wordt beschadigd.
13. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij de stap van het vormen van een inkapseling verder het positioneren van een tweede oppervlak van het substraat tegen een oppervlak van een eerste sectie van een vorm omvat, waarbij het tweede oppervlak van het substraat tegengesteld aan het eerste oppervlak van het substraat is, het positioneren van een oppervlak van een tweede sectie van een vorm tegen het eerste oppervlak van het substraat, waarbij zodanig een holte in de tweede vormsectie is gevormd, dat de elektronische bouwsteen zich binnen de holte bevindt en een gedeelte van het eerste oppervlak van het substraat dat de elektronische bouwsteen omgeeft naar de holte is gericht, en een kanaal in het oppervlak van de tweede sectie van de vorm is gevormd om zich vanaf de holte uit te strekken, waarbij het kanaal zodanig is geplaatst, dat wanneer het oppervlak van de tweede vormsectie tegen het eerste oppervlak van het substraat wordt gepositioneerd, de kanten van het kanaal volledig binnen begrenzingen van het aanvormselverwijderingsgebied liggen, het door middel van het kanaal overbrengen van het inkapselingsmateriaal naar de holte, en het hard laten worden van het inkapselingsmateriaal nadat de holte volledig met inkapselingsmateriaal is gevuld.
14. Werkwijze volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de vorm een standaard twee-stuksvorm is.
15. Werkwijze volgens conclusie 12, 13 of 14, met het kenmerk, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapselingsmateriaal minder dan de helft van de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmateriaal is.
16. Werkwijze volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het aanvormselverwijderingsgebiedmateriaal in contact met het inkapse- 1ingsmateriaal bij benadering 10% van de aanhechtingskracht tussen het inkapselingsmateriaal en het substraatmateriaal is.
17. Werkwijze volgens een van de conclusies 12-16, met het kenmerk, dat het aanvormselverwijderingsgebied van goud is gemaakt.
18. Werkwijze volgens een van de conclusies 12-17, met het kenmerk, dat het inkapselingsmateriaal een thermo-uithardende epoxyhars is.
19. Werkwijze volgens een van de conclusies 12-18, met het kenmerk, dat de elektronische bouwsteen een geïntegreerd schake-lingsplakje is.
NL9500511A 1994-03-16 1995-03-15 Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen. NL9500511A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21433994 1994-03-16
US08/214,339 US5635671A (en) 1994-03-16 1994-03-16 Mold runner removal from a substrate-based packaged electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL9500511A true NL9500511A (nl) 1995-11-01

Family

ID=22798687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9500511A NL9500511A (nl) 1994-03-16 1995-03-15 Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5635671A (nl)
JP (1) JPH088283A (nl)
NL (1) NL9500511A (nl)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6465743B1 (en) * 1994-12-05 2002-10-15 Motorola, Inc. Multi-strand substrate for ball-grid array assemblies and method
US6130383A (en) * 1995-05-31 2000-10-10 Sgs-Thomson Microelectronics, S.A. Solder ball array package and a method of encapsulation
US5852870A (en) * 1996-04-24 1998-12-29 Amkor Technology, Inc. Method of making grid array assembly
US5776798A (en) * 1996-09-04 1998-07-07 Motorola, Inc. Semiconductor package and method thereof
US5854512A (en) * 1996-09-20 1998-12-29 Vlsi Technology, Inc. High density leaded ball-grid array package
KR100369386B1 (ko) * 1996-12-27 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 볼그리드어레이반도체패키지용인쇄회로기판및이를이용한볼그리드어레이반도체패키지의봉지방법
US6432751B1 (en) * 1997-04-11 2002-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resin mold electric part and producing method therefor
KR19990004211A (ko) * 1997-06-27 1999-01-15 한효용 게이트슬롯이 형성된 서브스트레이트
TW345709B (en) * 1997-09-18 1998-11-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Method for encapsulating substrate-based electronic device
DE19756325A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Daimler Chrysler Ag Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
US6111324A (en) * 1998-02-05 2000-08-29 Asat, Limited Integrated carrier ring/stiffener and method for manufacturing a flexible integrated circuit package
US5969427A (en) 1998-02-05 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Use of an oxide surface to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device
US6117708A (en) 1998-02-05 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Use of residual organic compounds to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device
TW432550B (en) * 1998-02-07 2001-05-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Method of encapsulating a chip
JPH11307689A (ja) * 1998-02-17 1999-11-05 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置用基板及びこれらの製造方法並びに電子機器
US6096250A (en) * 1998-03-06 2000-08-01 Caesar International, Inc. Process for releasing a runner from an electronic device package on a laminate plate
US6057179A (en) * 1998-03-17 2000-05-02 Compeq Manufacturing Company Limited Method and structure for packaging an integrated circuit with readily removed excess encapsulant on degating region
US5982625A (en) * 1998-03-19 1999-11-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packaging device
TW381329B (en) 1998-04-03 2000-02-01 Silicom Ware Prec Ind Co Ltd Packaging method for chips
US6372553B1 (en) * 1998-05-18 2002-04-16 St Assembly Test Services, Pte Ltd Disposable mold runner gate for substrate based electronic packages
JP2997746B2 (ja) 1998-05-27 2000-01-11 亜南半導体株式会社 印刷回路基板
JP3020201B2 (ja) 1998-05-27 2000-03-15 亜南半導体株式会社 ボールグリッドアレイ半導体パッケージのモールディング方法
US6252309B1 (en) * 1999-01-08 2001-06-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Packaged semiconductor substrate
US6355199B1 (en) 1999-02-12 2002-03-12 St. Assembly Test Services Pte Ltd Method of molding flexible circuit with molded stiffener
KR200291282Y1 (ko) * 1999-04-14 2002-10-14 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 인쇄회로기판
US6232551B1 (en) * 1999-08-18 2001-05-15 Subtron Technology Co., Ltd. Substrate board for semiconductor package
US6262490B1 (en) * 1999-11-05 2001-07-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate strip for use in packaging semiconductor chips
US6566741B2 (en) 1999-10-21 2003-05-20 Intel Corporation Grounding of package substrates
US6291882B1 (en) 2000-06-02 2001-09-18 Siliconware Precision Industries Co., Letd. Packaging process and structure of electronic device
US6544812B1 (en) 2000-11-06 2003-04-08 St Assembly Test Service Ltd. Single unit automated assembly of flex enhanced ball grid array packages
US6632704B2 (en) * 2000-12-19 2003-10-14 Intel Corporation Molded flip chip package
US6432737B1 (en) 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package
US6420201B1 (en) 2001-01-03 2002-07-16 Amkor Technology, Inc. Method for forming a bond wire pressure sensor die package
US6441503B1 (en) 2001-01-03 2002-08-27 Amkor Technology, Inc. Bond wire pressure sensor die package
TW473947B (en) 2001-02-20 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Substrate structure of semiconductor packaging article
US7148561B2 (en) 2001-03-29 2006-12-12 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Ball grid array substrate strip with warpage-preventive linkage structure
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
TW508769B (en) * 2001-06-07 2002-11-01 Advanced Semiconductor Eng Packaging substrate protected against electrostatic discharge
US6660559B1 (en) 2001-06-25 2003-12-09 Amkor Technology, Inc. Method of making a chip carrier package using laser ablation
KR100415281B1 (ko) * 2001-06-29 2004-01-16 삼성전자주식회사 양면 실장형 회로 기판 및 이를 포함하는 멀티 칩 패키지
US20040053447A1 (en) * 2001-06-29 2004-03-18 Foster Donald Craig Leadframe having fine pitch bond fingers formed using laser cutting method
US6617680B2 (en) * 2001-08-22 2003-09-09 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Chip carrier, semiconductor package and fabricating method thereof
US7264456B2 (en) * 2001-10-10 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems
CN1327520C (zh) * 2002-09-16 2007-07-18 日月光半导体制造股份有限公司 具有静电放电防护的封装基板
JP2004186460A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法
US7169345B2 (en) * 2003-08-27 2007-01-30 Texas Instruments Incorporated Method for integrated circuit packaging
CN100426477C (zh) * 2004-01-09 2008-10-15 威宇科技测试封装有限公司 扁平塑封球栅阵列封装所用的载板的制造方法及其载板
WO2006081558A2 (en) 2005-01-28 2006-08-03 Duke University Apparatuses and methods for manipulating droplets on a printed circuit board
US7863761B2 (en) * 2006-08-03 2011-01-04 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with molding vents
US8751178B2 (en) * 2008-07-31 2014-06-10 King Yuan Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for determining disposition of via hole on printed circuit board
EP2353179A4 (en) * 2008-10-17 2012-10-03 Occam Portfolio Llc SOLDER-FREE FLEXIBLE CIRCUIT ARRANGEMENTS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
US20110106284A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 Mold-Masters (2007) Limited System for use in performance of injection molding operations
US8280544B2 (en) * 2009-11-02 2012-10-02 Mold Masters (2007) Limited System for use in performance of injection molding operations
US20110106285A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 Mold-Masters (2007) Limited System for use in performance of injection molding operations
CN103021902A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 国碁电子(中山)有限公司 半导体封装铸模装置及方法
CN106653727A (zh) * 2015-10-30 2017-05-10 飞思卡尔半导体公司 用于封装集成电路的基板阵列
US11469149B2 (en) 2019-11-15 2022-10-11 Semtech Corporation Semiconductor device and method of forming mold degating structure for pre-molded substrate
US11735554B2 (en) * 2020-08-14 2023-08-22 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation Wafer-level chip scale packaging structure having a rewiring layer and method for manufacturing the wafer-level chip scale packaging structure

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310553A (ja) * 1986-07-01 1988-01-18 Nec Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH04177753A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Citizen Watch Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
US5241133A (en) * 1990-12-21 1993-08-31 Motorola, Inc. Leadless pad array chip carrier

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954308A (en) * 1988-03-04 1990-09-04 Citizen Watch Co., Ltd. Resin encapsulating method
US5099101A (en) * 1989-02-27 1992-03-24 National Semiconductor Corporation Laser trimming system for semiconductor integrated circuit chip packages
US5324474A (en) * 1991-10-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Method of making a printed wiring board spacer
CA2089435C (en) * 1992-02-14 1997-12-09 Kenzi Kobayashi Semiconductor device
US5317196A (en) * 1992-08-28 1994-05-31 At&T Bell Laboratories Encapsulant method and apparatus
US5478517A (en) * 1994-02-28 1995-12-26 Gennum Corporation Method for molding IC chips

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310553A (ja) * 1986-07-01 1988-01-18 Nec Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH04177753A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Citizen Watch Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
US5241133A (en) * 1990-12-21 1993-08-31 Motorola, Inc. Leadless pad array chip carrier

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 215 (E - 623) 18 June 1988 (1988-06-18) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 486 (E - 1276) 8 October 1992 (1992-10-08) *

Also Published As

Publication number Publication date
JPH088283A (ja) 1996-01-12
US5635671A (en) 1997-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL9500511A (nl) Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen.
KR100437437B1 (ko) 반도체 패키지의 제조법 및 반도체 패키지
US6020218A (en) Method of manufacturing ball grid array semiconductor package
KR101037997B1 (ko) 반도체 다이 패키지와 반도체 다이 패키지용 기판 그리고 이들의 형성 방법, 및 리드 프레임 구조물의 제조 방법 및 처리 방법
US6720207B2 (en) Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device
US4800419A (en) Support assembly for integrated circuits
JP2000150765A (ja) 半導体集積回路プラスチックパッケ―ジ、およびそのパッケ―ジの製造のための超小型リ―ドフレ―ムおよび製造方法
JP2002009196A (ja) 半導体装置の製造方法
US5981873A (en) Printed circuit board for ball grid array semiconductor package
US6794762B2 (en) Electronic component and fabrication method thereof
TWI344218B (en) Method of packaging an optical sensor
KR100214552B1 (ko) 캐리어프레임 및 서브스트레이트와 이들을 이용한 볼 그리드 어 레이 패키지의 제조방법
JP3455685B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0158864B2 (nl)
US5445995A (en) Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink
KR101009187B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20020022312A1 (en) Method of fabricating semiconductor device
EP0723293B1 (en) Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink
JPH04177753A (ja) 樹脂封止型半導体装置
EP1028464A1 (en) Semiconductor device with improved interconnections between the chip and the terminals, and process for its manufacture
KR100246848B1 (ko) 랜드 그리드 어레이 및 이를 채용한 반도체 패키지
JPH0450749B2 (nl)
JPH0322700B2 (nl)
JPH01128890A (ja) 半導体ｉｃ装置
WO2007136651A2 (en) Semiconductor device with a distributed plating pattern

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed