NL8300463A - Werkwijze voor het vervaardigen van een fotovoltaische inrichting. - Google Patents

Description

> < 70 4522

Betr.ï Werkwi jze voor het vervaardigen van een fotovoltaische inrichting.

De uitvinding heeft in het algemeen betrekking op een fotovoltaische inrichting, welke meer in het bijzonder bestemd is om te worden toegepast als een zonnecel, en meer in het bijzonder op een werkwijze voor het elektrisch isoleren van gedeelten van het halfgeleiderlichaam 5 van een fotovoltaische inrichting voor toepassingen, zoals het verschaffen van verbeterde zonnecellen en halfgeleiders.

De uitvinding betreft een werkwijze voor het elektrisch isoleren van gedeelten van een fotovoltaische inrichting met groot oppervlak voor een aantal doeleinden, zoals het verschaffen van halfgeleiderinrichtingen 10 met kleiner oppervlak. In het algemeen beoogt de uitvinding het gebruik van elektrisch geleidende, roosterpatronen, die op de transparante, geleidende laag worden aangebracht om het halfgeleiderlichaam van de fotovoltaische inrichting in een aantal geïsoleerde gedeelten te splitsen. Elk individueel, geïsoleerd gedeelte wordt, wat betreft het elektrische uit-15 gangssignaal daarvan,beproefd en die geïsoleerde gedeelten, welke onbevredigende, elektrische uitgangssignalen verschaffen, worden elektrisch geïsoleerd van de geïsoleerde gedeelten, die bevredigende, elektrische uitgangssignalen leveren. Derhalve worden gebieden van een fotovoltaische inrichting, welke niet voldoen aan de voor af gekozen normen van het elek-20 trische uitgangssignaal, geïdentificeerd en geïsoleerd teneinde de werking van de resterende gedeelten van de inrichting niet te storen. De isolatiemethode kan ook worden gebruikt om halfgeleiderinrichtingen met klein oppervlak uit halfgeleiderinrichtingen met groter oppervlak te snijden en om het elektrische uitgangssignaal van onbevredigd, geïsoleerde 25 gedeelten van het halfgeleiderlichaam te verbeteren.

Patronen worden gewoonlijk aan het oppervlak van fotovoltaische cellen en halfgeleiders geëtst door gebruik te maken van fotolakfilms.

Meer in het bijzonder wordt op het oppervlak van het halfgeleiderlichaam een fotolakoplossing gebracht en wordt het oplosmiddel verwijderd, waar-30 door een dunne film als een residu overblijft. Een rooster of ketenpatroon van een bepaald type, dat een deel van de film maskeert, wordt op de film geplaatst en die gedeelten van de film, welke niet door het patroon worden bedekt, worden bloot gesteld aan ultraviolette, elektromagnetische straling of aan een elektronenbundel met geschikte energie. Tij-35 dens het ontwikkelen van de film, waarbij gebruik wordt gemaakt van nor- male procedures, worden of de belichte of de niet-belichte gedeelten van 83 0 0 46 3 '..............................

» i - 2 - de film verwijderd, en wordt liet patroon via de transparante, geleidende oxydelaag van de halfgeleider geëtst. De rest van de-fotolak wordt verwijderd en het roosterpatroon wordt op het oppervlak van de gelsoleer-de-gedeelten van de transparante laag gebracht. Tijdens de behandeling 5 worden droog- en hardingsstappen op een conventionele wijze uitgevoerd in lucht, waarbij een gekozen tijd-temperatuurregime wordt gevolgd.

De laatste tijd heeft men zich grote inspanningen getroost om processen te ontwikkelen voor het neerslaan van amorfe halfgeleiderlege-ringslagen, die een betrekkelijk groot oppervlak kunnen hebben en welke 10 op een eenvoudige wijze kunnen worden gedoteerd voor het vormen van materialen van het p- enn-type. Deze amorfe halfgeleiders worden voor p-n gebruikt, operationeel equivalent aan die, welke worden verkregen . door hun kristallijne .tegenhangers. Het is gebleken, dat amorfe silicium-of. germanium- (groep 17)-films microholten en slechte bindingen en ande- 15. re defecten vertonen, welke leiden.tot een grote dichtheid van gelocali-seerde toestanden in de energiesprong daarvan. De aanwezigheid van een grote dichtheid van.gelocaliseerde toestanden in de. energiesprong van amorfe silicium halfgeleiderfilms .leidt tot een geringe mate van foto-geleiding en een korte dragerlevensduur, waardoor dergelijke films onge-20 schikt zijn voor fotoresponsieve toepassingen. Bovendien kunnen dergelijke films niet‘op een succesvolle wijze worden gedoteerd of op een andere wijze worden gemodif ie er d om-het Fermi-niveau dichtbij' de geleidings=

Of valentiebanden.te verschuiven, waardoor deze films ongeschikt zijn voor p-n-juncties bij -.zonneceltoepassingen.

25 Er zijn thans amorfe silicium legeringen bereid, die sterk, geredu ceerde concentraties van gelocaliseerde toestanden in de energiesprongen daarvan en een grote elektronische kwaliteit bezitten. Er doen zich evenwel in de halfgeleiderfilms nog steeds defecten voor, die het rendement van de fotoresponsieve inrichting verlagen. Op een soortgelijke wijze ver-30 . tbnen...kristallijne halfgeleidermaterialen defecten in de roosterstructuur. Bepaalde gebieden van het rooster kunnen een grote dichtheid van gelocaliseerde toestanden, hebben, die het rendement van een fotoresponsieve inrichting, meer in het bijzonder een zonnecel, verlagen.

Defecten in gedeelten van een halfgeleiderinrichting kunnen ook 35 leiden, tot een elektrische kortsluiting, waardoor tenminste gedeelten van het half geleider lichaam elektrisch onwerkzaam worden gemaakt. Afhankelijk van de plaats van het defecte gedeelte van het halfgeleiderlichaam en de 83 0 0 4 6 3 ~~~~..............

$ Λ - 3 - ernst van de kortsluiting, kan het elektrische uitgangssignaal ran het gehele halfgeleiderlichaam op een significante wijze.-worden gereduceerd.

Het is derhalve ran roordeel dié defecte gedeelten ran het halfgeleiderlichaam te identificeren, zodat deze elektrisch- defecte.gedeelten kun-5 nen worden geïsoleerd of ran de elektrisch operatiere gedeelten daarran kunnen worden gescheiden. Dit is ran bijzonder belang bij amorfe half-geleiderlichamen met groot oppervlak, waar een lange dragerbaan aanwezig is en de waarschijnlijkheid ran defecte gedeelten toeneemt. Wanneer slechts elektrisch operatiere gedeelten ran de halfgeleiderinrichting 10 elektrisch worden verbonden, wordt het totale elektrische uitgangssignaal . raa de halfgeleiderinrichting βημΗττημΙ gemaakt en neemt het totale ren-. dement toe.

Thans zal een werkwijze roor het elektrisch isoleren ran gedeelten ran het halfgeleiderlichaam ran een halfgeleiderinrichting met een ge-15 meenschappelijke, elektrisch geleidende substraat worden beschreren. Het roomaamste nut ran het elektrisch isoleren ran gedeelten ran een halfgeleiderlichaam, zoals dit rolgens de uitrinding geschiedt, is (1) het rerbeteren ran het rendement ran fotoroltaïsche inrichtingen, zoals zonnecellen'; (2) het rerbeteren ran het rendement ran half geleider inrich-20 tingen; en (3) - het rerschaffen ran fotoroltaïsche inrichtingen met klein oppervlak uit fotoroltaïsche inrichtingen met groter oppervlak.

Teil aahzien ran de werkwijze roor het vervaardigen van verbeterde zonnecellen, zijn de zonnecellen ran het algemene type met een gemeenschappelijke, elektrisch geleidende substraatlaag, en amorf halfgeleider-25 lichaam, dat op de substraatlaag is aangebracht, en een transparante, elektrisch geleidende laag, die op het amorfe lichaam is aangebracht.

De werkwijze omvat het splitsen van het halfgeleiderlichaam van de zonnecel in een aantal parallelle rijen van elektrisch geïsoleerde gedeelten, gevormd door discrete, transparante, geleidende oxydesegmenten, het tes-30 ten van het elektrische uitgangssignaal van elk geïsoleerd gedeelte van het halfgeleiderlichaam, het verbinden ran elk geïsoleerd lichaam van het halfgeleiderlichaam, dat een bevredigend, elektrisch uitgangssignaal levert, met een elektrisch geleidende stroom, welke vóórziet in een elektrisch contact van het halfgeleiderlichaam, het voorzien van de substraat 35 van een elektrisch contact, en het inkapselen ran een zonnecel tussen een bovenste, elektrisch isolerende, licht toelatende, beschermende laag, en een onderste, elektrisch isolerende laag.

"8300463 “

4 V

- k -

Een verbeterd paneel van zonnecellen wordt gevormd door een aantal zonnecellen, vervaardigd volgens het bovenstaande proces, fysisch en elektrisch op een plaatvormig onderdeel te vormen. De verbeterde zonnecel, die door de bovenstaande methode wordt verkregen, omvat een aantal in 5 hoofdzaak elektrisch geïsoleerde gedeelten, waarin het half geleider lichaam 5 van de zonnecel' is verdeeld, tenminste êên elektrisch geleidende strook, waarbij elk geïsoleerd gedeelte van het halfgeleiderlichaam, dat een bevredigend · elèkfcrisch uitgangssignaal levert, elektrisch met de tenminste ene .geleidende strook is verbonden, waarbij de geleidende strook voor-10 ziet in. een elektrisch contact, dat-met .het halfgeleiderlichaam samen-'v,werkt, .een' elektrisch.contact, .met de substraatlaag samenwerkt, en een . bovenste, elektrisch isolerende, licht-toelatende, beschermende laag en . een onderste, elektrisch isolerende laag voor het inkapselen van de zonnecellen daartussen,. zodat slechts gedeelten van het halfgeleiderlichaam, 15 die een bevredigend elektrisch uitgangssignaal leveren* elektrisch worden. verbonden, waardoor het totale rendement van de zonnecel wordt verbeterd.

Ten aanzien van de tweede toepassing van de werkwijze van het elektrisch isoleren van gedeelten van een halfgeleiderlichaam, waarbij 20 het rendement van fotovoltalsche inrichtingen wordt, verbeterd, zijn de fotovoltaïsche inrichtingen van het type, dat voorzien is van een elektrisch geleidende substraatlaag en een halfgeleiderlichaam, dat zich op de substraatlaag bevindt..De werkwijze omvat het verdelen van het halfgeleiderlichaam in een aantal gedeelten, waarbij elk gedeelte in hoofd-25 zaak elektrisch is geïsoleerd ten opzichte van andere gedeelten, het testen van.het elektrische uitgangssignaal van elk geïsoleerd gedeelte van het halfgeleiderlichaam om die gedeelten van het halfgeleiderlichaam te identificeren, welke een onbevredigend, elektrisch uitgangssignaal leveren, het trachten te verbeteren van het elektrische uitgangssignaal van 30 een geïsoleerd gedeelte.van.het halfgeleiderlichaam, dat geen bevredigend elektrisch uitgangssignaal levert, en het verbinden van slechts die:geïsoleerde gedeelten van het halfgeleiderlichaam, die initieel een bevredigende elektrisch' uitgangssignaal leveren en een bevredigend elektrisch uitgangs signaal, lever en na de beoogde verbetering daarvan, waar-35 door het totale·.rendement van de fotovoltaïsche inrichting wordt verbeterd.

Tenslotte, is ten aanzien van de derde toepassing van de werkwijze .........83 0 0 4 6 3 : # 4 - 5 - van het isolerende gedeelte van.een halfgeleiderlichaam, -waarbij fotovoltaïsche inrichtingen met klein oppervlak uit fotovoltaïsche inrichtingen met een groter oppervlak worden vervaardigd, de fotovoltaïsche inrichting met groot oppervlak van het type, dat voorzien is van een ge-5 meenschappelijke, elektrisch geleidende substraatlaag, een halfgeleider-lichaam, dat zich op de substraatlaag bevindt, en een transparante, elektrisch geleidende laag, die zich op het halfgeleider lichaam bevindt. De werkwijze omvat het verdelen van het half geleider lichaam met groot oppervlak in een aantal elektrisch geïsoleerde gedeelten door de transpa-10 rante laag te'splitsen in een aantal discrete segmenten, overeenkomende met het aantal geïsoleerde gedèelten, waarin het half geleiderlichaam met groot‘ oppervlak wordt verdeeld, en'het doorsnijden van de halfgeleider-inrichting met groot'oppervlak tussen de geïsoleerde gedeelten teneinde tenminste één discrete halfgeleiderinrichting met klein oppervlak te 15 vormen, die een segment van de gemeenschappelijke substraat omvat, een overeenkomstig segment van het half geleider lichaam met groot oppervlak, en een overeenkomstig discreet segment van de transparante laag omvat.

Derhalve is een eerste oogmerk van de uitvinding het verschaffen van een werkwijze voor het vervaardigen van verbeterde fotovoltaïsche 20 inrichtingen, waarbij elke fotovoltaïsche inrichting is voorzien van een gemeenschappelijke, elektrisch geleidende substraatlaag, een halfgeleider-lichaam, dat zich op de substraatlaag bevindt, en een transparante, elektrisch geleidende laag, die zich op het halfgeleiderlichaam bevindt. De werkwijze is gekenmerkt door het verdelen van het halfgeleiderlichaam in 25 een aantal gedeelten, waarbij elk gedeelte in hoofdzaak elektrisch is geïsoleerd ten opzichte van de andere gedeelten, het testen van het elektrische uitgangssignaal van elk geïsoleerd gedeelte van het halfgeleiderlichaam, het slechts verbinden van die geïsoleerde gedeelten, welke een bevredigend elektrisch uitgangssignaal leveren, met een elektrisch 30 geleidende strook, welke geleidende strook voorziet in een elektrisch contact, behorende bij het halfgeleiderlichaam, en het verschaffen van een elektrisch contact op de substraatlaag, waardoor het totale rendement van de fotovoltaïsche inrichting wordt verbeterd, doordat slechts dié gedeelten van het halfgeleiderlichaam, welke een bevredigend elektrisch uit-35 gangs signaal leveren, zijn verbonden.

Een tweede oogmerk van de uitvinding is het verschaffen van een - verbeterde zonnecel met een gemeenschappelijke, elektrisch geleidende . 830 0^6 3 -,6 -

a V

substraatlaag, een halfgeleiderlichaam, dat zich. op de substraatlaag bevindt, en een transparante laag, die zich op het halfgeleiderlichaam bevindt. De zonnecel is gekenmerkt door een aantal in hoofdzaak elektrisch geïsoleerde gedeelten, -waarin het halfgeleiderlichaam is verdeeld, ten-5 minste één elektrisch geleidende strook, waarmede elk geïsoleerd gedeelte van het halfgeleiderlichaam, dat een bevredigend elektrisch uitgangssignaal levert, is verbonden, waarbij de tenminste één geleidende strook ·' voorziet in een elektrisch. contact·, dat bij het halfgeleiderlichaam behoort, een elektrisch contact op de substraatlaag, en een bovenste, elek-10 trisch isolerende, licht-toelatende, beschermende laag en een onderste, elektrisch isolerende laag, waarbij van de zonnecellen, welke zijn inge-kapseld tussen de-bovenste en onderste lagen, slechts.de gedeelten van • -het halfgeleiderlichaam, .welke een. bevredigend elektrisch uitgangssignaal leveren, elektrisch zijn verbonden, waardoor het totale rendement van .15. .de zonnecel wordt verbeterd.

Een derde oogmerk van de uitvinding is het verschaffen van een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met relatief klein oppervlak uit een halfgeleiderinrichting met een groter oppervlak, waarbij de halfgeleiderinrichting met groot oppervlak is voor-20 . zien van.een gemeenschappelijke, elektrisch geleidende substraatlaag, .een halfgeleiderlichaam, dat zich. op de substraatlaag bevindt, en een transparante, elektrisch geleidende laag, die zich op het halfgeleiderlichaam bevindt...De werkwijze is gekenmerkt door het splitsen van het halfgeleiderlichaam met groot oppervlak in een aantal elektrisch gelso-25 -leerde gedeelten door de transparante laag te verdelen in een aantal discrete segmenten, overeenkomende met het aantal elektrisch geïsoleerde gedeelten, waarin het halfgeleiderlichaam met groot oppervlak wordt ver-. deeld, en het doorsnijden van.de halfgeleiderinrichting met groot oppervlak tussen' geïsoleerde gedeelten teneinde tenminste één discrete half-30' -geleiderinrichting met klein oppervlak te vormen. De discrete halfgeleiderinrichting met klein oppervlak omvat een segment van de gemeenschappelijke substraat, een overeenkomstig segment van het halfgeleiderlichaam. .met groot oppervlak, en een'overeenkomstig discreet segment van de transparante laag.

35” Thans zal een voorkeursuitvoeringsvorm, volgens de uitvinding bij wijze van voorbeeld worden toegelicht onder verwijzing naar de tekening, — waarin : 8 '3 Q ÖH4 T 3 ' * » - τ - fig. 1 een gedeeltelijke dwarsdoorsnede van een fotovoltaïsche cascadeeel is, voorzien van een aantal p-i-n-type cellen, waarbij elke laag van de cellen een amorfe halfgeleiderlegering omvat; fig. 2a een gedeeltelijk bovenaanzicht is van een uitvoeringsvorm 5 volgens de uitvinding, waarbij het elektrische roosterpatroon is aangegeven, gevormd op de transparante, geleidende oxydelaag, om het halfge-leiderliehaam in een aantal geïsoleerde gedeelten te splitsen; fig. 2b een gedeeltelijk bovenaanzicht is ter illustratie van een . verdere uitvoeringsvorm volgens de uitvinding, waarbij discrete segmen- 10.. ten van de transparante, geleidende oxydelaag het half geleider lichaam in een aantal geïsoleerde gedeelten verdelen; - - fig. 3 een bovenaanzicht is ter illustratie van een voorkeurscon structie van een elektrische, verbinding tussen een aantal zonnecellen . .teneinde het verbeterde zonnecelpaneel volgens.de uitvinding te verschaf-15 · fen; en fig. k een dwarsdoorsnede is van het dubbele vacuumstelsel, waarin het bindmiddel vloeit en gehard wordt om de inkapselende lagen met de tegenover elkaar gelegen oppervlakken van een zonnecel volgens de uitvinding te verbinden.

20 I. De fotovoltaïsche tandemcel :

In de tekening en meer in het bijzonder in fig. 1, is een foto-voltaxsche cel van het stapel-, tandem- of cascadetype, opgebouwd uit opeenvolgende p-i-n-lagen, die elk een amorfe halfgeleiderlegering omvatten, in het algemeen aangeduid met 10. Een van de werkwijzen volgens 25 de uitvinding is bij -de voorkeursuitvoeringsvorm bestemd voor het verschaffen van een verbeterde fotovoltaïsche cel van dit type. Deze werkwijze en andere, eveneens hier beschreven werkwijzen, zijn evenwel niet uitsluitend beperkt tot de vervaardiging van gestapelde p-i-n-fotovol-taïsche cellen, doch van gelijke waarde bij de vervaardiging van verbe-30 . terde cellen van het Sehottky-type of verbeterde cellen van het MIS (metaal-isolator-halfgeleider)-type of eenvoudig de vervaardiging van verbeterde halfgeleiderinrichtingen. Onafhankelijk van het celtype zijn de hier beschreven nieuwe vervaardigingsmethoden van het grootste nut bij fotovoltaïsche cellen, gevormd met uniforme lagen van halfgeleider-33 materialen, en met een uniforme, transparante, geleidende oxydelaag, die op de halfgeleiderlagen is aangebracht.

------ Meer in het bijzonder toont fig. 1 een aantal p-i-n-zonnecellen 1300463 ......

• * - 8 - 12a, 12b en 12c. Onder de onderste cel 12a bevindt zich een substraat 11, welke transparant kan zijn of uit· een metallische oppervlaktefolie kan zijn gevormd. Ofschoon bepaalde toepassingen een dunne oxydelaag en/of een reeks basiscontacten kunnen vereisten voor het aanbrengen van het 5 amorfe materiaal, zal de hier gebruikte uitdrukking "substraat" niet slechts een flexibele film. omvatten, doch ook eventuele elementen, welke . daaraan door een' voorafgaande handeling zijn toegevoegd. Het meest gebruikelijk, kan de substraat 11 worden vervaardigd uit roestvrij staal, aluminium, tarnt aal, molybdeen of chroom.

10 Elk van de cellen 12a, 12b en 12c omvat een amorf legeringslichaam, dat tenminste een siliciumlegering omvat. Elk van de legeringslichamen omvat , een gebied of laag 20a, 20b en 20c met een geleiding van het n-type, . een intrinsiek gebied of een intrinsieke laag 18a, 18b en 18c, en een gebied of laag 16a, 16b en 16c met een geleiding van het p-type. Zoals 15· aangegeven, is de cel 12b een tussengelegen cel, en zoals aangegeven in fig. 1 kunnen verdere tussengelegen cellen volgens de uitvinding op de afgeheelde.cellen worden.gestapeld. Verder is, ofschoon gestapelde p-i-n-cellen zijn weergegeven, de uitvinding ook van toepassing op enkelvoudige of gestapelde n-i-p-cellen.

. 20 Voor elk van de cellen 12a, 12b en 12c zijn de lagen van het p-type gekenmerkt door legeringslagen met een geringe lichtabsorptie en grote geleiding. De intrinsieke geleidingslagen zijn gekenmerkt door een ingestelde golflengtedrempel voor een zonnefotoresponsie, een grote lichtabsorptie, een geringe donkergeleiding en een grote fotogeleiding, en 25 bevatten voldoende hoeveelheden van een energiesprong-instellend element · of elementen om de energiésprong voor de bepaalde celtoepassing optimaal .te maken. Bij voorkeur worden de intrinsieke lagen wat energiesprong betreft, zodanig ingesteldj dat de cel 12a de kleinste energiesprong bezit, de cel 12'c de. grootste energiesprong bezit en de cel 12b een energie-30 . sprong tussen.de beide andere bezit. De lagen van het n-type zijn gekenmerkt door legeringslagen met een geringe lichtabsorptie en een grote geleiding. De dikte van de lagen van het n-type ligt bij voorkeur in het i gebied van ongeveer 25 - 500 Angstrom. De dikte van de wat energiesprong betreft, ingestelde, amorfe, intrinsieke legeringslagen ligt bij voor-•35 keur tussen ongeveer 2000 Angstrom en 30.000 Angstrom. De dikte van de lagen, van het p-type ligt bij voorkeur tussen 50 - 500 Angstrom. Tenge-. volge van de kleinere diffusielengte van de gaten, zullen de lagen van 8300463 ..........

* «· - 9 - het p-type in het algemeen zo dun mogelijk zijn. Voorts zal de "buitenste laag, hier de laag 20c van het p-type, zo dun mogelijk zijn om een absorp-tie van licht te. vermijden en "behoeft deze niet het de energiesprong-instellende element of elementen te omvatten.

5 Het is duidelijk» dat na het aanbrengen van de halfgeleiderlege- ringslagen een verdere neerslag^handeling wordt uitgevoerd. Bij deze handeling wordt een continue of discontinue, transparante, geleidende oxydelaag 22 op.de laag 20c van het n-type aangebracht, welke transparante, geleidende oxydelaag bijvoorbeeld kan bestaan uit een dunne, een 10. dikte van $00 Angstrom hebbende, film van indium tinoxyde, cadmium stannaat of gedoteerd tinoxyde. Voorts kan een elektrisch geleidend roos-terpatroon 2b, dat later meer gedetailleerd zal worden besproken, aan het . bovenvlak van de transparante, geleidende oxydelaag 22 worden toegevoegd, bijvoorbeeld met een elektrisch geleidende pasta. Volgens de uitvinding 15 wordt een discontinue,transparante, geleidende oxydelaag 22, zie fig.

.2b,op het halfgeleiderlichaam aangebracht of daarin gekrast, wanneer de gestapelde.cel een voldoend groot oppervlak bezit, of wanneer de geleiding van een continue laag van de transparante» geleidende oxydelaag 22 onvoldoende is, teneinde de dragerweglengte te verkorten en het gelei- 20.. dingsrendement van de cel. te - verbeter en - Aangezien volgens de uitvinding elke.zonnecel 10 bij voorkeur bestaat uit een in het algemeen planair . onderdeel van 30 cm x 30 cm, is de discontinue, transparante, geleidende oxydelaag nodig.

II. Werkwijze voor het elektrisch isoleren van een gedeelte van het 25 halfgeleiderlichaam.

Fig. 2a toont een gedeeltelijke doorsnede van het bovenvlak van de transparante, geleidende oxydelaag 22 van een enkele zonnecel 10. Zoals gemakkelijk uit deze figuur kan worden afgeleid, is het halfgeleiderlichaam van de enkele zonnecel 10 verdeeld in een aantal elektrisch ge-30 . isoleerde gedeelten 26 en wel op een wijze, welke later zal worden toegelicht. Ofschoon het juiste aantal en de opstelling van de geïsoleerde gedeelten 26 van het halfgeleiderlichaam binnen het kader van de uitvinding kan veriëren, worden uit elke zonnecel 10 bij de voorkeursuitvoeringsvorm twaalf evenwijdige rijen van vijftien geïsoleerde gedeelten 26 35 - (een totaal van honderdtachtig ondercellen) gevormd. De uitdrukking ,rgeïsoleerd gedeelte" wordt hier gedefinieerd als een gedeelte van een — halfgeleiderinrichting, zoals een zonnecel, dat elektrisch geïsoleerd is 81 0 0 4 6 3------------------------ ------- ψ - '10 - van andere gedeelten van de halfgeleiderinrichting,-doch dat een gemeenschappelijke substraat of elektrode met deze andere gedeelten deelt.

De geïsoleerde gedeelten 26 worden bij de voorkeursuitvoeringsvorm gevormd door een discreet segment van de transparante, geleidende 5 oxydelaag 22, die op het halfgeleiderlichaam van de fotovoltaïsche cel 10 is aangebracht.. Elk geïsoleerd gedeelte 26 kan uit de continue, transparante, geleidende oxydelaag 22 worden gevormd door een bekende^ foto-lithografische en chemische etsmethode. Zo kan bijvoorbeeld een foto-lakoplóssing op het oppervlak van de transparante, geleidende oxyde-. ·10.. laag 22 worden aangebracht en. vooraf worden verhit voor het verwijderen van oplosmiddelen, waardoor een dunne film als een residu overblijft.

Het roosterpatroon 2k,. waarvan de bepaalde vorm later zal worden beschre— .yen, wordt dan op.de film geplaatst, en die gedeelten van de film, welke niet door het patroon worden bedekt, worden bloot gesteld aan een elek-.15 tr©magnetische straling, meer in het bijzonder in het ultraviolette gedeelte van het spectrum, of aan een bundel elektronen met geschikte energie om de film te ontwikkelen. Tijdens het ontwikkelen van de film, waarbij gebruik wordt gemaakt van gebruikelijke, chemische of plasma-procedures -worden de belichte gedeelten (positieve lak) of de niet-2Ö ...belichte, gedeelten (negatieve lak) van de film en de zich daaronder bevindende transparante, geleidende oxydelaag 22 verwijderd.. De resteren— . de fotolaklaag wordt met een oplosmiddel gewassen om deze van het oppervlak van de transparante, geleidende oxydelaag 22 te verwijderen. Fu kan . een roosterpatroon 2k op het oppervlak van.de nu geïsoleerde gedeelten 25 van de transparante,.geleidende oxydelaag 22 worden aangebracht.

Tijdens de bovenbeschreven behandeling, omvat het. droog- of hardingsproces z.g. '’voorbak''- en "nabak"-stappen, welke kunnen worden gerealiseerd door de fotolakoplossing gedurende ongeveer 20 - 25 minu-. ten tot ongeveer 95 - 120°. C te verhitten. Als een alternatief kan ge-30". bruik. worden gemaakt van een microgolf harding of een andere bekende har-dingsmethode. Dergelijke andere methoden worden gebruikt om 3f (1)' de lengte van de droogtijd te reduceren, of (2) de onderste lagen van het drietal amorfe lagen van de zonnecel dichtbij de omgevingstemperatuur te houden. Deze verschillende hardingsmethoden vallen alle binnen het kader •35 van de uitvinding.

Bij de in fig. 2b af geheelde uitvoeringsvorm kunnen de geïsoleer-.. - de gedeelten 26 van het halfgeleiderlichaam worden gevormd door de trans- 83 0 0 46 3 .....

— jm - 11 - parante, geleidende oxydelaag 22 in een aantal discrete segmenten 22a -PPn te -verdelen zonder dat daarop een roosterpatroon'2b wordt aangebracht. Het is duidelijk, dat voor de uitvinding 26 betrekking heeft op geïsoleerde gedeelten van de transparante, geleidende oxydelaag 22 met een 5 daarop aangebracht roosterpatroon, terwijl de^ 22a - 22u geïsoleerde gedeelten van de transparante, geleidende oxydelaag 22 zijn aangeduid, waarop het roosterpatroon niet is aangebracht. De discrete segmenten 22a - 22u van de transparante, geleidende oxydelaag 22 kunnen worden gevormd door Sf de transparante, geleidende oxydelaag 22 oorspronkelijk op 10. een discontinue wijze aan te brengen voor het vormen van een aantal gescheiden, discrete elementen 22a - 22u, of door het aanbrengen van een .. continue, transparante oxydelaag en het daarna verwijderen van tussen-.gelegen gedeelten door de bovenbeschreven fotolithografische,· en ets-methoden.

15 Zoals.boven is beschreven, kan op elk geïsoleerd gedeelte 26, on afhankelijk van het feit of dit door een continue of discontinue transparante, geleidende oxydelaag is gevormd, een roosterpatroon 2b worden aangebracht. De breedte-afmeting van elk roosterpatroon 2b wordt bepaald door een aantal in hoofdzaak op .gelijke afstanden van elkaar gele-20 gen, hetrekkalijk dunne, evenwijdige, elektrisch geleidende uitsteeksels 30, die zich.loodrecht vanuit de beide zijden van een af geschuind, be-trekkelijk dik, elektrisch geleidend, geleiderverbindend uitsteeksel 32 uitstrekken, dat de lengte-afmeting van het roosterpatroon 2b bepaalt.

De totale breedte van elk geïsoleerd gedeelte 26 bedraagt ongeveer 19 mm 25 en de totale lengte van elke onder cel 26 bedraagt ongeveer 25 mm. De roosterpatronen 2b worden zodanig gevormd, dat de stroom uit het half-geleiderlichaam maximaal wordt gemaakt, terwijl de hoeveelheid licht, welke belet wordt om het halfgeleider lichaam binnen te treden, minimaal wordt gemaakt. Bij de voorkeursuitvoeringsvorm wordt een zonnecel 10 van 30 30' cm x 30 cm gedeeld in twaalf evenwijdige rijen van vijftien geïsoleerde gedeelten 26, of een totaal van honderdtachtig geïsoleerde gedeelten 26. Het-verdient de voorkeur, dat elk roosterpatroon 2b acht evenwijdige uitsteeksels 30 omvat en dat het uitsteeksel 32 in dikte toeneemt tot een maximale afmeting van bij benadering 1,6 mm bij het eind 35 daarvan, dat het verst van het roosterpatroon 2b is gelegen. Het is duidelijk, dat de opstelling van de geïsoleerde gedeelten 26, de lengte- en breedte-afmetingen van de roosterpatronen 2b en de geïsoleerde gedeelten 8300463 ' ......

- 12 - 26, het aantal evenwijdige uitsteeksels 3Ö, het aantal evenwijdige rijen geïsoleerde gedeelten 26, het totale aantal geïsoleerde gedeelten 26, dat hij een bepaalde zonnecel 10 wordt gevormd, en derhalve de afmetingen en configuratie van de zonnecel 10 of andere fotovoltaïsche inrichting 5 binnen het kader van .de uitvinding kunnen variëren. Welke constructie ook wordt'gekozen, de. roostèrpatronen 2k kunnen op een bekende wijze, bij-. voorbeeld, door zeefdruk, op de transparante.,-geleidende oxyde segment en worden.gedrukt met .een elektrisch geleidend materiaal, zoals zilverpasta.

Ofschoon twee methoden voor het vormen van de geïsoleerde gedeel- .

10. ten 26 van het halfgeleiderlichaam van een fotovoltaïsche cel zijn beschreven, liggen andere bekende methoden voor het "krassen” van deze i-solatiegedeelten binnen het kader van de uitvinding. Bovendien is met de! hiear' gebruikte uitdrukking "krassen" beoogd alle bekende methoden voor . het .verwijderen van het transparante, geleidende oxydepatroon 22, in-15 clusief, doch niet' beperkt tot: (a) chemisch etsen; (b.) plasma-etsen; ·.(c) .verschillende lasermethoden; (d) een waterstroomtechniek; en (e) het aanbrengen van de oorspronkelijke transparante, geleidende oxydelaag met een masker voor het initieel vormen van de aparte, discontinue segmenten.

20, . III. ' 'Hét .'gébruik'van'dé elektrisch'geïsoleerde gedeelten van een half-' 'gélëidéElichaam.·

Elk geïsoleerd gedeelte 26 van een zonnecel 10 kan nu individueel worden getest om te bepalen of het elektrische uitgangssignaal daarvan, voldoende is om de cel "elektrisch operatief" of. "elektrisch operabel" .25 te maken. De hier gebruikte uitdrukkingen "elektrisch operatief geïsoleerd gedeelte" of "elektrisch operabel geïsoleerd gedeelte" hebben betrekking op die geïsoleerde gedeelten 26 van het halfgeleiderlichaam van .een bepaalde zonnecel 10, welke een voldoende uit gangs spanning leveren.

Het'is vastgesteld, dat de elektrische verbinding van een geïsoleerd ge-30 ..deelte. 26 van een halfgeleiderlichaam, dat een niet-bevredigend elektrisch uitgangssignaal levert, het totale rendement van de zonnecel 10 reduceert. Voorts kan, aangezien de geïsoleerde gedeelten 26 van elke zonnecel 10. parallel zijn verbonden, de elektrische verbinding van een geïsoleerd gedeelte. 26 van de zonnecel 10, dat een zeer lage uitgangs-•35 spanning.levért,..het elektrische uitgangssignaal van de gehele zonnecel . 10. op een significante wijze reduceren.

Wadat het elektrisch-testen van elk afzonderlijk geïsoleerd gedeel- 8300463 - 13 - * .* te 26 van een "bepaalde zonnecel -10 is voltooid» wordt een langwerpige, uit koper "bestaande, elektrisch, geleidende strook -3¾- aan het oppervlak • - · »t w van de transparante, geleidende oxydelaag 22 of het halfgeleiderlichaam "bevestigd met "behulp van een elektrisch isolerend silicon hechtmiddel.

5 Het silicon hechtmiddel kan als een zeer dunne laag worden aangebracht, omdat de stroken'3¾ tussen afwisselende rijen van geïsoleerde gedeelten 2.6 van het halfgeleiderlichaam moeten worden geplaatst. Met andere woorden "blijft, zelfs nadat de stroken 3¾ aan de halfgeleiderinriehting zijn ."bevestigd, .een spleet tussen naast elkaar gelegen discrete segmenten TO. -22a - 22u van.de.geïsoleerde, transparante, geleidende oxydegedeelten . 26 en de "bijbehorende strook 3¾ over. Bij de voorkeursuitvoeringsvorm, . waarbij twaalf rijen van geïsoleerde gedeelten 26 aanwezig zijn, wordt gebruik gemaakt van zes geleidende stroken 34, met een breedte van onge-. .veer 3 mm en .een dikte van ongeveer 0,08 mm. Het .met de strook verbon- 15. den uitsteeksel'32 van elk elektrisch operatief geïsoleerd gedeelte 26 van een halfgeleiderlichaam is elektrisch, met een naastgelegen strook 3¾-verbonden onder gebruik van een lichaam van elektrisch geleidend materiaal» zoals zilverpasta 35. De. geïsoleerde gedeelten. 26» waarvan het . elektrische uitgangssignaal onder het gekozen minimaal voldoende niveau 20.. ligt, blijven door het isolerende silicon hechtmiddel elektrisch geïsoleerd ten opzichte van de elektrisch geleidende» uit koper bestaande strook 34. Uit fig. 2a blijkt» dat in verband met het onbevredigende, . elektrische uitgangssignaal» het geïsoleerde gedeelte 26a met het rooster-patroon 24a daarop niet elektrisch door een lichaam van zilverpasta 35 25 met de strook 34 is verbonden.

Zoals blijkt uit de in fig. 3 afgebeelde voorkeursuitvoeringsvora, strekken de uiteinden van de zes uit koper bestaande stroken 34 zich voorbij de omtrek van elke zonnecel 10 uit. Ofschoon niet weergegeven, zal de onderzijde of het achtervlak van elke zonnecel 10 eveneens zijn 30 voorzien van een elektrode of een elektrisch contact, bijvoorbeeld door puntlassen. Door de zes stroken 34 en het substraatcontact te verbinden» kan het elektrische uitgangssignaal van.de gehele zonnecel 10 worden getest. Die zonnecellen 10, welke bevredigende, elektrische uitgangswaarden verschaffen, zijn nu gereed om te worden ingekapseld tussen bescher-35 mende, elektrisch isolerende, plaatvormige lagen, zoals meer volledig hierna zal worden toegelicht.

17. Het vacuumstelsel met twee kamers.

8300463 * Ν' - Hl·. -

Er is een speciaal ontworpen inrichting nodig om de zonnecellen .· -IQ. tussen geïsoleerde,' beschermende platen in te kapselen.- Ofschoon een voorkeur suitvoeringsvom van de inrichting voor het inkapselen is weergegeven in fig. il·, is-het'duidelijk, dat .een dergelijke werking ook kan 5 worden.verkregen, met .een .andere inrichting, die eveneens tinnen het ka-. .der van de uitvinding valt.

.Meer in.het bijzonder is in fig. 4 een van twee kamers voorzien vacuums t els el af geteeld, dat in. het algemeen is aangeduid met 36. Het vacuumstelsel 36 omvat , eeix bovenste, kamer 38, een onderste kamer ^0 en TO-., .een zeer buigzaam, uit siliconrubber bestaand membraan ^2, dat bestemd is om (I).. een vacuumafdichting tussen de bovenste en onderste kamers van . .het’vacuumstelsel 36 te vormen en (2) zich.te conformeren aan de contour van.een fotovoltaische inrichting om een kracht naar de inrichting over . .te dragen. Ofschoon niet aangegeven, is.het duidelijk» dat men toegang • 15- tot de onderste kamer ^0 .moet hebben voor het introduceren en bevestigen van.de hiet-ingekapselde.zonnecel 10’. of een andere.fotovoltaische inrichting in.deze kamer-teneinde de zonnecel 10 of een andere fotovoltaische inrichting tussen.een bovenste transparante laag 52 en een onderste,. elektrisch' isolerende laag 53 te verbinden. Een luchtopening bh met 20 een controleklep ^5a vormt een kanaal naar het inwendige van de bovenste kamer 38, en .een luchtopening b6 met een controleklep ^56 vormt een kanaal naar het inwendige van de .onderste kamer ^0 voor het gelijktijdig . wegpómpen van lucht uit de beide kamers en voor het daarna opnieuw introduceren' van lucht in de bovenste kamer 38. Een aantal, verwarmingselemen-•25. .ten 50,: welke in. de grondplaat van de onderste kamer Uo aanwezig zijn, is bestemd om het vacuumstelsel 36 tot.de juiste stroom- en hardingstem-peraturen voor het bindmiddel te verwarmen.

Tijdens het bedrijf wordt een laag van een bindmiddel, zoals ethyl vinyl.acetaat,, over tenminste grote gedeelten van zowel de transparante, 30 geleidende oxydelaag 22 als de substraatlaag 11 van de zonnecel 10 uitgespreid of-gespoten. Inkapsellagen 52, bestaande uit bijvoorbeeld (l) glas. of (2) .ëen synthetische kunsthars, zoals TEDLAR (handelsmerk van Dupont) met een iets grotere lengte- en breedte-afmeting dan de lengteen breedte-afmeting van .de. zonnecel 10 of een andere fotovoltaische in-35 richting.worden op het ethylvinyl acetaat gebracht. Het ethylvinylaseetaat . dient om de inkapsellagen'52 met de zonnecel 10'of een andere fotovol— talsche inrichting te verbinden. De bovenste of vrijliggende inkapsel- ..........'Ï3ÖM61 * ,ι#ί - 15' - laag 52 dient τοor het.toelaten van licht, voor elektrische isolatiedoel-einden en'om.de zonnecel 10..of een andere fotovoltaïsche inrichting te beschermen’, tegen’omgevingstoestanden, wanneer de zonnecel 10. op het zonne-. celpaneel 9 op een operatieve wijze, bijvoorbeeld op een dak, is gemon-5 .teerd. De onderste inkaps.ellaag 53 dient om de substraatlaag 11 van de zonnecel 10. elektrisch te isoleren'.ten opzichte van de elektrisch gelei-. .dende elementen, waarmede .de laag in contact kan komen hij de montage.

Qm te veroorzaken, dat.het bindmiddel vloeit en hard wordt, wordt . .de sandwich,' bestaande uit .de ethyl vinyl acetaatlaag-zonnecel-ethyl 10... vinyl acetaat-inkapsellaag in.de onderste kamer h-0 van het vacuumstelsel 36, onmiddellijk onder het uit siliconrubber bestaande membraan 42 geplaatst. Eerst wordt lucht gelijktijdig uit zowel de bovenste kamer 38 als de onderste kamer 40 verwijderd en daarna wordt lucht opnieuw naar . .de.bovenste kamer 38 gepompt, waardoor het uit siliconrubber bestaande 15 -membraan 42 samenklapt. .Het pompen duurt voort totdat het membraan 42 een druk van een atmosfeer uitoefent op de sandwich, bestaande uit de . ethyl vinyl acetaat laag, zonnee el-ethyl vinyl acetaat-inkapsellaag.

Wanneer lucht aan de .bovenste kamer 38' wordt toegevoerd, wordt het buigzame membraan 42 vanuit de normale evenwichtsstand daarvan, aangegeven 20 door de getrokken lijn 42a. ia fig. 4, naar beneden gedrukt naar een aan de. contour aangepaste positie, .welke in fig. 4 is aangegeven met de stippellijn 42b, in welke positie het'membraan tegen de zonnecel 10 of een andere fotovoltaïsche inrichting en het binnenoppervlak van de onderste kamer 40 rust of daartegen drukt met een druk van een atmosfeer. De on-25 derste kamer 40 van het vacuumstelsel 36 wordt door de verwarmingselementen 50 verhit tot 130° C. Bij de temperatuur van 130° C en bij de druk van een. atmosfeer, vloeit het ethyl vinyl acetaat en wordt dit hard, . waardoor de bovenste en onderste inkapsellagen met de fotovoltaïsche inrichting worden .verbonden. Aangezien het ethyl vinyl acetaat in een 30 vacuum wordt verspreid, worden daarin geen bellen gevormd, wanneer het stromen en harden voortgaat. De vervaardiging van de fotovoltaïsche inrichting is nu voltooid en de inrichtingen kunnen hetzij individueel, hetzij in combinatie naar wens worden gebruikt.

V. Het zonnecèhoaneel.

35 Het zonneeelpaaeel, dat in het algemeen met 9 is aangeduid, is in fig. 3 in een voorkeursuitvoeringsvorm daarvan weergegeven, waarbij ... acht zonnecellen 10a - lOh in een matrix van vier bij twee zijn gerang- 8300463 "

V V

- 16 - schikt roor het .verschaffen van het zonnecelpaneel 9 met een afmeting van hij benadering een meter twintig hij een meter twintig. Bij de weergegeven uitvoeringsvorm zijn de stroken 3^ van elke individuele zonnecel 10a - 10h met elkaar verbonden, bijvoorbeeld door elektrisch 5 geleidende linten 19a — 1-9h voor het verschaffen van een enkel, trans— pararit iaagcontact. Het lint 19a. .van de zonnecel 10a is verbonden met het substraatcontact van.de zonnecel 10b; het. lint 19b van de zonnecel 10b is-verbonden met het’ substraatcontact van de zonnecel 10c; het lint 19c . van. de zonnecel 10'c is verbonden met het substraatcontact van de zonne- 10....cel' 10'd; .het' lint 19d van.de. zonnecel 10d is verbonden met het substraat-· contact van de zonnecel 10h; het lint 19h van de zonnecel 10h is verbonden met .het'substraatcontact van.de zonnecel 10g; het lint 19g van • de zonnecel' 10'g is verbonden met .het substraatcontact van de zonnecel 10f;. het lint 19'f van de zonnecel lOf is verbonden met het substraat- 15-contact van de zonnecel 10e; het lint 19e van de zonnecel 10e en het substraat contact' van.de zonnecel 10a.. verschaffen respectieve contacten 21a en 21b, waarmede een naastgelegen zonnecelpaneel 9 kan worden verbonden.. Op deze wij ze kan het gehele ’ oppervlak van bijvoorbeeld een dak worden bekleed door·een' aantal zonnecelpanelen 9 met elkaar te verbinden.

20 VI. 'Andere töepassingén. _________ _

De. .verdeling van een halfgeleiderlichaam met groot oppervlak in een aantal elektrisch geïsoleerde gedeelten met kleiner oppervlak heeft ook andere belangrijke toepassingen. Zo zullen bijvoorbeeld nu de massaproductie van continue stroken, van fotovoltalsche inrichtingen op het 25' punt staat te beginnen, inrichtingen met een oppervlak, waarvan de leng-•te bijvoorbeeld driehonderd meter bedraagt en.de breedte veertig centimeter bedraagt, worden, ver schaf t. Teneinde de inrichtingen bijvoorbeeld als de hier-besproken'zonnecellen .te gebruiken, is het nodig de continue strook in cellen van 30 cm x 30 cm door te snijden. Zelfs waar de foto- 30. voltalsche inrichtingen als discrete platen worden vervaardigd, moeten dergelijke platen tot kleinere platen worden gesneden om als voedingsbronnen voor rekeninrichtingen, horloges, enz te worden gebruikt.

Het is .gebleken, dat pogingen om de fotovoltalsche inrichtingen .met groot oppervlak door te.snijden tot inrichtingen met kleiner opper-35 vlak.leidt tot kortsluitingen, die.de inrichtingen inoperatief maken.

. Indien' evénwel de halfgeleiderinrichtingen met groot oppervlak eerst wor- .........den verdeeld in een aantal inrichtingen met kleiner oppervlak door het ..........8'3T0T6T ~ β 9 ΛΤ - halfgeleiderliehaam daarvan ia.het aantal elektrisch geïsoleerde gedeel-ten^te. splitsen, zoals hier is·“beschreven, kan de halfgeleiderinrichting met groot oppervlak vervolgens langs de ruimten of spleten tussen de individuele, geïsoleerde -gedeelten worden doorgesneden voor het vormen van 5 de halfgeleiderinrichtingen met klein oppervlak met de juiste afmetingen zonder dat de inrichtingen elektrisch worden kortgesloten.

Het'is ook gebleken, dat de-geïsoleerde gedeelten 26 van het half-geleiderlichaam, die geen voldoende elektrisch uitgangssignaal verschaffen, soms kuhnen worden'hersteld, bijvoorbeeld door een'laseraftasting.

10. Nadat het .defect is opgeheven, kunnen de nu acceptabele, geïsoleerde ge-. deelten en de oorspronkelijk acceptabele, geïsoleerde gedeelten beide . elektrisch worden verbonden. Het totale rendement van de halfgeleiderinrichting wordt daardoor verbeterd.

8300463

Claims (10)

1. Werkwijze voor.het vervaardigen van.verbeterde fotovoltaïsche inrichtingen, waarbij elke. fotovoltaïsche inrichting is voorzien van een gemeenschappelijke, elektrisch geleidende substraatlaag, een halfgelei-.derlichaam, dat zich’op.de substraatlaag-bevindt, en.een transparante, 5. elektrisch, geleidende laag, die zich’op het half geleider lichaam, bevindt met' het kenmerk,, dat .het'half geleider lichaam in een aantal gedeelten . wordt.verdeeld, waarbij, elk gedeelte in.hoofdzaak elektrisch is geïsoleerd .ten opzichte van andere gedeelten, het elektrische uitgangssignaal van elk.geïsoleerd.gedeelte.van.het halfgeleiderlichaam wordt getest, . - 10. . slechts die geïsoleerde.gedeelten,.welke een bevredigend, elektrisch uitgangssignaal levéren, .met een elektrisch geleidende strook worden.ver— ..bonden, waarbij, .de. geleidende strook voor ziet in. een elektrisch contact, ' . dat bij het'halfgeleiderlichaam.behoort, en een elektrisch contact op de substraatlaag wordt, verschaft, waardoor het .totale rendement van de foto-.15,. .voltaische inrichting wordt verbeterd door slechts die .gedeelten van het halfgeleiderlichaam, welke een .bevredigend elektrisch, uitgangssignaal • .verschaffen, elektrisch .te. verbindénn. • 2. Werkwijze volgens conclusie 1 met het kenmerk, dat. een aantal van de.fotovoltaïsche inrichtingen.constructief en elektrisch met elkaar 20" . wordt verenigd voor het vormen'van een'paneel vamfotovoltalsche inrichtingen, waarin het transparante, laagcontact .van elk van het aantal foto-. .voltaische inrichtingen en het substraatlaatcontact van elk van het aantal, fotovoltaïsche inrichtingen elektrisch zijn verbonden.

3, Werkwijze volgens een..der conclusies 1 of 2 met het -kenmerk, dat . .25 ·· ie transparante laag oorspronkelijk continu is en het halfgeleiderlichaam • in het aantal, geïsoleerde, gedeelten, wordt .verdeeld door de transparante laag in.een aantal discrete segmenten in te krassen, k. Werkwijze volgens conclusie 3 met het kenmerk, dat op elk discreet transparant laagsegmeht een roosterpatroon wordt gebracht. 30 ·. 5. Werkwijze volgens een.der conclusies T of 2 met het kenmerk, dat .de transparante laag als.een oorspronkelijk discontinue laag wordt aange— bracht voor het .vormen van .het aantal elektrisch geïsoleerde gedeelten.

6, Werkwijze.volgens conclusie 5 met het kenmerk, dat het aantal geïsoleerde .gedeelten wordt-bepaald, door. een aantal discrete, transparante 35 · laagsegmenten. i · 1__'Va 8300463 - 19 -

7. Werkwijze, volgens conclusie 6.met liet .kenmerk, dat op elk discreet transparant laagsegment een roosterpatroon wordt getracht.

8. Werkwijze· volgens βοή!.der conclusies 1-7 met het kenmerk, dat eltefotovoltaïsche inrichting wordt ingekapseld tussen een bovenste, 5 elektrisch isolerende, licht toelatende, "beschermende laag en een onderste, elektrisch isolerende laag.

9· Werkwijze volgens een der conclusies 1-8 met het kenmerk, dat de fat o volt als che inrichting, wordt gevormd als een groot, in het algemeen planair onderdeel, dat in een aantal in het algemeen evenwijdige 10 rijen is verdeeld, waarbij elke rij wordt bepaald door het aantal geïsoleerde gedeelten.

10. Werkwijze volgens conclusie 9 met .het kenmerk, dat de geleidende strook bestaat uit een koperen strook, welke tussen afwisselende rijen van de geïsoleerde gedeelten van de transparante laag is bevestigd door 15· een elektrisch isolerend sücon hechtmiddel.

11. Verbeterde zonnecel voorzien van een gemeenschappelijke, elektrisch" geleidende substraatlaag, een halfgeleiderlichaam, dat op de substraat-laag is aangebracht, en een transparante laag, welke op het halfgeleiderlichaam is aangebracht gekenmerkt door een aantal in hoofdzaak elektrisch 20 geïsoleerde gedeelten (26), waarin het halfgeleiderlichaam is verdeeld, tenminste een elektrisch geleidende strook (3*Γ}Τ~ waart ij elk_geïsoleerd gedeelte van het halfgeleiderlichaam, dat een bevredigend elektrisch uitgangssignaal levert,, elektrisch is verbonden met de tenminste ene geleidende strook, waarbij.de tenminste ene geleidende strook voorziet in 25 een elektrisch contact, dat bij.het halfgeleiderlichaam behoort, een elektrisch contact op de substraatlaag (11) en een bovenste, elektrisch isolerende, licht-toelatende, beschermende laag (52) en een onderste, elektrisch isolerende laag . (53), waarbij de zonnecellen (10a - 10h en • -T2a — 12c), tussen de bovenste en onderste lagen zodanig zijn ingekapseld, 30 - .dat slechts .gedeelten van het halfgeleiderlichaam, die een bevredigend elektrisch uitgangssignaal leveren, elektrisch zijn verbonden, waardoor het totale rendement van de zonnecel wordt verbeterd.

12. Zonnecel volgens conclusie. 11 met het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam is voorzien van tenminste een drietal lagen, waarbij het 35 tenminste ene drietal lagen is voorzien van een laag (16a - 16c) met een geleiding van het p-type, een intrinsieke laag (18a - 18c) en een ... laag (20a - 20c) met een geleiding van het n-type. 83 0 0 4 6 3 V V - '20. - 13’. Zonnecel .volgens een. der. conclusies -11 of .12. gekenmerkt door een roosterpatroon (2¾), dat'op elk.geïsoleerd gedeelte (26) van het halfgeleiderlichaam is.gevórmd. 1¾. Zonnecel’.volgens conclusie 13’.met-het kenmerk, dat de zonnecel 5 . (10a - 10h én 12 a - 12 c) -bestaat uit een in. het algemeen planair onder-.deel van bij'.benadering -30 cm x 3Ö cm, .welk onderdeel in een aantal in . .het algemeen evenwijdige rijen van geïsoleerde gedeelten (26) van het halfgeleiderlichaam is.verdeeld. . .15'.. -.Zonnecel’volgens.een.der conclusies 11 - 1¾ met .het kenmerk, dat 10 ·· elk-van.de.tenminste.ené geleidende strook (3¾-) bestaat uit een uit koper .-.bestaande strook,, die tussen afwisselende rijen.van.de geïsoleerde ge-..deelten (26) van.het halfgeleiderlichaam is bevestigd» . l6.· ·. Zonnecel. volgens. conclusie 15’ met. het. kenmerk, dat. de. uit koper ...bestaande stroken'(3¾) aan geïsoleerde gedeelten (26). van.het halfge-. .15 · .leiderlichaam zijn .bevestigd , door middel van.een elektrisch isolerend silicon. hechtmiddel. .17'. Werkwijze voor .het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met; betrekkelijk kleih’oppervlak uit een halfgeleiderinrichting met een gro- · .ter oppervlak, waarbij de halfgeleiderinrichting met groot oppervlak is . 20 ..voorzien van een gemeenschappelijke, elektrisch geleidende substraat-· laag·, eeh halfgeleiderlichaam^ dat'op de. substraatlaag is aangebracht, . en'.eeh transparante,'elektrisch geleidende laag, die op het halfgeleiderlichaam. is aangebracht met -het kenmerk, dat het halfgeleiderlichaam met. groot oppervlak in'een aantal elektrisch geïsoleerde gedeelten.wordt ver-. .25- deeld door de transparante laag in een aantal discrete segmenten, over-. eenkomende met het aantal elektrisch geïsoleerde gedeelten, waarin het halfgeleiderlichaam met groot oppervlak is verdeeld, te verdelen, en de halfgeleiderinrichting met groot oppervlak tussen geïsoleerde gedeelten '.door .te snij den. teneinde, tenminste, eeh discrete halfgeleiderinrichting 30 . met kleih oppervlak te vormen, die een segment van de gemeenschappelijke substraat, .een overeenkomstig.segment van het. halfgeleiderlichaam met groot' oppervlak, en. een overeenkomstig discreet segment van de transparante, laag omvat,. ..18'·. ' Werkwijze.volgens conclusie 17 met het kenmerk, dat het halfge-•35 -leiderlichaam in .een aantal discrete.. segmenten wordt verdeeld wanneer de transparante. laag'op deze. wijze wordt verdeeld. ______ 19* ‘ -Werkwijze volgens een der conclusies -17’ of l8.met het kenmerk, dat 8 3 0 0~4 6 3 * ........> - 21 - voor het doorsnijden van de halfgeleiderinrichting met groot oppervlak, het elektrische uitgangssignaal van elk geïsoleerde gedeelte van het halfgeleiderlichaam wordt getest en slechts die geïsoleerde gedeelten, die een "bevredigend elektrisch uitgangssignaal leveren, worden afge-5 scheiden.

20. Werkwijze volgens een der conclusies TT - 19 met het kenmerk, dat op elk geïsoleerd-gedeelte van-de transparante laag een roosterpatroon wordt aangetracht. 83 0 0 46 3 ' .....