NL9100157A - Afgeefkathode en werkwijze om deze te vervaardigen. - Google Patents
Afgeefkathode en werkwijze om deze te vervaardigen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9100157A NL9100157A NL9100157A NL9100157A NL9100157A NL 9100157 A NL9100157 A NL 9100157A NL 9100157 A NL9100157 A NL 9100157A NL 9100157 A NL9100157 A NL 9100157A NL 9100157 A NL9100157 A NL 9100157A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- matrix
- cathode
- delivery
- impregnated
- refractory metal
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 52
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 239000006182 cathode active material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- FQNGWRSKYZLJDK-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ba] Chemical compound [Ca].[Ba] FQNGWRSKYZLJDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
Titel: Afgeefkathode en werkwijze om deze te vervaardigen.
Deze uitvinding heeft betrekking op een afgeefkathode diegeschikt is voor gebruik in een kathodestraalbuis, en op eenwerkwijze om de afgeefkathode te maken.
De laatste tijd neigen televisies naar een groot formaaten hoge resolutie. Een afgeefkathode die toepasbaar is in dekathodestraalbuis van dergelijke televisies, dient een conti¬nue elektronenemissie bij hoge stroomdichtheden te vertonenmet een lange levensduur.
Tot nog toe bestond een conventionele afgeefkathode, zo¬als getoond in figuur 1, uit een poreuze matrix van wolfraamdat geïmpregneerd is met een bariumcalciumaluminaat (BaO-CaO-AI2O3), welke matrix 1 is opgenomen in een reservoir 2 vanvuurvast metaal zoals molybdeen en tantaal. Het reservoir 2past in het boveneinde van een cilindrische bus 3, in hetondereinde waarvan zich een verwarmingsorgaan 4 bevindt. Dewolfraammatrix is gevormd door een hoeveelheid wolfraampoederte verdichten en de massa te sinteren bij een temperatuur van1900°C - 2300°C. Het reservoir 2 met daarin de matrix 1 isingebracht in de bus 3 met de bovenranden vlak en is daaraanvastgelast door een laserlastechniek. Om de elektronenemissiete verbeteren, kan op het emitterend oppervlak van de matrix 1een laag van een metaal van de platinagroep zijn aangebracht,bijvoorbeeld Ir, Os, Ru en Re.
Een dergelijke afgeefkathode is in staat een hoge stroom¬dichtheid te emitteren, maar wordt bedreven bij een hogetemperatuur met een lage warmte-overdrachtsefficiency aange¬zien de warmte van het verwarmingsorgaan 4 niet effectiefwordt overgedragen aan het elektronen-emitterend oppervlak vande matrix 1 tengevolge van de afgeefkathodestructuur met hetreservoir 2, waarbij zich een spleet bevindt tussen dematrix 1 en het reservoir 2. Verder kan de spleet groeien doorhet verschil in de warmte-expansie van het reservoir en dematrix.
Een doel van de onderhavige uitvinding is een afgeef-kathode te verschaffen met een verbeterde warmte-overdrachts-efficiency welke geen reservoir voor de matrix heeft.
Een verder doel van de uitvinding is een werkwijze teverschaffen om deze afgeefkathode te maken in grote hoeveel¬heden bij verlaagde kosten.
Om deze doelen te bereiken, verschaft de onderhavige uit¬vinding een afgeefkathode omvattende een poreuze matrix vanwolfraam welke geïmpregneerd is met een actief kathodemate-riaal, een bus voor het dragen van de matrix en een in de busopgesteld verwarmingsorgaan voor het verwarmen van de kathodeom een elektronen-emitterend materiaal te activeren, waarbijde geïmpregneerde matrix met uitzondering van het elektronen-emitterend oppervlak is bedekt met een dunne laag van vuurvastmateriaal door plasma sputteren van een vuurvast materiaalgekozen uit de groep bestaande uit Mo, Ta en W.
Volgens de onderhavige uitvinding omvat een werkwijzevoor het maken van een afgeefkathode met een verbeterdewarmte-overdrachtsefficiency: het vormen van een poreuzewolfraammatrix door het verdichten van een hoeveelheidwolfraampoeder; het sinteren van de verdichte matrix en hetimpregneren van de gesinterde matrix met gesmolten actiefkathodemateriaal van bariumcalciumaluminaat (Ba0-Ca0-Al203> ineen reducerende atmosfeer; en het aanbrengen van de matrix inde bus; waarbij de verbetering de stap omvat van het bedekkenvan de geïmpregneerde matrix met uitzondering van hetelektronen-emitterend oppervlak door een vuurvast materiaalgekozen uit de groep bestaande uit Mo, Ta en w voorafgaand aanhet inbrengen van de matrix in de bus.
Het diffusie-bedekken van de dunne laag van vuurvastmetaal op de zij- en bodemoppervlakken van de matrix als ver¬vanging van het conventionele reservoir verbetert de warmte-overdrachtsefficiency van het verwarmingsorgaan naar het emit¬terend oppervlak van de matrix en voorkomt dat een spleetoptreedt tussen de matrix en de dunne laag onder de hoge acti-veringstemperatuur.
De bovenstaande en andere voordelen van de uitvindingzullen nader worden verduidelijkt door de hiernavolgendebeschrijving van een voorkeursuitvoeringsvorm onder verwijzingnaar de tekening, waarin gelijke verwijzingscijfers gelijke ofvergelijkbare onderdelen aanduiden, en waarin: figuur 1 een schematische doorsnede is van een bekendeafgeefkathode; figuur 2 een schematisch aanzicht is dat het bedekkings-proces toont van de wolfraammatrix met vuurvast metaal dooreen plasmasputtertechniek in een conventioneel neerslagappa-raat volgens de onderhavige uitvinding; figuur 3 een schematische doorsnede is welke de bedektematrixstructuur volgens de onderhavige uitvinding toont; de figuren 4 en 5 schematische doorsneden zijn van af-geefkathoden die elk zijn voorzien van de bedekte matrix vol¬gens de onderhavige uitvinding; en figuur 6 een schematische doorsnede is van een andereuitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
Onder verwijzing naar de figuren 2 en 3 wordt de matrix 1typisch gevormd door het verdichten van een hoeveelheidwolfraampoeder in de vorm van een tablet en het sinteren vande massa bij een temperatuur van 1900°C tot 2300°C. De matrix1 wordt geïmpregneerd met het actieve kathodemateriaal,bijvoorbeeld Ba0-Ca0-Al203. De vacuümkamer 17 van een conven¬tioneel neerslagapparaat is voorzien van een plaat 15 met eenaantal gaten voor de te bedekken matrices. De diameter van hetgat is minder dan die van de matrix. Wanneer de vacuümkamer 17via een uitlaatbuis 16 wordt geëvacueerd door een niet-weerge-geven pomporgaan tot een druk van ongeveer 10-3 torr, worden decorresponderend met de gaten op de plaat aangebrachte matricesdaartegenaan getrokken en in positie vastgehouden. Dan wordteen vuurvast metaal gesputterd op de oppervlakken van dematrix 1 om een kathodematrix 10 te verkrijgen met dunne lagen7 en 7' daarop aangebracht, welke dienen als reservoir. Delaag 7 heeft bij voorkeur een dikte van ongeveer 1μ tot0,01mm, en de laag 7' heeft bij voorkeur een dikte van onge- veer Ο,ΐμ tot 0,05mm. Als de lagen te dik zijn, wordt dewarmte-efficiency verminderd, terwijl als de lagen te dunzijn, kan hierin een barst optreden. De plaat 15 is bij voor¬keur van teflon om de hoge temperatuur van de gesputterdemetalen te doorstaan, d.w.z. ongeveer 200°C tot 300°C.
Figuur 4 toont een kathode waarin de met vuurvast metaalbedekte matrix 1 volgens de onderhavige uitvinding is ingé¬bracht in de bus 13, met de bovenranden vlak, en vastgezetdoor een laserlastechniek.
Figuur 5 toont een andere kathode waarin de bedektematrix 1 volgens de onderhavige uitvinding is aangebracht opeen bovenoppervlak van een aan de bus 13 verschafte plaatzonder een hulpverwarmingsorgaan. In een kathode van dit typeworden volgens de bekende techniek hulpverwarmingsdradentoegepast die zich bevinden tussen de matrix en het boven¬oppervlak van de plaat in de bus.
Figuur 6 illustreert een andere uitvoeringsvorm van deonderhavige uitvinding, waarin de kathodematrix 20 verschiltvan de in figuur 3 getoonde kathodematrix 10 doordat de geïm¬pregneerde matrix eerst is ingebracht in een ring 8 van eenvuurvast metaal waarna het bodemoppervlak van de ring 8 met dedaarin ingebrachte geïmpregneerde matrix 1 is bedekt met eenvuurvast metaal middels hetzelfde bedekkingsproces als be¬schreven onder verwijzing naar figuur 2.
De kathode waarbij de wolfraammatrix is bedekt met eenvuurvast metaal volgens de onderhavige uitvinding heeft eenverbeterde warmte-overdrachtsefficiency in vergelijking meteen bekende kathode waarbij de matrix is vastgehouden in hetreservoir. Met andere woorden, het verwarmingsorgaan 4 van debekende kathode moet verwarmd worden tot een temperatuur van1200°C om het elektronen-emitterend oppervlak te verwarmen totzijn activeringstemperatuur van 1000°C, maar volgens de onder¬havige uitvinding kan een dergelijke activeringstemperatuurvan het emitterend oppervlak van de kathode worden verkregendoor het verwarmingsorgaan te verwarmen tot 1100°C.
Volgens de onderhavige uitvinding is de warmte-over-drachtsefficiency verbeterd aangezien er zich geen spleetbevindt tussen de matrix 1 en de bedekkende metaallagen 7 en7’, en dit draagt bij aan een gelijkmatige elektronenemissievan het emitterend oppervlak van de kathode.
Hoewel de uitvinding in het bijzonder is getoond enbeschreven onder verwijzing naar voorkeursuitvoeringsvormendaarvan, zal het voor deskundigen duidelijk zijn, dat hetvoorgaande en andere wijzigingen in de vorm en details kunnenworden aangebracht zonder af te wijken van de geest en omvangvan de uitvinding.
Claims (4)
1. Afgeefkathode omvattende een poreuze metaalmatrix geïm¬pregneerd met een actief kathodemateriaal, een bus voor hetdragen van de geïmpregneerde matrix, en een in een holte vande bus aangebracht verwarmingsorgaan, met het kenmerk, dat de geïmpregneerde matrix is bedekt meteen dunne laag van een vuurvast metaal, met uitzondering vanhet elektronen-emitterend oppervlak van de matrix.
2. Afgeefkathode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dathet vuurvaste metaal is gekozen uit de groep bestaande uitmolybdeen, tantaal en wolfraam, en dat de op het zij-oppervlakvan de matrix aangebrachte laag een dikte heeft van ongeveerΟ,ΐμ tot 0,05mm terwijl de laag op het bodemoppervlak van dematrix een dikte heeft van ongeveer 1μ tot 0,lmm.
3. Afgeefkathode volgens conclusie 1, met het kenmerk, datde geïmpregneerde matrix is ingebracht in een ring van vuur¬vast metaal, en dat een bodemoppervlak van de matrix is bedektmet een vuurvast metaal bij een dikte van ongeveer 1μ tot 0, lmm.
4. Werkwijze voor het vervaardigen van een afgeefkathode,omvattende de stappen van het vormen van een matrix door eenhoeveelheid wolfraampoeder te verdichten, het sinteren van deverdichte matrix onder een reducerende atmosfeer, en het im¬pregneren van de matrix met gesmolten actief kathodemateriaal,gekenmerkt door de stap van het bedekken van de geïmpregneerdematrix met een vuurvast metaal met uitzondering van hetelektronen-emitterend oppervlak, voordat de geïmpregneerdematrix wordt bevestigd aan een bus.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR900001180 | 1990-01-31 | ||
KR1019900001180A KR920003185B1 (ko) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 디스펜서형 음극 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL9100157A true NL9100157A (nl) | 1991-08-16 |
Family
ID=19295707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9100157A NL9100157A (nl) | 1990-01-31 | 1991-01-30 | Afgeefkathode en werkwijze om deze te vervaardigen. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5173633A (nl) |
JP (1) | JPH04215227A (nl) |
KR (1) | KR920003185B1 (nl) |
DE (1) | DE4102927A1 (nl) |
FR (1) | FR2657722B1 (nl) |
NL (1) | NL9100157A (nl) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR930003229Y1 (ko) * | 1991-04-30 | 1993-06-03 | 주식회사 금성사 | 방열형 음극선관용 전자총의 히터 구조 |
DE4207220A1 (de) * | 1992-03-07 | 1993-09-09 | Philips Patentverwaltung | Festkoerperelement fuer eine thermionische kathode |
JPH11339633A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-12-10 | Sony Corp | 含浸型陰極およびその製造方法、並びに電子銃および電子管 |
US6117287A (en) * | 1998-05-26 | 2000-09-12 | Proton Energy Systems, Inc. | Electrochemical cell frame |
KR20010026732A (ko) * | 1999-09-08 | 2001-04-06 | 김순택 | 전자총의 음극구조체 |
US20030025435A1 (en) * | 1999-11-24 | 2003-02-06 | Vancil Bernard K. | Reservoir dispenser cathode and method of manufacture |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3336489A1 (de) * | 1983-10-07 | 1985-04-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Indirekt geheizte vorratskathode |
EP0156450A2 (en) * | 1981-12-31 | 1985-10-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispenser cathode and method of manufacturing the same |
JPS63254637A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL96177C (nl) * | 1952-02-27 | |||
NL108689C (nl) * | 1959-01-23 | 1900-01-01 | ||
US4379979A (en) * | 1981-02-06 | 1983-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Controlled porosity sheet for thermionic dispenser cathode and method of manufacture |
JPS62213031A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極構体 |
JPS6364234A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極 |
US4823044A (en) * | 1988-02-10 | 1989-04-18 | Ceradyne, Inc. | Dispenser cathode and method of manufacture therefor |
-
1990
- 1990-01-31 KR KR1019900001180A patent/KR920003185B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-01-28 FR FR9100911A patent/FR2657722B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-29 JP JP3009238A patent/JPH04215227A/ja active Pending
- 1991-01-29 US US07/647,559 patent/US5173633A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-30 NL NL9100157A patent/NL9100157A/nl active Search and Examination
- 1991-01-31 DE DE4102927A patent/DE4102927A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0156450A2 (en) * | 1981-12-31 | 1985-10-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispenser cathode and method of manufacturing the same |
DE3336489A1 (de) * | 1983-10-07 | 1985-04-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Indirekt geheizte vorratskathode |
JPS63254637A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 068 (E - 716) 16 February 1989 (1989-02-16) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910014977A (ko) | 1991-08-31 |
JPH04215227A (ja) | 1992-08-06 |
DE4102927A1 (de) | 1991-08-01 |
FR2657722A1 (fr) | 1991-08-02 |
KR920003185B1 (ko) | 1992-04-23 |
US5173633A (en) | 1992-12-22 |
FR2657722B1 (fr) | 1997-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0317002B1 (en) | Scandate cathode | |
WO1998011592A1 (en) | X-ray target having high z particles imbedded in a matrix | |
NL9100157A (nl) | Afgeefkathode en werkwijze om deze te vervaardigen. | |
EP0390269B1 (en) | Scandate cathode | |
JP3957344B2 (ja) | 放電管または放電ランプ及びスカンデート−ディスペンサ陰極 | |
KR920001334B1 (ko) | 디스펜서 음극 | |
JPS6113526A (ja) | 含浸形カソ−ド | |
US4636681A (en) | Directly heated cathode | |
US2858470A (en) | Cathode for electron discharge devices | |
EP0365647A1 (en) | Expandable dispenser cathode | |
US3307241A (en) | Process for making cathodes | |
US5061357A (en) | Method of producing an electron beam emission cathode | |
EP0637046B1 (en) | Thermoionic emissive cathode method of fabricating the same thermoionic emissive cathode and electron beam apparatus | |
NL8304401A (nl) | Oxydkathode. | |
JPH0630214B2 (ja) | 含浸カソードおよびその製造方法 | |
KR0144050B1 (ko) | 함침형 음극 | |
JP3353014B2 (ja) | 陰極構体 | |
KR100244230B1 (ko) | 음극선관용 음극구조체 | |
KR920004552B1 (ko) | 디스펜서 음극 | |
JPH0794072A (ja) | 電子ビーム照射用の熱陰極およびその熱陰極の製造方法およびその熱陰極を用いた電子ビーム加工装置 | |
JPH07296716A (ja) | 陰極構造体の含浸形ペレット及びその製造方法 | |
KR920004896B1 (ko) | 함침형 음극 및 그 제조방법 | |
RU2034351C1 (ru) | Диспенсерный катод | |
JP3727519B2 (ja) | 熱陰極構体用スリーブ及びその製造方法 | |
JPH04248223A (ja) | 含浸型陰極 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1B | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed | ||
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
BN | A decision not to publish the application has become irrevocable |