NL174304B - Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.

Info

Publication number
NL174304B
NL174304B NL7709870A NL7709870A NL174304B NL 174304 B NL174304 B NL 174304B NL 7709870 A NL7709870 A NL 7709870A NL 7709870 A NL7709870 A NL 7709870A NL 174304 B NL174304 B NL 174304B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
field effect
control electrode
effect transistors
semiconductor circuit
Prior art date
Application number
NL7709870A
Other languages
English (en)
Other versions
NL174304C (nl
NL7709870A (nl
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co filed Critical Sanyo Electric Co
Publication of NL7709870A publication Critical patent/NL7709870A/nl
Publication of NL174304B publication Critical patent/NL174304B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL174304C publication Critical patent/NL174304C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • H01L27/0927—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors comprising a P-well only in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823807—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NL7709870A 1976-09-08 1977-09-08 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld. NL174304C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10860276A JPS5333074A (en) 1976-09-08 1976-09-08 Production of complementary type insulated gate field effect semiconductor device

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7709870A NL7709870A (nl) 1978-03-10
NL174304B true NL174304B (nl) 1983-12-16
NL174304C NL174304C (nl) 1984-05-16

Family

ID=14488949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7709870A NL174304C (nl) 1976-09-08 1977-09-08 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5333074A (nl)
DE (1) DE2740549C2 (nl)
NL (1) NL174304C (nl)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56118372A (en) * 1980-02-22 1981-09-17 Nec Corp Semiconductor device
DE3133841A1 (de) * 1981-08-27 1983-03-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von hochintegrierten komplementaeren mos-feldeffekttransistorschaltungen
US4462151A (en) * 1982-12-03 1984-07-31 International Business Machines Corporation Method of making high density complementary transistors
EP0123384A1 (en) * 1983-02-25 1984-10-31 Western Digital Corporation Complementary insulated gate field effect integrated circuit structure and process for fabricating the structure
DE3314450A1 (de) * 1983-04-21 1984-10-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von hochintegrierten komplementaeren mos-feldeffekttransistorschaltungen
DE3318213A1 (de) * 1983-05-19 1984-11-22 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Verfahren zum herstellen eines integrierten isolierschicht-feldeffekttransistors mit zur gateelektrode selbstausgerichteten kontakten
DE3330851A1 (de) * 1983-08-26 1985-03-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von hochintegrierten komplementaeren mos-feldeffekttransistorschaltungen
DE3340560A1 (de) * 1983-11-09 1985-05-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum gleichzeitigen herstellen von schnellen kurzkanal- und spannungsfesten mos-transistoren in vlsi-schaltungen
JPS6187375A (ja) * 1985-10-18 1986-05-02 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH03101264A (ja) * 1990-05-07 1991-04-26 Nec Corp 相補型電界効果トランジスタの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7017066A (nl) * 1970-11-21 1972-05-24
JPS51147184A (en) * 1975-06-11 1976-12-17 Toshiba Corp Method of mawufacturing of mosic circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
NL174304C (nl) 1984-05-16
NL7709870A (nl) 1978-03-10
JPS5333074A (en) 1978-03-28
DE2740549C2 (de) 1986-02-20
DE2740549A1 (de) 1978-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL182604C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL159534B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistoren.
NL7613464A (nl) Halfgeleiderinrichting, bestand tegen hoge spanningen, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL159815B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een van een geisoleer- de stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor met n-type kanaal.
NL159820B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffect- transistoren met een geisoleerde stuurelektrode.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL173113C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode van polykristallijn silicium.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL141750B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, uit dunne lagen opgebouwde, geintegreerde schakeling, alsmede geintegreerde schakeling verkregen door toepassing van de werkwijze.
NL189327C (nl) Halfgeleiderinrichting met veldeffekt, geisoleerd stuurgebied en geheugenwerking en werkwijze voor de vervaardiging hiervan.
NL7609186A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van uit meer- dere lagen bestaande microbedradingen.
NL190210C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van veldeffecttransistoren met een geisoleerde stuurelektrode en van condensatoren met een dunne dielektrische laag tussen een eerste en een tweede elektrode.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL180264C (nl) Bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL174304C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.
NL180894C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling, omvattende tenminste een statische inductietransistor van het verticale type met een niet-verzadigde stroom-spanningskarakteristiek, die is verbonden met een andere transistor.
NL7701519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elek- trische verbindingsinrichting en elektrische verbindingsinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7713947A (nl) Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL185431C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling, omvattende een halfgeleiderlichaam met ten minste twee basisschakelingen van complementaire veldeffekttransistoren met geisoleerde stuurelektrode.
NL154060B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met elektrische isolatie.
NL186933C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type.
NL7704994A (nl) Elektrische omzetter en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL155399B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffecttransistoren met geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde veldeffecttransistoren.
NL160988B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL164157C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het ladings- gekoppelde type en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderschakeling.

Legal Events

Date Code Title Description
SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: SANYO ELECTRIC CO., LTD.

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee