NL7610970A - Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen. - Google Patents

Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen.

Info

Publication number
NL7610970A
NL7610970A NL7610970A NL7610970A NL7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A NL 7610970 A NL7610970 A NL 7610970A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
flatting
etching
procedure
silicon substrate
silicon
Prior art date
Application number
NL7610970A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7610970A publication Critical patent/NL7610970A/xx

Links

Classifications

    • H10P50/644—
    • H10W15/00—
    • H10W15/01—
NL7610970A 1975-10-06 1976-10-04 Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen. NL7610970A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50119770A JPS5244175A (en) 1975-10-06 1975-10-06 Method of flat etching of silicon substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7610970A true NL7610970A (nl) 1977-04-12

Family

ID=14769758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7610970A NL7610970A (nl) 1975-10-06 1976-10-04 Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen.

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5244175A (OSRAM)
DE (1) DE2644940A1 (OSRAM)
NL (1) NL7610970A (OSRAM)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4187125A (en) * 1976-12-27 1980-02-05 Raytheon Company Method for manufacturing semiconductor structures by anisotropic and isotropic etching
US4362599A (en) * 1977-10-17 1982-12-07 Hitachi, Ltd. Method for making semiconductor device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6272974U (OSRAM) * 1985-10-28 1987-05-11

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58148131U (ja) * 1982-03-30 1983-10-05 住金鋼材工業株式会社 ブラケツト式サポ−ト足場

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4187125A (en) * 1976-12-27 1980-02-05 Raytheon Company Method for manufacturing semiconductor structures by anisotropic and isotropic etching
US4362599A (en) * 1977-10-17 1982-12-07 Hitachi, Ltd. Method for making semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5530294B2 (OSRAM) 1980-08-09
DE2644940A1 (de) 1977-04-28
JPS5244175A (en) 1977-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7610971A (nl) Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen.
NL165002C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting, waarbij oneffenheden van het oppervlak van een substraat worden verwijderd.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL190770C (nl) Inrichting voor het produceren van een siliciumoxidelaag op halfgeleiderplaatjes.
NL166223C (nl) Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een aluminiumsubstraat voor een drukplaat.
NL161788C (nl) Werkwijze voor het bereiden van organische siliciumver- bindingen.
NL7606768A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een chromogeen of fluorescerend substraat.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL178088B (nl) Werkwijze voor het vormen van een hoogglanzende bekleding op een substraat.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7511898A (nl) Substraatdrager voor vacuumbekledingsinstallaties.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7601830A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een siliciumhalfgeleider.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL7609420A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een half-geleiderinrichting.
NL7613496A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van polyvinyli- deenfluoridebekledingen.
NL7600163A (nl) Werkwijze voor het carbonyleren van arylalkylha- logeniden.
NL7700641A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een bekleding voor halfgeleidersubstraten.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL7604434A (nl) Werkwijze voor het bereiden van silicium-tin- -verbindingen alsmede werkwijze voor het berei- den van organopolysiloxanelastomeren.
NL162124B (nl) Werkwijze voor het door etsen selectief verwijderen van een anorganisch oxyde van een substraat.
NL190725C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL179076B (nl) Inrichting voor het monteren van gordijngevels.
NL7610970A (nl) Werkwijze voor het vlakmaken van een silicium- substraat door etsen.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed