NL173112C - Halfgeleiderinrichting, omvattende een in een hoofdoppervlak van een halfgeleiderlichaam met een eerste geleidingstype gevormde rij halfgeleiderelementen die bestaan uit ten minste een eerste en een tweede basiscontactgebied met het eerste geleidingstype en met een groter geleidingsvermogen dan het halfgeleiderlichaam en uit een relatief klein emittergebied met het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en die een stroomgestuurde negatieve weerstandskarakteristiek tussen het eerste basiscontactgebiied en het emittergebied vertonen, wanneer een instelvoedingsbron is aangesloten tussen het eerste en het tweede basiscontactgebied en een beeldopneeminrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting, omvattende een in een hoofdoppervlak van een halfgeleiderlichaam met een eerste geleidingstype gevormde rij halfgeleiderelementen die bestaan uit ten minste een eerste en een tweede basiscontactgebied met het eerste geleidingstype en met een groter geleidingsvermogen dan het halfgeleiderlichaam en uit een relatief klein emittergebied met het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en die een stroomgestuurde negatieve weerstandskarakteristiek tussen het eerste basiscontactgebiied en het emittergebied vertonen, wanneer een instelvoedingsbron is aangesloten tussen het eerste en het tweede basiscontactgebied en een beeldopneeminrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL173112C
NL173112C NLAANVRAGE7204667,A NL7204667A NL173112C NL 173112 C NL173112 C NL 173112C NL 7204667 A NL7204667 A NL 7204667A NL 173112 C NL173112 C NL 173112C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor body
conduction type
semiconductor
emitter
guide type
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7204667,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7204667A (xx
NL173112B (nl
Inventor
Toshimasa Suzuki
Yoshihiko Mizushima
Original Assignee
Nippon Telegraph & Telephone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2253371A external-priority patent/JPS5313953B1/ja
Priority claimed from JP46062187A external-priority patent/JPS5219432B2/ja
Priority claimed from JP46062188A external-priority patent/JPS5219433B2/ja
Priority claimed from JP46062186A external-priority patent/JPS4828186A/ja
Priority claimed from JP7157071A external-priority patent/JPS5316675B2/ja
Application filed by Nippon Telegraph & Telephone filed Critical Nippon Telegraph & Telephone
Publication of NL7204667A publication Critical patent/NL7204667A/xx
Publication of NL173112B publication Critical patent/NL173112B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL173112C publication Critical patent/NL173112C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/088—Transistor-transistor logic
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/102—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components
    • H01L27/1028—Double base diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NLAANVRAGE7204667,A 1971-04-10 1972-04-07 Halfgeleiderinrichting, omvattende een in een hoofdoppervlak van een halfgeleiderlichaam met een eerste geleidingstype gevormde rij halfgeleiderelementen die bestaan uit ten minste een eerste en een tweede basiscontactgebied met het eerste geleidingstype en met een groter geleidingsvermogen dan het halfgeleiderlichaam en uit een relatief klein emittergebied met het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en die een stroomgestuurde negatieve weerstandskarakteristiek tussen het eerste basiscontactgebiied en het emittergebied vertonen, wanneer een instelvoedingsbron is aangesloten tussen het eerste en het tweede basiscontactgebied en een beeldopneeminrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. NL173112C (nl)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2253371A JPS5313953B1 (xx) 1971-04-10 1971-04-10
JP46062187A JPS5219432B2 (xx) 1971-08-16 1971-08-16
JP46062188A JPS5219433B2 (xx) 1971-08-16 1971-08-16
JP46062186A JPS4828186A (xx) 1971-08-16 1971-08-16
JP7157071A JPS5316675B2 (xx) 1971-09-14 1971-09-14

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7204667A NL7204667A (xx) 1972-10-12
NL173112B NL173112B (nl) 1983-07-01
NL173112C true NL173112C (nl) 1983-12-01

Family

ID=27520470

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7204667,A NL173112C (nl) 1971-04-10 1972-04-07 Halfgeleiderinrichting, omvattende een in een hoofdoppervlak van een halfgeleiderlichaam met een eerste geleidingstype gevormde rij halfgeleiderelementen die bestaan uit ten minste een eerste en een tweede basiscontactgebied met het eerste geleidingstype en met een groter geleidingsvermogen dan het halfgeleiderlichaam en uit een relatief klein emittergebied met het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en die een stroomgestuurde negatieve weerstandskarakteristiek tussen het eerste basiscontactgebiied en het emittergebied vertonen, wanneer een instelvoedingsbron is aangesloten tussen het eerste en het tweede basiscontactgebied en een beeldopneeminrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL8102416A NL8102416A (nl) 1971-04-10 1981-05-16 Geintegreerde logische inrichting.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8102416A NL8102416A (nl) 1971-04-10 1981-05-16 Geintegreerde logische inrichting.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3811074A (xx)
DE (1) DE2217214C3 (xx)
FR (1) FR2132779B1 (xx)
GB (1) GB1380122A (xx)
NL (2) NL173112C (xx)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3947865A (en) * 1974-10-07 1976-03-30 Signetics Corporation Collector-up semiconductor circuit structure for binary logic
US4831281A (en) * 1984-04-02 1989-05-16 Motorola, Inc. Merged multi-collector transistor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2877358A (en) * 1955-06-20 1959-03-10 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive pulse translator
NL6806967A (xx) * 1968-05-17 1969-11-19
JPS4933432B1 (xx) * 1968-12-20 1974-09-06

Also Published As

Publication number Publication date
US3811074A (en) 1974-05-14
GB1380122A (en) 1975-01-08
DE2217214C3 (de) 1979-01-18
NL8102416A (nl) 1981-09-01
DE2217214A1 (de) 1972-10-26
NL7204667A (xx) 1972-10-12
NL173112B (nl) 1983-07-01
FR2132779A1 (xx) 1972-11-24
DE2217214B2 (de) 1978-05-18
FR2132779B1 (xx) 1977-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7411774A (nl) Werkwijze voor het samenvoegen van vlakke oppervlakken.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
BE782752A (fr) Transistor a micropaves a reflux de soudure et a grande dissipation de chaleur et son procede de connexion
AT263941B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem Druckkontaktübergang
CH489905A (de) Halbleiterbauelement mit mindestens zwei an die Oberfläche tretenden Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps
NL7510327A (nl) Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.
NL173112C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een in een hoofdoppervlak van een halfgeleiderlichaam met een eerste geleidingstype gevormde rij halfgeleiderelementen die bestaan uit ten minste een eerste en een tweede basiscontactgebied met het eerste geleidingstype en met een groter geleidingsvermogen dan het halfgeleiderlichaam en uit een relatief klein emittergebied met het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en die een stroomgestuurde negatieve weerstandskarakteristiek tussen het eerste basiscontactgebiied en het emittergebied vertonen, wanneer een instelvoedingsbron is aangesloten tussen het eerste en het tweede basiscontactgebied en een beeldopneeminrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL158325B (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een veelvoud van geleidende lagen, met een vooraf bepaald patroon van geleiders.
NL168654C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
CH408220A (de) Halbleitervorrichtung mit mindestens einer Sperrschicht und nur einem Leitfähigkeitstypus im gesamten Halbleiterkörper
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL184083C (nl) Halfgeleiderinrichting met een transistor waarvan het basisgebied aansluit aan een weerstandszone met hetzelfde geleidingstype.
CH507593A (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement, das einen mindestens teilweise mit einer Isolierschicht überzogenen Halbleiterkörper aufweist, in dem ein Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode angeordnet ist
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL169123C (nl) Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
GB1287247A (en) Improved semiconductor device with high junction breakdown voltage and method of manufacture
NL170068C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.
NL180466B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
NL7613313A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een basis van een halfgeleiderinrichting, extrusie-inrichting voor toepassing bij de werkwijze en halfgeleider- inrichting vervaardigd onder toepassing van de werkwijze.
CH516871A (it) Procedimento per ottenere dispositivi a semiconduttore con minimi dislivelli in superficie, e dispositivo a semiconduttore ottenuto mediante detto procedimento
FR2257999A1 (en) Integrated cct with low collector resistance transistor - has layer zone in semiconductor substrate both provided with layer zone of opposite conductivity
NL169936C (nl) Halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken oxydepatroon.
NL7316851A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrich- ting, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, met een geleiderpatroon op een dragerlichaam, en inrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL167548B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
ES193616U (es) Componente rectificador semiconductor controlable.

Legal Events

Date Code Title Description
SNR Assignments of patents or rights arising from examined patent applications

Owner name: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

V4 Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent