JPH07105190B2 - 含浸形陰極構体の製造方法 - Google Patents
含浸形陰極構体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07105190B2 JPH07105190B2 JP21963186A JP21963186A JPH07105190B2 JP H07105190 B2 JPH07105190 B2 JP H07105190B2 JP 21963186 A JP21963186 A JP 21963186A JP 21963186 A JP21963186 A JP 21963186A JP H07105190 B2 JPH07105190 B2 JP H07105190B2
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- Japan
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- cup
- porous substrate
- sleeve
- cathode assembly
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は含浸形陰極構体に関する。
従来の含浸形陰極構体は、例えば特開昭59−108233号公
報に示すように、電子放射物質を多孔質基体に含浸させ
たカソード基体と、このカソード基体を収納するカツプ
と、このカツプを支持し、かつヒータを内包するスリー
ブとをレーザ溶接により固着してなる。しかし、レーザ
溶接による電子放射物質への熱的影響については配慮が
十分ではなかつた。
報に示すように、電子放射物質を多孔質基体に含浸させ
たカソード基体と、このカソード基体を収納するカツプ
と、このカツプを支持し、かつヒータを内包するスリー
ブとをレーザ溶接により固着してなる。しかし、レーザ
溶接による電子放射物質への熱的影響については配慮が
十分ではなかつた。
上記従来技術では、カツプとスリーブとカソード基体と
の三者をレーザにより溶接する場合、レーザ照射におけ
る溶接の裕度がなく、電子放射物質が蒸発して溶接部に
穴があくという問題があつた。
の三者をレーザにより溶接する場合、レーザ照射におけ
る溶接の裕度がなく、電子放射物質が蒸発して溶接部に
穴があくという問題があつた。
本発明の目的は、電子放射物質の蒸発及び多孔質基体の
穴あきを抑止することができ、信頼性の高い含浸形陰極
構体を提供することにある。
穴あきを抑止することができ、信頼性の高い含浸形陰極
構体を提供することにある。
上記目的は、多孔質基体の一部をレーザ照射により溶融
して溶融部を形成し、この溶融部とカツプ、又はこの溶
融部とカツプ及びスリーブとを溶接することにより解決
される。
して溶融部を形成し、この溶融部とカツプ、又はこの溶
融部とカツプ及びスリーブとを溶接することにより解決
される。
多孔質基体にレーザを照射して形成された溶融部は、緻
密なタングステン層となる。この緻密なタングステン層
をカツプ、又はカツプ及びスリーブに溶接するので、多
孔質基体に含浸されている電子放射物質は、溶接時に直
接レーザの熱的影響を受けなく、多孔質基体の穴あき及
び電子放射物質の蒸発が抑止される。
密なタングステン層となる。この緻密なタングステン層
をカツプ、又はカツプ及びスリーブに溶接するので、多
孔質基体に含浸されている電子放射物質は、溶接時に直
接レーザの熱的影響を受けなく、多孔質基体の穴あき及
び電子放射物質の蒸発が抑止される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図で多孔質基体１は、直径1.5mm、厚さ0.5mm、空孔率20
〜25％のタングステンを円筒状に形成してなり、側面に
はレーザ等を照射して直径100〜500μｍ、深さ30〜500
μｍ程度の溶融部1aが形成されている。このように多孔
質基体１にレーザを照射して溶融部1aを形成すると、こ
の溶融部1aは緻密なタングステン層となる。ここで溶融
部1aは、直径が100μｍ以下、深さが30μｍ以下では、
多孔質基体１とカツプ４及びスリーブ５とを溶接するレ
ーザ照射時の位置合せが難かしく、溶接強度が不十分と
なる。また溶融部1aの深さが500μｍ以上となると、多
孔質基体１の空孔率に影響を与えるため好ましくない。
図で多孔質基体１は、直径1.5mm、厚さ0.5mm、空孔率20
〜25％のタングステンを円筒状に形成してなり、側面に
はレーザ等を照射して直径100〜500μｍ、深さ30〜500
μｍ程度の溶融部1aが形成されている。このように多孔
質基体１にレーザを照射して溶融部1aを形成すると、こ
の溶融部1aは緻密なタングステン層となる。ここで溶融
部1aは、直径が100μｍ以下、深さが30μｍ以下では、
多孔質基体１とカツプ４及びスリーブ５とを溶接するレ
ーザ照射時の位置合せが難かしく、溶接強度が不十分と
なる。また溶融部1aの深さが500μｍ以上となると、多
孔質基体１の空孔率に影響を与えるため好ましくない。
このように形成された多孔質基体１の空孔にバリウムカ
ルシウムアルミネート等よりなる電子放射物質２を含浸
させ、カソード基体３を構成してなる。
ルシウムアルミネート等よりなる電子放射物質２を含浸
させ、カソード基体３を構成してなる。
かかるカソード基体３を、これを収納するTaカツプ４と
Taスリーブ５に取付け、レーザ照射６により、溶融部1a
においてカツプ４とスリーブ５との溶接を行う。
Taスリーブ５に取付け、レーザ照射６により、溶融部1a
においてカツプ４とスリーブ５との溶接を行う。
このように、緻密なタングステン層よりなる溶融部1aを
カツプ４及びスリーブ５に溶接するので、電子放射物質
２は溶接時に直接レーザ照射６の熱的影響を受けなく、
多孔質基体１の穴あき及び電子放射物質２の蒸発が抑止
される。
カツプ４及びスリーブ５に溶接するので、電子放射物質
２は溶接時に直接レーザ照射６の熱的影響を受けなく、
多孔質基体１の穴あき及び電子放射物質２の蒸発が抑止
される。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、溶融部1bを
多孔質基体１の底面全体に設けたものである。この溶融
部1bは底面全体ではなく、図示のように底面の一部に溶
融部1cのように設けてもよい。
多孔質基体１の底面全体に設けたものである。この溶融
部1bは底面全体ではなく、図示のように底面の一部に溶
融部1cのように設けてもよい。
このように、多孔質基体１が大きく底面全体に溶融部1b
を厚く形成できる場合は、基体側面からレーザ照射によ
り溶融部1bとカツプ４及びスリーブ５とを溶接すること
ができる。また、基体底面の一部に溶融部1cを形成した
場合、もしくは溶融部が薄く上で示した様にスリーブ、
カツプとを同時に溶接できない場合には、最初に溶融部
1cとカツプ４とを底面で溶接し、次にカツプ４とスリー
ブ５とを溶接することにより第１図と同様の効果が得ら
れる。
を厚く形成できる場合は、基体側面からレーザ照射によ
り溶融部1bとカツプ４及びスリーブ５とを溶接すること
ができる。また、基体底面の一部に溶融部1cを形成した
場合、もしくは溶融部が薄く上で示した様にスリーブ、
カツプとを同時に溶接できない場合には、最初に溶融部
1cとカツプ４とを底面で溶接し、次にカツプ４とスリー
ブ５とを溶接することにより第１図と同様の効果が得ら
れる。
なお、上記実施例においては、カツプ４及びスリーブ５
の材質をTaとしたが、Mo、Re、Ru、Ｗ等を用いても同等
の効果が得られる。このようにMo、Re、Ru、Ｗ等を用い
た場合は、多孔質基体１に電子放射物質２を含浸させる
前に、多孔質基体１とカツプ４及びスリーブ５との溶接
を行うことが可能である。
の材質をTaとしたが、Mo、Re、Ru、Ｗ等を用いても同等
の効果が得られる。このようにMo、Re、Ru、Ｗ等を用い
た場合は、多孔質基体１に電子放射物質２を含浸させる
前に、多孔質基体１とカツプ４及びスリーブ５との溶接
を行うことが可能である。
本発明によれば、多孔質基体の一部をレーザ照射により
溶融部を形成し、この溶融部とカツプ、又はこの溶融部
とカツプ及びスリーブとを溶接するので、溶接時におけ
る多孔質基体の穴あき及び電子放射物質の蒸発を抑止で
き、信頼性の高い含浸形陰極構体が得られる。
溶融部を形成し、この溶融部とカツプ、又はこの溶融部
とカツプ及びスリーブとを溶接するので、溶接時におけ
る多孔質基体の穴あき及び電子放射物質の蒸発を抑止で
き、信頼性の高い含浸形陰極構体が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は同
じく本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 １……多孔質基体、1a、1b、1c……溶融部、 ２……電子放射物質、３……カソード基体、 ４……カツプ、５……スリーブ。
じく本発明の他の実施例を示す縦断面図である。 １……多孔質基体、1a、1b、1c……溶融部、 ２……電子放射物質、３……カソード基体、 ４……カツプ、５……スリーブ。
フロントページの続き (72)発明者 熊田 政治 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭61−142626（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】電子放射物質を含浸する高融点金属の多孔
質基体と、この多孔質基体を収納するカップと、このカ
ップを支持するスリーブとを有する含浸形陰極構体の製
造方法において、前記多孔質基体の一部に溶融部を形成
し、前記溶融部を形成した多孔質基体に前記電子放射物
質を含浸させ、前記多孔質基体の溶融部と前記カップ、
又は前記多孔質基体の溶融部と前記カップ及びスリーブ
とを溶接することを特徴とする含浸形陰極構体の製造方
法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記多孔
質基体の溶融部と前記カップ、又は前記多孔質基体の溶
融部と前記カップ及びスリーブとを溶接したあと多孔質
基体に前記電子放射物質を含浸させることを特徴とする
含浸形陰極構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21963186A JPH07105190B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 含浸形陰極構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21963186A JPH07105190B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 含浸形陰極構体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378429A JPS6378429A (ja) | 1988-04-08 |
| JPH07105190B2 true JPH07105190B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16738554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21963186A Expired - Fee Related JPH07105190B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 含浸形陰極構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105190B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920004900B1 (ko) * | 1990-03-13 | 1992-06-22 | 삼성전관 주식회사 | 함침형 음극구조체와 그 제조방법 |
| JP2002197964A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Sony Corp | 含浸型陰極構体及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0624095B2 (ja) * | 1984-12-14 | 1994-03-30 | 株式会社東芝 | 含浸形陰極の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21963186A patent/JPH07105190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6378429A (ja) | 1988-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |