DE3435177A1 - Maske fuer lithographische zwecke - Google Patents
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Description
Tedtke - BüHLING - KÄ-kfeifeO^i Κ£ΤΑ&
r% V* O Dipl.-Ing. H. Tiedtke I
InELLMANN - WRAMS " OTRUIF . Dipt.-Chem. G.Bühiing
Dipl.-Ing. R Kinne
♦ 3> Dipl.-Ing. R Grupe
I ;;; .; Dipl.-Ing. B. Pellmann
Ο / ο C 1 7 7 : Dipl.-Ing. K Grams
0^ OJ Dipl.-Chem. Dr.8.Struif
Bavariaring 4, Postfach 8000 München 2
Tel.: 089-539653 ■j . Telex: 5-24845 tipat
Telecopier: O 89-537377
. ,„.■'..-,.■„.■-. : cable: Germaniapatent Mür
Canon Kabusrnlo Kaisha
25. September • Toki0' *a»an ' DE 4288
- Maske f ür " 1 i':-thοg rap h j,sche Zwecke
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gegenstand mit
einer Maskenstruktur für llthogr$piil$che Zwecke.
Heutzutage .findet ein-Verfahren $ut-Herstellung von
verschiedenartigen Produkten dur|h eine teilweise
Otjerflächenmodifikation v&n Werkstücken unter Verwendung
von lithographischen Techniken breite Anwendung
in der Industrie^ insbesSricieire in der elektronischen
"Industrie. Dies-es Verfaiiirefi gestattet eine
Magsenriroduktion;von- ßegenistände^ jjie das gleiche
Modifikationsmuster «uf de;r ptterflache aufweisen. Die
Oberflächenfnodifikation derί Werk|tlc;ke kann durch
Bestrahlen mit verschiedenen Αΐΐφπ 'von Energie erfolgen,
'i'jobei Masken verwendet weetien:,r df e.'örtlich ein Strahlungseftergie
auffangendesfMateii|J^-vorsehen, um Muster
herzustellen:. Wenn als Sit35ahlungfene!fgie sichtbares
Licht verwendet w |rd, vsaieft die bfsHer. verwendeten
Masken so ausgebildet, öaS sie e|n transparentes
Substrat aus Glas, Quarz o;.ä. umfassten, das nit einem
Muster aus schwarzer Farbe beschichtet oder mit einem
Muster aus'einer Metallfolie o.a., die gegenüber sieht- '
barem Licht opak war, laminiai't war.
In neuerer Zeit sind Röntgenstrahlen und andere Korpuskularstrahlen,
beispielsweise: Ionenstrahlen, als Strahlungsquellen
eingesetzt worden, da ein Bedarf nach
feineren Mustern und einer kürzeren lithographischen
Behandlungszeit bestand. DieJEnergie dieser Strahlen wird zujn größten teil durch die Glas- oder Quarz-
platte absorbiert, die bei der vorstehend erwähnten
Maske zum Abschirmen lies sichtbaren Lichtes Verwendung
findet. Wenn derartige Arrten-.von Strahlungsenergie verwendet werden, ist es daher nicht wünschenswert, eine
Glas- oder Quarzplatte für die Maske zu verwenden. Die für solche lithographischen Verfahren, bei denen Röntgenstrahlen
oder Korpuskularstrahlen als Strahlungsquellen
eingesetzt werden, verwendeten Masken umfassen daher: (1) Einen gegenüber diesen Strahlen transparenten
Film, der ej.nen anorganischen Film, beispielsweise Siliziumnitrid-, Bornitrid- und Siliziumoxidfilme, einen
organischen Film, beispielsweise Polyimid-, Polyamid-
und Polyesterfurne, oder einen zusammengesetzten Film
aus diesen Materialien umfasst, und (2) ein überlagerndes Muster aus Metall! beispielsweise Gold, Platin, Nickel,
Paladium, Rhodium und Indium, das gegenüber diesen Strahlen opak ist. Diese Art von Maske besitzt jedoch selbst
kein Formhaltevermögen und wird dsher von einer geeigneten
Basis gestützt.· Figur Γ steigt einen Schnitt durch
ein typisches Beispiel einer derartigen Mas.ke, die bis
3D zum heutigen Tage verwendet.wurde. Diese Maske wird so
hergestellt, daG der fJmfangsäbschnitt eines Maskenmaterialhaltefilns
2 (hiernach nur ncch als Haltefilm bezeichnet),
der auf einer Seite (der oberen Fläche in Figur 1) gegenüber Strahlungsenergie durchlässig ist,
mit einem Kleber A an einer ringförmigen Basisplatte
■*** A-
befestigt .wird, wobei der-Halfcefilm 2 mit einen geeigneten
Muster einesMasfc/eriimaiteiial-s 1, das Strahlungsenergie
absorbieren kann,rauf seiner Oberfläche versehen ist. Figur 2 zeigt eine Draufsicht auf die ringförmige
Basisplatte 3. .'■■
■■■ . - . I . 'i ..-. ■
Bei dem verstehend beschil.efaeneniMa.okenaufbau nach dem
Stand der Technik treten -jjedoch !Schwierigkeiten beim
Ebenhalten "des Haltefilms?^ auf,;, da ,je nach der Art der
Aufbringung, des Klebers 4^""di erfolgenden" Fehlerquellen
existieren können: Die Dicke: der* Kleberschicht A kann
uneben sein, der Klebfer'4i kani| vprik'rier Umfangsseite des
Haitefilms 2 h6;rausfließefti od^r-Ürafangsteile des Halte-■
.films 2 können beim Zurichten :des Umfangs abblättern.
Dadurch werden Ungenauigkelten bjßi der Lithographie
verursacht. i -
Der Erfindung liegt die Aufgabe ;züfrunde, einen Gegenstand
mit einer {-laskenstruktur für lithographische Zwecke zu
schaffen, der durch Verkleben eines Maskenmaterialhaitefilms
mit .einer Basispla^e hergestellt wird und dessen
Ebenheit des Haltefilms verbessert ist.
Diese Aufgabe wird .bei eiher Au$führungsfor^. der vorliegenden
Erfindung durchj einen Gegenstand mit' einer
Maskenstruktur für lithOg£aphisejhe Zwecke gelöst, der
eine ringförmige Basisplajtite umfasst, die einen Unfangsabschnitt
eines Maskennaterialhaltefilfnes lagert, der
auf einer Oberfläche derJÖasispfatte vorgesehen ist und
ein gewünschtes Mustex !äe$ Mask^iimsterials trägt. Der
Gegenstand ist dadurch geikennze|chnet, daß der Maskenmaterialhaltefiln
und die Basispilatte'an einer äußeren
Umfangsflache, die mit tifi oberSit^n flachen Endfläche
der Basisplatte glatt verbunden und auf einem niedrigeren
:. ■■':■'■
Niveau liegt als die oberste flache Endfläche der Basisplatte, oder an'ßiner Oberfläche, die an die
äußere Umfangsflache anstößt, miteinander verbunden
bzw. verklebt Sinti*, ι ' ,
Bei einer anderen; Ausführgnisform der Erfindung um- ·
fasst ein Gegenstand.">nii eitte* Maskenstrukt'ur für
lithographische Zwecke eine ringförmige 3asisplatte,
die einen Umfangsabschnitt eines Maskenmaterialhaltefilns
lagert, des gjüf einst Oberfläche desselben mit
einem gewünschten Muster del Maskenmaterials versehen
ist. Dieser Ge§enstancf ist dadurch gekennzeichnet j
>f -,-"■- ■ " . daß
der Maskenmaterialhaltefilm und die Sasisplatte
an einer äußeren Umfangsfläche auf einem niedrigeren
Niveau als der obersten flachen Endfläche der Basisplatte
unter einem geeigneten Winkel.oder an einer an
die äußere UmfarrgsflJche ar>stoQenden Fiäche miteinander
verbunden bzw. veEfcltbt
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit ;der Zeichnung im einzelnen erläutert. E's zeigen: ■
Figur 1 einen Schnitt durch,, eine' Maskenstruktur nach
dem Stand det Technik;
Figur 2 eine Draufsicht auf die Basisplatte der Maskenstruktur;
die Figuren 3, 5 und-7
Schnitte durch Ausführungsformen von Maskenstrukturen
nach der Erfindung; und
die Figuren 4 und 6 ■!■■".
Draufsichten auf die Basisplatten der in den
Figuren 3 und 5 gezeigten Ausführungsformen.
Figur 3 zeigt einen Schnitt durch eine erste Ausführungsforn
einer erfindungsgemäX! ausgebildeten Maskenstruktur.
Ein Maskenmaterial i mit einen gewünschten Muster befindet sich auf einer Oberfläche eines Haltefilms
2. Das Maskenmaterial 1 besteht aus einem dünnen Film rait einer Dicke von etwa 0,7pm aus beispielsweise
Gold, Platin, Nickel, Paladiurä, Rhodium oder Indium.
Der Haltefilm 2 ist aus einem anorganischen Material, beispielsweise Siliziumnitrid,. 30rnitrid oder Siliziumoxid,
oder aus einem organischen Material, beispielsweise Polyimid, Polyamid oder Polyester, hergestellt
und besitzt eine Dicke von etwa 2 - 12prn. Der Haltefilm 2 ist über einen Kleber 4 atn Umfangsabschnitt
seiner Fläche mit einer ringförmigen Basisplatte 3 verbunden. Figur 4 zeigt eine Draufsicht auf die
Basisplatte .3. Der Kleber\4 ist nicht auf die oberste
flache Endfläche 3a der Bäsisplatte 3 sondern nur auf
die äußere gekrümmte ringförmige· Fläche 3b, die an die Fläche 3a anstößt, aufgebracht. BIe Basisplatte 3 besteht
beispielsweise aus Siliziuin,, Glas, Quarz, Phosphorbronze, Messing, Nickel oßev rostfreiem Stahl. Als
Kleber 4 kann jeder geeignete Typ verwendet werden, beispielsweise
ein Lösungsmittelkleber, ein hitzehärtbarer Kleber oder ein lichthärtbarer Kleber, der aus der
Epoxidreihe, Kautschukreihe oder einer anderen· geeigneten
Spezies ausgewählt ist.
Figur 5 zeigt einen Schnitt durch eine zweite Ausführungsform e*iner erfindungsgenäß ausgebildeten Maskenstruktur.
In Figur 5 finden die gleichen Bezugszeichen
wie in den Figuren 3 und M Veiwendung.
Auch bei dieser Maskenstriiktur ijefindet sich ein
Maskenmaterial 1 mit einem gewünschten Muster auf einer
Oberfläche eines Haltefilras 2, der am Umfangsabschnitt
seiner Oberfläche über einen Kleber 4 mit einer ringförmigen
Basisplatte 3 verbunden ist. Figur 6 zeigt eine Draufsicht der Basisplatte 3. Der kleber A ist nicht
auf die oberste flache Endfläche 3a der Basisolatte 3 sondern auf die äußere abgeschrägte ringförmige Fläche
3b, die mit der Fläche 3a einen Winkel θ bildet, aufgebracht. Der Winkel^ ist'ifiicht begrenzt, muß jedoch
größer als 0° sein und liegt gewöhnlich zwischen 15 und 30°.· ;; .
Figur 7 zeigt einen Schnitt durch eine dritte Ausführungsform einer erfindungsgemäG ausgebildeten Maskenstruktur.
Diese Ausführungsform entspricht einer solchen, bei der
der Winkel Θ 90° beträgt. Ferner stellt ein dritter Bejreich 3c die Fläche dar, auf die der Kleber A aufgebracht
wird. ·
Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen können Grenzbereiche §es Haltefilmes 2, die über den
Umfang der Basisplatte hinaus vorstehen, je nach ihrer Ausbildung, vorher abgeschnitten werden.
Bei der erfindungsgemäß ausgebildeten Maskenstruktur
kann eine zufriedenstellende Ebenheit der Maskenmaterialhaltefläche
sichergestellt v/erden, ohne· durch die Aufbringung des Klebers 4 bzv.!. das Abschneiden
von Umfangsbereichen des Haltefilnes 2 nachteilig beeinflusst
zu werden, äa der Maltefiin 2 und die Basisplatte
3 an·einer anderen Fläche als der Ebene, die die Maskenmaterialhaltefläche des Haltefilme.s 2 enthält,
miteinander verbunden werderi, Darüberhinaus wird-beider
ersten.Ausführunggforn der Haltefilm 2 mit der
Basisplatte 3 an einem ä'uGecen Rincbereich derselben
verbunden, der glatt in den oberen ebenen Endflächenbereich der Basisplatte 3 übörgsht und "abwärts gekrümmt
ist. Daher werden äußere Kräfte gleichmäßig auf die Maskenmaterialhalteebene des Haltefilms 2 verteilt,
wodurch.die Ebenheit dieser Fläche weiter verbessert wird.
Erfindungsgemäß wird somit ein gegenstand mit einer
Maskenstruktur für lithographische Zwecke vorgeschlagen, der eine ringförmige Sasisplatte umfasst,
die einen Umfangsabschnitt eines" Maskenmaterialhaltefilms
lagert, der auf einer Oberfläche desselben mit einem gewünschten Muster des Mas-kenmaterials versehen
ist. Der Gegenstand ist dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialhaltefilm :und die Basisplatte
an einer äußeren Umfangsflache miteinander verbunden sind, welche glatt oder unter einem geeigneten Winkel in die oberste flache Endfläche der Bssisolatte
übergeht und auf einem niedrigeren Miveau liegt als diese oberste flache Endfläche der Basisplatte, oder
an einer Fläche, die an die äußere Umfangsflache stößt.
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Claims (2)
1. Gegenstand mit einer Maskenstruktur für lithographische Zwecke, mit einer ringförmigen Basisplatte,
die einen Umfangsabschnitt eines Maskenmaterialhaltefilmes trägt, der auf einer Oberfläche
mit einen gewünschten Muster des Maskenmaterials versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Maskenmaterialhaltefilm
(2) und die Basisplatte (3) an einer äußeren Umfangsfläche (3b) miteinander verbunden sind,
die glatt in die oberste flache Endfläche (3a) der Basisplatte. (3) übergeht und sich auf einen niedrigeren
Niveau befindet als diese oberste flache Endfläche, oder an einer Fläche, die an die äußere Umfangsfläche
(3b) stößt.
2. Gegenstand mit einer Maskenstruktur für lithographische Zwecke, mit einer ringförmigen Basisplatte, die einen Umfangsabschnitt eines Maskenmaterialhaltefilms
trägt, der auf einer Oberfläche desselben mit einem gewünschten Muster des Maskenmaterials
vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Masken-
Ddjdn#r Bank (München) Klo 3939844 Deutsch« Bank (München) KtO 2861060 Po«tsch«cttaml (München) Klo 670-43-804
naterialhaltefilm (2) und die Basisplatte (3) an einer
äußeren Urnfangsfläche (3c) miteinander verbunden sind,
die sich auf einem niedrigeren Miveau befindet als
die oberste flache Endfläche (3a) der Basisplatte und mit dieser einen geeigneten Winkel bildet, oder an
einer Fläche, die an diese äußere Umfangsfläohe (3c)
stoßt.
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1989
- 1989-08-25 US US07/398,309 patent/US4956249A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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Also Published As
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