NL7605549A - Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal. - Google Patents

Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal.

Info

Publication number
NL7605549A
NL7605549A NL7605549A NL7605549A NL7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
making
narrow opening
narrow
opening
Prior art date
Application number
NL7605549A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Fairchild Camera Instr Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US05/619,735 external-priority patent/US4063992A/en
Application filed by Fairchild Camera Instr Co filed Critical Fairchild Camera Instr Co
Publication of NL7605549A publication Critical patent/NL7605549A/xx

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00Charge transfer devices
    • H10D44/40Charge-coupled devices [CCD]
    • H10D44/45Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes 
    • H10D44/462Buried-channel CCD
    • H10D44/466Three-phase CCD
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00Charge transfer devices
    • H10D44/40Charge-coupled devices [CCD]
    • H10D44/45Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes 
    • H10D44/462Buried-channel CCD
    • H10D44/464Two-phase CCD
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01Manufacture or treatment
    • H10D84/0198Integrating together multiple components covered by H10D44/00, e.g. integrating charge coupled devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01Manufacture or treatment
    • H10D84/02Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
NL7605549A 1975-05-27 1976-05-24 Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal. NL7605549A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US58138975A 1975-05-27 1975-05-27
US05/619,735 US4063992A (en) 1975-05-27 1975-10-06 Edge etch method for producing narrow openings to the surface of materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7605549A true NL7605549A (nl) 1976-11-30

Family

ID=27078310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7605549A NL7605549A (nl) 1975-05-27 1976-05-24 Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS51145274A (enExample)
CA (1) CA1076934A (enExample)
DE (1) DE2622790A1 (enExample)
FR (1) FR2312856A1 (enExample)
GB (1) GB1543845A (enExample)
NL (1) NL7605549A (enExample)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS544570A (en) * 1977-06-13 1979-01-13 Nec Corp Production of semiconductor devices
JPS5533064A (en) * 1978-08-29 1980-03-08 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of manufacturing semiconductor device
FR2454698A1 (fr) * 1979-04-20 1980-11-14 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de circuits integres a l'aide d'un masque multicouche et dispositifs obtenus par ce procede
DE2939488A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterschaltungen, insbesondere ccd-schaltungen, mit selbstjustierten, nicht ueberlappenden poly-silizium-elektroden
DE2939456A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterschaltungen, insbesondere ccd-schaltungen, mit selbstjustierten, nichtueberlappenden poly-silizium-elektroden
US4317690A (en) 1980-06-18 1982-03-02 Signetics Corporation Self-aligned double polysilicon MOS fabrication
US4318759A (en) * 1980-07-21 1982-03-09 Data General Corporation Retro-etch process for integrated circuits
JPS581878A (ja) * 1981-06-26 1983-01-07 Fujitsu Ltd 磁気バブルメモリ素子の製造方法
US5126811A (en) * 1990-01-29 1992-06-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Charge transfer device with electrode structure of high transfer efficiency
RU2112300C1 (ru) * 1995-03-10 1998-05-27 Институт физики полупроводников СО РАН Способ изготовления защитной маски для нанолитографии
US6965165B2 (en) 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7005296A (enExample) * 1969-04-15 1970-10-19
JPS4874178A (enExample) * 1971-12-29 1973-10-05
NL7602917A (nl) * 1975-03-21 1976-09-23 Western Electric Co Werkwijze voor het vervaardigen van een transis- tor.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS51145274A (en) 1976-12-14
CA1076934A (en) 1980-05-06
AU1437576A (en) 1977-12-01
DE2622790A1 (de) 1976-12-09
FR2312856B1 (enExample) 1982-11-05
GB1543845A (en) 1979-04-11
FR2312856A1 (fr) 1976-12-24
JPS5711505B2 (enExample) 1982-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176144B (nl) Gevormd voortbrengsel met een kationogeen karakter alsmede werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL7602717A (nl) Werkwijzen voor het bereiden en toepassen van een biologisch materiaal.
NL7602560A (nl) Werkwijze voor het vormen van een ringvormige groef in een thermoplastische pijp.
NL172169C (nl) Werkwijze voor het brandwerend maken van een materiaal.
NL7608300A (nl) Werkwijze en inrichting voor het op een materiaal opbrengen van een patroon.
NL172788B (nl) Proefstrookmateriaal en werkwijze voor het aantonen of bepalen van een bepaalde component van een monster.
NL7602566A (nl) Werkwijze voor het vormen van een patroon in een laag.
NL7605617A (nl) Kweekblok en een werkwijze voor het vervaardi- gen daarvan.
NL7902338A (nl) Werkwijze voor het vormen van een klep en daarmede gevormde klep.
NL177832C (nl) Werkwijze voor het plakken van textielmaterialen.
NL7604021A (nl) Werkwijze voor het vaststellen van trombose en pretrombose.
NL7601483A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel- toevoegsel en een wasmiddel.
NL7605549A (nl) Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal.
NL7612438A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een houder alsmede inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.
NL7601485A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel- versterker en een wasmiddel.
NL183820C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een vuurvast mengsel en gevormd voorwerp.
NL7605616A (nl) Parallellepipedumvormige verpakkingshouder en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7512888A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een met kunst- stof bekleed cementprodukt.
NL7611408A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een decoratie of versiering op een gevormd voorwerp.
NL7613127A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een titaanlege- ring en daaruit vervaardigde voorwerpen.
NL7614177A (nl) Werkwijze voor het vormen van een tunnel en daar- bij toegepaste tunnelvormmachine.
NL7711011A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een magnetisch materiaal.
NL7513111A (nl) Werkwijze en inrichting voor het doorlopend ver- vaardigen van een schuimstofstreng.
NL7613588A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een gede- caffeiniseerd plantaardig materiaal.
NL183368C (nl) Werkwijze voor het testen van een betonprodukt.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed