JPS6378429A - 含浸形陰極構体の製造方法 - Google Patents
含浸形陰極構体の製造方法Info
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- JPS6378429A JPS6378429A JP61219631A JP21963186A JPS6378429A JP S6378429 A JPS6378429 A JP S6378429A JP 61219631 A JP61219631 A JP 61219631A JP 21963186 A JP21963186 A JP 21963186A JP S6378429 A JPS6378429 A JP S6378429A
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は含浸形陰極構体に関する。
従来の含浸形陰極構体は、例えば特開昭５９−１０８２
３３号公報に示すようｆこ、電子放射物質を多孔質基体
ｆこ含浸させたカソード基体と、このカソード基体を収
納するカップと、このカップを支持し、かつヒータを内
包するスリーブとを７−ザ溶接１こより固着してなる。
３３号公報に示すようｆこ、電子放射物質を多孔質基体
ｆこ含浸させたカソード基体と、このカソード基体を収
納するカップと、このカップを支持し、かつヒータを内
包するスリーブとを７−ザ溶接１こより固着してなる。
しかし、レーザ溶接による電子放射物質への熱的影響（
こついては配、町、環が十分ではなかった。
こついては配、町、環が十分ではなかった。
上記従来技術では、カップとスリーブとカソード基体と
の三者をレーザ１こより岱接する場合、レーザ照射にお
ける溶接の裕度がなく、電子放射物質が蒸発して溶接部
に穴があくという問題があった。
の三者をレーザ１こより岱接する場合、レーザ照射にお
ける溶接の裕度がなく、電子放射物質が蒸発して溶接部
に穴があくという問題があった。
本発明の目的は、電子放射物質の蒸発及び多孔質基体の
穴あきを抑止することができ、信頼ｆ’ｔの高い含浸形
石１ｍ体を提供すること１こある。
穴あきを抑止することができ、信頼ｆ’ｔの高い含浸形
石１ｍ体を提供すること１こある。
上記目的は、多孔質基体の一部をレーザ照射（こより溶
融して溶融部を形成し、この溶庁ハ部とカップ、又はこ
の溶融部とカップ及びスリーブ七を溶接することｆこよ
り解決される。
融して溶融部を形成し、この溶庁ハ部とカップ、又はこ
の溶融部とカップ及びスリーブ七を溶接することｆこよ
り解決される。
多孔質基体ｆこレーザを照射して形成された溶融部は、
緻密なタングステン層となる。この緻密ナタングステン
層をカップ、又はカップ及ヒス１１−ブｆこ溶接するの
で、多孔質基体Ｉこ含浸されている電子放射物質は、溶
接時ｌこ直接レーザの熱的影響を受けなく、多孔質基体
の穴あき及び電子放射物質の蒸発が抑止される。
緻密なタングステン層となる。この緻密ナタングステン
層をカップ、又はカップ及ヒス１１−ブｆこ溶接するの
で、多孔質基体Ｉこ含浸されている電子放射物質は、溶
接時ｌこ直接レーザの熱的影響を受けなく、多孔質基体
の穴あき及び電子放射物質の蒸発が抑止される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明す。
る。第１図で多孔質基体１は、直径１．５ ｍ、厚さ０
．５門、空孔率２０〜２５条のタングステンを円筒状（
こ形成してなり、側面にはレーザ等を照射して直径１０
０〜５００１１ｍ、深さ３０〜５ｏｏμｍ程度の溶１１
独部１ａが形成されている。このようｆこ、 多孔質基
体１にレーザを照射して溶融部１ａを形成すると、この
溶融部１ａは緻密なタングステン層となる。ここで溶融
部１ａは、直径力月ＯＯμｍ以下、深さが３０μｍ以下
では、多孔質基体１とカップ４及びスリーブ５とを溶接
するレーザ照射時の位置合せが難かしく、溶接強度が不
十分となる。また溶融部１ａの深さが５００μｍ以上と
なると、多孔質基体１の空孔率に影響を与えるため好ま
しくない。
．５門、空孔率２０〜２５条のタングステンを円筒状（
こ形成してなり、側面にはレーザ等を照射して直径１０
０〜５００１１ｍ、深さ３０〜５ｏｏμｍ程度の溶１１
独部１ａが形成されている。このようｆこ、 多孔質基
体１にレーザを照射して溶融部１ａを形成すると、この
溶融部１ａは緻密なタングステン層となる。ここで溶融
部１ａは、直径力月ＯＯμｍ以下、深さが３０μｍ以下
では、多孔質基体１とカップ４及びスリーブ５とを溶接
するレーザ照射時の位置合せが難かしく、溶接強度が不
十分となる。また溶融部１ａの深さが５００μｍ以上と
なると、多孔質基体１の空孔率に影響を与えるため好ま
しくない。
このように形成された多孔ケ基体１の空孔（こバリウム
カルシウムアルミネート等よりなる電子放射物質２を含
浸させ、カンード基体３を構成してなる。
カルシウムアルミネート等よりなる電子放射物質２を含
浸させ、カンード基体３を構成してなる。
かかるカンード基体３を、これを収納するＴａカップ４
と′ｒａスリーブ５１こ取付け、レーザ照射６＋こより
、溶融部ｔａｒこおいてカップ４とスリーブ５との溶接
を行う。
と′ｒａスリーブ５１こ取付け、レーザ照射６＋こより
、溶融部ｔａｒこおいてカップ４とスリーブ５との溶接
を行う。
このように、緻密なタングステン層よりなる溶融部１ａ
をカップ４及びスリーブ５ｆこ溶接するので、電子放射
物質２は溶接時に直接レーザ照射６の熱的影響を受けな
く、多孔質基体１の穴あき及び電子放射物質２の蒸発が
抑止される。
をカップ４及びスリーブ５ｆこ溶接するので、電子放射
物質２は溶接時に直接レーザ照射６の熱的影響を受けな
く、多孔質基体１の穴あき及び電子放射物質２の蒸発が
抑止される。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、溶融部１ｂ
を多孔質基体１の底面全体に設けたものである。この溶
融部１ｂは底面全体ではなく、図示のように底面の一部
に溶融部ＩＣのようｆこ設けてもよい。
を多孔質基体１の底面全体に設けたものである。この溶
融部１ｂは底面全体ではなく、図示のように底面の一部
に溶融部ＩＣのようｆこ設けてもよい。
このように、多孔質基体１が大きく底面全体船こ溶融部
１ｂを厚く形成できる場合は、基体側面からレーザ照射
ｌこより溶融部１ｂとカップ４及びスリーブ５とを溶接
することができる。また、基体底面の一部ｌこ溶融部Ｉ
Ｃを形成した場合、もしくは溶融部が薄く上で示した様
ｔこスリーブ、カップとを同時に溶接できない場合には
、最初ｌこ溶融部ＩＣとカップ４とを底面で溶接し、次
ｆこカップ４とスリーブ５とを溶接することｉこより第
１図と同様の効果が得られる。
１ｂを厚く形成できる場合は、基体側面からレーザ照射
ｌこより溶融部１ｂとカップ４及びスリーブ５とを溶接
することができる。また、基体底面の一部ｌこ溶融部Ｉ
Ｃを形成した場合、もしくは溶融部が薄く上で示した様
ｔこスリーブ、カップとを同時に溶接できない場合には
、最初ｌこ溶融部ＩＣとカップ４とを底面で溶接し、次
ｆこカップ４とスリーブ５とを溶接することｉこより第
１図と同様の効果が得られる。
なお、上記実施例１こおいては、カップ４及びスリーブ
５の材質を′ｒａとしたが、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｕ。
５の材質を′ｒａとしたが、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｕ。
Ｗ等を用いても同等の効果が得られる。このようにＭｏ
、Ｒｅ、Ｒｕ％Ｗ等を用いた場合は、多孔質基体１（こ
電子放射物質２を含浸させる前（こ、多孔質基体１とカ
ップ４及びスリーブ５とのＲ接を行うことが可能である
。
、Ｒｅ、Ｒｕ％Ｗ等を用いた場合は、多孔質基体１（こ
電子放射物質２を含浸させる前（こ、多孔質基体１とカ
ップ４及びスリーブ５とのＲ接を行うことが可能である
。
本発明（こよれば、多孔質基体の一部を７−ザ照射ｌこ
より溶融部を形成し１．この溶融部とカップ、又はこの
溶融部とカップ及びスリーブとを溶接するので、溶接時
における多孔質基体の穴あき及び電子放射物質の蒸発を
抑止でき、信頼性の高い含浸形陰極構体が得られる。
より溶融部を形成し１．この溶融部とカップ、又はこの
溶融部とカップ及びスリーブとを溶接するので、溶接時
における多孔質基体の穴あき及び電子放射物質の蒸発を
抑止でき、信頼性の高い含浸形陰極構体が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は同
じく不発明の他の実施例を示す縦断面図である。 １・・・多孔質基体、 １ａ、１ｂ、ＩＣ・・・溶
融部、２・・・電子放射物質、 ３・・・カンード
基体、４・・・カップ、 ５・・・スリーブ
。 第１図 第２図 ス
じく不発明の他の実施例を示す縦断面図である。 １・・・多孔質基体、 １ａ、１ｂ、ＩＣ・・・溶
融部、２・・・電子放射物質、 ３・・・カンード
基体、４・・・カップ、 ５・・・スリーブ
。 第１図 第２図 ス
Claims (1)
- １、電子放射物質を含浸する高融点金属の多孔質基体と
、この多孔質基体を収納するカップと、このカップを支
持するスリーブとを有する含浸形陰極構体において、前
記多孔質基体の一部をレーザ照射により溶融して溶融部
を形成し、この溶融部と前記カップ、又はこの溶融部と
前記カップ及びスリーブとを溶接したことを特徴とする
含浸形陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21963186A JPH07105190B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 含浸形陰極構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21963186A JPH07105190B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 含浸形陰極構体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378429A true JPS6378429A (ja) | 1988-04-08 |
| JPH07105190B2 JPH07105190B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16738554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21963186A Expired - Fee Related JPH07105190B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 含浸形陰極構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105190B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4104943A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Samsung Electronic Devices | Vorratskathode und verfahren zu ihrer herstellung |
| WO2002054434A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Sony Corporation | Structure de cathode impregnee et procede d'elaboration |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142626A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Toshiba Corp | 含浸形陰極の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21963186A patent/JPH07105190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142626A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Toshiba Corp | 含浸形陰極の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4104943A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Samsung Electronic Devices | Vorratskathode und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPH04220928A (ja) * | 1990-03-13 | 1992-08-11 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 含浸形陰極構造体およびその製造方法 |
| WO2002054434A1 (fr) * | 2000-12-27 | 2002-07-11 | Sony Corporation | Structure de cathode impregnee et procede d'elaboration |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105190B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |