JP2003282411A - リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 - Google Patents
リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法Info
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- JP2003282411A JP2003282411A JP2002083933A JP2002083933A JP2003282411A JP 2003282411 A JP2003282411 A JP 2003282411A JP 2002083933 A JP2002083933 A JP 2002083933A JP 2002083933 A JP2002083933 A JP 2002083933A JP 2003282411 A JP2003282411 A JP 2003282411A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクと半導体基板とを挟ギャップ化し高解
像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板
とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグ
ラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及
びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２
の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設
する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって
表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有
する凹部１７が設けられたことを特徴とする。マスクブ
ランクス１０ａは、ダイヤモンドウェハ１３の凹部１７
の底面１７ｃ上に吸収膜１６ａが形成されたことを特徴
とする。マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パタ
ーンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深
さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。
像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板
とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグ
ラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及
びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２
の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設
する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって
表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有
する凹部１７が設けられたことを特徴とする。マスクブ
ランクス１０ａは、ダイヤモンドウェハ１３の凹部１７
の底面１７ｃ上に吸収膜１６ａが形成されたことを特徴
とする。マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パタ
ーンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深
さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の集
積回路の形成に用いられるリソグラフィー用のダイヤモ
ンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤ
モンドウェハの製造方法に関する。
積回路の形成に用いられるリソグラフィー用のダイヤモ
ンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤ
モンドウェハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、被転写体である半導体基板に
マスクを介して露光光源から光線等を照射してマスク上
に形成された集積回路パターンを半導体基板に転写し、
エッチング工程等を経て半導体基板に集積回路を形成す
るリソグラフィー技術が知られている。この技術におい
て用いられるステッパ（露光装置）では、通常、照射光
の吸収膜によって形成されるマスクの面上の集積回路パ
ターンをレンズを介して縮小することで、半導体基板に
転写される集積回路パターンを高集積化している。そし
て近年、半導体装置の集積回路の更なる高集積化に伴
い、転写解像性を高めるため、例えばＫｒＦレーザー
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）のようなエキシマレーザー、電子線、Ｘ線（波長１
ｎｍ）といった、より波長の短い露光光源を用いたステ
ッパが実用化されつつある。
マスクを介して露光光源から光線等を照射してマスク上
に形成された集積回路パターンを半導体基板に転写し、
エッチング工程等を経て半導体基板に集積回路を形成す
るリソグラフィー技術が知られている。この技術におい
て用いられるステッパ（露光装置）では、通常、照射光
の吸収膜によって形成されるマスクの面上の集積回路パ
ターンをレンズを介して縮小することで、半導体基板に
転写される集積回路パターンを高集積化している。そし
て近年、半導体装置の集積回路の更なる高集積化に伴
い、転写解像性を高めるため、例えばＫｒＦレーザー
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）のようなエキシマレーザー、電子線、Ｘ線（波長１
ｎｍ）といった、より波長の短い露光光源を用いたステ
ッパが実用化されつつある。
【０００３】上記のような短波長の露光光源を用いるス
テッパでは、照射光等の回折現象による解像力の低下を
無くすと共に焦点深度を深めるため、縮小露光で用いら
れていたレンズを廃して等倍露光とし、高解像の露光を
正確に行うことを可能としている。また、レンズを廃す
ることにより装置の簡素化ができると共に、規格化され
た露光光源の照射面積（例えば５０ｍｍ×５０ｍｍ）を
縮小することなく半導体基板に照射することができるた
め、露光面積を最大限に設けることができる。
テッパでは、照射光等の回折現象による解像力の低下を
無くすと共に焦点深度を深めるため、縮小露光で用いら
れていたレンズを廃して等倍露光とし、高解像の露光を
正確に行うことを可能としている。また、レンズを廃す
ることにより装置の簡素化ができると共に、規格化され
た露光光源の照射面積（例えば５０ｍｍ×５０ｍｍ）を
縮小することなく半導体基板に照射することができるた
め、露光面積を最大限に設けることができる。
【０００４】ここで図８に示すように、例えばＸ線を露
光光源とするステッパ１においては、ＳＲリング４から
取り出されたＸ線５をマスク１０を介して被転写体であ
る半導体基板２に照射し、半導体基板２の面上に形成さ
れたレジスト膜３に集積回路パターンを転写するもので
ある。一方マスク１０は、透過孔１４を有する例えばシ
リコンからなるマスク基板１１の面上にその透過孔１４
を覆うようにＸ線透過率の非常に良い人工ダイヤモンド
の透過膜１２が形成され、透過孔１４を覆うメンブレン
（自立膜部）１５の面上に所望の集積回路パターンを有
するＸ線の吸収体１６が形成されてなるものである。
光光源とするステッパ１においては、ＳＲリング４から
取り出されたＸ線５をマスク１０を介して被転写体であ
る半導体基板２に照射し、半導体基板２の面上に形成さ
れたレジスト膜３に集積回路パターンを転写するもので
ある。一方マスク１０は、透過孔１４を有する例えばシ
リコンからなるマスク基板１１の面上にその透過孔１４
を覆うようにＸ線透過率の非常に良い人工ダイヤモンド
の透過膜１２が形成され、透過孔１４を覆うメンブレン
（自立膜部）１５の面上に所望の集積回路パターンを有
するＸ線の吸収体１６が形成されてなるものである。
【０００５】このマスク１０は、等倍露光に対応するた
めに、縮小露光の場合と比べて一層の高精度化が要求さ
れている。そのため、吸収体１６の配設部位であるメン
ブレン１５の表面粗さをできるだけ小さくし、その面上
に形成される吸収体１６の加工前の状態である吸収膜１
６ａの膜質を安定させることで、吸収体１６が形成する
微細な集積回路パターン（線幅３０ｎｍ〜０．１μｍ）
を正確なものとしている。更に、透過膜１２を平均膜厚
１〜２０μｍに形成することでメンブレン１５を薄膜化
し、Ｘ線透過率をより高めている。そして、半導体基板
２とマスク１０とが２０〜３０μｍの微小ギャップ（図
中におけるＧ）で対向配置され、マスク１０を介して半
導体基板２にＸ線５が照射される。このように、微小ギ
ャップで半導体基板２に対向配置される高精度なマスク
１０を介して、半導体基板２に短波長の光線を照射する
ことにより、高集積化された集積回路パターンを高解像
で転写することが可能となる。半導体基板２上の一箇所
に集積回路パターンの転写が完了すると、マスク１０は
ステッパ１によって一度半導体基板２から離れ、半導体
基板２の面方向で相対移動した後に、他箇所に再度微小
ギャップで対向配置されて転写を開始する。この工程を
繰り返しながら半導体基板２の全域に順次集積回路パタ
ーンが転写されていく。
めに、縮小露光の場合と比べて一層の高精度化が要求さ
れている。そのため、吸収体１６の配設部位であるメン
ブレン１５の表面粗さをできるだけ小さくし、その面上
に形成される吸収体１６の加工前の状態である吸収膜１
６ａの膜質を安定させることで、吸収体１６が形成する
微細な集積回路パターン（線幅３０ｎｍ〜０．１μｍ）
を正確なものとしている。更に、透過膜１２を平均膜厚
１〜２０μｍに形成することでメンブレン１５を薄膜化
し、Ｘ線透過率をより高めている。そして、半導体基板
２とマスク１０とが２０〜３０μｍの微小ギャップ（図
中におけるＧ）で対向配置され、マスク１０を介して半
導体基板２にＸ線５が照射される。このように、微小ギ
ャップで半導体基板２に対向配置される高精度なマスク
１０を介して、半導体基板２に短波長の光線を照射する
ことにより、高集積化された集積回路パターンを高解像
で転写することが可能となる。半導体基板２上の一箇所
に集積回路パターンの転写が完了すると、マスク１０は
ステッパ１によって一度半導体基板２から離れ、半導体
基板２の面方向で相対移動した後に、他箇所に再度微小
ギャップで対向配置されて転写を開始する。この工程を
繰り返しながら半導体基板２の全域に順次集積回路パタ
ーンが転写されていく。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな等倍露光のステッパ１においては、マスク１０と半
導体基板２とが直接近接して対向配置されているため、
例えばマスク１０が他箇所に移動して再度半導体基板２
に近接するような時にマスク１０と半導体基板２とが接
触した場合、マスク１０のメンブレン１５の面上に形成
される吸収体１６が半導体基板２に先あたりし、強度的
に最も弱いメンブレン１５に優先的に負荷が加わってし
まうため、マスク１０が容易に破損してしまうという問
題がある。また、更なる高解像の露光を行うため、マス
ク１０と半導体基板２とのギャップを１０〜２０μｍ又
はそれ以上に近接させることが要求されており、上記問
題の対策がより重要となっている。そこでこの発明は、
マスクと半導体基板等の被転写体とを挟ギャップ化し高
解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと被転写体
とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグ
ラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及
びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供す
るものである。
うな等倍露光のステッパ１においては、マスク１０と半
導体基板２とが直接近接して対向配置されているため、
例えばマスク１０が他箇所に移動して再度半導体基板２
に近接するような時にマスク１０と半導体基板２とが接
触した場合、マスク１０のメンブレン１５の面上に形成
される吸収体１６が半導体基板２に先あたりし、強度的
に最も弱いメンブレン１５に優先的に負荷が加わってし
まうため、マスク１０が容易に破損してしまうという問
題がある。また、更なる高解像の露光を行うため、マス
ク１０と半導体基板２とのギャップを１０〜２０μｍ又
はそれ以上に近接させることが要求されており、上記問
題の対策がより重要となっている。そこでこの発明は、
マスクと半導体基板等の被転写体とを挟ギャップ化し高
解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと被転写体
とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグ
ラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及
びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載した発明は、透過孔を有するマスク
基板の被転写体側の面上に前記透過孔を覆うようにダイ
ヤモンドの透過膜が形成されてなるリソグラフィー用の
ダイヤモンドウェハにおいて、前記透過膜の被転写体側
の面であって照射光等の吸収体を配設する部位に凹部が
設けられたことを特徴とする。このように構成すること
で、吸収体は、透過膜の被転写体側の一般面よりも低い
位置にある凹部の底面上に配設されるため、透過膜の被
転写体側の一般面からの突出量を減少させる又は吸収体
の突出を無くすことが可能となる。また、吸収体の配設
部位の透過膜をより薄膜化することが可能となる。ここ
で、上記の照射光等とは、電子線、Ｘ線を含む概念であ
る。
に、請求項１に記載した発明は、透過孔を有するマスク
基板の被転写体側の面上に前記透過孔を覆うようにダイ
ヤモンドの透過膜が形成されてなるリソグラフィー用の
ダイヤモンドウェハにおいて、前記透過膜の被転写体側
の面であって照射光等の吸収体を配設する部位に凹部が
設けられたことを特徴とする。このように構成すること
で、吸収体は、透過膜の被転写体側の一般面よりも低い
位置にある凹部の底面上に配設されるため、透過膜の被
転写体側の一般面からの突出量を減少させる又は吸収体
の突出を無くすことが可能となる。また、吸収体の配設
部位の透過膜をより薄膜化することが可能となる。ここ
で、上記の照射光等とは、電子線、Ｘ線を含む概念であ
る。
【０００８】また、請求項２に記載した発明は、前記凹
部の周縁部が前記透過孔の周縁部を覆う範囲に形成され
たことを特徴とする。このように構成することで、透過
膜の被転写体側の一般面と凹部の底面との変化部分と、
透過膜のみで構成される自立膜部とマスク基板の面上に
形成される透過膜の被支持膜部との境界部分とを、異な
る位置に設けることができるため、マスクに負荷が加わ
った場合、構造的に最も弱い自立膜部にかかる負荷を低
減することが可能となる。また、凹部の底面を照射光等
の透過部分である透過孔よりも広く形成できるため、凹
部の底面上に配設される吸収体を透過孔の開口範囲で最
大限に形成することができる。従って、マスクの露光面
積を最大限に設けることが可能となる。
部の周縁部が前記透過孔の周縁部を覆う範囲に形成され
たことを特徴とする。このように構成することで、透過
膜の被転写体側の一般面と凹部の底面との変化部分と、
透過膜のみで構成される自立膜部とマスク基板の面上に
形成される透過膜の被支持膜部との境界部分とを、異な
る位置に設けることができるため、マスクに負荷が加わ
った場合、構造的に最も弱い自立膜部にかかる負荷を低
減することが可能となる。また、凹部の底面を照射光等
の透過部分である透過孔よりも広く形成できるため、凹
部の底面上に配設される吸収体を透過孔の開口範囲で最
大限に形成することができる。従って、マスクの露光面
積を最大限に設けることが可能となる。
【０００９】また、請求項３に記載した発明は、前記凹
部はガスクラスターイオンビームの照射によって成形さ
れ、その底面の表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍで
あることを特徴とする。このように構成することで、吸
収体の加工前の状態である吸収膜が、表面粗さがＲｍｓ
（二乗平均表面粗さ）＝０．１〜１０ｎｍまで高精度に
平坦化された底面上に形成されるため、吸収膜の膜質を
高めることが可能となる。
部はガスクラスターイオンビームの照射によって成形さ
れ、その底面の表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍで
あることを特徴とする。このように構成することで、吸
収体の加工前の状態である吸収膜が、表面粗さがＲｍｓ
（二乗平均表面粗さ）＝０．１〜１０ｎｍまで高精度に
平坦化された底面上に形成されるため、吸収膜の膜質を
高めることが可能となる。
【００１０】また、請求項４に記載した発明は、マスク
基板上にダイヤモンドの透過膜を形成する工程と、透過
膜のみで構成されるメンブレンを形成する工程とを含む
リソグラフィー用のダイヤモンドウェハの製造方法にお
いて、前記透過膜の被転写体側の面であって照射光等の
吸収体を配設する部位にガスクラスターイオンビームの
照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底
面を有する凹部を形成する工程を含むことを特徴とす
る。この方法により、ダイヤモンドのような堅い物質の
凹加工を行うと共に、ガスクラスターイオンビームの特
性として加工面が高精度に平坦化されることを有効利用
して、凹部の底面の全域をＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍま
で高精度に平坦化することが可能となる。ここで、凹部
の周縁形状はその加工工程を短縮させるために最小限の
広さとすることが望ましく、従って透過孔の周縁形状に
沿った短形状であることが望ましい。この場合、通常の
ドライエッチングや機械研磨によって凹部の底面の全域
を高精度に平坦化することが困難であるため、ガスクラ
スターイオンビームの特性の利用が特に有効である。
基板上にダイヤモンドの透過膜を形成する工程と、透過
膜のみで構成されるメンブレンを形成する工程とを含む
リソグラフィー用のダイヤモンドウェハの製造方法にお
いて、前記透過膜の被転写体側の面であって照射光等の
吸収体を配設する部位にガスクラスターイオンビームの
照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底
面を有する凹部を形成する工程を含むことを特徴とす
る。この方法により、ダイヤモンドのような堅い物質の
凹加工を行うと共に、ガスクラスターイオンビームの特
性として加工面が高精度に平坦化されることを有効利用
して、凹部の底面の全域をＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍま
で高精度に平坦化することが可能となる。ここで、凹部
の周縁形状はその加工工程を短縮させるために最小限の
広さとすることが望ましく、従って透過孔の周縁形状に
沿った短形状であることが望ましい。この場合、通常の
ドライエッチングや機械研磨によって凹部の底面の全域
を高精度に平坦化することが困難であるため、ガスクラ
スターイオンビームの特性の利用が特に有効である。
【００１１】また、請求項５に記載した発明は、前記ダ
イヤモンドウェハの被転写体側の面上に照射光等の吸収
膜が形成されてなるリソグラフィー用のマスクブランク
スにおいて、前記ダイヤモンドウェハの凹部の底面上に
前記吸収膜が形成されたことを特徴とする。このように
構成することで、高精度に平坦化された凹部の底面上に
吸収膜を形成することができるため、面粗さによるスト
レスのない膜質の高い吸収膜を形成することが可能とな
る。
イヤモンドウェハの被転写体側の面上に照射光等の吸収
膜が形成されてなるリソグラフィー用のマスクブランク
スにおいて、前記ダイヤモンドウェハの凹部の底面上に
前記吸収膜が形成されたことを特徴とする。このように
構成することで、高精度に平坦化された凹部の底面上に
吸収膜を形成することができるため、面粗さによるスト
レスのない膜質の高い吸収膜を形成することが可能とな
る。
【００１２】また、請求項６に記載した発明は、前記マ
スクブランクスの吸収膜が所望の転写パターンを有する
吸収体に形成されてなるリソグラフィー用のマスクにお
いて、前記吸収体の厚さをＴ、前記凹部深さをＨとする
と、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。このように構成す
ることで、透過膜の凹部の底面上に形成された吸収体の
厚さ方向の突出上面を、透過膜の被転写体側の一般面と
同一かそれよりも突出させないことが可能となる。
スクブランクスの吸収膜が所望の転写パターンを有する
吸収体に形成されてなるリソグラフィー用のマスクにお
いて、前記吸収体の厚さをＴ、前記凹部深さをＨとする
と、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。このように構成す
ることで、透過膜の凹部の底面上に形成された吸収体の
厚さ方向の突出上面を、透過膜の被転写体側の一般面と
同一かそれよりも突出させないことが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面と共に説明する。図１は本発明に係るリソグラフィー
用のマスク１０の斜視説明図である。同図に示すよう
に、この実施の形態によるマスク１０は、例えばシリコ
ンからなる円盤状のマスク基板１１の一方の面に、人工
ダイヤモンドの透過膜１２を形成してなるダイヤモンド
ウェハ１３を基に構成されている。ダイヤモンドウェハ
１３の中央部には、５０ｍｍ×５０ｍｍの透過孔１４が
形成されており、この透過孔１４を覆う透過膜１２のみ
で構成される部分がメンブレン１５となる。
面と共に説明する。図１は本発明に係るリソグラフィー
用のマスク１０の斜視説明図である。同図に示すよう
に、この実施の形態によるマスク１０は、例えばシリコ
ンからなる円盤状のマスク基板１１の一方の面に、人工
ダイヤモンドの透過膜１２を形成してなるダイヤモンド
ウェハ１３を基に構成されている。ダイヤモンドウェハ
１３の中央部には、５０ｍｍ×５０ｍｍの透過孔１４が
形成されており、この透過孔１４を覆う透過膜１２のみ
で構成される部分がメンブレン１５となる。
【００１４】メンブレン１５のマスク基板１１側と反対
側の面には、図示しない反射防止膜を介して（無い場合
もある）、例えば金属Ｗ、タンタルＴａ等からなり、所
望の集積回路パターンに形成された照射光等（電子線、
Ｘ線を含む）の吸収体１６が設けられている。このよう
な構成を有するマスク１０が、図示しないステッパ１に
おいて、その透過膜１２側を被転写体である半導体基板
２側に、マスク基板１１側を露光光源６側に向くように
配置される。
側の面には、図示しない反射防止膜を介して（無い場合
もある）、例えば金属Ｗ、タンタルＴａ等からなり、所
望の集積回路パターンに形成された照射光等（電子線、
Ｘ線を含む）の吸収体１６が設けられている。このよう
な構成を有するマスク１０が、図示しないステッパ１に
おいて、その透過膜１２側を被転写体である半導体基板
２側に、マスク基板１１側を露光光源６側に向くように
配置される。
【００１５】図２は図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図
である。同図に示すように、マスク基板１１はその中央
部が除去されており、露光光源６側（図２においては下
方側）に向かって広がる略テーパ状の周面１４ａを有す
る透過孔１４が形成されている。マスク基板１１の半導
体基板２側（図２においては上方側）の面上には、透過
孔１４を覆うように透過膜１２が形成されている。マス
ク基板１１と透過膜１２との界面１１ａと、透過孔１４
の周面１４ａとの稜線は５０ｍｍ×５０ｍｍの短形状を
形成しており、その稜線が透過孔１４の周縁部１４ｂと
なる。また、この周縁部１４ｂで囲まれた透過膜１２の
みで構成される部分がメンブレン１５となる。尚、透過
膜１２のマスク基板１１の面上に形成される部分を被支
持膜部１５ａとする。
である。同図に示すように、マスク基板１１はその中央
部が除去されており、露光光源６側（図２においては下
方側）に向かって広がる略テーパ状の周面１４ａを有す
る透過孔１４が形成されている。マスク基板１１の半導
体基板２側（図２においては上方側）の面上には、透過
孔１４を覆うように透過膜１２が形成されている。マス
ク基板１１と透過膜１２との界面１１ａと、透過孔１４
の周面１４ａとの稜線は５０ｍｍ×５０ｍｍの短形状を
形成しており、その稜線が透過孔１４の周縁部１４ｂと
なる。また、この周縁部１４ｂで囲まれた透過膜１２の
みで構成される部分がメンブレン１５となる。尚、透過
膜１２のマスク基板１１の面上に形成される部分を被支
持膜部１５ａとする。
【００１６】そして、透過膜１２の半導体基板２側の面
には、その一般面１２ａと平行な底面１７ｃを有する凹
部１７が設けられている。この凹部１７は透過膜１２の
一般面１２ａに対して略垂直に設けられた周面１７ａを
有しており、その周面１７ａと底面１７ｃとの稜線が凹
部１７の周縁部１７ｂとなる。そして、この周縁部１７
ｂは、透過孔１４の周縁部１４ｂよりも広い範囲で設け
られている。
には、その一般面１２ａと平行な底面１７ｃを有する凹
部１７が設けられている。この凹部１７は透過膜１２の
一般面１２ａに対して略垂直に設けられた周面１７ａを
有しており、その周面１７ａと底面１７ｃとの稜線が凹
部１７の周縁部１７ｂとなる。そして、この周縁部１７
ｂは、透過孔１４の周縁部１４ｂよりも広い範囲で設け
られている。
【００１７】ここで、凹部１７は周知のガスクラスター
イオンビームＧＣＩＢの照射によって形成されている。
透過膜１２の一般面１２ａの表面粗さはＲｍｓ＝３０〜
１００ｎｍ程度であるが、凹部１７の底面１７ｃにおい
ては、ガスクラスターイオンビームＧＣＩＢの特性によ
り凹部１７の凹加工と同時に底面１７ｃが高精度に平坦
化されており、その表面粗さは最良でＲｍｓ＝０．１ｎ
ｍまで平坦化されている。また、凹部１７は０．２〜
１．０μｍの範囲内で一定の深さとなるように形成され
ている。凹部１７の深さが０．２μｍより浅いと、その
底面１７ｃに形成される吸収体１６が透過膜１２の一般
面１２ａから突出し、この発明の効果が低下してしま
う。また、１．０μｍより深いとメンブレン１５の強度
が大きく低下してしまう。
イオンビームＧＣＩＢの照射によって形成されている。
透過膜１２の一般面１２ａの表面粗さはＲｍｓ＝３０〜
１００ｎｍ程度であるが、凹部１７の底面１７ｃにおい
ては、ガスクラスターイオンビームＧＣＩＢの特性によ
り凹部１７の凹加工と同時に底面１７ｃが高精度に平坦
化されており、その表面粗さは最良でＲｍｓ＝０．１ｎ
ｍまで平坦化されている。また、凹部１７は０．２〜
１．０μｍの範囲内で一定の深さとなるように形成され
ている。凹部１７の深さが０．２μｍより浅いと、その
底面１７ｃに形成される吸収体１６が透過膜１２の一般
面１２ａから突出し、この発明の効果が低下してしま
う。また、１．０μｍより深いとメンブレン１５の強度
が大きく低下してしまう。
【００１８】そして、凹部１７の底面１７ｃ上であって
透過孔１４の周縁部１４ｂの内側の範囲には、つまりメ
ンブレン１５には、０．２〜０．３μｍの厚さを有する
吸収体１６が形成されている。この吸収体１６は、底面
１７ｃ上に製膜された吸収膜１６ａを所望の集積回路パ
ターンに形成してなるものである。吸収膜１６ａは、底
面１７ｃが高精度に平坦化されているため、面粗さによ
る歪みや残留応力等のストレスが少ない。従って、高集
積化された集積回路パターンを形成する場合でも、微細
な線幅で正確に形成することが可能となる。また、凹部
１７の深さ（図中におけるＨ）が吸収体１６の厚さ（図
中におけるＴ）と同一がそれよりも深く形成されている
ため、吸収体１６の突出上面１６ｂが透過膜１２の一般
面１２ａから突出することはない。尚、吸収膜１６ａが
集積回路パターンに形成される前の状態のデバイスをマ
スクブランクス１０ａとする。
透過孔１４の周縁部１４ｂの内側の範囲には、つまりメ
ンブレン１５には、０．２〜０．３μｍの厚さを有する
吸収体１６が形成されている。この吸収体１６は、底面
１７ｃ上に製膜された吸収膜１６ａを所望の集積回路パ
ターンに形成してなるものである。吸収膜１６ａは、底
面１７ｃが高精度に平坦化されているため、面粗さによ
る歪みや残留応力等のストレスが少ない。従って、高集
積化された集積回路パターンを形成する場合でも、微細
な線幅で正確に形成することが可能となる。また、凹部
１７の深さ（図中におけるＨ）が吸収体１６の厚さ（図
中におけるＴ）と同一がそれよりも深く形成されている
ため、吸収体１６の突出上面１６ｂが透過膜１２の一般
面１２ａから突出することはない。尚、吸収膜１６ａが
集積回路パターンに形成される前の状態のデバイスをマ
スクブランクス１０ａとする。
【００１９】以上の構成により、半導体基盤２とマスク
１０とが万が一接触した場合でも、吸収体１６が半導体
基盤２に先あたりすることがなく、マスク基板１１の面
上に形成される透過膜１２の被支持膜部１５ａ及び吸収
体１６の突出上面１６ｂが同時に接触するか被支持膜部
１５ａのみが接触するため、メンブレン１５が優先的に
ダメージを受けることがなく、マスク１０と半導体基盤
２とを狭ギャップ化した場合でもマスク１０の破損を回
避することができる。
１０とが万が一接触した場合でも、吸収体１６が半導体
基盤２に先あたりすることがなく、マスク基板１１の面
上に形成される透過膜１２の被支持膜部１５ａ及び吸収
体１６の突出上面１６ｂが同時に接触するか被支持膜部
１５ａのみが接触するため、メンブレン１５が優先的に
ダメージを受けることがなく、マスク１０と半導体基盤
２とを狭ギャップ化した場合でもマスク１０の破損を回
避することができる。
【００２０】また、凹部１７が形成されたことにより、
メンブレン１５が薄膜化されて照射光等の透過率を一層
向上させている。更に、凹部１７は透過孔１４よりも広
く形成されているため、露光面積を最大限に設けること
ができる。そして、凹部１７の底面１７ｃが高精度に平
坦化されているため、そこに形成される吸収体１６の加
工前の吸収膜１６ａの膜質を高めて微細な転写パターン
を正確に形成することができる。
メンブレン１５が薄膜化されて照射光等の透過率を一層
向上させている。更に、凹部１７は透過孔１４よりも広
く形成されているため、露光面積を最大限に設けること
ができる。そして、凹部１７の底面１７ｃが高精度に平
坦化されているため、そこに形成される吸収体１６の加
工前の吸収膜１６ａの膜質を高めて微細な転写パターン
を正確に形成することができる。
【００２１】そして、凹部１７の周縁部１７ｂが透過孔
１４の周縁部１４ｂを避けた位置に形成されているた
め、メンブレン１５に負荷が加わった場合に、透過膜１
２の一般面１２ａと凹部１７の底面１７ｃとの変化部分
での応力集中と、メンブレン１５と被支持膜部１５ａと
の境界部分での応力集中とが、同一箇所で生じることを
防止することができる。従って、マスク１０の破損を回
避することができる。特に、シリコンとダイヤモンドと
いった熱物性が異なる材料を組み合わせて形成されるダ
イヤモンドウェハ１３においては、その界面１１ａにス
トレスが生じているため、透過孔１４の周縁部１４ｂの
応力集中を低減することの効果が高い。
１４の周縁部１４ｂを避けた位置に形成されているた
め、メンブレン１５に負荷が加わった場合に、透過膜１
２の一般面１２ａと凹部１７の底面１７ｃとの変化部分
での応力集中と、メンブレン１５と被支持膜部１５ａと
の境界部分での応力集中とが、同一箇所で生じることを
防止することができる。従って、マスク１０の破損を回
避することができる。特に、シリコンとダイヤモンドと
いった熱物性が異なる材料を組み合わせて形成されるダ
イヤモンドウェハ１３においては、その界面１１ａにス
トレスが生じているため、透過孔１４の周縁部１４ｂの
応力集中を低減することの効果が高い。
【００２２】次に、この発明に係るマスク１０の製造方
法について、Ｘ線リソグラフィー用マスクを例に説明す
る。先ず、シリコン単結晶から切り出された例えば直径
１００ｍｍ、厚さ２０００μｍの寸法のマスク基板１１
を形成する。そして、その上面をＲｍｓ＝０．１〜０．
５ｎｍに鏡面加工し、人工ダイヤモンドを蒸着すること
で、図３に示すように透過膜１２（膜厚２μｍ）を有す
るダイヤモンドウェハ１３を形成する。
法について、Ｘ線リソグラフィー用マスクを例に説明す
る。先ず、シリコン単結晶から切り出された例えば直径
１００ｍｍ、厚さ２０００μｍの寸法のマスク基板１１
を形成する。そして、その上面をＲｍｓ＝０．１〜０．
５ｎｍに鏡面加工し、人工ダイヤモンドを蒸着すること
で、図３に示すように透過膜１２（膜厚２μｍ）を有す
るダイヤモンドウェハ１３を形成する。
【００２３】そして、ダイヤモンドウェハ１３の透過膜
１２の上面であって、透過孔１４の周縁部１４ｂよりも
広い範囲に、周知のガスクラスターイオンビームＧＣＩ
Ｂの照射によって０．２〜１．０μｍの範囲内で一定の
深さを有する凹部１７を形成する。更に、マスク基板１
１の下面を覆い且つその中央部に５０ｍｍ×５０ｍｍの
孔を有する保護シートを密着させ、その孔部分に露出し
たマスク基板１１をエッチング溶液で溶解除去すること
で、図４に示すように透過孔１４及びその透過孔１４を
覆うメンブレン１５を形成する。
１２の上面であって、透過孔１４の周縁部１４ｂよりも
広い範囲に、周知のガスクラスターイオンビームＧＣＩ
Ｂの照射によって０．２〜１．０μｍの範囲内で一定の
深さを有する凹部１７を形成する。更に、マスク基板１
１の下面を覆い且つその中央部に５０ｍｍ×５０ｍｍの
孔を有する保護シートを密着させ、その孔部分に露出し
たマスク基板１１をエッチング溶液で溶解除去すること
で、図４に示すように透過孔１４及びその透過孔１４を
覆うメンブレン１５を形成する。
【００２４】ここで、ガスクラスターイオンビームＧＣ
ＩＢについて図７を用いて説明する。同図に示すよう
に、ガスクラスターイオンビーム装置５０は、主として
クラスター生成部５１と、イオン化部５２と、加速照射
部５３とから構成されている。クラスター生成部５１で
は、アルゴンガス等の原料ガスを高圧で真空中に噴出す
ることにより、原料ガスが断熱膨張により凝縮して原料
ガス原子の集団であるクラスター５５が生成される。生
成されたクラスター５５はイオン化部５２でイオン化さ
れ、加速照射部５３の加速電圧により加速されてガスク
ラスターイオンビームＧＣＩＢとなり被加工物５４に照
射される。照射されたガスクラスターイオンビームＧＣ
ＩＢは被加工物５４に衝突してその加工表面５４ａをス
パッタする。この時、衝突によってクラスター５５を形
成していた原子が分離し、被加工物５４の加工表面５４
ａと平行に飛散することで加工表面５４ａの突起をスパ
ッタし、加工表面５４ａが高精度に平坦化される。
ＩＢについて図７を用いて説明する。同図に示すよう
に、ガスクラスターイオンビーム装置５０は、主として
クラスター生成部５１と、イオン化部５２と、加速照射
部５３とから構成されている。クラスター生成部５１で
は、アルゴンガス等の原料ガスを高圧で真空中に噴出す
ることにより、原料ガスが断熱膨張により凝縮して原料
ガス原子の集団であるクラスター５５が生成される。生
成されたクラスター５５はイオン化部５２でイオン化さ
れ、加速照射部５３の加速電圧により加速されてガスク
ラスターイオンビームＧＣＩＢとなり被加工物５４に照
射される。照射されたガスクラスターイオンビームＧＣ
ＩＢは被加工物５４に衝突してその加工表面５４ａをス
パッタする。この時、衝突によってクラスター５５を形
成していた原子が分離し、被加工物５４の加工表面５４
ａと平行に飛散することで加工表面５４ａの突起をスパ
ッタし、加工表面５４ａが高精度に平坦化される。
【００２５】上記ガスクラスターイオンビームＧＣＩＢ
を用いて人工ダイヤモンドからなる透過膜１２に凹部１
７を形成するに際して、その底面１７ｃの高精度な平坦
化を伴う凹加工を行うためのガスクラスターイオンビー
ムＧＣＩＢの主要パラメータを下記に示す。 ・クラスター生成室圧力：４０００〜１００００ Ｔｏ
ｒｒ ・加速電圧：２０〜５０ Ｋｅｖ ・イオン化電圧：２００〜５００ Ｖ ・イオン化電流：２００〜５００ ｍＡ ・照射量：３ｅ＋１７〜１ｅ＋１９ ｉｏｎｓ／ｃｍ2
を用いて人工ダイヤモンドからなる透過膜１２に凹部１
７を形成するに際して、その底面１７ｃの高精度な平坦
化を伴う凹加工を行うためのガスクラスターイオンビー
ムＧＣＩＢの主要パラメータを下記に示す。 ・クラスター生成室圧力：４０００〜１００００ Ｔｏ
ｒｒ ・加速電圧：２０〜５０ Ｋｅｖ ・イオン化電圧：２００〜５００ Ｖ ・イオン化電流：２００〜５００ ｍＡ ・照射量：３ｅ＋１７〜１ｅ＋１９ ｉｏｎｓ／ｃｍ2
【００２６】人工ダイヤモンドのような硬い材料に凹部
１７を形成するにあたって、通常のドライエッチングで
加工を行った場合は、凹部１７の底面１７ｃの表面粗さ
が荒くなってしまう。また、機械研磨を行っても凹部１
７の周縁部１７ｂ付近まで研磨することは困難である。
上記のガスクラスターイオンビームＧＣＩＢを用いれ
ば、凹部１７を形成すると共にその底面１７ｃ全域の高
精度な平坦化が可能であるため、生産効率が向上すると
共に凹部１７の底面１７ｃに形成されるＸ線の吸収膜１
６ａの膜質を高めることができる。
１７を形成するにあたって、通常のドライエッチングで
加工を行った場合は、凹部１７の底面１７ｃの表面粗さ
が荒くなってしまう。また、機械研磨を行っても凹部１
７の周縁部１７ｂ付近まで研磨することは困難である。
上記のガスクラスターイオンビームＧＣＩＢを用いれ
ば、凹部１７を形成すると共にその底面１７ｃ全域の高
精度な平坦化が可能であるため、生産効率が向上すると
共に凹部１７の底面１７ｃに形成されるＸ線の吸収膜１
６ａの膜質を高めることができる。
【００２７】上記ガスクラスターイオンビームＧＣＩＢ
の照射によって形成された凹部１７の底面１７ｃは、そ
の表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍに仕上げられて
おり、図５に示すようにその底面１７ｃ上であって透過
孔１４の周縁部１４ｂの内側の範囲に、つまりメンブレ
ン１５に、図示しない反射防止膜を介して、例えばＴａ
膜又はＷ−Ｔｉ合金膜（Ｔｉ：１．５％含有）等からな
るＸ線の吸収膜１６ａを平均膜厚０．２〜０．３μｍで
製膜し、マスクブランクス１０ａを形成する。
の照射によって形成された凹部１７の底面１７ｃは、そ
の表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍに仕上げられて
おり、図５に示すようにその底面１７ｃ上であって透過
孔１４の周縁部１４ｂの内側の範囲に、つまりメンブレ
ン１５に、図示しない反射防止膜を介して、例えばＴａ
膜又はＷ−Ｔｉ合金膜（Ｔｉ：１．５％含有）等からな
るＸ線の吸収膜１６ａを平均膜厚０．２〜０．３μｍで
製膜し、マスクブランクス１０ａを形成する。
【００２８】最後に、吸収膜１６ａの表面に、所望の集
積回路パターンを描くように電子ビームを走査させた後
にエッチング工程を経て、集積回路パターンを有する吸
収体１６が形成されて、図６に示すリソグラフィー用の
マスク１０が完成する。
積回路パターンを描くように電子ビームを走査させた後
にエッチング工程を経て、集積回路パターンを有する吸
収体１６が形成されて、図６に示すリソグラフィー用の
マスク１０が完成する。
【００２９】上述のように製造されたリソグラフィー用
のマスク１０において、ダイヤモンドウェハ１３の凹部
１７をガスクラスターイオンビームＧＣＩＢによって形
成することにより、凹部１７の凹加工とその底面１７ｃ
の高精度な平坦化加工とを同時に行うことができるた
め、ダイヤモンドウェハの製造工数を低減できる。ま
た、短形状の凹部１７においても、その底面１７ｃの全
域が高精度に平坦化されるため、その面上に形成される
吸収膜１６ａの膜質が高まり、微細な集積回路パターン
を正確に形成することができる。
のマスク１０において、ダイヤモンドウェハ１３の凹部
１７をガスクラスターイオンビームＧＣＩＢによって形
成することにより、凹部１７の凹加工とその底面１７ｃ
の高精度な平坦化加工とを同時に行うことができるた
め、ダイヤモンドウェハの製造工数を低減できる。ま
た、短形状の凹部１７においても、その底面１７ｃの全
域が高精度に平坦化されるため、その面上に形成される
吸収膜１６ａの膜質が高まり、微細な集積回路パターン
を正確に形成することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１に記
載した発明によれば、吸収体の、透過膜の被転写体の一
般面からの突出量を減少させる又は吸収体の突出を無く
すことが可能となるため、マスクと被転写体とをより挟
ギャップ化することができる。また、吸収体の配設部位
の透過膜をより薄膜化することが可能となるため、照射
光等の透過性をより高めることができる。従って、より
高解像の露光が可能となり、半導体装置の一層の高集積
化に対応できる効果がある。
載した発明によれば、吸収体の、透過膜の被転写体の一
般面からの突出量を減少させる又は吸収体の突出を無く
すことが可能となるため、マスクと被転写体とをより挟
ギャップ化することができる。また、吸収体の配設部位
の透過膜をより薄膜化することが可能となるため、照射
光等の透過性をより高めることができる。従って、より
高解像の露光が可能となり、半導体装置の一層の高集積
化に対応できる効果がある。
【００３１】また、請求項２に記載の発明によれば、マ
スクに負荷が加わった場合、構造的に最も弱い自立膜部
にかかる負荷を低減することが可能となるため、自立膜
部の強度を高め、マスクが容易に破損することを防止で
きる効果がある。また、マスクの露光面積を最大限に設
けることが可能となるため、半導体装置の一層の高集積
化に対応できる効果がある。
スクに負荷が加わった場合、構造的に最も弱い自立膜部
にかかる負荷を低減することが可能となるため、自立膜
部の強度を高め、マスクが容易に破損することを防止で
きる効果がある。また、マスクの露光面積を最大限に設
けることが可能となるため、半導体装置の一層の高集積
化に対応できる効果がある。
【００３２】また、請求項３に記載の発明によれば、吸
収膜が形成される底面を高精度に平坦化することで吸収
体の膜質を高めることが可能となるため、微細な転写パ
ターンを正確に形成することができる効果がある。
収膜が形成される底面を高精度に平坦化することで吸収
体の膜質を高めることが可能となるため、微細な転写パ
ターンを正確に形成することができる効果がある。
【００３３】また、請求項４に記載の発明によれば、凹
部の形成とその底面の全域の高精度な平坦化とを同時に
行うことが可能となるため、ダイヤモンドウェハの製造
工数を低減できる効果がある。
部の形成とその底面の全域の高精度な平坦化とを同時に
行うことが可能となるため、ダイヤモンドウェハの製造
工数を低減できる効果がある。
【００３４】また、請求項５に記載の発明によれば、膜
質の高い吸収膜を形成することが可能となるため、その
吸収膜を所望の転写パターンに形成するに際して、微細
な線幅のパターンを正確に形成することができる効果が
ある。
質の高い吸収膜を形成することが可能となるため、その
吸収膜を所望の転写パターンに形成するに際して、微細
な線幅のパターンを正確に形成することができる効果が
ある。
【００３５】また、請求項６に記載の発明によれば、吸
収体の厚さ方向の突出上面が透過膜の被転写体側の一般
面と同一かそれよりも突出させないことが可能となるた
め、万が一マスクと被転写体とが接触した場合に、透過
孔の開口範囲に形成されている吸収体の突出上面のみが
先あたりすることを防止できる。従って、強度的に最も
弱い自立膜部に負荷が集中することを防止することがで
き、マスクと被転写体とを挟ギャップ化した場合でもマ
スクの破損を回避することができる効果がある。
収体の厚さ方向の突出上面が透過膜の被転写体側の一般
面と同一かそれよりも突出させないことが可能となるた
め、万が一マスクと被転写体とが接触した場合に、透過
孔の開口範囲に形成されている吸収体の突出上面のみが
先あたりすることを防止できる。従って、強度的に最も
弱い自立膜部に負荷が集中することを防止することがで
き、マスクと被転写体とを挟ギャップ化した場合でもマ
スクの破損を回避することができる効果がある。
【図１】 本発明の実施形態の斜視説明図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】 ダイヤモンドウェハの加工前の断面図であ
る。
る。
【図４】 ダイヤモンドウェハの加工後の断面図であ
る。
る。
【図５】 マスクブランクスの断面図である。
【図６】 マスクの断面図である。
【図７】 ガスクラスターイオンビーム装置の構成説明
図である。
図である。
【図８】 従来のＸ線を露光光源とするステッパの構成
説明図である。
説明図である。
２ 半導体基板
１０ マスク
１０ａ マスクブランクス
１１ マスク基板
１２ 透過膜
１３ ダイヤモンドウェハ
１４ 透過孔
１４ｂ 周縁部
１５ メンブレン
１６ 吸収体
１６ａ 吸収膜
１７ 凹部
１７ｂ 周縁部
１７ｃ 底面
ＧＣＩＢ ガスクラスターイオンビーム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ
(72)発明者 松木 竜一
茨城県那珂郡那珂町向山1002−14 三菱マ
テリアル株式会社総合研究所那珂研究セン
ター内
(72)発明者 大島 秀夫
茨城県那珂郡那珂町向山1002−14 三菱マ
テリアル株式会社総合研究所那珂研究セン
ター内
(72)発明者 足立 美紀
茨城県那珂郡那珂町向山1002−14 三菱マ
テリアル株式会社総合研究所那珂研究セン
ター内
(72)発明者 松尾 二郎
京都府京都市左京区吉田本町 京都大学
工学部イオン工学実験施設内
Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB01 BB35 BC10 BC27
BC28
5C034 BB05
5F046 AA25 BA02 GD02 GD03 GD07
GD13
5F056 AA22 EA04 FA03 FA05
Claims (6)
- 【請求項１】 透過孔を有するマスク基板の被転写体側
の面上に前記透過孔を覆うようにダイヤモンドの透過膜
が形成されてなるリソグラフィー用のダイヤモンドウェ
ハにおいて、前記透過膜の被転写体側の面であって照射
光等の吸収体を配設する部位に凹部が設けられたことを
特徴とするリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ。 - 【請求項２】 前記凹部の周縁部が前記透過孔の周縁部
を覆う範囲に形成されたことを特徴とする請求項１記載
のリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ。 - 【請求項３】 前記凹部はガスクラスターイオンビーム
の照射によって成形され、その底面の表面粗さがＲｍｓ
＝０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１，
２記載のリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ。 - 【請求項４】 マスク基板上にダイヤモンドの透過膜を
形成する工程と、透過膜のみで構成されるメンブレンを
形成する工程とを含むリソグラフィー用のダイヤモンド
ウェハの製造方法において、前記透過膜の被転写体側の
面であって照射光等の吸収体を配設する部位にガスクラ
スターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝
０．１〜１０ｎｍの底面を有する凹部を形成する工程を
含むことを特徴とするリソグラフィー用のダイヤモンド
ウェハの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜３の何れかに記載のダイヤモ
ンドウェハの被転写体側の面上に照射光等の吸収膜が形
成されてなるリソグラフィー用のマスクブランクスにお
いて、前記ダイヤモンドウェハの凹部の底面上に前記吸
収膜が形成されたことを特徴とするリソグラフィー用の
マスクブランクス。 - 【請求項６】 請求項４記載のマスクブランクスの吸収
膜が所望の転写パターンを有する吸収体に形成されてな
るリソグラフィー用のマスクにおいて、前記吸収体の厚
さをＴ、前記凹部深さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであること
を特徴とするリソグラフィー用のマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083933A JP3736487B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002083933A JP3736487B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282411A true JP2003282411A (ja) | 2003-10-03 |
| JP3736487B2 JP3736487B2 (ja) | 2006-01-18 |
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ID=29231490
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002083933A Expired - Fee Related JP3736487B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007114336A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
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-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002083933A patent/JP3736487B2/ja not_active Expired - Fee Related
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