NL8500638A - Werkwijze en inrichting voor het reinigen van vormen door omgekeerd sputteren. - Google Patents
Werkwijze en inrichting voor het reinigen van vormen door omgekeerd sputteren. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8500638A NL8500638A NL8500638A NL8500638A NL8500638A NL 8500638 A NL8500638 A NL 8500638A NL 8500638 A NL8500638 A NL 8500638A NL 8500638 A NL8500638 A NL 8500638A NL 8500638 A NL8500638 A NL 8500638A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- mold
- cleaned
- vacuum chamber
- cathode
- anode
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/70—Maintenance
- B29C33/72—Cleaning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
N033054 1
Werkwijze en inrichting voor het reinigen van vormen door omgekeerd sputteren»_
De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen betrekking op een werkwijze en inrichting voor het reinigen van vormen, en meer in het bijzonder op een werkwijze en inrichting voor het reinigen van de boven- en benedenvormdelen gebruikt voor het omhullen van de gelntegreer-3 de schakeling en het geleiderdeel van een geleiderframesamenstel met kunststof materiaal, door ionenbombardement van een omgekeerde sputter-handeling.
De stand de techniek omvat vele verschillende werkwijzen en soorten inrichtingen voor het vervaardigen van geïntegreerde schakelingen 10 en voor het voortbrengen van geleiderframes voor het dragen van de geïntegreerde schakelingen. Bij dergelijke stelsels wordt de geïntegreerde schakeling in hoofdzaak in het midden aangebracht in het geleider-frame om een geleiderframesamenstel te vormen en de ingangs/uitgangsge-leiders van de geïntegreerde schakeling zelf worden electrisch verbon-15 den met de geleiders van het geleiderframesamenstel. Het in het midden liggende deel van het geleiderframesamenstel, omvattende het deel van de geïntegreerde schakeling en de geleiders in en uit de geïntegreerde schakeling worden vervolgens omhuld in kunststof materiaal, keramisch materiaal of dergelijke, zodat slechts de geleiderpennen of uiteinden 20 uit het omhullende materiaal steken of zich daarvan af uitstrekken.
Verscheidene werkwijzen en soorten inrichtingen kunnen gebruikt worden voor het uitvoeren van de omhullende handeling. Een typisch in lijn zijnd continu stelsel omvat het plaatsen van de eerder gevormde geïntegreerde schakeling binnen het in het midden liggende deel van het 25 geleiderframe en het verwezenlijken van de noodzakelijke electrische verbindingen. Het geleiderframesamenstel wordt vervolgens geplaatst in een benedenvormdeel en het bovenvormdeel wordt daarover geplaatst. Het kunststof materiaal wordt toegevoerd in de vormholte en warmte en druk worden toegepast om het kunststof, materiaal te herleiden tot een ge-30 smolten toestand en de in het midden liggende geïntegreerde schakeling en het geleiderdeel van een geleiderframesamenstel te bedekken. Het omhulde geleiderframesamenstel wordt dan uitgehard en het bovenvormdeel wordt van het benedenvormdeel verwijderd voor het verwijderen van het geleiderframesamenstel. Het bovenvormdeel en het benedenvormdeel worden 35 dan onderworpen aan een soort fysische/mechanische en/of chemische rel-nigingshandeling voor hernieuwd gebruik voor opvolgende omhullende handelingen. Het geleiderframesamenstel dat verwijderd is van het beneden- 8500638 i * » 2 vormdeel wordt vervolgens voortbewogen voor verdere behandeling of dergelijke.
De wijzen volgens de stand der techniek voor het mechanisch en/of chemisch reinigen van vormen geven vaak vele wezenlijke problemen, in 5 het bijzonder indien een continu in lijn zijnd bedrijf gehandhaafd moet worden.
De vormen gebruikt in een omhullende handeling kunnen van verschillende soorten metaal vervaardigd worden hoewel in het algemeen aan roestvast staal de voorkeur gegeven wordt. Het reinigen van de metalen 10 vormdelen omvat hoofdzakelijk het verwijderen van ongewenste omhullende materialen, vuil, stof, vet, olie, enz., dat op de verschillende vorm-oppervlakken ligt. Het reinigen moet niet alleen het verwijderen van al het zichtbare vuil van de oppervlakken omvatten, maar eveneens het daaropvolgend verwijderen van alle verontreinigingen en onzuiverheden 15 die fysiek kleven of hechten aan het oppervlak zoals olie, vet, stof en dergelijke of verontreinigingen en onzuiverheden die ontstaan uit een chemische reactie zoals oxiden, sulfiden, en dergelijke. De mate van reinheid moet zeer hoog zijn indien halfgeleiderschakelingen behandeld worden, omdat verontreiniging voor het omhullen vaak een minderwaardig 20 of niet werkend, produkt tot gevolg heeft.
De oxiden en andere overeenkomstige oppervlaktelagen kunnen verwijderd worden door mechanische en/of chemische methoden zoals schurend blazen, borstelen met draad, bijten en etsen. Het verwijderen van olie-en vetsoorten hangt van de bijzondere aard daarvan af en of deze al dan 25 niet zeepvormende olie- en vetsoorten zijn van dierlijke of plantaardige oorsprong, of minerale oliën die geen zeepsoorten vormen. De zeepvormende olie- en vetsoorten kunnen verwijderd worden door het omzetten daarvan door hydrolyse in vetzuren en door het reageren van die zuren met alkali-oplossingen om in water oplosbare zeepsoorten te verkrijgen. 30 De minerale oliën kunnen verwijderd worden door het oplossen daarvan in organische oplosmiddelen en in bijzondere gevallen kunnen deze gespoeld worden met alkali-oplossingen die detergents bevatten. Aangezien de aard van de verontreinigingen normaliter niet bekend is, moet een enkele betrouwbare reinigingshandeling tenminste de opeenvolgende stappen 35 van ontvetten met organische oplosmiddelen gevolgd door het ontvetten met alkalimateriaal omvatten.
De volgorde van de reinigingshandelingen begint in het algemeen met mechanisch reinigen en wordt normaliter gevolgd door bijten, reinigen met detergents en ontvetten. De volgens de stand der techniek vaak 40 gebruikte werkwijzen met het mechanisch reinigen voor het verwijderen 8500638 • I» 3 van afzettingen, roest, kunststof resten en dergelijke omvat vaak het blazen of met draad borstelen van het vormoppervlak. Dit kan vanzelfsprekend tot schade aan de vormdelen zelf leiden alsmede tot het vormen van oppervlaktefouten in de vorm leiden, hetgeen schade aan de omhulde 5 schakeling kan veroorzaken of de levensduur van de vorm kan beperken.
Een bijthandeling is het chemisch verwijderen van oxiden, sulfiden, CH4 en andere oppervlaktelagen, en laat het gereinigde deel met een in hoofdzaak heldere metallische verschijning achter. De onderhavige gebruikte bijtoplossing is afhankelijk van het onderhavige metaal 10 gebruikt in de vormdelen en in de eerste plaats van de gebruikte substanties. Na het bijten moet het deel altijd grondig gespoeld en vervolgens geneutraliseerd worden in een alkalibad en vervolgens gedroogd worden met warme olievrije lucht. Dit heeft een groot tijdverlies tot gevolg alsmede een toename in kosten, en het onmogelijk maken of ten-15 minste ondermijnen van enige voorgestelde continue in lijn zijnde vorm-handeling.
Reinigen met alkalidetergents wordt uitgevoerd door onderdompelen of door electroreinigingsprocessen. De onderdompelmethode voor het reinigen wordt normaliter gebruikt met warme oplossingen. Voor ferrometa-20 len omvat de oplossing in hoofdzaak natriumhydroxide, zeepsoorten en bevochtigingsmiddelen en voor electroreinigen, kan een alkali-oplossing gebruikt worden met het te reinigen metaal gebruikt als kathode of anode en waarbij een vat de tweede electrode is. Bij anodisch reinigen komt zuurstof vrij aan het oppervlak van het metaal dat gereinigd wordt 25 en het proces vereist een verhoudingsgewijs laag voltage. Bij katho-disch reinigen komt waterstof vrij op het schone oppervlak, en de werkwijze vereist een overeenkomstig verhoudingsgewijs laag voltage. Voor roestvast staal en dergelijke wordt anodisch reinigen aanbevolen maar dit is weer zeer kostbaar, langzaam en nadelig voor het handhaven van 30 een continu in lijn zijnd vormproces.
Het reinigen met een oplosmiddel is uitgevoerd met gebruik van het oplosmiddel in vloeibare of damptoestand. Het reinigen met een vloeistof kan uitgevoerd worden met benzeen, xyleen of onbrandbare oplosmiddelen zoals tetrachloorkoolstof, trichlooretheen, perchlooretheen of 35 dichlooretheen.
Het ontvetten met damp is veel werkzamer dan het reinigen met vloeibaar oplosmiddel, maar ook dit vereist extra kosten, veroorzaakt tijdverlies en vraagt complexe inrichtingen. Het oplosmiddel moet tot koken verhit worden en de te reinigen delen moeten in de kamer hangen, 40 opgehangen in de warme damp die op de metaaloppervlakken condenseert, 8500638 4 * * 4 de oppervlakteverontreinigingen oplost, en dan terugstroomt of valt In de houder voor oplosmiddel. Eveneens zijn stelsels voorgesteld die gebruik maken van het onder hoge druk sproeien van vloeibaar oplosmiddel of dergelijke, hetgeen de totale tijd van de handeling kan verlengen en 5 de kosten verder vergroten.
Daarom geven de verscheidene mechanische en/of chemische reini-gingsmethoden volgens de stand der techniek niet de kwaliteit van reinheid die vereist is indien het halfgeleiderschakelingen betreft; zijn niet dienstbaar aan continue in lijn zijnde vormhandelingen; zijn te 10 kostbaar; mechanisch en/of electrisch te complex; vereisen buitensporig onderhoud; en hebben cummulatieve schade aan de verhoudingsgewijs kostbare boven- en benedenvormdelen tot gevolg.
Het verschijnsel van gelijkstroomsputteren of kathodisch sputteren heeft betrekking op de verplaatsing of verwijdering van atomen of mole-15 culen van het oppervlak van een materiaal door de trefenergie van gasionen die in een electrisch veld versneld worden. Kathodisch sputteren wordt verwezenlijkt door het realiseren van een gloei-ontlading of plasma tussen een anode en kathode waarbij de stroom daartussen bestaat uit een electronenstroom naar de anode en een stroom positieve ionen 20 naar de kathode. De ionen ontstaan door de ionisatie van gasmoleculen die bestaan binnen het gebied van de gloei-ontlading tussen de anode en kathode. De ionisatie ontstaat door de botsing van gasdeeltjes met de electronenstroom van de kathode naar de anode. Sputteren wordt op uitgebreide schaal gebruikt voor het neerslaan van dunne lagen halfgelei-25 dermateriaal, metaal en dergelijke op verscheidene oppervlakken.
Het verwijderen van oppevlakteverontreinigingen door kathodisch sputteren is in de stand der techniek bekend, tenminste voor theoretische handelingen of handelingen van het laboratoriumsoort, en wordt aangeduid als "omgekeerd sputteren” aangezien dit het omgekeerde is van 30 de werkwijze van kathodisch sputteren zelf, waar substanties neergeslagen worden op het oppervlak van een materiaal. Omgekeerd sputteren verwijdert bijvoorbeeld materiaal van een oppervlak zoals waargenomen bij lastoepassingen met electrische boog - inert gas, waarbij verontreinigingen van het oppervlak van de materialen die gelast moeten worden, 35 verwijderd worden voor het eigenlijke lassen.
Omgekeerd sputteren is in de stand der techniek gebruikt om verhoudingsgewijs grote oppervlakken halfgeleidermateriaal te reinigen als een eerste stap bij de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen zoals foto-electrische cellen en dergelijke. Bovendien is omgekeerd sputteren 40 gebruikt om de eigenlijke inrichting gebruikt bij kathodische sputter- 8500638 4 « .« Λ 5 handelingen te reinigen en bij verscheidene toepassingen, zoals het reinigen van versnellers, opslagringen en plasma-machines.
Uit de stand der techniek zijn eveneens verhoudingsgewijs gevoelige van openingen voorziene maskeertechnieken bekend voor het selectief 5 reinigen van kleine bepaalde gebieden van een materiaal terwijl de overige gebieden afgeschermd of gemaskeerd worden om ionenbombardement van het afgeschermde of gemaskeerde oppervlak te beletten.
Vanwege de bijzondere fijngevoeligheid van de werkwijze en inrichting voor het met sputteren reinigen of omgekeerd sputteren om haifge-« 10 leiderschakelingen en dergelijke te reinigen en door de onnauwkeurigheid van de maskeertechnieken, leiden pogingen volgens de stand der techniek normaliter tot terugkeer naar bekende fysieke schurende reinigingstechnieken en/of chemische reinigingstechnieken zoals etsmiddelen, schurend microweefsel en dergelijke. Het gebruik van deze werkwijzen 15 verwezenlijkt echter geen gelijkmatig reinigen van het oppervlaktege-bied en dergelijke werkwijzen zijn in het bijzonder ondoelmatig, onbevredigend of moeilijk bij vorminrichtingen waarbij de vormuitsparingen verhoudingsgewijs kleine, ingewikkelde goed bepaalde gebieden met beperkte afmeting en opsluiting vormen, die bijzonder moeilijk te reini-20 gen zijn door dergelijke werkwijzen volgens de stand der techniek. Bovendien hebben dergelijke reinigingstechnieken vaak schade aan het werkstuk tot gevolg en bijgevolg schade aan het produkt dat in het vormsamenstel voortgebracht wordt.
De werkwijze en inrichting volgens de onderhavige uitvinding loet 25 alle hierboven genoemde problemen op en voorziet in een verhoudingsgewijs goedkoop, gemakkelijk in stand te houden, zeer doelmatig stelsel bruikbaar bij stelsels voor het continu in lijn vormen of omhullen.
Het is een doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een werkwijze en inrichting te voorzien voor het verwijderen van kunststof res-30 ten van de boven- en benedenvormdelen gebruikt om de geïntegreerde schakeling en het geleiderdeel van een geleiderframesamenstel te omhullen met kunststof materiaal voor het opnieuw gebruiken van het vormdeel.
Het is een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om een 35 omgekeerde sputterhandeling te gebruiken om de vormen in een in lijn zijnde handeling te reinigen voor het omhullen van het geleiderframesamenstel.
Het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een werkwijze en inrichting te voorzien bruikbaar bij een conti-40 nue, in lijn zijnde werkwijze voor het vormen van kunststof materiaal 85 00 6 38 4 * 6 om delen van een geleiderframeinrichting en het omhullen daarvan voor het reinigen van de vormoppervlakken nadat het omhulde geleiderframe-samenstel verwijderd is uit de vorm en voor het opnieuw gebruiken van de vorm.
5 Het is bovendien een ander doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een verbeterde werkwijze en inrichting te voorzien voor het reinigen van vormoppervlakken door het ionenbombardement verkregen door een omgekeerde sputterhandeling.
Het is bovendien een verder doeleinde van de onderhavige uitvin-10 ding om kostbare, tijdrovende, veel onderhoud vergende, vormbeschadi-gende mechanische en/of chemische reinigingsmethoden en inrichtingen uit te sluiten door het vervangen daarvan door een zeer doelmatige werkwijze en inrichting voor het omgekeerd sputteren voor het reinigen van vormen voor hernieuwd gebruik in een kunststof omhullingsstelsel.
15 Het is bovendien een verder doeleinde van de onderhavige uitvin ding om in een verbeterde omgekeerde sputterwerkwijze en inrichting te voorzien voor het gelijkmatig en geregeld verwijderen van oppervlakte-verontreinigingen van bepaalde oppervlaktegebieden van vormen gebruikt in een kunststof omhullende handeling.
20 Het is bovendien een verder doeleinde van de onderhavige uitvin ding om omgekeerd sputteren toe te passen voor het verwijderen van op-pervlakteverontreinigingen omvattende resten kunststof materiaal, oxiden en dergelijken uit kleine ingesloten uitsparingen in een vormopper-vlak, die moeilijk te reinigen zijn met gebruikelijke mechanische/che-25 mische reinigingstechnieken.
Het is bovendien een verder doeleinde van de onderhavige uitvinding om in een werkwijze en inrichting te voorzien voor het reinigen van vormsamenstellen door een omgekeerde sputterhandeling, waardoor de levensduur van het vormsamenstel verlengd wordt, de reinheid van het 30 oppervlak vergroot wordt en het aantal falende delen gevormd door het vormsamenstel in aanzienlijke mate beperkt wordt.
De onderhavige uitvinding omvat een werkwijze en inrichting voor het reinigen van tenminste bepaalde oppervlaktegebieden van een vormsamenstel door omgekeerde sputtertechnieken.
35 Het stelsel volgens de onderhavige uitvinding beschrijft een werk wijze voor het reinigen van vormen, meer in het bijzonder de boven- en benedenvormdelen gebruikt om geleiderframesamenstellen te omhullen in een kunststof materiaal, omvattende de stappen van het voorzien in een vacuümkamer; het transporteren van een te reinigen vormdeel naar de va-40 cuümkamer; het evacueren van de vacuümkamer; het toelaten van een ioni- 8500638 A * * 7 seerbaar gas in de vacuümkamer; en het bombarderen van het te reinigen vormoppervlak met ionen voor het verwijderen van oppervlakteverontrei-nigingen en dergelijke door omgekeerd sputteren.
De werkwijze kan de extra stappen omvatten van het voorzien in een 5 anode, het voorzien in een kathode, en/of het schakelen van de te reinigen vorm als de kathode of nabij de kathode; het instellen van een electrisch potentiaal tussen de anode en kathode; het op gang brengen en handhaven van een sputterontlading binnen de vacuümkamer; en het reinigen van de gewenste oppcrvlaktegebieden van de vorm door ionenbom-10 bardement met ionen versneld door de electrische potentiaal.
Bovendien kan de werkwijze omvatten de stappen van het afschermen van delen van het vormoppervlak tegen ongewenst sputteren. Verder kan de stap van het transporteren van de gereinigde vorm uit de vacuümkamer toegevoegd worden en de stap van het verminderen van het vacuüm, het 15 openen van de kamer, en het verwijderen van de gereinigde vorm omvatten.
De onderhavige uitvinding voorziet eveneens in een verbetering bij de werkwijze voor het omhullen van het schakelingsdeel van een geïntegreerde schakeling werkzaam aangebracht in een geleiderframe om een ge-20 leiderframesamenstel te vormen met een kunststof materiaal, omvattende de stappen van het nauwkeurig plaatsen van het geleiderframesamenstel in het benedenvormdeel, het daarover plaatsen van het bovenvormdeel,-het toevoeren van kunststof materiaal in de vormholte; het verwarmen en het opbrengen van druk op het kunststof materiaal om een stroom gesmol-25 ten kunststof over het gebied dat omhuld moet worden te verschaffen; het uitharden van het omhulde deel; het scheiden van de boven- en bene- k denvormdelen; het reinigen van de vormdelen voor hernieuwd gebruik; en het vervolgens behandelen van de verwijderde omhulde geleiderframesa-menstellen. De beoogde uitvinding ligt binnen de reinigingsstap en om-30 vat het transporteren van de gescheiden vormdelen en omgekeerd sputteren van de vormdelen voor het reinigen van tenminste bepaalde oppervlakken daarvan voor hernieuwd gebruik van de vorm.
De verbeterde werkwijze omvat eveneens het voorzien in een vacuümkamer, en de handeling van het omgekeerd sputteren omvat het evacueren 35 van de kamer, het in de kamer brengen van een ioniseerbaar gas, het verschaffen van een electrisch veld tussen een paar electroden, en het bombarderen van het oppervlak van de vorm die gereinigd moet worden voor het verwijderen van onzuiverheden omvattende overmaatdelen kunststof, oxiden, en overeenkomstige oppervlakteverontreinigingen.
40 De verbeterde werkwijze kan bovendien omvatten het voorzien in een 8500638 V · 8 anode, het voorzien in de vorm als kathode, en het aanleggen van een electrisch veld tussen de anode en kathode. En deze kan eveneens omvatten het voorzien in een anode en een kathode, en het plaatsen van de vorm op een bepaalde plaats tussen de anode en kathode voor optimale 5 reiniging.
Bovendien kan de verbeterde werkwijze omvatten het voorzien in een plasmaveld of gloei-ontladingsveld tussen de kathode en anode of stappen als het verminderen van het vacuüm, het openen van kamer, en het verwijderen van de schone vorm voor opvolgend hernieuwd gebruik. Verder 10 kan de werkwijze omvatten de stap voor het naar keuze maskeren of het afschermen van bepaalde delen van het vormoppervlak, die geen ionenbombardement moeten ontvangen om schade daaraan te beletten.
De onderhavige uitvinding voorziet eveneens in een verbeterd stelsel voor het continu omhullen van de geïntegreerde schakeling en het 15 geleiderdeel van een geleiderframesamenstel omvattende middelen voor het plaatsen van een geleiderframesamenstel binnen een benedenvormdeel,' middelen voor het plaatsen van het bovenvormdeel over het benedenvormdeel om een volledig vormsamenstel te vormen, middelen voor het toevoeren van een kunststof omhullend materiaal in de vormholte; middelen 20 voor het verwannen van de vorm en het opbrengen van druk om het gesmolten kunststof materiaal naar alle te omhullen delen toe te voeren; middelen voor het uitharden van het omhullende materiaal; middelen voor het scheiden van het bovenvormdeel van het benedenvormdeel; middelen voor het verwijderen van het omhulde geleiderframesamenstel van het be-25 nedenvormdeel; middelen voor tenminste hetzij fysiek hetzij chemisch verwijderen van tenminste een deel van het overmaat kunststof materiaal van de boven- en benedenvormdeeloppervlakken; en middelen voor het opnieuw plaatsen van de gereinigde vormdelen voor opvolgend hernieuwd gebruik. De verbetering in het stelsel omvat de middelen voor het tenmin-30 ste hetzij fysiek of chemisch verwijderen van de overmaat kunststof materiaal en resten daarvan en omvat verbeterde reinigingsmiddelen voor het reinigen van enig overblijvend kunststof materiaal, kunststof resten en andere oppervlakteverontreinigingen zoals oxidatieprodukten, CF4, stof, vet, olie en dergelijke en omvat een omsluitend middel en 35 middelen voor het plaatsen van een vormdeel dat gereinigd moet worden binnen het omsluitende middel. Een middel voor het voortbrengen van een wezenlijk vacuüm binnen de omsluiting wordt verwezenlijkt alsmede middelen voor het inbrengen van een ioniseerbaar gas in de kamer. Middelen voor het opwekken van een plasmaveld voor het bombarderen van bepaalde 40 oppervlakken van het vormdeel dat gereinigd moet worden met ionen voor 8500638 * * 9 omgekeerd sputteren om oppervlakteverontreinigingen te verwijderen zijn eveneens aanwezig·
Bovendien kan het middel dat het plasmaveld opwekt een anodemid-del, een kathodemiddel, dat het vormdeel wel of niet kan bevatten, mid-5 delen voor het op gang brengen en handhaven van een omgekeerde sputter** handeling voor het verwijderen van verontreinigingen en dergelijke omvatten· Bovendien kunnen middelen aanwezig zijn voor het transporteren van de vormsamenstellen naar de vacuümkamer, voor het transporteren van de vormsamenstellen van het vormsamenstel, voor het handhaven van de 10 handeling van het omhullende proces als een continue in lijn zijnde werkwijze, of voor het handhaven van het bedrijf van het omhullende proces als stapsgewijs verlopende in lijn zijnde werkwijze, waarbij de vormsamenstellen opnieuw gebruikt worden na het reinigen en verwar-mingskast.
15 Andere voordelen en verdienstelijke kenmerken van de onderhavige uitvinding zullen beter begrepen worden uit de onderstaande beschrijving van de tekeningen aan de hand van de voorkeursuitvoering waarbij in de tekeningen: figuur 1 een stroomdiagram in blokvorm is, dat de continue in lijn 20 zijnde werkwijze voor het met kunststof omhullen toont met gebruik van de verbetering volgens de onderhavige uitvinding; figuur 2 een stroomdiagram in blokvorm is, dat de verbeterde handeling met omgekeerd sputteren uit het blokdiagram van figuur 1 toont; figuur 3 een geschetste afbeelding is van een vereenvoudigde vorm 25 van een inrichting voor het uitvoeren van de verbetering volgens de onderhavige uitvinding en de omgeving toont waarin de werkwijze uitgevoerd kan worden; figuur 4 een gedeeltelijk perspectivisch aanzicht is van een ge-leiderframesamenstel dat omhuld moet worden door het stelsel uit fi-30 guur 1; figuur 5 een perspectivisch aanzicht is, gedeeltelijk opengewerkt, van een deel van een omhuld geleiderframesamenstel voortgebracht door de werkwijze uit figuur 1; figuur 6 een perspectivisch aanzicht is van de boven- en beneden-35 vormdelen gebruikt om de omhulde geleiderframesamenstellen van de werkwijze uit figuur 1 voort te brengen; en figuur 7 een doorsnedeaanzicht is genomen door de boven- en bene-denvormsarnenstellen uit figuur 6, waarbij de vormsamenstellen zich in een gesloten stand bevinden en aan elkaar bevestigd zijn zoals gezien 40 gedurende het omhullende proces.
8500638 » * 10
Figuur 1 toont het omhullende deel van een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderbehuizing. Het ingaande 11 naar het stelsel stelt het ingaande afkomstig van eerdere werkstappen uitgevoerd volgens de stand der techniek voor, voor het vervaardigen van een geïn-5 tegreerde schakeling en voor het vervaardigen van een geleiderframecon-structie. Blok 12 stelt de stap van het plaatsen van een geïntegreerde schakeling in het in het midden liggende deel van het geleiderframe voor alsmede het electrisch verbinden van de ingangen en uitgangen van de geïntegreerde schakeling met de overeenkomstige geleiders van het 10 geleiderframe. Blok 13 stelt de stap van het plaatsen van het geleider-framesamenstel in het benedenvormdeel voor, terwijl stap 14 het op zijn plaats bevestigen van het bovenvormdeel boven het benedenvormdeel voorstelt om een volledige vormconstructie om de geleiderframeinrichting te vormen. Blok 15 stelt de stap van het inbrengen, toevoeren of inspuiten 15 van kunststof materiaal in de in het midden liggende holte van de vorm voor, terwijl stap 16 de bron kunststof materiaal dat zo ingespoten wordt voorstelt. Blok 17 stelt de stappen van het verwarmen voor en het samendrukken van het kunststof materiaal binnen de vormholte voor om de geïntegreerde schakeling en geleiderdelen van het geleiderframesamen— 20 stel met gesmolten kunststof materiaal te bedekken. Blok 18 stelt een bron voor proceswarmte voor terwijl blok 19 een drukbron voorstelt.
Blok 20 stelt de stap van het uitharden van het omhulde geleider-framesamenstel voor en blok 21 beeldt de stap van het scheiden van het bovenvormdeel van het benedenvormdeel af. Stap 22 geeft weer dat het 25 bovenvormdeel verwijderd of gescheiden wordt van het benedenvormdeel en getransporteerd wordt voor een reinigingshandeling. Blok 23 geeft de stap van het verwijderen van het geleiderframesamenstel met de omhulde geïntegreerde schakeling en geleiderdeel van het benedenvormdeel weer, en blok 24 stelt het benedenvormdeel voor dat voor een reinigingshande-30 ling getransporteerd wordt. Blok 25 geeft elk verder behandelen van het omhulde geleiderframesamenstel weer, zoals het buigen van de geleider-pennen of uiteinden met een gewenste hoek; dompelsolderen, opslag of dergelijke, zoals in de stand der techniek bekend is.
De reinigingshandeling die weergegeven wordt door het gestippelde 35 blok 26 kan al dan niet in de werkwijze opgenomen zijn, afhankelijk van de behoeften van het stelsel, en stelt tenminste enkele van de fysieke en/of chemische reinigingshandelingen volgens de stand der techniek voor. Het onderhavige stelsel omvat het uitvoeren van de mechanische en/of chemische reinigingshandeling indien vereist of het volledig om-40 lopen van gestippeld blok 26 door het direct toevoeren van het boven- 85 0 0 6 38 • w 11 vormdeel van blok 22 en het benedenvormdeel van blok 24 aan de handeling met omgekeerd sputteren afgebeeld door blok 27. Blok 27 stelt de stap van het omgekeerd sputteren van tenminste bepaalde oppervlaktede-len van de vorm voor om kunststof materiaal, kunststof resten en andere 5 oppervlakteverontreinigingen zoals vuil, olie, vet, stof en dergelijke te verwijderen alsmede verontreinigingen of onzuiverheden zoals oxida-tieprodukten, oxiden, sulfiden, en dergelijke alsmede CF4, enz.. Het uitgaande van de sputterhandeling van blok 27 verschaft de boven- en benedenvormdelen schoon en gereed voor hernieuwd gebruik bij de bene-10 denvormstand of stap van blok 29 en het plaatsen van het bovenvormdeel of stap weergegeven door blok 28.
Tijdens bedrijf geeft de werkwijze uit figuur 1 een continue, of alternatief stap voor stap in lijn zijnde werkwijze weer, waardoor omhulde geleiderframesamenstellen continu vervaardigd worden en zowel de 15 boven- als de benedenvormdelen gereinigd worden na gebruik en teruggevoerd worden voor opvolgend hernieuwd gebruik om de continuïteit van de werkwijze te handhaven.
Figuur 2 toont meer gedetailleerd de werkwijze afgebeeld door blok 27 met de handeling van het omgekeerd sputteren uit figuur 1. In figuur 20 2 is de handeling van blok 27 voor het omgekeerd sputteren afgebeeld als omvattende de stap van het voorzien in een vacuümkamer zoals weergegeven door blok 31 en het voorzien in een anode binnen de vacuümkamer is afgebeeld door blok 32. Een eerste procesbaan afgebeeld door de omcirkelde “A" aangegeven met verwijzingscijfer 30, gaat verder met de 25 stap van het schakelen van het vormdeel als een kathode electrode zoals weergegeven door blok 33 en het vervolgens evacueren van de vacuümkamer in overeenstemming met blok 34. Het stelsel gaat dan verder met het inbrengen van een ioniseerbaar gas in de vacuümkamer zoals afgebeeld door blok 35, en het vervolgens instellen van een electrisch veld tussen de 30 electroden om een gloei-ontlading of plasma daartussen voort te brengen, zoals afgebeeld door blok 36.
De stap van het versnellen van positieve ionen naar het vormdeel dat gereinigd moet worden door ionenbombardement wordt weergegeven door blok 37, en de stap van het transporteren van het gereinigde vormdeel 35 naar een gebruikersstation is weergegeven door blok 38. De uitgaande pijl 39 stelt de opvolgende handelingen voor met betrekking tot de schone vormdelen zoals het terugvoeren of opnieuw gebruiken van de vormen bij de in lijn zijnde werkwijze uit figuur 1.
Blok 44 stelt de stap van het inbrengen van tenminste een vormdeel 40 in de vacuümkamer voor, terwijl gestippelde pijl 45 weergeeft dat de 8500638 Λ 12 stap van blok 44 een alternatieve uitvoering is, die al dan niet omvat kan zijn voor de stap van het voorzien in een anode binnen de vacuümkamer als bij blok 32. Dienovereenkomstig wordt de stap van het afschermen van bepaalde gebieden van het vormdeel om ionenbombardement van de 5 oppervlakken die niet gereinigd hoeven te worden, weergegeven door blok 46 en gestippelde pijl 47 geeft aan dat de stap een alternatieve uitvoering is van de werkwijze die voor de stap van het voorzien in een electrode van blok 32 toegevoegd kan worden.
De alternatieve of tweede proces baan vanaf de stap van het voor-10 zien in een anode uit blok 32 wordt weergegeven door de omcirkelde MBM weergegeven met verwijzingscijfer 41, die verder gaat met de stap van het voorzien in een kathode zoals aangegeven door blok 42. De stap van het voorzien van een kathode, indien gevolgd door de stap van het schakelen van een vormdeel op een gewenste plaats tussen de anode en katho-15 de zoals weergegeven door blok 43, en de werkwijze gaan dan terug naar de stap van het evacueren van de kamer voorgesteld door blok 34.
Tot slot worden de alternatieve stappen van het herstellen van normale druk in de vacuümkamer weergegeven door blok 48; het openen van de kamer wordt weergegeven door blok 49 en het verwijderen van het ge-20 reinigde vormdeel uit de vacuümkamer wordt weergegeven door blok 50. Deze stappen zijn afgebeeld als afwisselend procesontwerp, dat ingeleid kan worden via de gestippeld aangegeven pijl 51 voor de transportstap van blok 38.
Kort beschreven voorzien de omgekeerde sputterhandeling uit figuur 25 2 en de verschillende afwisselende uitvoeringen die daarbij afgebeeld zijn, in een zeer efficiënt, weinig kostend stelsel voor het met omgekeerd sputteren reinigen van bepaalde oppervlaktegebieden van de vormdelen zodat deze opnieuw gebruikt kunnen worden bij een continu in lijn zijnd vorm- of omhullend proces.
30 Figuur 3 is een geschetste afbeelding van een vacuümstelsel dat het voorstel van de onderhavige uitvinding afbeeldt alsmede de omgeving waarin de werkwijze uitgevoerd wordt. Figuur 3 toont de omgekeerde sputterinrichting 52 volgens de onderhavige uitvinding en omvat een vacuümkamer, vacuümomsluitsel of klokstolp 53 met een steunplaat 54 en 35 een ringvormige vacuümdichte afdichting 55. De steunplaat 54 omvat een vacuümopening 56 die via een leiding 57 werkzaam gekoppeld is met een vacuümpomp 58. De leiding 57 omvat, daartussen geplaatst een vacuüm-drukafsluiter en -meter 59, zoals bekend in de stand der techniek. Geregelde hoeveelheden van de atmosfeer binnen de klokstolp 53 kunnen 40 door de vacuümpomp 58 verwijderd worden door de opening 56 en leiding 8500638 * % 13 57 om elke omvang van vacuüm daarin voort te brengen.
De basis 54 omvat eveneens een opening 61 voor inert gas via leiding 62 verbonden met een reservoir 63 voor inert gas. In de leiding 62 zijn een afsluiter en meter 64 voor inert gas aangebracht, die gebruikt 5 kunnen worden om de hoeveelheid inert gas te regelen toegelaten aan de vacuümkamer 53. De afsluiter en meter voor inert gas kunnen bijvoorbeeld enig soort van de algemeen bekende micrometer naaldafsluiters zijn, zoals een Whitney micrometer naaldafsluiter of dergelijke, maar onafhankelijk van het gebruikte soort afsluiter moet deze in staat zijn 10 verhoudingsgewijs lage drukken te meten.
De inrichting 52 voor het omgekeerd sputteren uit figuur 3 omvat eveneens een hol kathodehoudersamenstel 65 met een doorvoeruiteinde 66 voor hoog voltage, een afdichtdeel 67, en een holle kathodesteun of houderdeel 68. De steun 68 is geschikt om een kathode vast te houden, 15 zoals het onderhavige onder- of benedenvormdeel dat gereinigd moet worden en wordt weergegeven door verwijzingscijfer 69. Het te reinigen vormoppervlak 71 kan vormuitsparingen, indrukkingen en dergelijke moeilijk te bereiken vormholten en dergelijke omvatten, zoals aangegeven wordt door de verwijzingscijfers 72. Dienovereenkomstig kan het opper-20 vlak 71 verontreinigingen 73 en materialen zoals overtollig kunststof resten 74 omvatten.
De inrichting 52 omvat verder een anodehoudersamenstel 75 met een doorvoerelectrode 76 voor hoog voltage, een afdichting 77 en een holle anodesteun of -houder 78. De anodesteun 78 omvat, plaatst of brengt 25 werkzaam een anode 79 aan binnen het holle inwendige van de vacuümkamer 53 op afstand liggend van de kathode of vormdeel 69.
Een deel tussen de anode electrode 79 en kathode electrode of vorm 69 wordt weergegeven door de diagonale lijnen 82, die een gloei-ontla-ding of plasmagebied tonen binnen het electrische veld ingesteld tussen 30 de anode 79 en kathode 69. Positieve ionen 81 worden voortgebracht door het electrische veld tussen de anode 79 en kathode 69, waardoor het io-niseerbare gas 70 ioniseert, verschaft uit het gasreservoir 63 en deze positieve ionen worden versneld door het electrische veld ingesteld tussen de anode 79 en kathode 69 naar het oppervlak 71 van de kathode 35 69 om het oppervlak te bombarderen voor het reinigen van zowel het op pervlak 71 als de uitsparing 72. Verwijzingscijfer 83 geeft de algemeen bekende "donkere ruimte" aan beide zijden van het ontlaadgebied 82 aan en kan wezenlijk zijn voor het plaatsen of aanbrengen van de vorm gescheiden van een afzonderlijke kathode, indien dit gewenst is..Een ge-40 lijkstroomvermogenstoevoer 84 kan werkzaam verbonden worden, zodat het 8500638
' Λ V
14 positieve uiteinde via doorvoerelectrode 66 verbonden is met de anode 79, terwijl het negatieve uiteinde via de doorvoerelectrode 76 verbonden is met de kathode 69.
Hoewel verschillende inerte gassoorten gebruikt kunnen worden bin-5 nen de sputterinrichting 52, wordt er de voorkeur aan gegeven dat indien mogelijk een volledig inert gas gebruikt wordt. Het gas volgens de onderhavige uitvinding waar de voorkeur aan gegeven wordt is argon.
Naar keuze wordt een gewenste druk van ongeveer 5 x 10”^ mm kwik ingesteld hoewel hogere of lagere drukken gebruikt kunnen worden afhan-10 kelijk van de onderhavige toepassing, de afmeting van de oppervlaktege-bieden die gereinigd moeten worden enz. Verder wordt, hoewel elk inert gas gebruikt kan worden om de ioniseerbare atmosfeer 70 te vormen binnen de klokstolp of vacuümkamer 53, aan argon de voorkeur gegeven, omdat dit een "zwaar" gas is en in een verhoudingsgewijs grote massa io-15 nen voorziet in vergelijking met andere inerte gassen die gebruikt kunnen worden voor omgekeerd sputteren. Aangezien geldt dat hoe groter het aantal ionen hoe groter de omgekeerd sputterende werking of reinigende werking is, is argon in het onderhavige voorbeeld gekozen.
De vermogenstoevoer 84 brengt bij voorkeur een gelijkstroomvoltage 20 in een gebied tussen 1000 en 2000 volt voort, hoewel het voltage naar wens verhoogd of verlaagd kan worden, afhankelijk van de vereiste stroom en de tijdsduur gedurende welke de gloei-ontlading of plasma gehandhaafd moet worden voor volledige en grondige reiniging.
De werking van het stelsel 52 met omgekeerd sputteren uit figuur 3 25 zal nu kort beschreven worden. De vacuümstolp is voorzien van een electrode 79 en de vorm 69 is geplaatst op de kathodehouder 68 om de in figuur 3 getoonde kathode 69 te vormen. Alternatief kan een afzonderlijke kathode geplaatst worden op de houder 68 en de vorm 69 geplaatst op een gewenste plek tussen de anode 79 en nieuwe kathode geplaatst op de hou-30 der 68 ten einde maximum reiniging van de vormoppervlakken mogelijk te maken.
In beide gevallen wordt de vacuümkamer 53 echter vervolgens gesloten, zuigt de vacuümpomp 58 daarin vacuüm en een inert gas wordt van het reservoir 63 ingebracht om een ioniseerbaar gas 70 binnen de va-35 cuümkamer 53 te vormen. Een gelijkstroompotentiaalbron 84 stelt een electrisch potentiaal of veld in tussen de anode 79 en de kathode 69 en het veld houdt ionisatie van het inerte gas in stand en voorziet in een gloei-ontlading, boogontlading, of plasma in een deel van het gebied tussen de anode 79 en de kathode 69. Wanneer het gas ioniseert, worden 40 positieve ionen versneld door het electrische veld door het plasma om 8500638 15 de bepaalde oppervlaktegebieden 71 van de vorm en de uitsparingen 72 daarin te bombarderen om onzuiverheden, oppervlakteverontreinigingen en dergelijke te reinigen of weg te nemen om de reinigingshandeling van het omgekeerd sputteren te voltooien. Indien het reinigen beëindigd is, 5 wordt door vacuümpomp 58 opnieuw atmosferische druk in de kamer 53 ingesteld, wordt de vacuümkamer geopend en de vorm 69 verwijderd voor opvolgend opnieuw gebruik zoals afgebeeld in de stappen van de werkwijze uit figuur 1 en 2.
Hoewel de inrichting 52 voor het omgekeerd sputteren in figuur 3 10 eenvoudigheidshalve afgebeeld is als klokstolp, zal begrepen worden dat een continue of in lijn zijnde omgekeerde sputterhandeling een inrichting met een volledig verschillende gedaante of verschijning kan vereisen of zelfs gescheiden stelsels voor boven- en benedenvormdelen kunnen ia de werkelijke praktijk gebruikt worden. Figuur 3 is slechts voor il-15 lustratieve doeleinden en moet niet gezien worden als bepalend voor de constructie voor de inrichting voor het omgekeerd sputteren volgens de onderhavige uitvinding.
Figuur 4 toont een geleiderframesamenstel 86 volgens de onderhavige uitvinding en is afgebeeld omvattende een geleiderframe 87 met een 20 geïntegreerde schakeling 88 werkzaam bevestigd, aangebracht of geplaatst nabij het midden van het geleiderframe 87. Het deel 88 van de geïntegreerde schakeling is electrisch gekoppeld of verbonden met de veelheid van ingangs/uitgangsgeleiders 89 die eindigen in de geleider-pennen of verbindingsorganen 91. Aangrenzende geleiderpennen aan een 25 zijde worden weergegeven door verwijzingscijfer 92 en zijn verbonden met een aangrenzend deel van een geïntegreerde schakeling, dat niet afgebeeld is, terwijl aangrenzende geleiderpennen 93 aan de tegenover liggende zijde verbonden zijn met een tweede niet afgebeeld aangrenzend deel van een geïntegreerde schakeling. Zoals uit figuur 4 blijkt omvat 30 het geleiderframesamenstel 86 in werkelijkheid vele afzonderlijke ge-leiderframenevensamenstellen, die elk de eigen geïntegreerde schakeling of deel van de geïntegreerde schakeling daarvan omvat alsmede een veelheid van geleiders die eindigen in geleiderpennen, uiteinden of verbindingsorganen.
35 Figuur 5 toont een deel van de geleiderframe-inrichtlng 86 uit fi guur 4 na het omhullingsproces, en is aangegeven als omhulde geleider-frame-inrichting 95· De inrichting 95 omvat een kunststof omhullend deel 96, werkzaam aangebracht over het deel 88 van de geïntegreerde schakeling en een geleiderdeel 89. van het geleiderframesamenstel 86 uit 40 figuur 4, zodat slechts de geleiderpennen uit uiteinden 97 uitsteken 8500638 0 16 uit het omhullende kunststof materiaal 96. De inrichting 95 is getoond omvattende het geleiderframedeel 87 en de geleiderpennen 97. Dienovereenkomstig zijn, aangezien vele van dergelijke schakelingen gelijkertijd vervaardigd en omhuld worden, de aangrenzende geleiderpennen 99 5 afgebeeld met een deel van het omhulde deel 98 van de schakeling.
Bovendien toont figuur 5 iets van de rest of overstromend kunststof materiaal voortgebracht door de vorminrichting tussen aangrenzende geleiderframes. Het geleiderframe 102 is verbonden met het geleider-frame 87 via een verbindingsorgaan 101 dat een kunststof rest vormt, 10 afgebeeld. Het verbindingsorgaan 101 omvat een ringvormig deel 103, een veelheid van verbindingsbenen 104, en een in het midden liggende opening 105. Al dit kunststof materiaal moet voor gebruik weggebroken en gescheiden worden van de geleiderframes. Dienovereenkomstig worden de geleiderframes zelf zo gescheiden dat de afzonderlijke stellen gelei-15 derpennen verbonden worden met de bijbehorende omhulde delen van de schakeling, waardoor afzonderlijke behuizingen voor schakelingen ontstaan zoals halfgeleiderbehuizingen met twee evenwijdige rijen aan-sluitklemmen enz.
Figuur 6 toont het benedenvormdeel 107 en het bovenvormdeel 114.
20 Het benedenvormdeel 107 is afgebeeld omvattende een vormlijfdeel 106, een vormlijfoppervlak 108, en een geleiderframevormoppervlak 109. Een uitsparing voor kunststof resten wordt weergegeven door verwijzingscij-fer 111 en vormt het verbindingsorgaan 103 voor resten uit figuur 5 zoals eerder beschreven. De uitsparing 112 in het geleiderframe neemt de 25 aangrenzende geleiderframedelen op terwijl de tussenliggende vormopper-vlakken 113 aangebracht zijn tussen aangrenzende geleiderframes.
Het bovenvormdeel 114 omvat een bovenvormlijfdeel 119 met een vormoppervlak 121. Bovendien omvat het bovenvormlijfdeel 119 een gelei-derframeoppervlak 112 met een veelheid van geleiderframe-uitsparingen 30 117 die werkzaam daarin aangebracht zijn. De uitsparingen 115 komen overeen met de uitsparingen 111 van het benedenvormdeel 107 en voeren een overeenkomstige werking uit. Zij-uitsparingen 116 zijn in het oppervlak 121 aanwezig evenals tussenliggende oppervlaktedelen 118 tussen aangrenzende geleiderframeuitsparingen 117.
35 Het bovenvormdeel 114 kan werkzaam aangebracht worden op het bene denvormdeel 107 zodra de geleiderframes werkzaam daarin geplaatst of aangebracht zijn en bevestigd zoals getoond in figuur 7.
Figuur 7 is bedoeld om het gesloten vormsamenstel gebruikt voor het omhullen van de eerder beschreven geleiderframesamenstellen te to-40 nen, en is afgebeeld omvattende het benedenvormdeel of samenstel 107 8500638
* ~ jST
.· 17 met: een vormlijf 106 en het bovenvormdeel of samenstel 114 met een lijfdeel 119« De uitsparing 112 van het geleiderframe van het beneden-vormdeel 107 is werkzaam direct onder de overeenkomstige uitsparing 117 van het bovenvormdeel of samenstel 114 aangebracht· Een in het midden 5 liggende verbindingsring, die holte 111 voortbrengt, is afgebeeld alsmede een kraagdeel 125 dat een inwendig buisvormig kanaal of cylin-drisch deel 123 heeft voor het onderbrengen van een drukorgaan 124. Het vormsamenstel uit figuur 7 kan bijvoorbeeld voorzien zijn van kunststof materiaal via het kanaal 123 en verwarmd worden terwijl druk door or-10 gaan 124 opgebracht wordt om het kunststof materiaal te smelten en dit door de verschillende uitsparingen van de vorm te doen stromen om de gewenste omhulling te verkrijgen·
De overmaat omhullend materiaal en de kunststof resten die hechten aan of zelfs chemisch samengaan met verschillende oppervlaktedelen van 15 de vorm moeten verwijderd worden door de handeling met omgekeerd sputteren volgens onderhavige uitvinding voordat de vormdelen opnieuw gebruikt kunnen worden bij de werkwijze met het continu in lijn zijnde omhullen volgens de onderhavige uitvinding.
Het opnemen van de inrichting met omgekeerd sputteren in het stel-20 sel volgens de onderhavige uitvinding en/of het opnemen van de werkwijze van het reinigen van de verschillende vormoppervlakken door omgekeerde sputtertechnieken stelt de vormen in staat gebruikt te worden bij een continue in lijn zijnde werkwijze voor het omhullen van gelei-derframes of elk halfgeleideronderdeel, terwijl de kwaliteit met be-25 trekking tot de zuiverheid vereist voor dergelijke inrichtingen verzekerd wordt alsmede de snelheid vereist voor het continue bedrijf en de economie noodzakelijk voor doelmatige concurrentie.
Hoewel een bijzondere inrichting en stappen van de werkwijze beschreven zijn voor het illustreren van de voorkeursuitvoering van de 30 onderhavige uitvinding, zal het door degene bekwaam in de stand der techniek duidelijk zijn dat het verschillende wijzigingen en veranderingen aan zowel de inrichting als de werkwijze die hier getoond en beschreven is uitgevoerd kunnen worden, zonder buiten het bereik en de gedachte van de onderhavige uitvinding te geraken.
8500638
Claims (14)
1. Werkwijze voor het reinigen van vormen omvattende de stappen bestaande uit: 5 het voorzien in een vacuümkamer; het transporteren van een te reinigen vorm naar de vacuümkamer; het evacueren van de kamer; gekenmerkt door het toelaten van een ioniseerbaar gas in de vacuümkamer; en 10 het bombarderen van de vormoppervlakken die gereinigd moeten wor den met ionen voor het verwijderen van oppervlakteverontreinigingen door omgekeerd sputteren*
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk* dat de stap van het bombarderen van de vormoppervlakken die gereinigd moeten worden om- 15 vat de stappen bestaande uit: het voorzien in een anode; het electrisch schakelen van de vorm die gereinigd moet worden als een kathode; het instellen van een electrisch potentiaalveld tussen de anode 20 en kathode voor het onderhouden van een gloei-ontlading binnen de vacuümkamer; het ioniseren van het gas binnen de vacuümkamer; en het versnellen van de positieve ionen naar de kathode voor het reinigen van het oppervlak daarvan door ionenbombardement.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, gekenmerkt door de stap van het selectief afschermen van delen van de vorm tegen ongewenst ionenbombardement.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, gekenmerkt door de stap van het herstellen van de atmosfeer in de vacuümkamer; het openen van de va- 30 cuümkamer; en het verwijderen van de gereinigde vorm uit de vacuümkamer.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stap van het ioniseren van de vormoppervlakken omvat de stappen bestaande uit: het voorzien in een kathode op een bepaalde afstand liggend van 35 de anode; het koppelen van de vorm die gereinigd moet worden op een bepaalde plaats tussen de anode en de kathode; het opbrengen van een electrische gelijkstroompotentiaal tussen de anode en de kathode voor het instellen en handhaven van een plasma 40 daartussen; 8500638 het ioniseren van het gas ingebracht in de vacuümkamer; en . het versnellen van de positieve ionen naar het oppervlak van de vorm die gereinigd moet worden door het electrische veld ingesteld tussen de anode en kathode.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, gekenmerkt door de stap van het selectief maskeren van delen van het vormoppervlak om ongewenst omgekeerd sputteren daarvan te beletten.
7. Werkwijze volgens conclusie 5, gekenmerkt door de stappen bestaande uit: 10 het herstellen van normale atmosferische druk in de vacuümkamer; het openen van de vacuümkamer; en het verwijderen van de gereinigde vorm voor opvolgend en hernieuwd gebruik.
8. Stelsel voor het continu omhullen van het deel van de gelnte-15 greerde schakeling en ingangs/uitgangsgeleiderdeel van een geleider- framesamenstel met gebruik van de werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies omvattende middelen voor het plaatsen van het gelei-derframesamenstel in een benedenvormdeel, middelen voor het plaatsen en bevestigen van een bovenvormdeel boven het benedenvormdeel om een vorm-20 samenstel te vormen, middelen voor het toevoeren van kunststof omhul-lingsmateriaal in een vormholte van het vormsamenstel, middelen voor het verwarmen en onder druk brengen van het kunststof materiaal voor het doen stromen van de gesmolten kunststof over de delen van het ge-leiderframesamenstel die omhuld moeten worden, middelen voor het uit-25 harden van het omhulde geleiderframesamenstel, middelen voor het scheiden van het bovenvormdeel van het benedenvormdeel, middelen voor het verwijderen van het omhulde geleiderframesamenstel van het benedenvormdeel, en middelen voor het reinigen van de vormdelen voor opvolgend nieuw gebruik, verbeterde reinigingsmiddelen voor het verwijderen van 30 het overblijvende kunststof materiaal, kunststof resten en kunststof verontreinigingen zoals vuil, olie, vet, stof, oxidatieprodukten, CF4 en dergelijke van tenminste bepaalde oppervlakken van de vormdelen voor opvolgend hernieuwd gebruik omvattende: vacuümomsluitende middelen; 35 middelen voor het plaatsen van een vormdeel dat gereinigd moet worden binnen de vacuümomsluitende middelen; middelen voor het voortbrengen van een wezenlijk vacuüm in de vacuümomsluitende middelen; gekenmerkt door middelen voor het inbrengen van een inert ioni-40 seerbaar gas in de vacuümkamer; 8500638 ft· o middelen voor het opwekken van een plasmaveld binnen de vacuümkamer voor het ioniseren van het gas; en middelen voor het bombarderen van de bepaalde oppervlaktegebieden van de vormdelen die gereinigd moeten worden met ionen voor het daarvan 5 verwijderen van de oppervlakteverontreinigingen.
9. Stelsel volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat het middel voor het opwekken van een plasmaveld omvat: anode middelen; kathode middelen omvattende het vormdeel dat gereinigd moet wor-10 den; en middelen voor het opwekken van een electrisch veld tussen de anode en de kathode om het plasma op te wekken en te handhaven om de omgekeerde sputterhandeling mogelijk te maken om de oppervlakteverontreinigingen van het vormdeel door reinigen weg te nemen.
10. Stelsel volgens conclusie 9, gekenmerkt door middelen voor het transporteren van de vormdelen die gereinigd moeten worden naar de vacuümkamer en middelen voor het transporteren van de gereinigde vormsa-menstellen van de vacuümkamer naar een station voor daaropvolgend hernieuwd gebruik.
11. Stelsel volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat het stelsel bovendien omvat middelen voor het selectief afschermen van bepaalde oppervlaktegebieden van de vormdelen voor het maskeren daarvan tegen de omgekeerde sputterhandeling.
12. Stelsel volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat het plasma 25 voortbrengende middel omvat: anode middelen; kathode middelen op afstand liggend van de anode middelen; middelen voor het naar keuze plaatsen van het vormdeel dat gereinigd moet worden op een voorafbepaalde plaats tussen de anode midde-30 len en de kathode middelen voor maximale doelmatigheid van het reinigen^ en middelen voor het opwekken van een electrisch veld tussen de anode en kathode om de omgekeerde sputterhandeling op gang te brengen en te handhaven voor het reinigen van tenminste bepaalde oppervlaktegebieden 35 van het vormdeel dat gereinigd moet worden door ionenbombardement.
13. Stelsel volgens conclusie 12, gekenmerkt door middelen voor het transporteren van vormdelen die gereinigd moeten worden naar de vacuümkamer en middelen voor het transporteren van gereinigde vormdelen naar een werkstation voor daaropvolgend hernieuwd gebruik.
14. Stelsel volgens conclusie 11, gekenmerkt door middelen voor 8500638 f· het naar keuze maskeren van. delen van het vormoppervlak om het ionen-* bombardement tijdens de behandeling met omgekeerd sputteren te voorkomen* 8500638
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/586,853 US4534921A (en) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | Method and apparatus for mold cleaning by reverse sputtering |
US58685384 | 1984-03-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8500638A true NL8500638A (nl) | 1985-10-01 |
Family
ID=24347355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8500638A NL8500638A (nl) | 1984-03-06 | 1985-03-06 | Werkwijze en inrichting voor het reinigen van vormen door omgekeerd sputteren. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4534921A (nl) |
JP (1) | JPS616285A (nl) |
DE (1) | DE3508004A1 (nl) |
FR (1) | FR2578482A1 (nl) |
GB (1) | GB2155844B (nl) |
NL (1) | NL8500638A (nl) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH067542B2 (ja) * | 1984-11-22 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 製造装置 |
US4934920A (en) * | 1987-06-17 | 1990-06-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor device |
JPH01144636A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
AT388884B (de) * | 1988-02-05 | 1989-09-11 | Miba Gleitlager Ag | Verfahren zum reinigen eines metallischen werkstueckes mit oberflaechenteilen aus verschiedenem werkstoff durch ionenbeschuss aus einer gasentladung |
US4946518A (en) * | 1989-03-14 | 1990-08-07 | Motorola, Inc. | Method for improving the adhesion of a plastic encapsulant to copper containing leadframes |
US4877482A (en) * | 1989-03-23 | 1989-10-31 | Motorola Inc. | Nitride removal method |
US4896813A (en) * | 1989-04-03 | 1990-01-30 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method and apparatus for cold rolling clad sheet |
US5075256A (en) * | 1989-08-25 | 1991-12-24 | Applied Materials, Inc. | Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer |
US5213650A (en) * | 1989-08-25 | 1993-05-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer |
DE69020553T2 (de) * | 1990-07-24 | 1995-12-21 | Inst Elektroniki Im U A Arifov | Elektrische Lichtbogenbehandlung von Teilchen. |
AU639469B2 (en) * | 1990-07-26 | 1993-07-29 | Institut Elektroniki Imeni U.A.Arifova Akademii Nauk Uzbexkoi Ssr | Method and apparatuses for electric arc treatment of parts |
DE69317035T2 (de) * | 1992-11-09 | 1998-06-10 | Chugai Ings Co | Herstellungsverfahren eines Kunststoffformkörpers mit elektromagnetischer Abschirmung |
US5373140A (en) * | 1993-03-16 | 1994-12-13 | Vernay Laboratories, Inc. | System for cleaning molding equipment using a laser |
JPH06285868A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-11 | Bridgestone Corp | 加硫金型の清浄方法 |
DE4427259A1 (de) * | 1994-07-30 | 1996-02-01 | Mtu Muenchen Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung oder Vorwärmung von Bauteiloberflächen |
DE19549488C2 (de) * | 1995-01-05 | 2001-08-02 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur chemischen Naßbehandlung |
JPH0957757A (ja) * | 1995-03-27 | 1997-03-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 成形品及びその製造方法並びに成形用金型装置 |
US5769953A (en) * | 1995-05-01 | 1998-06-23 | Bridgestone Corporation | Plasma and heating method of cleaning vulcanizing mold for ashing residue |
IL114097A (en) * | 1995-06-11 | 2000-08-13 | Sizary Mat Purification Ltd | Cleaning system and method |
JPH09123206A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
EP0790113B1 (en) * | 1996-02-15 | 2001-09-12 | Bridgestone Corporation | Method for cleaning vulcanization mold |
GB9603295D0 (en) * | 1996-02-16 | 1996-04-17 | Boc Group Plc | Process and apparatus for surface cleaning |
KR0174982B1 (ko) * | 1996-02-23 | 1999-02-01 | 김광호 | 프리히팅을 이용한 타블렛 먼지 제거 장치 및 제거방법 |
US6177356B1 (en) | 1997-06-05 | 2001-01-23 | Sizary Ltd. | Semiconductor cleaning apparatus |
WO1999050888A2 (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-07 | Sizary Ltd. | Semiconductor purification apparatus and method |
JP4627916B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-02-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化装置 |
DE10254762A1 (de) * | 2002-11-22 | 2004-06-09 | Transcoject Gesellschaft für medizinische Geräte mbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung und/oder Handhabung eines hochreinen Gegenstandes |
US7635418B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-12-22 | Nordson Corporation | Plasma processing apparatus and methods for removing extraneous material from selected areas on a substrate |
US20060201910A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-09-14 | Nordson Corporation | Methods for removing extraneous amounts of molding material from a substrate |
US20080057528A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Detection of hydrogen peroxide released by enzyme-catalyzed oxidation of an analyte |
JP5137635B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置 |
EP2243148B1 (en) * | 2008-01-25 | 2016-08-03 | Novartis AG | Apparatus for the plasma treatment of contact lens molds made of glass |
US20130255717A1 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-03 | Kla-Tencor Corporation | System and method for cleaning surfaces and components of mask and wafer inspection systems based on the positive column of a glow discharge plasma |
RU2726051C1 (ru) * | 2019-12-16 | 2020-07-08 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Волгоградский ГАУ) | Способ упрочнения лезвий рабочих органов орудий для разработки почвогрунтов |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3233137A (en) * | 1961-08-28 | 1966-02-01 | Litton Systems Inc | Method and apparatus for cleansing by ionic bombardment |
US3669861A (en) * | 1967-08-28 | 1972-06-13 | Texas Instruments Inc | R. f. discharge cleaning to improve adhesion |
US3654108A (en) * | 1969-09-23 | 1972-04-04 | Air Reduction | Method for glow cleaning |
US3968018A (en) * | 1969-09-29 | 1976-07-06 | Warner-Lambert Company | Sputter coating method |
US3776762A (en) * | 1971-10-18 | 1973-12-04 | Kote Corp Du | Dry lubrication |
JPS5010232A (nl) * | 1973-06-01 | 1975-02-01 | ||
FR2237311B1 (nl) * | 1973-07-12 | 1977-05-13 | Ibm France | |
DE2647088B2 (de) * | 1976-10-19 | 1979-04-05 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Oberflächen |
US4126530A (en) * | 1977-08-04 | 1978-11-21 | Telic Corporation | Method and apparatus for sputter cleaning and bias sputtering |
US4313815A (en) * | 1978-04-07 | 1982-02-02 | Varian Associates, Inc. | Sputter-coating system, and vaccuum valve, transport, and sputter source array arrangements therefor |
US4278493A (en) * | 1980-04-28 | 1981-07-14 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning surfaces by ion milling |
JPS6053752B2 (ja) * | 1980-09-19 | 1985-11-27 | 日本真空技術株式会社 | プラズマクリ−ニング装置 |
GB2104827B (en) * | 1981-07-01 | 1985-09-11 | Kras Corp | Molding of electronic components |
GB2108533A (en) * | 1981-10-30 | 1983-05-18 | British Steel Corp | Ion plating |
JPS58193370A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-11 | Toshiba Corp | 表面処理方法及びその適用方法 |
-
1984
- 1984-03-06 US US06/586,853 patent/US4534921A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-05 GB GB08505653A patent/GB2155844B/en not_active Expired
- 1985-03-06 NL NL8500638A patent/NL8500638A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-03-06 JP JP60044518A patent/JPS616285A/ja active Pending
- 1985-03-06 FR FR8503979A patent/FR2578482A1/fr active Pending
- 1985-03-06 DE DE19853508004 patent/DE3508004A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8505653D0 (en) | 1985-04-03 |
JPS616285A (ja) | 1986-01-11 |
US4534921A (en) | 1985-08-13 |
DE3508004A1 (de) | 1986-07-10 |
FR2578482A1 (fr) | 1986-09-12 |
GB2155844B (en) | 1987-12-02 |
GB2155844A (en) | 1985-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8500638A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het reinigen van vormen door omgekeerd sputteren. | |
US3654108A (en) | Method for glow cleaning | |
JP2568371B2 (ja) | 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理 | |
KR100321352B1 (ko) | 납땜또는주석도금전의금속표면에건식플럭스를도포하는방법및장치 | |
KR102035585B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
US2681402A (en) | Method of welding aluminum and aluminum alloys | |
MX2012008943A (es) | Aparato y metodo para la remocion de oxidos superficiales por la via de la tecnica sin fundente que involucra la union de electrones. | |
JP2009506915A (ja) | 移動式金型洗浄装置及び金型洗浄方法 | |
US4781804A (en) | Electrolytic organic mold flash removal | |
GB2159753A (en) | Method and apparatus for cleaning lead pins and the like before soldering operations | |
JPH07180091A (ja) | アルミニウム板、その製造方法及び該アルミニウム板を用いた防着カバー | |
JPH07106307A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JPH07211489A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
KR20020029978A (ko) | 반도체 제조용 플라즈마 식각장치 | |
JP4325280B2 (ja) | 電子部品の処理方法 | |
FR2560797A1 (fr) | Procede et appareil pour le nettoyage par pulverisation inverse sous vide des fiches de connexion et similaires avant des operations de soudage | |
EP1477188A1 (fr) | Procédé de nettoyage et de décontamination bactérienne de pièces mécaniques à usage médical, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé | |
TW200930158A (en) | Jet plasma gun and plasma device using the same | |
RU2139151C1 (ru) | Способ очистки металлических поверхностей и устройство для его осуществления | |
JPH02250325A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH02148647A (ja) | イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 | |
JPS62217548A (ja) | イオン注入装置 | |
RU2026417C1 (ru) | Устройство для вакуумно-плазменного нанесения неэлектропроводящих покрытий на изделия в среде рабочего газа | |
JPH03292730A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3997388B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed |