NL8302963A - Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof. - Google Patents
Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8302963A NL8302963A NL8302963A NL8302963A NL8302963A NL 8302963 A NL8302963 A NL 8302963A NL 8302963 A NL8302963 A NL 8302963A NL 8302963 A NL8302963 A NL 8302963A NL 8302963 A NL8302963 A NL 8302963A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- isfet
- electrode
- mosfet
- diode
- chip
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 235000015110 jellies Nutrition 0.000 description 1
- 239000008274 jelly Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4141—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for gases
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Description
""*"***' * f ' ~ ' s. ·*·
r , L
^ t VO. 5074 Uitvinders: HendriJcus Comelis Geert Ligtenberg en Albertus Veld.
CORDIS EUROPA N.V., te Roden,
Titel: inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof, welke inrichting een meetcircuit omvat waarin een chemisch selectieve ionensensor in de vorm van een ion - gevoelige veldeffecttransistor(ISFET) en een referen-5 tieëlektrode zijn opgenomen, en een versterker.
Een dergelijke inrichting is bekend en, afhankelijk van de gebruikte ISFET- sensor, geschikt om, via het meetcircuit gedompeld in een vloeistof, slectief de ionaktiviteit te meten in die vloeistof, zoals de pH, pK, pNa enz.
10 Hoewel de in een dergelijke inrichting toegepaste ISFET in het bijzonder op medisch en biomedisch gebied ruimschoots zijn bruikbaarheid heeft bewezen, zijn er aan deze bruikbaarheid in de praktijk niettemin grenzen gesteld. Daarbij is in het algemeen te bedenken dat alle potentiaal verschillen welke ontstaan tussen het oppervlak van 15 de ISFET gate-isolator en de onderliggende bulk, leiden tot een elektrisch veld in de ISFET gate-isolator.
Indien dit elektrische veld een maximumwaarde overschrijdt, hetgeen kan worden veroorzaakt door invloeden van buiten af, kan dielektrische doorslag in het gate-isolatorgebied optreden en de 20 ISFET worden beschadigd.
Indien de gate - isolator uit een meerlagensysteem bestaat ( bij voorbeeld uit combinaties van Si^ - SigN^ of SiO^ - AlgC^) kan een te sterk elektrisch veld nog tot een ander effect leiden, namelijk tot een verschuiving van de drempelspanning van de ISFET die 25 permanent kan zijn of zich anders slechts na lange tijd herstelt hetgeen op zijn beurt tot gevolg heeft dat de inrichting blijvend of tijdelijk onbruikbaar is omdat de calibratie van de inrichting verstoord is.
η" a o r* Cf Ύ
ov y i j O O
- 2 - Ψ' ¥+
De hierboven veronderstelde invloeden van buiten af binnen de toepassingssfeer van ISFET-sfinsoren kunnen afkomstig zijn van bijvoorbeeld elektrochirurgische apparatuur, hartdefibrillatie - apparatuur, elektromagnetische tivloeden tengevolge van het in- of uit-scha-5 kelen van inductie-elementen, maar ook van elektrostatische spanningen,., ontstaan tijdens de vervaardiging van de ISFET-sensor of tijdens toepassing van de inrichting in de praktijk.
Doel van de uitvinding is een inrichting van de in de aanhef vermelde soort waarvoor de bovengenoemde beperkingen met betrek-10 king tot de toepasbaarheid daarvan geheel of nagenoeg geheel zijn opgeheven zonder dat de te nemen maatregelen het gedrag van de ISFET-sen-sor onder normale gebruiksomstandigheden nadelig beïnvloeden.
Volgens de uitvinding wordt hiertoe een inrichting verschaft die tot kenmerk heeft dat het meetcircuit verbonden is .met 15 een beschermdrcuit dat tenminste een elektrode bevat die door tussenkomst van een beveiligend element met lage impedantie voor hoge spanningen en een hoge weerstand voor lage spanningen verbonden is met het meetcircuit via een laagimpedant contact.
Maatregelen ter bescherming van ISFET-sensoren tegen 20 beschadiging daarvan bij aanwezigheid van hoge spanningen worden ook geopenbaard door Rosemary Smith in "Ion Sensitive F.E.T. with polysilicon gates", proefschrift, Uni versiteit van Utah, juni 1982. De in deze publikaties voorgestelde maatregelen hebben daarop betrekking, dat op de gate-isolator een geleidende polysiliciumlaag wordt aangebracht die 25 via een Zener-diode of een MOSFET-schakelaar is aangesloten op de sour-ce-elektrode van de ISFET. De polysiliciumlaag dientop zijn beurt te worden voorzien van een met de te onderzoeken vloeistof in contact te brengen iongevoelige materiaal laag. Gebleken is echter dat de voorgestelde bescherming niet dan slechts in speciale situaties werkzaam is.
30 De volgens de uitvinding voorgestelde maatregelen, die eenvoudig realiseerbaar zijn, zijn in de praktijk daarentegen universeel werkzaam.
De keuze voor een beveiliqingselement volgens de uitvinding berust od de voorwaarde dat binnen het werkzame gebied van de ISFET eventuele aanwezigheid van lekstromen aanleiding geven tot een verschuiving 8302033 «S. '4 -3- in de referent!eëlektrodepotentiaal die gelijk is aan het produkt van lekstroom en impedantie. Deze verschuiving draagt bij aan de elektrochemische potentiaa-1 in het meetcircuit en heeft aldus een negatieve invloed op de nauwkeurigheid van de meting die ontoelaatbaar wordt als 5 de lekstroom boven een aanvaardbare grens komt, bijvoorbeeld meer bedraagt dan 10 nA. Binnen het werkzame gebied van de ISFET moeten de gelijkstromen die door de beveiligende elementen kunnen lopen derhalve beneden de aanvaardbare grens worden gehouden.
Volgens een nadere uitwerking van de uitvinding bevat 10 het beschermcircuit een eerste elektrode die bij dompelen van de inrichting in de te onderzoeken vloeistof daarmede een laag-impedant contact heeft, en voorts een tweede elektrode die op zo kort mogelijke afstand van de ISFET-gate isolator is aangebracht terwijl beide elektroden elk via een beveiligend element door middel van een laag-15 imoedant contact verbonden zijn met de ISFET. eerste
De volgens de uitvinding toe te passen/elektrode is bij voorkeur vervaardigd uit een metaal, bijvoorbeeld uit roestvast staal met goede bloedcompatibiliteit of ook uit titaan, in het algemeen een geleidend materiaal met goede bloedcompatibiliteit, en bezit een 20 opnervlak, dat voldoende groot is voor het bij dompeling van de inrichting in de te onderzoeken vloeistof doen ontstaan van het laag-impedant contact met de vloeistof.
De eerste elektrode, die dient om de ISFET te beschermen tegen hoge wisselspanningen welke bijvoorbeeld voorkomen bij toe-25 passing van elektrochirurg'fsche apparatuur, kan via een condensator, een diode en/of een MOSFET die in geleidende toestand geraken buiten het werkingsgebied van de ISFET, en/of een mechanische schakelaar als de beveiligende elementen aangesloten zijn op een contact dat in laag-impedante verbinding staat met de bulk van de ISFET, bijvoorbeeld het 30 source-, drain- of bulkcontact.
De tweede elektrode kan zijn uitaevoerd als een stroom-oeleidende vork, strip of ring, bij voorkeur een ring uit een stroomge-leidend materiaal zoals aluminium of polysilicium, die rond het gate-gebied van de ISFET is aangebracht en via een diode en/of MOSFET, die in gelei-
o ™ ^ O 3 £ 7 V V iL d -J V
«F *' -4- dende toestand geraken buiten het werkingsgebied van de ISFET, bijvoorbeeld een Zenerdiode of een avalanche- of lawinediode respectievelijk een MOSFET met hoge drempel spanning op het meetcircuit is aangesloten.
De volgens de uitvinding te gebruiken diode of MOSFET 5 welke in geleidende toestand geraken buiten het werkingsgebied van de ISFET hebben een doors!agspanning die lager ligt dan de spanning waarbij de schade berokkenende effecten optreden. Met de aldus met het meetcircuit verbonden tweede elektrode wordt bescherming van de ISFET-sensor verkregen tegen elektrostatische spanningen die tijdens de 10 fabrikage van de sensor of ook tijdens de toepassing daarvan kunnen optreden.
De toepassing van een diode en/of MOSFET volgens de uitvinding als het beveiligende element kunnen deze in combinatie voor zowel de eerste als de tweede elektrode worden gebruikt. Deze elementen 15 kunnen op de chip zijn aangebracht.
Bij de keuze van een condensator wordt er verder voor gezorgd dat de capaciteit van de condensator voldoende hoog is opdat de impedantie laag genoeg is voor de frequentie van de aangelegde storende wisselspanning, bijyoorbeeTd die welke bij de elektrochirurgie 20 wordt aangelegd. Een capaciteit van 100 nF of meer voldoet in het algemeen voor dit doel.
De condensator kan desgewenst worden opgenomen in de versterker.
Bij toepassing van een mechanische schakelaar is het 25 doelmatig daarvoor een relaisschakelaar te gebruiken die door de sto-ringsbron wordt geaktiveerd en wordt gehouden zolang de storing duurt.
Bijvoorbeeld wordt bij de inrichting volgens de uitvinding het beschermcircuit zodanig samengesteld, dat de eerste elektrode is aangesloten op de condensator en de tweede elektrode is aangesloten 30 op de diode en/of MOSFET.
De uitvinding heeft eveneens betrekking op een ISFET-chip, die in de inrichting volgens de uitvinding kan worden toegepast en voorzien is van een op zo kort mogelijke afstand van de ISFET-gate isolator op de chip aangebrachte elektrode. De elektrode kan daarbij 83 C ^ j 3 3 -5- ** ‘i zijn uitgevoerd als een metalen ring die rond het gate-gebied van de ISFET is aangebracht. Voorts kan op de ISFET-chip een diode en/of MOSFET zijn aangebracht waarmede de elektrode verbonden is.
Het beschermcircuit volgens de uitvinding biedt afdoende 5 bescherming tegen externe invloeden tengevolge van elektromagnetische storingsbronnen die men kan tegenkomen op biomedisch en industrieel gebied, bijvoorbeeld in die gevallen dat de ISFET-sensor bevattende inrichting wordt toegepast in samenwerking met elektrochirurgische apparatuur of hartdefibrillatie-apparatuur. De bescherming strekt zich 10 verder uit tot het gevaar voor het optreden van elektrostatische spanningen zoals tijdens de fabrikage van de ISFET-sensor of ook tijdens de toepassing van de inrichting in de praktijk kan plaatsvinden. Bovendien is de met het beschermcircuit volgens de uitvinding verkregen bescherming werkzaam in combinatie met alle typen behuizingen van de ISFET-sensor, 15 bijvoorbeeld in geval van kathetertip-sensoren, stroomcellen en andere behuizingstypen.
De uitvinding wordt aan de hand van de tekening nader toegelicht. In de tekening toont figuur 1 schematisch een schakeling van een meetcir-20 cuit voor het selectief meten van ionen in een vloeistof waarop het beschermcircuit is aangesloten; figuur 2 schematisch in perspectivisch aanzicht een kathetertip ISFET-sensor; figuur 3 schematisch in bovenaanzicht een ISFET-chip 25 die voorzien is van een beschermelektrode, en figuur 4 grafisch de ISFET- en diodekarakteristieken bij toepassing van een diode als het beveiligende element.
In de in figuur 1 getoonde schakeling stellen 1,2 en 3 respectievelijk de tot het meetcircuit behorende referentie-elektrode, 30 ISFET en versterker voor, Het beschermcircuit bestaat uit de tweede, op de ISFET aangebrachte elektrode 5, de eerste elektrode 4 en de door 5 en 7 aangegeven diode, condensator, hoge-drempel MOSFET schakelaar of combinaties van deze elementen voor.
De kathetertip ISFET-sensor 8, weergegeven in figuur 2,
Sc Γ f. ? 13 -6- bevat een referentie-elektrode die in het einddeel :van-9 van de katheter is gemonteerd. De eerste metaal elektrode 10 is uitgevoerd als een me-talen ring met een oppervlak van ongeveer 1 cm waarmede een laag-impedant, contact met de vloeistof, waarin de katheter moet worden gedompeld, wordt verkregen. De ring 10 is elektrisch verbonden met een eind-aansluiting op 5 het ISFET-chip via een polypropeencondensator met een capaciteit van 100 nF, die in dit geval is oogenomen in het ISFET-versterkercircuit. Door 11 wordt de ISFET-sensor/waar§?|V de ISFET-chip ondergebracht is in een huis uit een epoxyhars
In figuur 3 is de in de kathetertip volgens 2 toegepaste ISFET-chip 12 weergegeven. De chip is voorzien van in de bulk 10 gediffundeerde source en drain 15 en 16, die op hun beurt voorzien zijn van het source/bulk-contactelement 17 en het drain-contactelement 18.
De beschermelektrode, dat wil zeggen de tweede elektrode is aangegeven door 13 en is elektrisch verbonden met de in de ISFET-chip 12 gediffundeerde diode 14. De tweede elektrode 13 bestaat uit een aluminiumring die 15 rond het gate-gebied op de chip 12 is aangebracht.
In het in figuur 4 weergegeven diagram is op de horizontale as de potentiaal VRB van de referentieëlektrode ten opzichte van de bulk van de ISFFT a-Pgezet en op de verticale as de stroomsterkte, waarbij 1^ de diodestroom en 1^ de drain-source stroom is. Het in het 20 diagram gearceerde gebied geeft het werkgebied van de ISFET-sensor weer.
Door A is het punt van dè diode^-doorslag en door B de diode-doorlaat karakteristiek aangegeven.
Uiteraard kunnen aan de inrichting en de ISFET-chip volgens de uitvinding zoals in het vorenstaande besproken en in de 25 tekening getoond is, wijzigingen worden aangebracht zonder dat men daarbij het kader van de uitvinding verlaat.
8-f n f* .-1 o υ y o o
Claims (8)
1. Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof, welke inrichting een meetcircuit omvat waarin een chemisch selectieve ionensensor in de vorm van een iongevoelige veldeffectran-sistor (ISFET) en een referentieëlektrode zijn opgenomen, en een versterker, 5 met het kenmerk, dat het meetcircuit verbonden is met een beschermcircuit,dat tenminste een elektrode bevat, die door tussenkomst van een beveiligend element met lage impedantie voor hoge spanningen en een hoge weerstand voor lage spanningen verbonden is met het meetcircuit via een laagimpedant contact.
2. Inrichting volgens conclusie l,met het ken merk, dat het beschermcircuit een eerste elektrode bevat, die bij dompeling van de inrichting in de te onderzoeken vloeistof daarmede een laag-impedant contact heeft, en voorts een tweede elektrode, die on zo kort mogelijke afstand van de ISFET-gate isolator is aangebracht, 15 en beide elektroden elk via het corresponderende beveiligingselement verbonden zijn met een laag-impedant contact voor de ISFET.
3. Inrichting volgens conclusie 2, met het ken merk, dat de eerste elektrode vervaardigd is uit een geleidend materiaal en een oppervlak bezit dat voldoende groot is voor het bij dom- 20 peling van de inrichting in de te onderzoeken vloeistof creeëren van een laag-impedant contact met de vloeistof.
4. Inrichting volgens conclusies 2-3, met het kenmerk, dat de eerste elektrode via een condensator, een diode en/of MOSFET die in geleidende toestand geraken buiten het werkings- 25 gebied van de ISFET, en/of een mechanische schakelaar aangesloten is op een contact dat in laag-impedante verbinding staat met de bulk van de ISFET. 83 0 2 9 03 -8-
5. Inrichting volgens conclusies 2-3, m e t het kenmerk, dat de tweede elektrode is uitgevoerd als een metalen ring die rond het gate-gebied van de ISFET is aangebracht en via een diode en/of een MOSFET, die in geleidende toestand buiten het 5 werkingsgebied van de ISFET geraken, op het meetcircuit is aangesloten.
6. Inrichting volgens conclusies 4-5, met het kenmerk, dat bij toepassing van de diode of de MOSFET deze aange- bracht zijn op de ISFET-chip.
7. Inrichting volgens conclusie 5, met het ken-10 m e r k, dat de condensator een capaciteit van ongeveer 100 nF of hoger bezit.
8. Inrichting volgens conclusies 4-7, met het k e n m e r k, dat de condensator opgenomen is in de versterker.
9. Inrichting volgens conclusie 4, m e t het k e n- 15. e r k, dat de mechanische schakelaar een door de storingsbron gedurende de duur van de storing te aktiveren relaisschakelaar is.
10. Inrichting volgens conclusies 4-6, met het kenmerk, dat in het beschermcircuit de eerste elektrode is aangesloten op de condensator en de tweede elektrode is aangesloten 20 op de diode en/of de MOSFET.
11. ISFET-chip, gekenmerkt door een op zo kort mogelijke afstand van de ISFET-gate isolator op de chip aangebrachte elektrode.
12. ISFET-chip volgens conclusie 11,met het ken merk, dat de elektrode is uitgevoerd als een metalen ring die rond 25 het gate-gebied van de ISFET is aangebracht.
13. ISFET-chip volgens conclusies 12-13, met het ken merk, dat de elektrode verbonden is met een op de chip aangebrachte diode en/of MOSFET, die in geleidende toestand geraken buiten het werkingsgebied van de ISFET. ~ o .--vff X/ %y ·"' ία V cf VEREENIGDE OCTROOIBUREAUX O.a. 83.02963 Ned. KI. 's-gravenhage(hólland) Behoort bij schrijven d.d. 7.11.198! Vm/ig s. V. a I £j -SNOVW3 I —^..11' . -___ 1 i Verbeteringen van errata in de beschrijving behorende bij octrooiaanvrage No. 83,02963 voorgesteld door aanvraagster d.d, 7 november 1983, blz. 1, regel 8; "slectief" wijzigen in "selectief"; blz. 5, regel 32: tussen "MOSFET" en “schakelaar" een inlassen; blz. 6, regel 5: "het" wijzigen in "de"; blz. 7, regel 3: "veldeffectran-" wijzigen in "veldeffecttran-"; blz. 7, regel 12: "de inrichting" wijzigen in "het meetcircuit"; blz. 7, regel 20: "de inrichting" wijzigen in "het meetcircuit".
8. U ·-; I* 3 o M5
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8302963A NL8302963A (nl) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof. |
| US06/641,911 US4589970A (en) | 1983-08-24 | 1984-08-16 | Apparatus for selectively measuring ions in a liquid |
| DE8484201154T DE3480430D1 (en) | 1983-08-24 | 1984-08-23 | Apparatus for selectively measuring ions in a liquid |
| CA000461659A CA1228894A (en) | 1983-08-24 | 1984-08-23 | Apparatus for selectively measuring ions in a liquid |
| EP19880200725 EP0307973B1 (en) | 1983-08-24 | 1984-08-23 | An ISFET chip suitable to be used in an apparatus comprising a measuring circuit for selectively measuring ions in a liquid |
| EP19840201154 EP0139312B1 (en) | 1983-08-24 | 1984-08-23 | Apparatus for selectively measuring ions in a liquid |
| DE19843486239 DE3486239T2 (de) | 1983-08-24 | 1984-08-23 | Ionenselektiver Feldeffekttransistor, der in einer Vorrichtung mit einer Messschaltungen zur selektiven Messung von Ionen in einer Flüssigkeit gebraucht werden kann. |
| JP59175288A JPH0765982B2 (ja) | 1983-08-24 | 1984-08-24 | 液体中のイオンを選択的に測定する装置 |
| JP5064703A JPH0774794B2 (ja) | 1983-08-24 | 1993-03-01 | イオン感知型電界効果トランジスタチップ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8302963 | 1983-08-24 | ||
| NL8302963A NL8302963A (nl) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8302963A true NL8302963A (nl) | 1985-03-18 |
Family
ID=19842300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8302963A NL8302963A (nl) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof. |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4589970A (nl) |
| NL (1) | NL8302963A (nl) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4879517A (en) * | 1988-07-25 | 1989-11-07 | General Signal Corporation | Temperature compensation for potentiometrically operated ISFETS |
| US4974592A (en) * | 1988-11-14 | 1990-12-04 | American Sensor Systems Corporation | Continuous on-line blood monitoring system |
| US5217595A (en) * | 1991-10-25 | 1993-06-08 | The Yellow Springs Instrument Company, Inc. | Electrochemical gas sensor |
| US5414284A (en) * | 1994-01-19 | 1995-05-09 | Baxter; Ronald D. | ESD Protection of ISFET sensors |
| US5833824A (en) * | 1996-11-15 | 1998-11-10 | Rosemount Analytical Inc. | Dorsal substrate guarded ISFET sensor |
| DE19703357A1 (de) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Telefunken Microelectron | Verfahren zum Messen von Spannungspotentialen in öligen Flüssigkeiten |
| US6858433B1 (en) * | 2000-04-03 | 2005-02-22 | Roche Diagnostics Operations, Inc. | Biosensor electromagnetic noise cancellation |
| KR20030075437A (ko) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | (주)티오스 | 감이온 전계효과 트랜지스터-미터의 정전기로 인한 손상방지를 위한 감이온 전계효과 트랜지스터-프로브 제작 및측정기 본체의 회로 설계 기술 |
| US7633177B2 (en) * | 2005-04-14 | 2009-12-15 | Natural Forces, Llc | Reduced friction wind turbine apparatus and method |
| DE102006052863B4 (de) | 2006-11-09 | 2018-03-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Schutzstruktur für Halbleitersensoren und deren Verwendung |
| EP2653861B1 (en) * | 2006-12-14 | 2014-08-13 | Life Technologies Corporation | Method for sequencing a nucleic acid using large-scale FET arrays |
| US11008611B2 (en) * | 2011-09-30 | 2021-05-18 | Unm Rainforest Innovations | Double gate ion sensitive field effect transistor |
| US9978689B2 (en) | 2013-12-18 | 2018-05-22 | Nxp Usa, Inc. | Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication |
| WO2016175840A1 (en) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sensing a property of a fluid |
| CN110579525B (zh) * | 2018-06-08 | 2023-08-18 | 天马日本株式会社 | 传感器装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5530312B2 (nl) * | 1975-01-16 | 1980-08-09 | ||
| US4020830A (en) * | 1975-03-12 | 1977-05-03 | The University Of Utah | Selective chemical sensitive FET transducers |
| JPS54140881A (en) * | 1978-04-24 | 1979-11-01 | Nec Corp | Semiconductor dvice |
| US4325097A (en) * | 1979-09-17 | 1982-04-13 | General Semiconductor Industries, Inc. | Four terminal pulse suppressor |
| US4397714A (en) * | 1980-06-16 | 1983-08-09 | University Of Utah | System for measuring the concentration of chemical substances |
| JPS5715459A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS5737876A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit apparatus |
| US4411741A (en) * | 1982-01-12 | 1983-10-25 | University Of Utah | Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids |
-
1983
- 1983-08-24 NL NL8302963A patent/NL8302963A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-08-16 US US06/641,911 patent/US4589970A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4589970A (en) | 1986-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8302963A (nl) | Inrichting voor het selectief meten van ionen in een vloeistof. | |
| KR101046666B1 (ko) | 정전 용량 검출형 근접 센서 | |
| RU2134877C1 (ru) | Защита от электростатического разряда датчиков на ионно-селективных полевых транзисторах | |
| US7728363B2 (en) | Protective structure for semiconductor sensors | |
| EP0139312B1 (en) | Apparatus for selectively measuring ions in a liquid | |
| US9721140B2 (en) | Sensing method of fingerprint sensor and related sensing circuit | |
| EP1496467A2 (en) | Capacitive sensor | |
| JPH0529263B2 (nl) | ||
| JPS62140073A (ja) | 静電容量測定回路 | |
| DE60020467D1 (de) | Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts | |
| ES2147240T3 (es) | Detector de la humedad del suelo. | |
| KR20040111631A (ko) | 반도체 장치, 소스와 드레인 사이의 전압차 측정 방법 및반도체 장치 보호 방법 | |
| US7708698B2 (en) | Circuit for measuring breath waveform with impedance method and method and device for resisting interference of electrical fast transient | |
| CN106959330B (zh) | 集成离子感测装置和方法 | |
| JPS62116248A (ja) | ガスモニタ−回路 | |
| JPH11287776A (ja) | 液体の純度監視方法 | |
| JP2010286314A (ja) | 薄型で耐ノイズ性にすぐれた静電式近接センサの電極システム、および静電式近接センサ | |
| JPH042250B2 (nl) | ||
| KR20190101218A (ko) | 기생용량 제거회로를 포함한 정전센서 | |
| US12130986B2 (en) | Capacitance detection device and input device | |
| JP2745692B2 (ja) | 容量式電磁流量計 | |
| DE102011083675A1 (de) | Sensor zur Bestimmung und/oder Überwachung von zumindest einer gelösten Substanz in einem Medium | |
| JP2018029751A (ja) | 水分量測定装置及び方法 | |
| JPS6031731A (ja) | 生体用電極 | |
| JP3379139B2 (ja) | 油劣化検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |