FR2661557A1 - Procede pour preparer des circuits integres supraconducteurs. - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000006187 pill Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/728—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/742—Annealing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Selon ce procédé, on fait diffuser de façon sélective de l'oxygène dans la surface d'un substrat en Yba2 Cu3 Oy tétragonal pour former une couche mince possédant la phase orthorhombique, en polissant un substrat pour former une pastille (1), en déposant une couche formant masque isolant (2) sur la pastille et une résine photosensible (3) sur cette couche, en éliminant des parties sélectives de la résine, en éliminant la couche (2) déposée sur des régions actives (4) par corrosion chimique et la résine, et en faisant diffuser de l'oxygène dans les régions actives en formant des îlots orthorhombiques supraconducteurs isolés et entourés par des phases tétragonales non supraconductrices. Application notamment à la fabrication économique de circuits intégrés supraconducteurs de grande qualité.
Description
i La présente invention concerne un procédé pour
préparer des circuits intégrés supraconducteurs.
Les procédés classiques pour fabriquer des cir-
cuits intégrés supraconducteurs sont décrits dans les de-
mandes de brevets japonais mises à l'inspection publique
sous les NO 64-69064, 64-69063, 64-89573 et 64-89674.
Dans les demandes de brevets japonais mises à l'inspection publique sous les N 064-69063 et 64-69064, en référence à la figure 1 annexée à la présente demande, on fabrique les circuits mentionnés précédemment en recouvrant une couche de diffusion (par exemple une couche de Si O 2) présente sur un substrat isolant 1 ' formé de Sr Ti O 3 ou Mg O,
en déposant une pellicule supraconductrice d'oxyde possé-
dant une composition semblable à celle de Y Ba 2 Cu 307, sur
l'ensemble du substrat, y compris ladite couche de diffu-
sion, puis en faisant cristalliser la pellicule supracon-
ductrice de l'oxyde en lui faisant subir un traitement thermique dans un environnement d'oxygène entre 8500 C et 1000 'C pendant un long intervalle de temps et en provoquant
simultanément une interdiffusion de la pellicule supracon-
ductrice dans la couche de diffusion Sur la figure 1, le chiffre de référence 5 ' désigne une phase supraconductrice à température critique élevée Cependant, dans ce procédé il se pose les problèmes suivants Tout d'abord, étant donné que les structures cristallines de la pellicule et des substrats sont différentes, il est très difficile
d'obtenir par croissance épitaxiale la pellicule supracon-
ductrice de Y Ba 2 Cu 3 Oy En second lieu, étant donné que ce substrat est très onéreux, il est difficilement utilisé à
l'échelle industrielle.
En outre, dans les demandes de brevets japonais
mises à l'inspection publique sous les N 064-89573 et 64-
89574, on décrit les opérations servant à préparer les cir-
cuits indiqués plus haut, comme étant les suivantes: a) dépôt d'un supraconducteur tel que Y Ba 2 Cu 3 07 sur le
substrat à l'aide d'un procédé de pulvérisation à magné-
tron pour former une pellicule supraconductrice; b) formation d'un masque formé de résine sur la pellicule supraconductrice; c) dopage sélectif d'ions tels que Ne, Ar, H, He et Si sur le masque formé par la résine pour détruire la structure cristalline de la partie dans laquelle des ions ont été implantés, et pour rendre non supraconductrice la partie obtenue; et d) élimination du masque formé par la résine moyennant l'utilisation du procédé de corrosion utilisant du
plasma d'oxygène.
Cependant, la mise en oeuvre des opérations indi-
quées précédemment pose également les problèmes suivants.
Etant donné que les structures cristallines de la pellicule et du substrat sont différentes, leurs réseaux cristallins ne peuvent pas être adaptés l'un à l'autre De même, pour les opérations indiquées précédemment, il faut utiliser des substrats relativement onéreux En outre, il n'est pas très facile de mettre en oeuvre le traitement tel que
l'injection d'ions.
C'est pourquoi un but de la présente invention
est de fournir un procédé pour préparer des circuits inté-
grés supraconducteurs, qui permettent de résoudre les pro-
blèmes indiqués précédemment que l'on trouve dans les tech-
niques antérieures.
Ce procédé pour préparer des circuits intégrés supraconducteurs consiste à transformer de façon sélective une couche superficielle mince d'un substrat en Y Ba 2 Cu 3 Oy
supraconducteur à température critique faible ou tétrago-
nal, en une structure orthorhombique supraconductrice, par diffusion d'oxygène et formation d'îlots orthorhombiques supraconducteurs électriquement isolés les uns des autres
et entourés par des phases tétragonales non supraconduc-
trices.
D'autres caractéristiques et avantages de la pré-
sente invention ressortiront de la description donnée ci-
après prise en référence aux dessins annexés, qui sont in-
diqués uniquement à titre d'illustration, sans être en au-
cune manière limitatifs pour l'invention et sur lesquels: la figure 1, dont il a déjà été fait mention,
représente une coupe transversale d'un circuit intégré su-
praconducteur fabriqué au moyen de la technique classique à pellicules minces, selon laquelle on dépose la pellicule mince supraconductrice sur un substrat isolant et on la structure; la figure 2 représente une coupe transversale d'un circuit intégré à semiconducteurs formé de Y Ba 2 Cu 3 Oy, fabriqué conformément à l'invention et dans laquelle des parties choisies du substrat sont transformées en passant d'une structure tétragonale à une structure orthorhombique, au moyen d'une diffusion sélective d'oxygène; la figure 3 illustre schématiquement un procédé de mise en oeuvre de la présente invention; la figure 4 représente un graphique montrant la variation de la résistance en fonction de la température de
la surface de la couche supraconductrice formée conformé-
ment à la présente invention; et
la figure 5 représente un graphique de varia-
tion de la résistance en fonction de la température du sub-
strat tétragonal.
Dans la présente invention, on utilise comme sub-
strat du Y Ba 2 Cu 3 Oy tétragonal (y < 6,5) Un procédé pour préparer des circuits intégrés supraconducteurs conformes à la présente invention implique la transformation d'une couche superficielle mince du substrat, pour l'amener à l'état de Y Ba 2 Cu 3 Oy orthorhombique supraconducteur (y > 6,5) en faisant diffuser de façon sélective de l'oxygène dans des parties désirées de cette couche pour former des
îlots supraconducteurs à température critique élevée, en-
tourés par une phase supraconductrice possédant une tempé-
rature critique faible ou non supraconductrice Au regard
de la conductivité, le substrat constitué par la phase su-
praconductrice à température critique faible ou non supra-
conductrice peut être considéré comme étant un élément iso- lant à la température à laquelle la phase supraconductrice à température critique élevée peut présenter les propriétés
de supraconduction, étant donné que la phase supra-
conductrice possédant une température critique faible ou non supraconductrice possède une résistance nettement plus élevée que la phase supraconductrice à température critique
élevée, à cette température.
On va donner une description détaillée de la pré-
sente invention en se référant au dessin, comme indiqué ci-
après.
Comme cela est représenté sur la figure 3, la présente invention concerne un procédé pour préparer des circuits intégrés supraconducteurs, et qui consiste à mettre en oeuvre les étapes consistant à: ( 1) polir un substrat formé de Y Ba 2 Cu 3065 tétragonal pour former une pastille 1 représentée sur la figure 3, cette pastille possédant, si on le désire, une surface polie d'une épaisseur de 1 pm sur le substrat; ( 2) déposer une couche formant masque isolant 2 possédant une épaisseur d'environ 0,2 pm sur la pastille 1 au
moyen d'un procédé de pulvérisation et déposer une ré-
sine photosensible 3 sur la couche formant masque 2 en utilisant un procédé d'enduction à spin (voir figure 3 b);
( 3) éliminer des parties sélectives de la résine photosen-
sible en utilisant un procédé de photolithographie (se référer à la figure 3 c);
( 4) éliminer la couche formant masque 2 déposée sur des ré-
gions actives 4 en utilisant un procédé de corrosion
chimique, puis éliminer également la résine photosen-
sible (se référer à la figure 3 d); et ( 5) faire diffuser de l'oxygène dans les régions actives 4 dans un environnement d'oxygène, tout en mettant en oeuvre simultanément un recuit, pour transformer les régions 4 de manière à les amener à avoir la phase su- praconductrice à coefficient élevé de température (phase orthorhombique) (se référer aux figures 3 e et
3 f), pour former un certain nombre d'îlots supraconduc-
teurs possédant une température critique élevée (la
température critique Tc est égale à environ 900 K), en-
tourés par la phase supraconductrice possédant une
faible température critique ou non supraconductrice.
Lors de l'étape ( 2) indiquée précédemment, les spécialistes de cette technologie, à laquelle a trait la
présente invention, peuvent aisément se procurer un poly-
mère utilisé pour former la résine photosensible Par
exemple, il est souhaitable d'utiliser la résine photosen-
sible à effet positif fabriquée par la société Shipley.
Lors de l'étape ( 4) indiquée précédemment, on peut utiliser différents produits chimiques conformément au type de matériaux de la couche formant masque déposée Il est préférable d'utiliser du HF dans le cas d'une couche de
Si O 2.
Les figures 2 et 3 f représentent des coupes
transversales des circuits intégrés supraconducteurs fabri-
qués moyennant la mise en oeuvre des étapes indiquées pré-
cédemment Sur ces figures, on peut voir que des îlots or-
thorhombiques supraconducteurs (phase supraconductrice 5 à température critique élevée) sont isolés électriquement
vis-à-vis du substrat supraconducteur à température cri-
tique faible ou non supraconducteur (phase tétragonale, 6).
En effet, étant donné que l'îlot supraconducteur à tempéra-
ture critique élevée est entouré par la phase tétragonale ayant la propriété d'un isolant ou d'un supraconducteur à faible température critique, si on dispose un autre îlot à une distance de deux ou trois microns d'un premier îlot, ces deux îlots sont séparés électriquement l'un par rapport
à l'autre.
C'est pourquoi, la présente invention permet de fabriquer un nombre d'éléments de circuits de haute qua-
lité, plus important que dans le cas de la technique clas-
sique, même si on n'utilise pas les substrats onéreux tels que ceux formés par exemple par Sr Ti O 3 ou Mg O En outre, la
qualité du dispositif fabriqué au moyen de la présente in-
vention est supérieure étant donné qu'il existe une faible
différence de réseau entre la couche orthorhombique trans-
formée et le substrat.
Dans les opérations classiques, indiquées précé-
demment, du procédé à pellicules minces, il se pose égale-
ment le problème d'une réduction de la température cri-
tique, étant donné que ces opérations impliquent une corro-
sion directe du substrat conducteur Mais par ailleurs, l'invention ne met pas en oeuvre le procédé de corrosion directe indiqué précédemment, afin de ne pas réduire la propriété de supraconduction Etant donné que le substrat formé de Y Ba 2 Cu 3 Oy réagit aisément avec l'eau, le procédé
de corrosion directe peut réduire les propriétés de la pel-
licule.
L'exemple suivant est indiqué uniquement pour fa-
ciliter la compréhension de l'invention, et le spécialiste
de la technique peut y apporter des modifications sans sor-
tir du cadre de cette dernière.
On a mélangé des quantités stoéchiométriques de Y 203, Ba CO 3 et Cu O On a broyé les poudres pendant environ six heures Puis on a fait sécher la poudre broyée à l'état de boue dans un four à 800 C On a calciné le produit séché
dans l'air à 8500 C pendant 10 heures On a fait fondre par-
tiellement le produit calciné, puis on l'a refroidi à la
température ambiante pour obtenir une masse de Y Ba 2 Cu 3 06,5.
On a poli le supraconducteur de manière à former une pastille d'une épaisseur de 1 mm possédant une surface polie On a déposé du Si O 2 isolant sur une épaisseur de 0,2 pm à la surface du supraconducteur poli en utilisant un procédé classique de dépôt par pulvérisation de manière à former une couche formant masque constitué par une résine, puis on a déposé un polymère formant résine photosensible sur une épaisseur de 1,5 pm sur ladite couche au moyen d'un
procédé d'enduction à spin.
On a éliminé une partie sélective de la résine
photosensible déposée, en utilisant un procédé de photo-
lithographie En utilisant un procédé de corrosion chimique avec du HF, on a éliminé une partie de la couche formant masque, exposée au HF Au moyen d'un recuit de la pastille dans un environnement de 02, l'oxygène a diffusé de façon sélective dans la surface de la pastille en transformant les parties exposées de cette pastille pour les amener à
l'état de phase orthorhombique, c'est-à-dire une phase su-
praconductrice à température critique élevée, possédant
une épaisseur inférieure à 10 microns.
La figure 5 représente un diagramme de variation de la résistance en fonction de la température du Y Ba Cu O tétragonal, qui montre qu'on n'observe pas la transition supraconductrice au-dessous de 770 K. La figure 4 représente un diagramme de variation de la résistance en fonction de la courbe de température de la pellicule superficielle fabriquée dans l'exemple indiqué
précédemment, qui montre que la pellicule superficielle de-
vient supraconductrice au-dessus de 770 K. Comme cela est représenté sur les figures 4 et 5,
on peut voir aisément que les circuits intégrés supracon-
ducteurs formés par diffusion sélective d'oxygène présen-
tent une propriété supraconductrice à température critique
élevée, tandis que le Y Ba Cu O tétragonal présente une pro-
priété non supraconductrice au-dessous de 770 K. Par conséquent, le substrat supraconducteur à température critique faible ou non supraconducteur, agit en
tant qu'isolant à la température à laquelle le supraconduc-
teur à température critique élevée présente une propriété de supraconduction, étant donné que le substrat possède une résistance relativement très élevée à cette température.
Claims (3)
1 Procédé pour préparer des circuits intégrés supraconducteurs, caractérisé en ce qu'il consiste à faire diffuser de façon sélective de l'oxygène dans la surface d'un substrat en Y Ba 2 Cu 3 Oy tétragonal pour former une
couche mince sélective d'une phase orthorhombique.
2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à: ( 1) polir un substrat formé de Y Ba 2 Cu 3 Oy tétragonal pour former une pastille ( 1); ( 2) déposer une couche formant masque isolant ( 2) sur la pastille et une résine photosensible ( 3) sur la couche formant masque;
( 3) retirer des parties sélectives de la résine photosen-
sible;
( 4) retirer la couche formant masque déposée sur des ré-
gions actives ( 4) en utilisant un procédé de corrosion
chimique, puis éliminer également la résine photosen-
sible; et ( 5) faire diffuser de l'oxygène dans les régions actives
pour transformer ces dernières de manière qu'elles pré-
sentent la phase orthorhombique pour former des îlots
supraconducteurs à température critique élevée, entou-
rés par des phases supraconductrices possédant une tem-
pérature critique faible ou non supraconductrices.
3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'oxygène diffusée dans la surface de
la pastille possède une épaisseur inférieure à 10 microns.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900005997A KR930004024B1 (ko) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 초전도 집적회로소자의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2661557A1 true FR2661557A1 (fr) | 1991-10-31 |
FR2661557B1 FR2661557B1 (fr) | 1995-10-13 |
Family
ID=19298462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9014863A Expired - Fee Related FR2661557B1 (fr) | 1990-04-27 | 1990-11-28 | Procede pour preparer des circuits integres supraconducteurs. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5219830A (fr) |
JP (1) | JP2614942B2 (fr) |
KR (1) | KR930004024B1 (fr) |
DE (1) | DE4040053A1 (fr) |
FR (1) | FR2661557B1 (fr) |
GB (1) | GB2244882B (fr) |
NL (1) | NL9100725A (fr) |
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- 1990-11-28 FR FR9014863A patent/FR2661557B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-14 DE DE4040053A patent/DE4040053A1/de not_active Withdrawn
-
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- 1991-01-08 JP JP3000763A patent/JP2614942B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-16 GB GB9108001A patent/GB2244882B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-26 NL NL9100725A patent/NL9100725A/nl active Search and Examination
- 1991-07-15 US US07/731,050 patent/US5219830A/en not_active Expired - Fee Related
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FR2661557B1 (fr) | 1995-10-13 |
KR930004024B1 (ko) | 1993-05-19 |
GB2244882A (en) | 1991-12-11 |
GB2244882B (en) | 1994-12-21 |
KR910019170A (ko) | 1991-11-30 |
JP2614942B2 (ja) | 1997-05-28 |
GB9108001D0 (en) | 1991-06-05 |
DE4040053A1 (de) | 1991-10-31 |
JPH04226089A (ja) | 1992-08-14 |
US5219830A (en) | 1993-06-15 |
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