NL8004139A - Halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8004139A NL8004139A NL8004139A NL8004139A NL8004139A NL 8004139 A NL8004139 A NL 8004139A NL 8004139 A NL8004139 A NL 8004139A NL 8004139 A NL8004139 A NL 8004139A NL 8004139 A NL8004139 A NL 8004139A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor device
- layer
- amorphous silicon
- conductivity type
- semiconductor body
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
- H01L23/4924—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials
- H01L23/4926—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials the materials containing semiconductor material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising semiconducting material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
' s β.»·1 -*Γ * ΡΗΝ 9801 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Halfgeleiderinrichting.
De uitvinding heeft betrekking op een halfgeleiderinrichting net een schijfvormig halfgeleiderlichaam, waarin aan de zijde van een eerste hoofdvlak tenminste een schakelingselement is gevormd en waarvan een tegenover het eerste hoofdvlak gelegen tweede hoofdvlak is bedekt 5 met een hechtlaag waarop tenminste een metaallaag is aangebracht, die met een drager is verbonden en op een werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
Bekende uit silicium bestaande halfgeleiderlichamen zijn aan de zijde van het tweede hoofdvlak bijvoorbeeld bedekt met een 10 hechtlaag bestaande uit titaan, chroom of nikkelchroon. Op de hechtlaag zijn bijvoorbeeld metaallagen uit platina en goud of nikkel en goud aangebracht. In plaats van goud wordt ook zilver toegepast.
De buitenste metaallaag is via een lijm- of een drukverbinding met een drager verbonden, die een elektrische aansluiting voor het half-15 geleiderlichaam vormt. Ook worden soldeerverbindingen toegepast, welke tevens dienen voor de af voer van warmte, die in de halfgeleiderinrichting wordt gegenereerd.
In de praktijk blijkt het aanbrengen van metaallagen op een halfgeleiderlichaam kostbaar te zijn, terwijl regelmatig problemen qp-20 treden ten gevolge van een onvoldoende hechting en kontaktering door de hechtlaag.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd de genoemde problemen althans in belangrijke mate te vermijden. Zij berust onder meer op het inzicht dat hechtlagen ook uit niet-metallische materialen kunnen 25 worden vervaardigd.
De in de aanhef genoemde halfgeleiderinrichting wordt volgens de uitvinding derhalve daardoor gekenmerkt, dat de hechtlaag bestaat uit gedoteerd amorf silicium van hetzelfde geleidingstype als het halfgeleiderlichaam aan de zijde van het tweede hoofdvlak.
30 Het genoemde amorfe silicium geeft een goede hechting en kontaktering. Door toepassing van amorf silicium als hechtlaag kunnen verder eenvoudiger systemen van metaallagen worden toegepast. Ter verbinding van het halfgeleiderlichaam aan de drager bestaat de metaallaag 8004138 PHN 9801 2 « ** * s ...... bij voorkeur uit soldeermateriaal.
Door de goede hechting van het amorfe silicium kunnen voorheen toegepaste behandelingen van het halfgeleiderlichaam ter verbetering van de hechting, zoals ionenimplantatie en mechanische behandelingen ter ver-5 ruwing van het tweede hoofdvlak achterwege blijven. Door vermindering van het aantal uiteenlopende en vaak produktafhankelijke bewerkingen is meer standaardisatie in de fabrikage mogelijk.
Toepassing van relatief laag gedoteerde halfgeleiderlichamen met behoud van ohmse kontakten is mogelijk indien de concentratie van een 10 het geleidingstype bepalende doteringsstof in de amorfe siliciumlaag groter is dan de concentratie van een het geleidingstype bepalende doteringsstof in het halfgeleiderlichaam aan de zijde van het tweede hoofdvlak.
Een doteringsstof laat zich bijzonder goed en goedkoop bij lage temperatuur in de amorfe siliciumlaag inbouwen wanneer de laag van gedo-15 teerd amorf silicium met behulp van een plasma wordt aangebracht. Hierbij wordt bij voorkeur een plasma gevormd in een gasmengsel bevattende een siliciumverbinding en een verbinding van een het geleidingstype bepalende doteringsstof.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van enige 20 voorbeelden en van bijgaande tekening.
In de tekening stelt figuur 1 schematisch en in doorsnede een deel voor van een halfgeleiderinrichting volgens de uitvinding en figuur 2 schematisch en in doorsnede een deel van een andere halfgeleiderinrichting volgens de uitvinding.
25 Het eerste voorbeeld betreft een diode (zie figuur 1) waarbij in een schijf vormig halfgeleiderlichaam 1 aan de zijde van een eerste hoofdvlak 2 een diode 1,3 is gevormd. Een tegenover het eerste hoofdvlak 2 gelegen hoofdvlak 4 is bedekt met een hechtlaag 5 waarop metaallagen 6 en 7 zijn aangebracht, die met een drager 8 zijn verbonden.
30 Volgens de uitvinding bestaat de hechtlaag 5 uit gedoteerd amorf silicium van hetzelfde geleidingstype als het halfgeleiderlichaam aan de zijde van het tweede hoofdvlak 4.
Bij de vervaardiging wordt uitgegaan van een ca. 200 ^um dik schijf vormig siliciumlichaam 1 van het n-geleidingstype met een dotering 18 3 35 van 5.10 atomen antimoon per cm . Het siliciumlichaam 1 is op een gebruikelijke wijze van een p-type epitaxiale laag 3 voorzien, waardoor de diode 1,3 wordt gevormd.
Op het hoofdvlak 4 wordt met behulp van een plasma een 100 nm.
800 4139 ΓΗΝ 9801 3 r^i
♦ V
dikke laag 5 van gedoteerd amorf silicium aangebracht. Het gasmengsel waarin het plasma wordt gevormd bevat als s ilicimrverbinding silaan (SiH4) en als verbinding van de doteringsstof fosfine (PH^). De depositie wordt uitgevoerd bij 300°C met behulp van gebruikelijke apparatuur.
20 5 De fosforconcentratie in de amorfe siliciumlaag bedraagt ca. 4.10 atomen per cm^.
Aansluitend aan de depositie van laag 5 vindt een warmtebehandeling gedurende 30 minuten bij 650°C plaats, waarbij fosfor vanuit de laag 5 in het lichaam 1 diffundeert.
10 Na een dipets gedurende 15 sekonden in verdunde fluorwaterstof worden metaallagen 6 en 7 van respektievelijk palladium en zilver aangebracht waarna laag 7 met de drager 8 van molybdeen door uitoefening van druk wordt verbonden.
Laag 3 wordt op een gebruikelijke wijze van een kontakt en het 15 geheel van een omhulling voorzien.
Voordelen van de beschreven halfgeleiderinrichting ten opzichte van bekende dioden zijn dat toepassing van duurdere hoog met arseen gedoteerde siliciumlichamen, dat opruwende bewerkingen, zoals zandstralen, en dat dure bewerkingen, zoals ionenimplantatie, ter verbetering van de 2o hechting, kunnen worden vermeden.
Bij een ander voorbeeld (zie figuur 2) is een schijfvormig siliciumlichaam 21, voorzien van een epitaxiale laag 23, waarin een qp een gebruikelijke wijze transistor met emitter 24 en basis 25 is gevormd. De hechtlaag 26 bestaat in plaats van uit het gebruikelijke nikkelchrocm 25 uit gedoteerd amorf silicium, aangebracht zoals in het vorige voorbeeld is beschreven. Op de siliciumlaag 26 zijn gebruikelijke nikkel- en goudlagen 27 respectievelijk 28 aangebracht, die met een van een goudlaag 29 voorzien rooster 30 zijn verbonden.
Cp een gebruikelijke wijze is de halfgeleiderinrichting afge-30 werkt. De amorfe siliciumlaag 26 vertoont ten opzichte van een nikkel-chroanlaag een betere hechting en kan ook goedkoper worden aangebracht.
Het zal duidelijk zijn dat de uitvinding niet is beperkt tot de beschreven voorbeelden, maar dat binnen het kader van de uitvinding de vakman vele variaties ten dienste staan.
35 Zo kunnen in plaats van halfgeleiderlichamen uit silicium ook halfgeleiderlichamen uit III V- of II VImaterialen worden toegepast.
Indien het halfgeleiderlichaam van het p-geleidingstype is kan de amorfe siliciumlaag het p-geleidingstype worden gegeven door het 8004139 PHN 9801 4
•ï- V
plasma te genereren in een gasmengsel dat als verbinding van de doterings-stof diboraan (¾¾) bevat.
Ook kan de amorfe siliciumlaag direkt door handsolderen met de drager worden verbonden.
5 10 15 20 25 30 35 800 4 1 39
Claims (5)
1. Half geleider inrichting met een schijf vormig halfgeleider-lichaam waarin aan de zijde van een eerste hoofdvlak tenminste een scha-kelingselement is gevormd en waarvan een tegenover het eerste hoofdvlak gelegen tweede hoofdvlak is bedekt met een hechtlaag waarop tenminste 5 een metaallaag is aangebracht, die met een drager is verbanden, met het kenmerk, dat de hechtlaag bestaat uit gedoteerd amorf silicium van hetzelfde geleidingstype als het halfgeleiderlichaam aan de zijde van het tweede hoofdvlak.
2. Halfgeleider inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, TO dat de metaallaag uit soldeermateriaal bestaat.
3. Halfgeleiderinrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de concentratie van een het geleidingstype bepalende doterings-stof in de amorfe siliciumlaag groter is dan de concentratie van een het geleidingstype bepalende doteringsstof in het halfgeleiderlichaam aan de 15 zijde van het tweede hoofdvlak.
4. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de laag van gedoteerd amorf silicium met behulp van een plasma wordt aangebracht.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat een plasma 20 wordt gevormd in een gasmengsel bevattende een siliciumverbinding en een verbinding van een het geleidingstype bepalende doteringsstof. 25 30 8004139 35
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8004139A NL8004139A (nl) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Halfgeleiderinrichting. |
| DE19813124879 DE3124879A1 (de) | 1980-07-18 | 1981-06-25 | "halbleiteranordnung" |
| US06/281,760 US4476483A (en) | 1980-07-18 | 1981-07-09 | Semiconductor device having a doped amorphous silicon adhesive layer |
| GB8121778A GB2080028B (en) | 1980-07-18 | 1981-07-15 | Adhesive layers for bonding metal layers to semiconductor |
| JP56110631A JPS5752144A (en) | 1980-07-18 | 1981-07-15 | Semiconductor device |
| CA000381832A CA1176764A (en) | 1980-07-18 | 1981-07-16 | Semiconductor device |
| IE1621/81A IE51997B1 (en) | 1980-07-18 | 1981-07-17 | Semiconductor device |
| FR8114001A FR2487123B1 (fr) | 1980-07-18 | 1981-07-17 | Dispositif semi-conducteur et procede pour relier celui-ci a un support |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8004139 | 1980-07-18 | ||
| NL8004139A NL8004139A (nl) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Halfgeleiderinrichting. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8004139A true NL8004139A (nl) | 1982-02-16 |
Family
ID=19835640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8004139A NL8004139A (nl) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Halfgeleiderinrichting. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4476483A (nl) |
| JP (1) | JPS5752144A (nl) |
| CA (1) | CA1176764A (nl) |
| DE (1) | DE3124879A1 (nl) |
| FR (1) | FR2487123B1 (nl) |
| GB (1) | GB2080028B (nl) |
| IE (1) | IE51997B1 (nl) |
| NL (1) | NL8004139A (nl) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3335184A1 (de) * | 1983-09-28 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von halbleiterbausteinen |
| US4905075A (en) * | 1986-05-05 | 1990-02-27 | General Electric Company | Hermetic semiconductor enclosure |
| DE3823347A1 (de) * | 1988-07-09 | 1990-01-11 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungs-halbleiterelement |
| JP2731040B2 (ja) * | 1991-02-05 | 1998-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5441914A (en) * | 1994-05-02 | 1995-08-15 | Motorola Inc. | Method of forming conductive interconnect structure |
| US5998237A (en) * | 1996-09-17 | 1999-12-07 | Enthone-Omi, Inc. | Method for adding layers to a PWB which yields high levels of copper to dielectric adhesion |
| US7635635B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-12-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method for bonding a semiconductor substrate to a metal substrate |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1514111C3 (de) * | 1965-01-29 | 1973-09-20 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Verlotung von Halbleiterscheiben mit ihren Anschluß elektroden |
| GB1039257A (en) * | 1965-05-21 | 1966-08-17 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor devices |
| DE1283970B (de) * | 1966-03-19 | 1968-11-28 | Siemens Ag | Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement |
| DE1806980A1 (de) * | 1967-11-15 | 1969-06-19 | Fairchild Camera Instr Co | Halbleiter-Bauelement |
| DE1614668B2 (de) * | 1967-12-01 | 1974-08-29 | Semikron Gesellschaft Fuer Gleichrichterbau Und Elektronik Mbh, 8500 Nuernberg | Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE1803489A1 (de) * | 1968-10-17 | 1970-05-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
| FR2085358A1 (nl) * | 1970-04-13 | 1971-12-24 | Comp Generale Electricite | |
| DE2031078A1 (en) * | 1970-06-24 | 1971-12-30 | Licentia Gmbh | Semiconductor diode - with migration - inhibiting intermediate contact layers |
| DE2109508C2 (de) * | 1971-03-01 | 1985-04-04 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Thyristor |
| DE7216704U (de) * | 1971-05-03 | 1972-08-10 | Motorola Inc | Halbleiteranordnung mit flachliegender grenzschicht |
| US4106051A (en) * | 1972-11-08 | 1978-08-08 | Ferranti Limited | Semiconductor devices |
| DE2930779C2 (de) * | 1978-07-28 | 1983-08-04 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Halbleitervorrichtung |
| US4251287A (en) * | 1979-10-01 | 1981-02-17 | The University Of Delaware | Amorphous semiconductor solar cell |
-
1980
- 1980-07-18 NL NL8004139A patent/NL8004139A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-06-25 DE DE19813124879 patent/DE3124879A1/de active Granted
- 1981-07-09 US US06/281,760 patent/US4476483A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-07-15 JP JP56110631A patent/JPS5752144A/ja active Granted
- 1981-07-15 GB GB8121778A patent/GB2080028B/en not_active Expired
- 1981-07-16 CA CA000381832A patent/CA1176764A/en not_active Expired
- 1981-07-17 IE IE1621/81A patent/IE51997B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-07-17 FR FR8114001A patent/FR2487123B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3124879A1 (de) | 1982-03-18 |
| GB2080028B (en) | 1984-03-28 |
| FR2487123A1 (fr) | 1982-01-22 |
| FR2487123B1 (fr) | 1986-06-20 |
| IE811621L (en) | 1982-01-18 |
| DE3124879C2 (nl) | 1991-01-31 |
| CA1176764A (en) | 1984-10-23 |
| US4476483A (en) | 1984-10-09 |
| IE51997B1 (en) | 1987-05-13 |
| GB2080028A (en) | 1982-01-27 |
| JPS5752144A (en) | 1982-03-27 |
| JPS6322458B2 (nl) | 1988-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8004139A (nl) | Halfgeleiderinrichting. | |
| US3728784A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| EP0217405A1 (en) | Transparent conductive film and method of fabricating the same | |
| US3298093A (en) | Bonding process | |
| US4301592A (en) | Method of fabricating semiconductor junction device employing separate metallization | |
| US3293509A (en) | Semiconductor devices with terminal contacts and method of their production | |
| US3638301A (en) | Method for manufacturing a variable capacitance diode | |
| US3480841A (en) | Solderable backside ohmic contact metal system for semiconductor devices and fabrication process therefor | |
| US3650826A (en) | Method for producing metal contacts for mounting semiconductor components in housings | |
| US3728785A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| US3349296A (en) | Electronic semiconductor device | |
| US3963523A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| NL8006827A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| US4007297A (en) | Method of treating semiconductor device to improve its electrical characteristics | |
| US3443175A (en) | Pn-junction semiconductor with polycrystalline layer on one region | |
| US3636418A (en) | Epitaxial semiconductor device having adherent bonding pads | |
| US3768151A (en) | Method of forming ohmic contacts to semiconductors | |
| US6281039B1 (en) | Hybrid device and a method of producing electrically active components by an assembly operation | |
| JPS6024074A (ja) | ヒ化ガリウム半導体デバイスおよびその製造方法 | |
| US4142202A (en) | Multi-layer metal connecting contact and method for making it | |
| US3942243A (en) | Ohmic contact for semiconductor devices | |
| US3798083A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| JPH0555100A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2000506685A (ja) | ガラス被覆半導体装置の製造方法及びガラス被覆半導体装置 | |
| JPS613469A (ja) | 双方向性ツエナ−ダイオ−ド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BV | The patent application has lapsed |