NL7605549A - Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal. - Google Patents

Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal.

Info

Publication number
NL7605549A
NL7605549A NL7605549A NL7605549A NL7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A NL 7605549 A NL7605549 A NL 7605549A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
making
narrow opening
narrow
opening
Prior art date
Application number
NL7605549A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Fairchild Camera Instr Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US05/619,735 external-priority patent/US4063992A/en
Application filed by Fairchild Camera Instr Co filed Critical Fairchild Camera Instr Co
Publication of NL7605549A publication Critical patent/NL7605549A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762Charge transfer devices
    • H01L29/765Charge-coupled devices
    • H01L29/768Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833Buried channel CCD
    • H01L29/7685Three-Phase CCD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232Field-effect technology
    • H01L21/8234MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/823406Combination of charge coupled devices, i.e. CCD, or BBD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762Charge transfer devices
    • H01L29/765Charge-coupled devices
    • H01L29/768Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76833Buried channel CCD
    • H01L29/76841Two-Phase CCD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
NL7605549A 1975-05-27 1976-05-24 Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal. NL7605549A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US58138975A 1975-05-27 1975-05-27
US05/619,735 US4063992A (en) 1975-05-27 1975-10-06 Edge etch method for producing narrow openings to the surface of materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7605549A true NL7605549A (nl) 1976-11-30

Family

ID=27078310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7605549A NL7605549A (nl) 1975-05-27 1976-05-24 Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS51145274A (nl)
CA (1) CA1076934A (nl)
DE (1) DE2622790A1 (nl)
FR (1) FR2312856A1 (nl)
GB (1) GB1543845A (nl)
NL (1) NL7605549A (nl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS544570A (en) * 1977-06-13 1979-01-13 Nec Corp Production of semiconductor devices
JPS5533064A (en) * 1978-08-29 1980-03-08 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of manufacturing semiconductor device
FR2454698A1 (fr) * 1979-04-20 1980-11-14 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de circuits integres a l'aide d'un masque multicouche et dispositifs obtenus par ce procede
DE2939456A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterschaltungen, insbesondere ccd-schaltungen, mit selbstjustierten, nichtueberlappenden poly-silizium-elektroden
DE2939488A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von integrierten halbleiterschaltungen, insbesondere ccd-schaltungen, mit selbstjustierten, nicht ueberlappenden poly-silizium-elektroden
US4318759A (en) * 1980-07-21 1982-03-09 Data General Corporation Retro-etch process for integrated circuits
JPS581878A (ja) * 1981-06-26 1983-01-07 Fujitsu Ltd 磁気バブルメモリ素子の製造方法
US5126811A (en) * 1990-01-29 1992-06-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Charge transfer device with electrode structure of high transfer efficiency
US6965165B2 (en) 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7005296A (nl) * 1969-04-15 1970-10-19
JPS4874178A (nl) * 1971-12-29 1973-10-05
FR2305022A1 (fr) * 1975-03-21 1976-10-15 Western Electric Co Procede de fabrication de transistors

Also Published As

Publication number Publication date
FR2312856A1 (fr) 1976-12-24
GB1543845A (en) 1979-04-11
FR2312856B1 (nl) 1982-11-05
CA1076934A (en) 1980-05-06
JPS5711505B2 (nl) 1982-03-04
JPS51145274A (en) 1976-12-14
AU1437576A (en) 1977-12-01
DE2622790A1 (de) 1976-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176144B (nl) Gevormd voortbrengsel met een kationogeen karakter alsmede werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL7602717A (nl) Werkwijzen voor het bereiden en toepassen van een biologisch materiaal.
NL7602560A (nl) Werkwijze voor het vormen van een ringvormige groef in een thermoplastische pijp.
NL172169C (nl) Werkwijze voor het brandwerend maken van een materiaal.
NL7604935A (nl) Plaatmateriaal en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL7612913A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een schijf met integrale schoepen.
NL7608300A (nl) Werkwijze en inrichting voor het op een materiaal opbrengen van een patroon.
NL7602566A (nl) Werkwijze voor het vormen van een patroon in een laag.
NL7605617A (nl) Kweekblok en een werkwijze voor het vervaardi- gen daarvan.
NL7605927A (nl) Inrichting en werkwijze voor het behandelen van een oppervlak.
NL7902338A (nl) Werkwijze voor het vormen van een klep en daarmede gevormde klep.
NL177832C (nl) Werkwijze voor het plakken van textielmaterialen.
NL7604021A (nl) Werkwijze voor het vaststellen van trombose en pretrombose.
NL7601483A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel- toevoegsel en een wasmiddel.
NL7612438A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een houder alsmede inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.
NL7601485A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel- versterker en een wasmiddel.
NL7605549A (nl) Werkwijze voor het maken van een smalle opening in een oppervlak van een materiaal.
NL183820C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een vuurvast mengsel en gevormd voorwerp.
NL7605616A (nl) Parallellepipedumvormige verpakkingshouder en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7613127A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een titaanlege- ring en daaruit vervaardigde voorwerpen.
NL7611408A (nl) Werkwijze en inrichting voor het aanbrengen van een decoratie of versiering op een gevormd voorwerp.
NL7614177A (nl) Werkwijze voor het vormen van een tunnel en daar- bij toegepaste tunnelvormmachine.
NL7711011A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een magnetisch materiaal.
NL7512888A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een met kunst- stof bekleed cementprodukt.
NL7513111A (nl) Werkwijze en inrichting voor het doorlopend ver- vaardigen van een schuimstofstreng.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed