NL7603939A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderelement. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderelement.

Info

Publication number
NL7603939A
NL7603939A NL7603939A NL7603939A NL7603939A NL 7603939 A NL7603939 A NL 7603939A NL 7603939 A NL7603939 A NL 7603939A NL 7603939 A NL7603939 A NL 7603939A NL 7603939 A NL7603939 A NL 7603939A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
halfge
manufacturing
leader element
leader
halfge leader
Prior art date
Application number
NL7603939A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Trw Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Trw Inc filed Critical Trw Inc
Publication of NL7603939A publication Critical patent/NL7603939A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/662—Laminate layers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
    • H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
    • H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
    • H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
NL7603939A 1975-04-21 1976-04-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderelement. NL7603939A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/570,036 US4006046A (en) 1975-04-21 1975-04-21 Method for compensating for emitter-push effect in the fabrication of transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7603939A true NL7603939A (nl) 1976-10-25

Family

ID=24277930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7603939A NL7603939A (nl) 1975-04-21 1976-04-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderelement.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4006046A (Direct)
DE (1) DE2617293C3 (Direct)
FR (1) FR2309038A1 (Direct)
GB (1) GB1549453A (Direct)
NL (1) NL7603939A (Direct)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4102715A (en) * 1975-12-19 1978-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for diffusing an impurity into a semiconductor body
JPS53132275A (en) * 1977-04-25 1978-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device and its production
JPS543479A (en) * 1977-06-09 1979-01-11 Toshiba Corp Semiconductor device and its manufacture
US4225874A (en) * 1978-03-09 1980-09-30 Rca Corporation Semiconductor device having integrated diode
US4157269A (en) * 1978-06-06 1979-06-05 International Business Machines Corporation Utilizing polysilicon diffusion sources and special masking techniques
US4868624A (en) * 1980-05-09 1989-09-19 Regents Of The University Of Minnesota Channel collector transistor
US4263066A (en) * 1980-06-09 1981-04-21 Varian Associates, Inc. Process for concurrent formation of base diffusion and p+ profile from single source predeposition
JPS57194572A (en) * 1981-05-27 1982-11-30 Clarion Co Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JPH01123417A (ja) * 1987-11-07 1989-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4978636A (en) * 1989-12-26 1990-12-18 Motorola Inc. Method of making a semiconductor diode
US5126281A (en) * 1990-09-11 1992-06-30 Hewlett-Packard Company Diffusion using a solid state source
US5374566A (en) * 1993-01-27 1994-12-20 National Semiconductor Corporation Method of fabricating a BiCMOS structure
US5541121A (en) * 1995-01-30 1996-07-30 Texas Instruments Incorporated Reduced resistance base contact method for single polysilicon bipolar transistors using extrinsic base diffusion from a diffusion source dielectric layer
JP2002511195A (ja) * 1998-02-09 2002-04-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ バイポーラトランジスタを具える半導体デバイス及び該デバイスの製造方法
TWI501292B (zh) 2012-09-26 2015-09-21 財團法人工業技術研究院 形成圖案化摻雜區的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3575742A (en) * 1964-11-09 1971-04-20 Solitron Devices Method of making a semiconductor device
CH482795A (de) * 1966-09-06 1969-12-15 Ciba Geigy Verfahren zur Herstellung neuer Monoazofarbstoffpigmente
US3615938A (en) * 1969-01-28 1971-10-26 Westinghouse Electric Corp Method for diffusion of acceptor impurities into semiconductors
JPS495668B1 (Direct) * 1970-04-03 1974-02-08
JPS4926747B1 (Direct) * 1970-10-09 1974-07-11
US3719535A (en) * 1970-12-21 1973-03-06 Motorola Inc Hyperfine geometry devices and method for their fabrication
US3808060A (en) * 1972-07-05 1974-04-30 Motorola Inc Method of doping semiconductor substrates
US3839104A (en) * 1972-08-31 1974-10-01 Texas Instruments Inc Fabrication technique for high performance semiconductor devices
US3915767A (en) * 1973-02-05 1975-10-28 Honeywell Inc Rapidly responsive transistor with narrowed base

Also Published As

Publication number Publication date
DE2617293A1 (de) 1976-11-04
GB1549453A (en) 1979-08-08
DE2617293B2 (de) 1978-07-13
FR2309038B1 (Direct) 1982-04-23
FR2309038A1 (fr) 1976-11-19
DE2617293C3 (de) 1979-03-15
US4006046A (en) 1977-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7602308A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een toilet- staaf.
NL7700192A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een zoetsmakend preparaat.
NL7605617A (nl) Kweekblok en een werkwijze voor het vervaardi- gen daarvan.
NL183869C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een semipermeabel membraan.
NL7613487A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een buig- zame lamellaire tussenlaag.
NL7612458A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een interconnector.
NL189220C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7610283A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor.
NL7709989A (nl) Werkwijze voor het vormen van een naald.
NL7713510A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een diafragmawand.
NL161409B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een houder.
NL7714160A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dielec- tricum met perowskietstructuur.
NL186720C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een fotografisch registratiemateriaal.
NL170988C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een magnetische transducent.
NL7613852A (nl) Bouwelement en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7901693A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een heterocyclische verbinding.
NL7704678A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een drager- baan.
NL7614198A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een eenheids- patroonstelsel.
NL7511202A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een smoorspoel.
NL7709411A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting.
NL7614197A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een enkel- voudig patroonstelsel.
NL181447C (nl) Verbindingsstuk voor het vormen van een knooppunt.
NL7604099A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een condensa- tor.
NL7711011A (nl) Werkwijze voor het bereiden van een magnetisch materiaal.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed