NL7604708A - Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling.Info
- Publication number
- NL7604708A NL7604708A NL7604708A NL7604708A NL7604708A NL 7604708 A NL7604708 A NL 7604708A NL 7604708 A NL7604708 A NL 7604708A NL 7604708 A NL7604708 A NL 7604708A NL 7604708 A NL7604708 A NL 7604708A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- integrated circuit
- integrated
- circuit
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57503375A | 1975-05-05 | 1975-05-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7604708A true NL7604708A (nl) | 1976-11-09 |
Family
ID=24298658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7604708A NL7604708A (nl) | 1975-05-05 | 1976-05-04 | Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS51142982A (nl) |
| DE (1) | DE2615441A1 (nl) |
| FR (1) | FR2310634A1 (nl) |
| NL (1) | NL7604708A (nl) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1089299B (it) * | 1977-01-26 | 1985-06-18 | Mostek Corp | Procedimento per fabbricare un dispositivo semiconduttore |
| JPS55105373A (en) * | 1978-12-04 | 1980-08-12 | Mostek Corp | Metal oxide semiconductor transistor and method of fabricating same |
| JPS55143047A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-08 | Nec Corp | Insulating separation method for semiconductor device |
| JPS5961069A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5976472A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4508757A (en) * | 1982-12-20 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing a minimum bird's beak recessed oxide isolation structure |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190B2 (ja) * | 1972-01-27 | 1983-01-05 | 日本電気株式会社 | ゼツエンゲ−トガタデンカイコウカトランジスタ |
| IT999786B (it) * | 1973-01-15 | 1976-03-10 | Fairchild Camera Instr Co | Procedimento per la fabbricazione di transistori a semiconduttore di ossido metallico e prodotto ottenuto con il procedimento |
| JPS5918872B2 (ja) * | 1973-12-07 | 1984-05-01 | 日本電気株式会社 | 絶縁ゲ−ト型電界効果半導体装置の製法 |
-
1976
- 1976-04-07 JP JP3912876A patent/JPS51142982A/ja active Pending
- 1976-04-09 DE DE19762615441 patent/DE2615441A1/de active Pending
- 1976-05-04 NL NL7604708A patent/NL7604708A/nl unknown
- 1976-05-05 FR FR7613357A patent/FR2310634A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2615441A1 (de) | 1976-11-18 |
| JPS51142982A (en) | 1976-12-08 |
| FR2310634A1 (fr) | 1976-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL7605657A (nl) | Helicopterrotor en werkwijze voor het ver- vaardigen van een constructiedeel hiervan. | |
| NL183244C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elastisch vlies. | |
| NL7610332A (nl) | Scheidingsinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| NL7704937A (nl) | Werkwijze voor het inkapselen van micro-elektro- nische elementen. | |
| NL7614578A (nl) | Werkwijze voor het modificeren van polyvinylideen- fluoride. | |
| NL7613818A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van poreuze tabletten. | |
| NL7612458A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een interconnector. | |
| NL7613440A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL7601881A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van drukvormen. | |
| NL7601048A (nl) | Werkwijze voor het epoxideren van alkenen. | |
| NL7608923A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL7606639A (nl) | Geintegreerde logische schakeling en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke schake- ling. | |
| NL7512593A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode. | |
| NL158026B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
| NL7803107A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gedrukte bedradingen. | |
| NL7613740A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van draadvormige capillairen. | |
| NL7610851A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van geinte- greerde schakelingen. | |
| NL186933C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type. | |
| NL169752C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van briketten. | |
| NL185044C (nl) | Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| NL7604708A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geinte- greerde schakeling. | |
| NL7607126A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van meervoudig getinte tabletten. | |
| NL7604099A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een condensa- tor. | |
| NL7700564A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van glasdraden. | |
| NL7410215A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling. |