NL9100725A - Werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geintegreerde schakelingen. - Google Patents
Werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geintegreerde schakelingen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9100725A NL9100725A NL9100725A NL9100725A NL9100725A NL 9100725 A NL9100725 A NL 9100725A NL 9100725 A NL9100725 A NL 9100725A NL 9100725 A NL9100725 A NL 9100725A NL 9100725 A NL9100725 A NL 9100725A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- superconducting
- layer
- substrate
- integrated circuits
- oxygen
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/728—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/742—Annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
UITTREKSEL, -
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen onder toepassing van de methode waarin een dunne oppervlakte laag van supergeleidend of tetragonaal ΥΒ32^^0γ substraat met een lage Tc selectief wordt omgezet in een supergeleidende orthorhombische structuur door zuurstof te diffunderen en daardoor worden supergeleidende orthorhombische eilanden electrisch van elkaar geïsoleerd, die zijn omgeven met niet-supergeleidende tetragonale fasen.
De uitvinding kan derhalve geïntegreerde schakelingen verschaffen die goedkoop zijn en een hoge kwaliteit bezitten in vergelijking met de stand der techniek.
Korte aanduiding: Werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen en meer in het bijzonder op de werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen onder toepassing van de methode waarin een dunne oppervlakte laag van laag Tc supergeleidend of tetragonaal YBa2Cu20y substraat selectief wordt omgezet in een supergeleidende orthorhombische structuur door zuurstof te diffunderen en daardoor worden supergeleidende orthorhombische eilandjes electrisch van elkaar geïsoleerd, en omgeven met niet-super-geleidende tetragonale fasen.
Bekende processen voor supergeleiding van geïnter-greerde schakelingen zijn beschreven in de Japanse octrooiaanvrage nrs. 64-69064, 64-69063, 64-89573 en 64-89674.
In de Japanse octrooiaanvrage nrs. 64-69063 en 64-69064, waarnaar wordt verwezen in fig. 1, worden de boven genoemde ketens vervaardigd door een diffunderende laag (bijv. Si02 laag) aan te brengen op een isolerend substraat (l')f bestaande uit SrTiO^ of MgO, de supergeleidende laag van oxyde met een samenstelling die lijkt op die van YBa^u^O^ af te zetten op het gehele substraat met inbegrip van de genoemde diffunderende laag, en daarnaar de supergeleidende film van het oxyde te kristalliseren door het te onderwerpen aan een warmte-behandeling in een zuurstof milieu bij 850 °C tot 1000 °C gedurende een lange tijd en gelijktijdig de supergeleidende film op de diffunderende laag te onderwerpen aan inter-diffusie. In fig. 1 duidt cijfer 5' een supergeleidende fase met hoge Tc aan. Deze werkwijze bezit echter de volgende twee problemen. In de eerste plaats, vanwege het verschil in kristalstructuur tussen de film en het substraat, is het zeer moeilijk om de supergeleidende film van YBa2Cu20y epitaxiaal te laten groeien. In de tweede plaats, omdat dit substraat zeer duur is, kan het nauwelijks op commerciële schaal worden toegepast.
Daarnaast worden in de Japanse octrooiaanvragen nrs. 64-89573 en 64-89574 werkwijzen ter vervaardiging van de bovenstaande ketens beschreven waarbij men: a) een supergeleider, zoals ΥΒ32θυ^07, afzet op het substraat door middel van een methode van magnetron kathode-verstuiving ter vorming van de supergeleidende film, b) het lak-masker vormt op de supergeleidende film; c) selectief ionen zoals Ne, Ar, H, He en Si doteert op het lak-masker om de kristallijne structuur van het met ionen geïnjecteerde gedeelte te vernietigen en het verkregen gedeelte niet-supergeleidend te maken; en d) het lak-masker verwijdert onder toepassing van de methode van zuurstof-plasma-etsing.
Bovenstaande processen bezitten echter eveneens de volgende problemen. Omdat er een verschil in kristalstructuur bestaat tussen de film en het substraat kunnen de kristalroosters daarvan niet passend op elkaar worden. Bovenstaande processen moeten eveneens gebruik maken van betrekkelijk dure substraten. En het is niet gemakkelijk om de behandeling zoals ionen-inspuiting in praktijk te brengen.
Het oogmerk van de onderhavige uitvinding is derhalve een werkwijze te verschaffen voor de vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen die de bovenstaande problemen die worden aangetroffen in de standaard-techniek kan verbeteren en waarbij zuurstof wordt gediffundeerd in het oppervlak van het tetragonale YBa2Cu20y substraat om selectief de dunne laag met orthorhombische fase te vormen.
De bovenstaande oogmerken en nieuwe kenmerken van de uitvinding zullen duidelijker worden uit de volgende nadere beschrijving in samenhang met de bijgaande tekeningen. Met nadruk wordt er op gewezen dat de tekeningen uitsluitend dienen ter toelichting en niet ter beperking van de uitvinding.
Fig. 1 is een dwarsdoorsnede van een supergeleidende geïntegreerde schakeling die is vervaardigd volgens de bekende dunne film-techniek, waarin de supergeleidende dunne film is afgezet en tot een patroon gevormd op een isolerend substraat,
Fig. 2 is een dwarsdoorsnede van een supergeleidende geïntegreerde schakeling van YBa2Cu2Üy die is vervaardigd volgens de onderhavige uitvinding, waarin gekozen delen van het substraat zijn omgezet in een orthorhombische structuur vanuit een tetragonale structuur door selectieve diffusie van zuurstof,
Fig. 3 is een schematisch proces volgens de uitvinding,
Fig. 4 is een grafiek van de weerstand tegen de temperatuur van het oppervlak van de supergeleidende laag die is gevormd volgens de uitvinding,
Fig. 5 is een grafiek van de weerstand tegen de temperatuur van het tetragonale substraat.
In de uitvinding wordt een tetragonaal YBa2Cu20y (y £ 6,5) toegepast als substraat. Een werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen volgens de onderhavige uitvinding omvat de omzetting van een dunne oppervlakte laag van het substraat waarin de oppervlakte laag van het substraat kan worden omgezet in het supergeleidende orthorhombische YBa2Cu20y (y > 6,5) door selectief zuurstof te diffunderen op de gewenste delen daarvan onder vorming van supergeleidende eilanden met een hoge Tc die worden omgeven door een supergeleidende of niet-supergeleidende fase met een lage Tc. In verband met de stroomgeleidbaarheid kan het substraat met de supergeleidende of niet-supergeleidende fase met lage Tc worden beschouwd als een isolerend gedeelte bij de temperatuur waarbij de supergeleidende fase met hoge Tc de supergeleidende eigenschappen kan vertonen omdat de supergeleidende of niet-supergeleidende fase met lage Tc een veel hogere weerstand bezit dan de supergeleidende fase met hoge Tc bij die temperatuur.
De nadere beschrijving van de onderhavige uitvinding vindt als volgt plaats onder verwijzing naar de tekeningen:
Zoals vermeldt in fig. 3 heeft de uitvinding betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen die omvat dat men: (1) een substraat van tetragonaal ¥632^^0^ polijst ter vorming van een wafel (1) zoals weergegeven in fig. 3 waarbij de wafel desgewenst een gepolijst oppervlak bezit met een dikte van 1 pa op het substraat; (2) een isolerende maskerlaag (2) met een dikte van ongeveer 0,2 pm afzet op de wafel (1) door middel van een kathodeverstuivingsmethode en een fotolaklaag (PR,3) afzet op de maskerlaag (2) onder toepassing van een spinbekledings-methode (zie fig. 3b); (3) gekozen delen van de fotolaklaag verwijdert onder toepassing van een proces van fotolithografie (zie fig. 3c); (4) de maskerlaag (2) die is afgezet op de actieve gebieden (4) verwijdert onder toepassing van een chemische etsmethode en daarna eveneens de fotolaklagen verwijdert (zie fig. 3d); en (5) zuurstof diffundeert op de actieve gebieden (4) in een zuurstofmilieu, gelijktijdig met het ontlaten, om de gebieden (4) om te zetten in de supergeleidende fase met hoge Tc (orthorhombische fase) (zie fig. 3e en fig. 3f) ter vorming van een aantal supergeleidende eilanden met hoge Tc (Tc is ongeveer 90 °K) die zijn omgeven met de supergeleidende of niet-supergeleidende fase met lage Tc.
In bovenstaande trap (2) kan een polymeer dat is toegepast voor de fotolaklaag gemakkelijk worden gekozen door de in het betreffende vakgebied competente deskundigen. Shipley's positieve fotolak bijvoorbeeld is gewenst.
In bovenstaande trap (4) kunnen verschillende chemische stoffen worden toegepast afhankelijk van het type stoffen van de afgezette maskerlaag. Een HF verdient de voorkeur in het geval van een SiC^ laag.
Fig. 2 en Fig. 3f is de dwarsdoorsnede van de supergeleidende geïntegreerde schakelingen die zijn vervaardigd volgens de bovenstaande trappen. In de figuren zijn dunne supergeleidende orthorhombische eilanden (supergeleidende fase met hoge Tc, 5) weergegeven die electrisch zijn geïsoleerd van het supergeleidende of niet-supergeleidende substraat met lage Tc (tetragonale fase, 6). Omdat namelijk het supergeleidende eiland met hoge Tc is omgeven met de tetragonale fase met de isolatoreigenschap of superconductor met lage Tc, zijn, wanneer een ander eiland wordt gevormd op een afstand van twee of drie micrometer van het ene eiland, de twee eilanden electrisch van elkaar gescheiden.
Daarom kan de onderhavige uitvinding een relatief groot aantal ketenelementen met hoge kwaliteit verschaffen in vergelijking met de bekende techniek, zelfs hoewel dure substraten zoals SrTiO^ of MgO niet behoeven te worden toegepast. Daarnaast is de kwaliteit van de volgens de uitvinding vervaardigde inrichting beter omdat er een kleine rooster-wanverhouding is tussen de omgezette orthorhombische laag en het substraat.
De bovenstaande bekende processen van dunne film-proces bezitten eveneens het probleem van het verlagen van de kritische temperatuur (Tc) omdat zij een direct etsen van de supergeleider omvatten. Anderzijds omvat de onderhavige uitvinding niet het bovenstaande directe etsproces om te voorkomen dat de supergeleidingseigenschap wordt verlaagd. Omdat het substraat van Yl^Cu^Oy gemakkelijker reageert met water kan het directe etsproces de filmeigenschappen gemakkelijk slechter maken.
Het volgende voorbeeld is uitsluitend opgenomen om de uitvinding beter te begrijpen en veranderingen kunnen worden aangebracht door de deskundige zonder buiten het kader van de uitvinding te treden.
Een stoechiometrische hoeveelheid van ^2^3' BaC03 en CuO werd met elkaar gemengd. De poeders werden ongeveer zes uren gemalen. De gemalen suspensie werd daarna gedroogd in een oven bij 80 °C. De droge lading werd in lucht bij 850 °C gedurende 10 uren gecalcineerd. De gecalcineerde hoeveelheid werd gedeeltelijk gesmolten en daarna afgekoeld tot kamertemperatuur om het buikvormige ^ te vormen.
De supergeleider werd gepolijst ter vorming van een wafel met een dikte van 1 mm met een gepolijst oppervlak. Een isolerende SiC^ laag met een dikte van 0,2 jam werd af gezet op de gepolijste supergeleider onder toepassing van een bekende kathodeverstuivingsmethode ter vorming van een laag van een lakmasker en daarna werd een fotolakpolymeer met een dikte van 1,5 pm afgezet op de laag met behulp van een spin-bekledingsmethode.
Een gekozen gedeelte van de afgezette fotolaklagen werd verwijderd onder toepassing van fotolithografie. Onder toepassing van een chemische etsmethode met HF, werd het gedeelte van de maskerlaag dat is blootgesteld aan HF verwijderd. Door de wafel te ontlaten in een O2 milieu werd zuurstof selectief gediffundeerd op het oppervlak van de wafel om de blootgestelde delen van de wafel om te zetten in een orthorhombische fase, dat wil zeggen een supergeleidende fase met hoge Tc met een dikte van minder dan 10 micrometer.
Fig. 5 toont de weerstand tegen de temperatuur van tetragonaal YBaCuO, waarbij wordt waargenomen dat de super* geleidende overgang niet wordt waargenomen onder 77 °K. Fig.
4 toont de weerstand tegen de temperatuurkromme van de oppervlaktefilm die is vervaardigd volgens het bovenstaande voorbeeld, en toont dat de oppervlaktefilm supergeleidend wordt boven 77 °K.
Zoals toegelicht in fig. 4 en fig. 5, kan gemakkelijk worden ingezien dat supergeleidende geïntegreerde schakelingen die selectief zijn gediffundeerd met zuurstof een supergeleidende eigenschap met hoge Tc bezitten, terwijl het tetragonale YBaCuO geen supergeleidende eigenschap bezit onder 77 °K.
Daarom werkt het supergeleidende of niet-super-geleidende substraat met lage Tc als isolator bij de temperatuur waarbij de supergeleider met hoge Tc een supergeleidende eigenschap bezit omdat het substraat een betrekkelijk hoge weerstand bezit bij die temperatuur.
Claims (3)
1. Werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geïntegreerde schakelingen, met het kenmerk, dat men zuurstof selectief diffundeert op het oppervlak van een tetragonaal YBa2Cu20y substraat ter vorming van een gekozen dunne laag van orthorhombische fase.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat men: (1) een substraat van tetragonaal Yl^Cu^Oy polijst ter vorming van een wafel; (2) een isolerende maskerlaag afzet op de wafel en een foto-laklaag op de maskerlaag; (3) gekozen delen van de fotolaklagen verwijdert; (4) de op de actieve gebieden afgezette maskerlaag verwijdert onder toepassing van een chemische etsmethode en daarna eveneens de fotolaklagen verwijdert; en (5) zuurstof diffundeert op de actieve gebieden om de actieve gebieden om te zetten in de orthorhombische fase ter vorming van supergeleidende eilanden met hoge Tc die worden omgeven door supergeleidende of niet-super-geleidende fasen met lage Tc.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de op het oppervlak van de wafel gediffundeerde zuurstoflaag een dikte bezit die kleiner is dan 10 micrometer.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900005997A KR930004024B1 (ko) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 초전도 집적회로소자의 제조방법 |
| KR900005997 | 1990-04-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL9100725A true NL9100725A (nl) | 1991-11-18 |
Family
ID=19298462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL9100725A NL9100725A (nl) | 1990-04-27 | 1991-04-26 | Werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geintegreerde schakelingen. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5219830A (nl) |
| JP (1) | JP2614942B2 (nl) |
| KR (1) | KR930004024B1 (nl) |
| DE (1) | DE4040053A1 (nl) |
| FR (1) | FR2661557B1 (nl) |
| GB (1) | GB2244882B (nl) |
| NL (1) | NL9100725A (nl) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251777A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導電界効果型素子およびその作製方法 |
| US7068618B2 (en) | 2001-08-10 | 2006-06-27 | Interdigital Technology Corp. | Dynamic link adaption for time division duplex (TDD) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0276746B1 (en) * | 1987-01-30 | 1994-07-13 | Hitachi, Ltd. | Superconducting device |
| JPH0638525B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1994-05-18 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 超電導装置の作製方法 |
| CN1035087C (zh) * | 1987-05-18 | 1997-06-04 | 住友电气工业株式会社 | 制作超导电路图形的方法 |
| US5041420A (en) * | 1987-06-26 | 1991-08-20 | Hewlett-Packard Company | Method for making superconductor films from organometallic precursors |
| DK160382C (da) * | 1987-09-22 | 1991-08-12 | Ib Johannsen | Fremgangsmaade til tilvejebringelse af et elektrisk kredsloeb indeholdende josephson dioder |
| JP2707499B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1998-01-28 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| JPH01160888A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | ビームを用いた局部熱処理方法 |
| NL8703039A (nl) * | 1987-12-16 | 1989-07-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het patroonmatig vervaardigen van een dunne laag uit een oxidisch supergeleidend materiaal. |
| US4939308A (en) * | 1988-04-29 | 1990-07-03 | Allied-Signal Inc. | Method of forming crystallite-oriented superconducting ceramics by electrodeposition and thin film superconducting ceramic made thereby |
| JPH0354875A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導体回路の形成方法 |
-
1990
- 1990-04-27 KR KR1019900005997A patent/KR930004024B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-28 FR FR9014863A patent/FR2661557B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-14 DE DE4040053A patent/DE4040053A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-01-08 JP JP3000763A patent/JP2614942B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-16 GB GB9108001A patent/GB2244882B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-26 NL NL9100725A patent/NL9100725A/nl active Search and Examination
- 1991-07-15 US US07/731,050 patent/US5219830A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2244882A (en) | 1991-12-11 |
| GB9108001D0 (en) | 1991-06-05 |
| JPH04226089A (ja) | 1992-08-14 |
| DE4040053A1 (de) | 1991-10-31 |
| FR2661557A1 (fr) | 1991-10-31 |
| GB2244882B (en) | 1994-12-21 |
| KR910019170A (ko) | 1991-11-30 |
| KR930004024B1 (ko) | 1993-05-19 |
| US5219830A (en) | 1993-06-15 |
| FR2661557B1 (fr) | 1995-10-13 |
| JP2614942B2 (ja) | 1997-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4454522A (en) | Microbridge superconducting device having support with stepped parallel surfaces | |
| US5215960A (en) | Method for manufacturing oxide superconducting devices | |
| US6476413B1 (en) | High temperature superconducting Josephson junctions and SQUIDs | |
| US4900709A (en) | Method of patterning superconducting oxide thin films | |
| JP2000150974A (ja) | 高温超伝導ジョセフソン接合およびその製造方法 | |
| US5057491A (en) | High current density tunnel junction fabrication from high temperature superconducting oxides | |
| US5446016A (en) | Method for forming a patterned oxide superconductor thin film | |
| CA2037949C (en) | Stacked josephson junction device composed of oxide superconductor material | |
| JPH05335638A (ja) | ジョセフソン接合構造体およびその作製方法 | |
| EP0468868B1 (en) | Superconducting device having a layered structure composed of oxide superconductor thin film and insulator thin film and method for manufacturing the same | |
| NL9100725A (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van supergeleidende geintegreerde schakelingen. | |
| US5624885A (en) | Josephson junction device of oxide superconductor and process for preparing the same | |
| KR100372889B1 (ko) | 경사형 모서리 조셉슨 접합소자 및 그 제조방법 | |
| EP0494830B1 (en) | Method for manufacturing tunnel junction type josephson device composed of compound oxide superconductor material | |
| EP0534811A2 (en) | Method of manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, and method of manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film | |
| Takeuchi et al. | Observation of Josephson effect in YBa2Cu3O7− x/Nd1. 85Ce0. 15CuO4− y bilayer junctions | |
| KR100400080B1 (ko) | 초전도 ＭｇＢ2 박막을 포함하는 조셉슨 접합 및 그 제조방법 | |
| JP2717094B2 (ja) | 超電導配線の形成方法 | |
| JP2853532B2 (ja) | 絶縁領域と超電導領域とを有する超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH04163808A (ja) | 超伝導デバイスの作製方法 | |
| KR100434287B1 (ko) | 초전도 조셉슨 접합 소자 제조 방법 | |
| KR20030034679A (ko) | 초전도체 전극 형성 방법 | |
| Shinohara et al. | Preparation and characterization of grain boundary Josephson junction from amorphous thin film | |
| KR100459125B1 (ko) | 초전도 조셉슨 접합 소자 제조 방법 | |
| JPH05160448A (ja) | 階段型ジョセフソン素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
| BC | A request for examination has been filed | ||
| BN | A decision not to publish the application has become irrevocable |