NL7713947A - Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan. - Google Patents

Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan.

Info

Publication number
NL7713947A
NL7713947A NL7713947A NL7713947A NL7713947A NL 7713947 A NL7713947 A NL 7713947A NL 7713947 A NL7713947 A NL 7713947A NL 7713947 A NL7713947 A NL 7713947A NL 7713947 A NL7713947 A NL 7713947A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
power transistor
transistor
power
Prior art date
Application number
NL7713947A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL7713947A publication Critical patent/NL7713947A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/40—Vertical BJTs
    • H10D10/441—Vertical BJTs having an emitter-base junction ending at a main surface of the body and a base-collector junction ending at a lateral surface of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H10D62/177—Base regions of bipolar transistors, e.g. BJTs or IGBTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/914—Polysilicon containing oxygen, nitrogen, or carbon, e.g. sipos
NL7713947A 1976-12-20 1977-12-16 Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan. NL7713947A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7638303A FR2374742A1 (fr) 1976-12-20 1976-12-20 Transistor multicouche pour tensions elevees et son procede de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7713947A true NL7713947A (nl) 1978-06-22

Family

ID=9181255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7713947A NL7713947A (nl) 1976-12-20 1977-12-16 Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4315271A (enExample)
JP (1) JPS5377473A (enExample)
CA (1) CA1091816A (enExample)
DE (1) DE2754412A1 (enExample)
FR (1) FR2374742A1 (enExample)
GB (1) GB1547125A (enExample)
NL (1) NL7713947A (enExample)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5598854A (en) * 1979-01-24 1980-07-28 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
DE3016749A1 (de) * 1980-04-30 1981-11-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kontakt fuer mis-halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE3044341C2 (de) * 1980-11-25 1984-10-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Fototransistor
JPS5799771A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5818964A (ja) * 1981-07-28 1983-02-03 Fujitsu Ltd 半導体装置
FR2528233A1 (fr) * 1982-06-08 1983-12-09 Thomson Csf Structure de doigt d'emetteur dans un transistor de commutation
FR2570879B1 (fr) * 1984-09-21 1987-05-22 Thomson Csf Transistor bipolaire de puissance utilisable en commutation
JPS61294856A (ja) * 1985-06-21 1986-12-25 Nec Corp 高耐圧半導体装置
JPS62142356A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Sanken Electric Co Ltd トランジスタ
US4967254A (en) * 1987-07-16 1990-10-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JPH0262048A (ja) * 1988-08-27 1990-03-01 Fuji Electric Co Ltd トランジスタ
JP2551152B2 (ja) * 1989-06-29 1996-11-06 富士電機株式会社 Ｍｏｓコントロールサイリスタ
JPH067555B2 (ja) * 1989-07-10 1994-01-26 サンケン電気株式会社 マルチセル型トランジスタ
AU2805092A (en) * 1991-10-23 1993-05-21 Microunity Systems Engineering, Inc. Bipolar junction transistor exhibiting improved beta and punch-through characteristics
US5716859A (en) * 1995-12-22 1998-02-10 The Whitaker Corporation Method of fabricating a silicon BJT
EP0878848A1 (en) * 1997-05-16 1998-11-18 STMicroelectronics S.r.l. Vertical bipolar semiconductor power transistor with an interdigitised geometry, with optimisation of the base-to-emitter potential difference

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3300694A (en) * 1962-12-20 1967-01-24 Westinghouse Electric Corp Semiconductor controlled rectifier with firing pin portion on emitter
US3337783A (en) * 1964-01-16 1967-08-22 Westinghouse Electric Corp Shorted emitter controlled rectifier with improved turn-off gain
CH436494A (de) * 1966-04-22 1967-05-31 Bbc Brown Boveri & Cie Steuerbares Halbleiterventil
US3617828A (en) * 1969-09-24 1971-11-02 Gen Electric Semiconductor unijunction transistor device having a controlled cross-sectional area base contact region
US3641403A (en) * 1970-05-25 1972-02-08 Mitsubishi Electric Corp Thyristor with degenerate semiconductive region
US3896477A (en) * 1973-11-07 1975-07-22 Jearld L Hutson Multilayer semiconductor switching devices
JPS512526U (enExample) * 1974-06-24 1976-01-09
US4100561A (en) * 1976-05-24 1978-07-11 Rca Corp. Protective circuit for MOS devices

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5377473A (en) 1978-07-08
US4315271A (en) 1982-02-09
GB1547125A (en) 1979-06-06
FR2374742B1 (enExample) 1980-12-05
FR2374742A1 (fr) 1978-07-13
DE2754412A1 (de) 1978-06-22
CA1091816A (en) 1980-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL181671C (nl) Mat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7901400A (nl) Elektrode en werkwijze voor het vervaardigen hiervan.
NL7614623A (nl) Hartactivator en werkwijze voor het vervaar- digen hiervan.
NL7701119A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de ver- vaardiging daarvan.
NL7610332A (nl) Scheidingsinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7511863A (nl) Elektrisch aansluitelement en werkwijze voor het aansluiten hiervan.
NL7714612A (nl) Hechttampon en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7701452A (nl) Werkwijze voor het bouwen van schachten en volgens deze werkwijze gebouwde schachten.
NL7701367A (nl) Werkwijze en inrichting voor het etsen.
NL7702346A (nl) Glazen plaat en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan.
NL189102C (nl) Transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7712801A (nl) Elastisch kettingbreisel en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7706596A (nl) Werkwijze voor het selectief blokkeren van aminogratpen.
NL7713947A (nl) Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7705775A (nl) Werkwijze voor het afkoelen van gesmolten slak en dergelijke.
NL7806006A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardi- gen ervan.
NL7809699A (nl) Bovenmatras en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7706972A (nl) Werkwijze voor het modificeren van organosilo- xanen.
NL7710712A (nl) Elektrochemische inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7613852A (nl) Bouwelement en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7704630A (nl) Betonnen straatsteen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7700601A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van ritssluitingen.
NL7709192A (nl) Voorwerp en werkwijze voor het verzorgen van was- goed.
NL7700650A (nl) Organopolysiloxan/polycarbodiimidecopolymeren alsmede werkwijze voor het bereiden daarvan.
NL185044B (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed