JPS63254637A - 含浸形陰極 - Google Patents
含浸形陰極Info
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- JPS63254637A JPS63254637A JP62086811A JP8681187A JPS63254637A JP S63254637 A JPS63254637 A JP S63254637A JP 62086811 A JP62086811 A JP 62086811A JP 8681187 A JP8681187 A JP 8681187A JP S63254637 A JPS63254637 A JP S63254637A
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- Pending
Links
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 composed of these Chemical compound 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- FQNGWRSKYZLJDK-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ba] Chemical compound [Ca].[Ba] FQNGWRSKYZLJDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 210000003734 kidney Anatomy 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子放出物質の熔融、蒸発を伴わずに、支持
部材に強固に溶接、固着することが出来る含浸形陰極に
関する。
部材に強固に溶接、固着することが出来る含浸形陰極に
関する。
高電流密度陰極として使用される含浸形陰極はバリウム
カルシウムアルミネート等の電子放出物質が含浸された
タングステン、モリブデン等の高融点金属の多孔質焼結
体からなる陰極基体と、タンタル、モリブデン等の高融
点金属からなるカップと、タンタル又はモリブデン等の
高融点金属からなる陰極スリーブとを備えている。そし
て、陰極基体をカップ内に装着し、この陰極基体を装着
したカップを陰極スリーブの頂部に挿入し、陰極スリー
ブ側方からレーザ光を照射して、陰極スリーブとカップ
と陰極基体とを溶接固着したものを電子管に実装して使
用する。
カルシウムアルミネート等の電子放出物質が含浸された
タングステン、モリブデン等の高融点金属の多孔質焼結
体からなる陰極基体と、タンタル、モリブデン等の高融
点金属からなるカップと、タンタル又はモリブデン等の
高融点金属からなる陰極スリーブとを備えている。そし
て、陰極基体をカップ内に装着し、この陰極基体を装着
したカップを陰極スリーブの頂部に挿入し、陰極スリー
ブ側方からレーザ光を照射して、陰極スリーブとカップ
と陰極基体とを溶接固着したものを電子管に実装して使
用する。
陰極基体は融点が３３７０℃のタングステンで形成され
、カップと陰極スリーブは融点が２９４０℃のタンタル
又は融点が２６１７℃のモリブデンで形成されているた
め、これらを溶接するには少なくとも一方の金属の融点
以上に溶接部を加熱する必要がある。しかし、陰極基体
に含浸されている電子放出物質は融点が１７００℃程度
なので、溶接時に此の電子放出物質が溶融、蒸発して溶
接部に穴があくことがあるという問題点があった。
、カップと陰極スリーブは融点が２９４０℃のタンタル
又は融点が２６１７℃のモリブデンで形成されているた
め、これらを溶接するには少なくとも一方の金属の融点
以上に溶接部を加熱する必要がある。しかし、陰極基体
に含浸されている電子放出物質は融点が１７００℃程度
なので、溶接時に此の電子放出物質が溶融、蒸発して溶
接部に穴があくことがあるという問題点があった。
このような含浸形陰極を電子管に組み込み寿命試験を行
ったところ、電子流を制御する格子電極に電子放出物質
が付着してカットオフ電圧が大幅に変化してしまう現象
が見られた。また、この電子管を分解調査したところ、
陰極基体が僅かな力でカップやスリーブから脱落してし
まうことが判った。
ったところ、電子流を制御する格子電極に電子放出物質
が付着してカットオフ電圧が大幅に変化してしまう現象
が見られた。また、この電子管を分解調査したところ、
陰極基体が僅かな力でカップやスリーブから脱落してし
まうことが判った。
上記のような問題点に対処するため、例えば特開昭５９
−１０８２３３号公報には、陰極基体とカップの間に溶
接材を介在させることが、また特開昭５９−１１１２２
２号公報には、陰極基体の側壁部に四部を形成し、この
凹部に対応するカップ及び陰極スリーブの部分にレーザ
光を照射し熔融させて得られるカップ及び陰極スリーブ
の突出部と前記陰極基体の凹部の固着により陰極基体を
固定する方法等が開示されている。
−１０８２３３号公報には、陰極基体とカップの間に溶
接材を介在させることが、また特開昭５９−１１１２２
２号公報には、陰極基体の側壁部に四部を形成し、この
凹部に対応するカップ及び陰極スリーブの部分にレーザ
光を照射し熔融させて得られるカップ及び陰極スリーブ
の突出部と前記陰極基体の凹部の固着により陰極基体を
固定する方法等が開示されている。
これらの方法は、何れも、電子放出物質を含浸させたタ
ングステンの多孔質焼結体よりなる陰極基体とカップ及
び陰極スリーブを直接溶接することは困難であるので、
その改善案を提供するものであるが、これらの方法によ
っても未だ強固に固着することが出来なかった。
ングステンの多孔質焼結体よりなる陰極基体とカップ及
び陰極スリーブを直接溶接することは困難であるので、
その改善案を提供するものであるが、これらの方法によ
っても未だ強固に固着することが出来なかった。
本発明は上記従来の含浸形陰極の問題点を解決し、陰極
基体、カップ、及び陰極スリーブを強固に溶接固着する
ことができる含浸形陰極を提供することを目的とする。
基体、カップ、及び陰極スリーブを強固に溶接固着する
ことができる含浸形陰極を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明においては、陰極基
体は、電子放出物質を含浸させた高融点金属の多孔質焼
結体の、電子放出面以外の面の少なくとも一部が、化学
気相成長法（以ｅｃｖＤ法とよぶ）により形成したタン
グステン、モリブデン、レニウム、ルテニウム、ニオブ
、タンタルの何れか、又は、これらを主体とする合金か
らなる層で被覆されているようにした。
体は、電子放出物質を含浸させた高融点金属の多孔質焼
結体の、電子放出面以外の面の少なくとも一部が、化学
気相成長法（以ｅｃｖＤ法とよぶ）により形成したタン
グステン、モリブデン、レニウム、ルテニウム、ニオブ
、タンタルの何れか、又は、これらを主体とする合金か
らなる層で被覆されているようにした。
上記手段をとることによって、陰極基体を、カップ、陰
極スリーブに溶接する際に、溶接部にレーザ光を照射し
ても電子放出物質の溶融、蒸発による穴あき現象が生じ
なくなり、強固に固着することができるようになった。
極スリーブに溶接する際に、溶接部にレーザ光を照射し
ても電子放出物質の溶融、蒸発による穴あき現象が生じ
なくなり、強固に固着することができるようになった。
なお、ＣＶＤ法は他の形成方法に比較して高速で、再現
性良く、かつ任意の形状のものの表面に均一の厚さで、
しかも下地と強固に接着した層を形成することが出来る
。
性良く、かつ任意の形状のものの表面に均一の厚さで、
しかも下地と強固に接着した層を形成することが出来る
。
第１図は本発明第１実施例の断面図である。１は陰極基
体で、タングステン（Ｗ＞の空孔率が２０〜２５％の多
孔質焼結体にバリウムカルシウムアルミ名−ト等の電子
放出物質を溶融、含浸させた後、Ｗ多孔質焼結体の周囲
に付着している余剰の電子放出物質をやすりで擦るか、
または水中に浸漬して熔解することによって除去して作
る。
体で、タングステン（Ｗ＞の空孔率が２０〜２５％の多
孔質焼結体にバリウムカルシウムアルミ名−ト等の電子
放出物質を溶融、含浸させた後、Ｗ多孔質焼結体の周囲
に付着している余剰の電子放出物質をやすりで擦るか、
または水中に浸漬して熔解することによって除去して作
る。
次に、陰極基体１の表面に六フッ化Ｗ、水素、アルゴン
の混合ガスを用いたＣＶＤ法によって、Ｗ層２を約３０
μｍの厚さに形成する。このとき、電子放出面にはマス
キングすることによってＷ層の形成を阻止するか、ある
いは形成後に付着したＷ層を研磨して除去する。
の混合ガスを用いたＣＶＤ法によって、Ｗ層２を約３０
μｍの厚さに形成する。このとき、電子放出面にはマス
キングすることによってＷ層の形成を阻止するか、ある
いは形成後に付着したＷ層を研磨して除去する。
第１図に示すように、陰極基体１にＣＶＤ法によりＷ層
２を形成させたものを、タンタル等の高融点金属からな
る力７ブ３に装着し、更にカップ３と共に陰極スリーブ
４の頂部に挿入して、溶接部５に矢印方向からレーザ光
を照射し、陰極スリーブ４、カップ３、及び陰極基体１
をＷ層２で被覆したものを溶接固着する。陰極基体ｌば
カップ３と溶接固着される個所にＣＶＤ法により形成さ
せたＷ層２を有するので、陰極基体ｌはカップ３に強固
に固着される。このようにして製作した含浸形陰極を電
子管に組込み寿命試験を行ったところ、カットオフ特性
の変化の少ない優れた結果を示した。
２を形成させたものを、タンタル等の高融点金属からな
る力７ブ３に装着し、更にカップ３と共に陰極スリーブ
４の頂部に挿入して、溶接部５に矢印方向からレーザ光
を照射し、陰極スリーブ４、カップ３、及び陰極基体１
をＷ層２で被覆したものを溶接固着する。陰極基体ｌば
カップ３と溶接固着される個所にＣＶＤ法により形成さ
せたＷ層２を有するので、陰極基体ｌはカップ３に強固
に固着される。このようにして製作した含浸形陰極を電
子管に組込み寿命試験を行ったところ、カットオフ特性
の変化の少ない優れた結果を示した。
第２図は本発明第２実施例の要部断面図で、ＣＶＤ法に
より形成させたＷ層１２は、陰極基体１１の電子放出面
以外の全ての外表面を被覆している。
より形成させたＷ層１２は、陰極基体１１の電子放出面
以外の全ての外表面を被覆している。
この場合もカップに強固に溶接固着できるが、ＣＶＤ法
によるＷ層１２の厚さを適切に選定すれば、カップを不
要とすることができ、原価を低減することが出来る。
によるＷ層１２の厚さを適切に選定すれば、カップを不
要とすることができ、原価を低減することが出来る。
第３図は本発明第３実施例の要部断面図で、この実施例
では、電子放出に真に必要な部分以外、陰極基体２１の
外表面は全てＣＶＤ法によるＷ層２２により被覆されて
いる。こうすることによって、更に、陰極からの無益な
バリウムの蒸発と、それに起因して電子管に生ずる種々
の問題を防止することが出来る。
では、電子放出に真に必要な部分以外、陰極基体２１の
外表面は全てＣＶＤ法によるＷ層２２により被覆されて
いる。こうすることによって、更に、陰極からの無益な
バリウムの蒸発と、それに起因して電子管に生ずる種々
の問題を防止することが出来る。
上記各実施例で示されたタングステン等の高融点金属層
は、ＣＶＤ法によってのみ形成できるものであり、他の
方法では形成不可能であった。
は、ＣＶＤ法によってのみ形成できるものであり、他の
方法では形成不可能であった。
以上説明したように本発明によれば、含浸形陰極の陰極
基体を、電子管内の所望の位置に支持固定するための部
材に、電子放出物質の熔融、蒸発を伴わずに強固に溶接
、固着することが出来る。
基体を、電子管内の所望の位置に支持固定するための部
材に、電子放出物質の熔融、蒸発を伴わずに強固に溶接
、固着することが出来る。
第１図は本発明第１実施例の断面図、第２図は本発明第
２実施例の要部断面図、第３図は本発明第３実施例の要
部断面図である。 １．１１．２１−陰極基体、 ２．１２．２２−−−Ｃ
Ｖ Ｄ法により形成したＷ層、 ３−カップ、
４−・−陰極スリーブ、 ５−溶接部。 腎１．−ノ
２実施例の要部断面図、第３図は本発明第３実施例の要
部断面図である。 １．１１．２１−陰極基体、 ２．１２．２２−−−Ｃ
Ｖ Ｄ法により形成したＷ層、 ３−カップ、
４−・−陰極スリーブ、 ５−溶接部。 腎１．−ノ
Claims (1)
- １、高融点金属の多孔質焼結体に電子放出物質を含浸さ
せた陰極基体を備えた含浸形陰極において、前記陰極基
体は、電子放出物質を含浸させた高融点金属の多孔質焼
結体の、電子放出面以外の面の少なくとも一部が、化学
気相成長法により形成したタングステン、モリブデン、
レニウム、ルテニウム、ニオブ、タンタルの何れか、又
は、これらを主体とする合金からなる層で被覆されてい
ることを特徴とする含浸形陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086811A JPS63254637A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 含浸形陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086811A JPS63254637A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 含浸形陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254637A true JPS63254637A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13897195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62086811A Pending JPS63254637A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 含浸形陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02155139A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Matsushita Electron Corp | 含浸型陰極 |
| FR2657722A1 (fr) * | 1990-01-31 | 1991-08-02 | Samsung Electronic Devices | Cathode de reserve pour tube a rayons cathodiques et son procede de fabrication. |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62086811A patent/JPS63254637A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02155139A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Matsushita Electron Corp | 含浸型陰極 |
| FR2657722A1 (fr) * | 1990-01-31 | 1991-08-02 | Samsung Electronic Devices | Cathode de reserve pour tube a rayons cathodiques et son procede de fabrication. |
| NL9100157A (nl) * | 1990-01-31 | 1991-08-16 | Samsung Electronic Devices | Afgeefkathode en werkwijze om deze te vervaardigen. |
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