NL8202007A - Masker voor stralingslithografie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents
Masker voor stralingslithografie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8202007A NL8202007A NL8202007A NL8202007A NL8202007A NL 8202007 A NL8202007 A NL 8202007A NL 8202007 A NL8202007 A NL 8202007A NL 8202007 A NL8202007 A NL 8202007A NL 8202007 A NL8202007 A NL 8202007A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- mask
- mask according
- radiation
- boron
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 30
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 20
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229960005196 titanium dioxide Drugs 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- -1 precious language Chemical compound 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
, * ^ PHD 81-053 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Masker voor stralingslithografie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan".
Ee uitvinding heeft betrekking qp een masker voor stralingslithografie met een drager van silicium met een hoofdvlak, dat plaatselijk is voorzien van een stralingsabsorberende laag.
De uitvinding heeft tevens betrekking qp een werkwijze voor de 5 vervaardiging van zo'n masker.
Een dergelijk masker kan bijvoorbeeld worden toegepast bij lithografische processen, voor het vervaardigen van halfgeleidersystemen met structuur afmetingen in het micrometergebied, waarbij een belichting van fotolak met röntgenstralen wordt uitgevoerd. Hierbij kunnen strukturen 10 met afmetingen van circa 150 nm worden gerealiseerd.
Het gebruik van röntgenstralen voor het belichten van een te structureren lak brengt het voordeel mee, dat de invloed van buigingsverschijnselen bij de projectie van de maskerende structuren op de laklaag veel geringer is dan bij het gebruik van zichtbaar licht.
15 Uit het DE-AS 23.02.116 is een dergelijk masker bekend, waarbij de stralingsabsorberende laag een grondlaag is.
Dit bekende masker is voor bepaalde toepassingen in de praktijk bijzonder geschikt. Het is echter gebleken, dat bij het maken van steeds fijnere structuren, mechanische spanningen die in de drager en in de stra-20 lingabsorberende laag optreden, vervormingen van het masker veroorzaken. Tengevolge van deze vervormingen zijn maskers voor stralingslithografie van de beschreven soort voor toepassingen, waarbij het aankomt op een hoog oplossend vermogen in de zin van een grote fijnheid van het patroon, onvoldoende gebleken.
25 De uitvinding heeft tot doel, een masker van de in de aanhef ge noemde soort te verschaffen waarmee structuren met een grote fijnheid kunnen worden vervaardigd.
Een masker van de in de aanhef genoemde soort heeft daartoe volgens de uitvinding als kenmerk, dat de stralingabsorberende laag een op 30 zichzelf spanningsgecompenseerde dubbellaag is. Qp deze wijze is vervorming van het masker sterk tegengegaan, terwijl bovendien de absorptie van straling van de niet door de stralingabsorberende laag bedekte delen van de drager niet is beïnvloed, zodat het masker een zo groot mogelijk kontrast 8202007 . * PHD 81-053 2 vertoont.
Een voorkeursuitvoering van het masker volgens de uitvinding heeft als kenmerk, dat de dubbellaag bestaat uit lagen van verschillende metalen.
5 Bij voorkeur zijn de metalen wolfraam en molybdeen, waarbij de wolfraamlaag door katodeverstuiving wordt aangebracht onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; afstand tussen de elektroden: 42 ran; werkdruk van de gasatmosfeer: Ar = 2 Pa; potentiaal op de elektrode: 800 V; potentiaal op de masker-10 drager: 40 V, terwijl de molybdeenlaag wordt aangebracht door katodeverstuiving onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 ran; afstand tussen de elektroden: 42 mm; werkdruk vande gasatmosfeer: Ar = 2 Pa; potentiaal op de elektrode: 700 V; potentiaal op de maskerdrager: 95 V.
15 De keuze van deze metalen van de dubbellaag heeft de volgende voordelen:
Zowel het wolfraam als het molybdeen hechten zich goed aan de maskerdrager van silicium, zodat het aanbrengen van een tussenlaag tussen de maskerdrager en de stralingabsorberende laag als hechtende laag niet 20 nodig is. De gekozen parameters voor het katodeverstruivingsproces voor het aanbrengen van de wolfraam- zowel als van de molybdeenlaag hebben het voordeel, dat de dubbellaag slechts minimale mechanische spanningen vertoont, omdat de bij de parameters voor het opbrengen van de wolfraamlaag in deze laag nog aanwezige drukspanning wordt gecompenseerd door een 25 in de molybdeenlaag aanwezige trekspanning, zodat in totaal een nagenoeg spanningsvrije stralingsabsorberende dubbellaag wordt verkregen.
De volgorde, waarin de molybdeenlaag en de wolfraamlaag qp de maskerdrager worden aangebracht, is willekeurig.
De toepassing van deze beide metalen voor de dubbellaag heeft 30 bovendien het verdere voordeel, dat beide metalen bij etsen met behulp van reactieve ionen vluchtige etsproducten vormen; dit is gunstig voor het verkrijgen van structuren met steile etsranden, zoals voor maskerings-doeleinden gewenst zijn.
Een andere voorkeursuitvoering van het masker volgens de uitvin-35 ding heeft als kenmerk, dat de dubbellaag bestaat uit qp verschillende wijze aangehaalde lagen van een zelfde metaal. Bij voorkeur is het metaal molybdeen. De eerste helft van de molybdeenlaag wordt aangebracht onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de 8202 0 0 7 PHD 81-053 3 elektroden: 200itm; afstand tassen de elektroden: 42 ram; werkdruk van de gasatraosfeer: Ar = 2 Pa; potentiaal qp de katode: 700 V; potentiaal op de masker drager: 65 V, en dat de tweede helft van de gewenste dikte van de molybdeenlaag wordt aangebracht onder de volgende omstandigheden: 5 HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm;afstand tussen de elektroden: 42 mm; werkdruk van de gasatraosfeer: Ar = 2 Pa; potentiaal op de katode: 800 V; potentiaal qp de maskerdrager: geaard.
Door deze parameters van het katodeverstuivingsproces wordt bereikt, dat de molybdeenlaag zeer spanningsarm is.
10 Qm optredende spanningen in het masker nog verder te onderdruk ken heeft een verdere voorkeursuitvoering van het masker volgens de uitvinding bovendien nog als kenmerk, dat ten minste op één van de hoofdvlakken van de drager een voor straling praktisch transparante spannings-caipenserende laag is aangebracht. Bij voorkeur is de stralingsdoorlaten-15 de laag van titaan dat door katodeverstuiving onder de volgende omstandigheden wordt aangebracht: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; afstand tussen de elektroden: 42 mm; werkdruk van de gasatmosfeer: Ar = 0,78 Pa; potentiaal (¾) de katode: 900 V; potentiaal qp de maskerdrager: geaard, of is deze laag van titaandioxyde dat wordt aan-20 gebracht onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; afstand tussen de elektroden: 42 mm; werkdruk van de gasatmosfeer: 02 = 1,3 Pa; potentiaal qp de katode: 750 V; potentiaal op de maskerdrager: geaard.
De uitvinding heeft ook betrekking op een werkwijze voor de ver-25 vaardiging van een masker voor stralingslithografie met een drager van silicium met een hoofdvlak, dat plaatselijk is voorzien van een stralings-absorberende laag · waarbij wordt uitgegaan van een siliciumplaatje. Deze werkwijze heeft volgens de uitvinding als kenmerk, dat de transparante laag bestaat uit titaan of titaanoxyde. Op deze wijze wordt op eenvoudige 30 wijze een dunne drager verkregen die relatief spanningsvrij is.
De uitvinding wordt hierna bij wijze van voorbeeld aan de hand van de bijgaande tekening nader toegelicht. Hierin tonen
Figuren 1a tot 1e achtereenvolgens verschillende stadia van vervaardiging van een eerste voorkeursuitvoering van een masker volgens de 35 uitvinding, en
Figuren 2a en 2b een andere voorkeursuitvoering van het masker volgens de uitvinding.
In Fig. 1a is een êênkristallijn siliciumplaatje 1 weergegeven, 8202007 « 'fc PHD 81-053 4 dat in zijn gehele nabij het oppervlak gelegen gebied is voorzien van een boriumdiff usielaag 3. Het is niet noodzakelijk, dat het siliciumplaat je 1 vóór de boriumdotering wordt onderworpen aan een alzijdige polijstbehan-deling.
5 Voor de boriumdotering wordt b.v. een in de handel verkrijgbaar êênkristallijn siliciumplaatje, b.v. met een diameter van 75 mm, een oriëntatie en een dikte van b.v. 0,4 mm, eerst 5 minuten in rokend salpeterzuur (ΗΝΟ^) voorgereinigd en 10 minuten imkokend salpeterzuur (HNO^) nagereinigd. Voor de alzijdige boriumdiffusie worden zo voorbehandelde 10 siliciumplaatjes 1 als volgt behandeld:
Eerst wordt een boriumneerslag op de siliciumplaatjes gevormd door: a) qpwarmen van de siliciumplaatjes tot 870°C in een atmosfeer in een eerste oven, waarbij in de oven afwisselend boriumnitrideplaatjes 15 en de siliciumplaatjes zijn aangebracht; b) op een hoge temperatuur brengen van de oven met 9°C/min tot een temperatuur van 970°C in een ^/C^-atmosfeer; c) gedurende 3 minuten inwerking van een N^/C^- atmosfeer op de siliciumplaatjes; 20 d) gedurende 1 minuut inwerking van een N^O^H^atmosfeer op de siliciumplaatjes; e) gedurende 40 minuten inwerking van een zuivere N£_ atmosfeer op de siliciumplaatjes ; f) afkoelen van de siliciumplaatjes met een snelheid van 4°C/min tot 25 870°C in een zuivere ^-atmosfeer.
Vervolgens wordt borium in de siliciumplaatjes gediffundeerd door: a) het weer opwarmen van de siliciumplaatjes tot 900°C in een N2/02-atmosfeer in een tweede oven, in het bijzonder een diffusieoven; 30 b) opwarmen van de siliciumplaatjes met een snelheid van 9°C/min tot 1200°C in een ^/(^-atmosfeer; c) gedurende 30 minuten inwerking van een N^C^-atmosfeer qp de siliciumplaatjes; d) afkoelen van de siliciumplaatjes met een snelheid van 3°C/min tot 35 900°C in een ^/C^-atmosfeer.
Als ^/C^-atmosfeer wordt bijvoorbeeld een stromende atmosfeer met 5 1/min ^-gas en 100 ml/min C^-gas gebruikt.
Een op deze wijze gevormde boriumdiffusielaag vertoont een 8202007 ** > PHD 81-053 5 een soortelijke vierkantsweerstand van 1,4 - 1,5 ohm, een dotering van 20 circa 1,5 . 10 atomen per cc. en een dikte van circa 4yUm.
Een deel van de boriumdif fus ielaag 3 wordt met behulp van reac-tieve ionen weggeëtst. Als masker voor het afdekken van de niet te ver-5 wij deren gebieden van de boriumdiff us ielaag 3 aan één van de hoofdvlakken van het siliciuriplaatje 1 dient b.v. een mechanisch aangebracht afdekmas-ker 5, b.v. van aluminium, edels taal, silicium of glas met een dikte tussen 0,3 en 1,0 irm (vgl. Fig, 1b) . De boriumdiffusielaag 3 kan met voordeel met behulp van ionen in een CF^C^-plasma of een SFg/02-plasma, waar-10 bij de hoeveelheid C>2 ongeveer 10% bedraaagt,. in het niet door het afdek-masker 5 bedekte gebied worden weggeëtst. Het etsproces wordt b.v. onder de volgende omstandigheden uitgevoerd: HF-generator: 27,2 MHz; diameter van de elektroden: 150 mm; potentiaal op de katode: 500 V; werkdruk van de gasatmosfeer: SFg of CF^ = 0,5 Pa; 02 = 0,5 Pa; materiaal van de kato- 15 de: SiCL. Onder deze cmstandigheden bedraagt de etssnelheid R voor met ^ 20 2 borium gedoteerd silicium met een doteringsconcentratie van^-10 at/ori R in CF4/02 6^um/uur en in SFg/02 30^uir/uur.
Het in het gebied van de opening van het masker 5 van de boriumdiffusielaag 3 aldus blootgelegde siliciumplaatje 1 wordt in een daarop 20 volgende etsstap verder behandeld, waarbij het niet met borium gedoteerde deel van het siliciumplaatje 1 door chemisch nat-etsen wordt verwijderd. Als etsmasker dient de resterende boriumdiffusielaag 3 (vgl.Fig. 1c). Het chemische nat-etsproces wordt met een mengsel van ethyldiamine: pyrocatechol: water = 5:1 : 2,5 als etsoplossing uitgevoerd; er wordt 25 geëtst bij een temperatuur van 110°C. Met voordeel kan echter ook met een mengsel van 300 g KOH + 2 g + 1200 ml H20 bij een temperatuur van 81°C worden geëtst.
Op de zo gevormde dunne drager 3 van met borium gedoteerd silicium wordt vervolgens op het tegenover het venster met de laag 7 gelegen 30 hoofdvlak van de boriumdiffusielaag 3 met behulp van bekende technieken, b.v. opdampen of katodeverstuiving, een stralingsabsorberende enkelvoudige laag van molybdeen aangebracht. De structurering van deze stralings-absorberende laag wordt overeenkomstig het gewenste maskerpatroon met behulp van bekende technieken, b.v. met behulp van elektronenbundellitho-35 grafie, uitgevoerd. In Fig. 1e is een dergelijke stralingsabsorberende maskerstructuur 9, bestaande uit deze enkelvoudige laag weergegeven. De dikte van de molybdeenlaag, waaruit de structuur 9 is gevormd, bedraagt in het hier beschreven voorbeeld 0,8y.um. De laagdikte van de stealings- 8202007 PHD 81-053 6 absorberende laag 9 is afhankelijk van de dikte van de drager 3, on een bruikbare contrastverhouding te verkrijgen tussen de raaskerdrager en de stralingsabsorberende laag. Om deze molybdeenlaag spanningsarm te vervaardigen, wordt als volgt tewerk gegaan: De eerste helft van de gewenste 5 dikte van de molybdeenlaag wordt aangebracht onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 irm; afstand tussen de elektroden: 42 mm; werkdruk van de gasatmosfeer: Ar = 2Pa; potentiaal qp de katode: 700 V; potentiaal op de maskerdrager: 65 V, terwijl de tweede helft van de gewenste dikte wordt aangebracht onder de 10 volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; afstand tussen de elektroden: 42 mm; werkdruk van de gasat-mosfeer: Ar = 2 Pa; potentiaal qp de katode: 800 V; potentiaal op de maskerdrager: geaard.
In Fjg. 2a is als stralingsabsorberende laag een meervoudige 15 lagenstructuur weergegeven, die uit een wolfraamlaag 11 en een molybdeenlaag 13 bestaat en is aangebracht op de drager 3. Zowel de wolfraamlaag 11 als de molybdeenlaag 13 worden op doelmatige wijze door katodeverstui-ving direct op de boriumdiffusielaag 3 aangebracht, of wel qp de span-ningscanpenserende laag 7. Het katodeverstuivingsproces voor de wolfraam-20 laag 11 wordt b.v. uitgevoerd onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; potentiaal qp de katode: 800 V; potentiaal op de maskerdrager: 40 V; werkdruk van de gasatmosfeer: Ar = 2 Pa; afstand tussen de elektroden: 42 mm.
Het katodeverstuivingsproces voor de molybdeenlaag 13 wordt b.v. 25 uitgevoerd onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz, diameter van de elektroden: 200 mm; potentiaal qp de katode: 700 V; potentiaal op de maskerdrager: 95 V; werkdruk van de gasatmosfeer: Ar = 2 Pa; afstand tussen de elektroden: 42 mm.
In Fig. 2b is een uit de meervoudige laag molybdeenlaag 11 -30 wolfraamlaag 13 gevormde maskerstructuur 9' weergegeven. De structurering van de stralingsabsorberende meervoudige laag wordt overeenkomstig het gewenste maskerpatroon eveneens met behulp van bekende technieken, b.v. met behulp van eléktronenbundellithografie, uitgevoerd.
Op de drager 3 is bovendien, voor het verkrijgen van een bij-35 zonder spanningsarm masker, een spanningsccmpenserende stralingsdoorla-tende laag 7 aangebracht met behulp van bekende technieken, b.v. opdampen of katodeverstuiving (vgl. Fig. ld). De laag 7 bestaat in de hier beschreven uitvoeringsvoorbeelden uit titaan of titaandioxyde. De titaan- 8202007 PHD 81-053 7 dioxydelaag kan met voordeel door reactieve katodeverstuiving in een zuurstofplasma worden gevormd onder de volgende omstandigheden: HF-gene-rator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; potentiaal qp de katode: 750 V; potentiaal op de maskerdrager: geaard; werkdruk van de 5 gasatmosfeer: /2 = 1,3 Pa; afstand tussen de elektroden: 42 mm.
Even goed geschikt als de hierboven beschreven titaandioxyde-laag is echter ook een titaanlaag, die door katodeverstuiving in een inerte atmosfeer wordt aangebracht onder de volgende omstandigheden: HF-generator: 13,6 MHz; diameter van de elektroden: 200 mm; potentiaal 10 op de katode: 900 V; potentiaal op de maskerdrager: geaard; werkdruk van de gasatmosfeer: Ar = 0,78 Pa; afstand tussen de elektroden: 42 mm. De laag 7 kan zoals aangegeven in figuur 1 aan de tegenover de stralings-absorberende laag gelegen zijde van de drager 3 zijn aangebracht, maar ook zoals aangegeven in figuur 2 aan dezelfde zijde ervan.
15 20 25 30 35 8 202 007
Claims (9)
1. Masker voor stralingslithografie met een drager van silicium met een hoofdvlak, dat plaatselijk is voorzien van een stralingsabsorberende laag, met het kenmerk, dat de stralingsabsorberende laag een op zichzelf spanningsgecortpenseerde dubbellaag is.
2. Masker volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de dubbellaag bestaat uit lagen van verschillende metalen.
3. Masker volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de metalen wolfram en molybdeen zijn.
4. Masker volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de dubbellaag 10 bestaat uit op verschillende wijze aangebrachte lagen van een zelfde metaal.
5. Masker volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat het metaal molybdeen is.
6. Masker volgens conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat het metaal 15 is aangebracht met behulp van katodevers tui ving waarbij de verschillende lagen zijn verkregen door een wijziging van katode- en dragerspanning.
7. Masker volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat ten minste op één van de hoofdvlakken van de drager een voor straling praktisch transparante spanningsccmpenserende laag is aangebracht.
8. Masker volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de transparan te laag bestaat uit titaan of titaanoxyde.
9. Werkwijze voor de vervaardiging van een masker volgens conclusie 1 waarbij wordt uitgegaan van een siliciumplaatje, met het kenmerk, dat het siliciumplaatje wordt voorzien van een aan het gehele oppervlak er-25 van grenzende met borium gedoteerde laag, waarna een aan één van de hoofdvlakken van het siliciunplaatje grenzend deel van deze laag en het daaronder gelegen silicium tot aan de aan het andere hoofdvlak grenzende met borium gedoteerde laag wordt verwijderd, waarbij een dunne drager van met borium gedoteerd silicium wordt gevormd waarop tenslotte de straling-30 absorberende laag wordt aangebracht. 35 8202007
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3119682 | 1981-05-18 | ||
| DE19813119682 DE3119682A1 (de) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | "verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels strahlungslithographie" |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8202007A true NL8202007A (nl) | 1982-12-16 |
Family
ID=6132579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8202007A NL8202007A (nl) | 1981-05-18 | 1982-05-14 | Masker voor stralingslithografie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468799A (nl) |
| JP (1) | JPS57198461A (nl) |
| DE (1) | DE3119682A1 (nl) |
| FR (1) | FR2506036B1 (nl) |
| GB (1) | GB2101353B (nl) |
| NL (1) | NL8202007A (nl) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4515876A (en) * | 1982-07-17 | 1985-05-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | X-Ray lithography mask and method for fabricating the same |
| JPS605519A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよびその製法 |
| DE3232499A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3245867A1 (de) * | 1982-12-11 | 1984-06-14 | EUROSIL electronic GmbH, 8057 Eching | Spannungsarme, thermisch unempfindliche traegerschicht fuer eine absorberstruktur einer bestrahlungsmaske fuer roentgenlithographie |
| JPS6022152U (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-15 | 舘 一雄 | 剪定鋏 |
| JPS6061750A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Nec Corp | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| DE3435177A1 (de) * | 1983-09-26 | 1985-04-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Maske fuer lithographische zwecke |
| US5112707A (en) * | 1983-09-26 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography |
| DE3425063A1 (de) * | 1984-07-07 | 1986-02-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Maske fuer die roentgenlithographie |
| DE3677005D1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-02-21 | Ibm Deutschland | Maske fuer die ionen-, elektronen- oder roentgenstrahllithographie und verfahren zur ihrer herstellung. |
| JPH0682604B2 (ja) * | 1987-08-04 | 1994-10-19 | 三菱電機株式会社 | Ｘ線マスク |
| DE69229987T2 (de) * | 1991-11-15 | 2000-04-20 | Canon Kk | Röntgenstrahlmaskenstruktur und -belichtungsverfahren sowie damit hergestelltes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für die Röntgenstrahlmaskenstruktur |
| US5318687A (en) * | 1992-08-07 | 1994-06-07 | International Business Machines Corporation | Low stress electrodeposition of gold for X-ray mask fabrication |
| US5529862A (en) * | 1993-09-01 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a low distortion stencil mask |
| US5500312A (en) * | 1994-10-11 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Masks with low stress multilayer films and a process for controlling the stress of multilayer films |
| TW350933B (en) * | 1996-11-23 | 1999-01-21 | Lg Semicon Co Ltd | X-ray absorbing layer in the X-ray mask and the manufacturing method |
| US7245018B1 (en) * | 1999-06-22 | 2007-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
| JP4220229B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法 |
| US7025891B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Method of polishing C4 molybdenum masks to remove molybdenum peaks |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3742230A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask support substrate |
| US4035522A (en) * | 1974-07-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | X-ray lithography mask |
| US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
| JPS5337366U (nl) * | 1976-09-03 | 1978-04-01 | ||
| JPS594356B2 (ja) * | 1976-10-12 | 1984-01-28 | 三菱電機株式会社 | エレベ−タの乗場表示装置 |
| JPS5349953A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Hitachi Ltd | Soft x-ray transcription mask |
| JPS5356219A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-22 | Nippon Kouatsu Concrete | Method of producing fibreereinforced concrete pipes |
| JPS53116783A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Fujitsu Ltd | Substrate straightening method |
| JPS545266A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-16 | Hitachi Ltd | Locker type dryer |
| US4218503A (en) * | 1977-12-02 | 1980-08-19 | Rockwell International Corporation | X-ray lithographic mask using rare earth and transition element compounds and method of fabrication thereof |
| JPS5516423A (en) * | 1978-07-22 | 1980-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of thick metal film pattern |
| US4171489A (en) * | 1978-09-13 | 1979-10-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Radiation mask structure |
| JPS5557246A (en) * | 1978-10-23 | 1980-04-26 | Jeol Ltd | Electron-ray contracting apparatus and its manufacturing method |
| JPS5568634A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| US4253029A (en) * | 1979-05-23 | 1981-02-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structure for x-ray lithography |
| US4329410A (en) * | 1979-12-26 | 1982-05-11 | The Perkin-Elmer Corporation | Production of X-ray lithograph masks |
| DE3030742A1 (de) * | 1980-08-14 | 1982-03-25 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer maske fuer die strukturerzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahlen |
-
1981
- 1981-05-18 DE DE19813119682 patent/DE3119682A1/de active Granted
-
1982
- 1982-04-29 US US06/372,886 patent/US4468799A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-05-14 NL NL8202007A patent/NL8202007A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-05-14 GB GB08214181A patent/GB2101353B/en not_active Expired
- 1982-05-17 JP JP8169282A patent/JPS57198461A/ja active Granted
- 1982-05-18 FR FR8208687A patent/FR2506036B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2506036A1 (fr) | 1982-11-19 |
| DE3119682A1 (de) | 1982-12-02 |
| US4468799A (en) | 1984-08-28 |
| GB2101353B (en) | 1984-09-05 |
| JPH0319690B2 (nl) | 1991-03-15 |
| JPS57198461A (en) | 1982-12-06 |
| FR2506036B1 (fr) | 1988-06-10 |
| GB2101353A (en) | 1983-01-12 |
| DE3119682C2 (nl) | 1988-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8202007A (nl) | Masker voor stralingslithografie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| US4474642A (en) | Method for pattern-wise etching of a metallic coating film | |
| JPH0864524A (ja) | Ｘ線吸収マスクの製造方法 | |
| US4994141A (en) | Method of manufacturing a mask support of SiC for radiation lithography masks | |
| US4946751A (en) | Method of manufacturing a mask for radiation lithography | |
| US5733688A (en) | Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber | |
| US4555460A (en) | Mask for the formation of patterns in lacquer layers by means of X-ray lithography and method of manufacturing same | |
| US6156217A (en) | Method for the purpose of producing a stencil mask | |
| JPH0363209B2 (nl) | ||
| EP0689686B1 (en) | A thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture | |
| JP2003282411A (ja) | リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 | |
| JP3350235B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスク | |
| JPH0430737B2 (nl) | ||
| JP3125004B2 (ja) | 基材の表面加工方法 | |
| JPH0482047B2 (nl) | ||
| DE3030742A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer maske fuer die strukturerzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahlen | |
| JPH07247199A (ja) | 可視発光するシリコンの製造方法およびそれを用いた素子の製造方法 | |
| JPH0482049B2 (nl) | ||
| JPH01184920A (ja) | 電子ビーム転写用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0481851B2 (nl) | ||
| JPH10199802A (ja) | 照射ｘ線によるメンブレンの経時的位置ずれの発生が少ないｘ線リソグラフィー用マスク | |
| JPS61173249A (ja) | フオトマスク | |
| JPS59123839A (ja) | 露光マスク素材の製造方法 | |
| JPS63140530A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPS61245160A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BV | The patent application has lapsed |