NL169123C - Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.

Info

Publication number
NL169123C
NL169123C NLAANVRAGE7013741,A NL7013741A NL169123C NL 169123 C NL169123 C NL 169123C NL 7013741 A NL7013741 A NL 7013741A NL 169123 C NL169123 C NL 169123C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
contact area
semiconductor body
ring
heavily doped
semiconductor
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7013741,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7013741A (nl
NL169123B (nl
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of NL7013741A publication Critical patent/NL7013741A/xx
Publication of NL169123B publication Critical patent/NL169123B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL169123C publication Critical patent/NL169123C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
NLAANVRAGE7013741,A 1969-09-24 1970-09-17 Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten. NL169123C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US86050469A 1969-09-24 1969-09-24

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7013741A NL7013741A (nl) 1971-03-26
NL169123B NL169123B (nl) 1982-01-04
NL169123C true NL169123C (nl) 1982-06-01

Family

ID=25333365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7013741,A NL169123C (nl) 1969-09-24 1970-09-17 Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3617828A (nl)
JP (1) JPS4827507B1 (nl)
FR (1) FR2062989B1 (nl)
IE (1) IE34505B1 (nl)
NL (1) NL169123C (nl)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE29395E (en) * 1971-07-30 1977-09-13 Nippon Electric Company, Limited Method of fabricating a double heterostructure injection laser utilizing a stripe-shaped region
US3920491A (en) * 1973-11-08 1975-11-18 Nippon Electric Co Method of fabricating a double heterostructure injection laser utilizing a stripe-shaped region
US3911463A (en) * 1974-01-07 1975-10-07 Gen Electric Planar unijunction transistor
US3999217A (en) * 1975-02-26 1976-12-21 Rca Corporation Semiconductor device having parallel path for current flow
FR2374742A1 (fr) * 1976-12-20 1978-07-13 Radiotechnique Compelec Transistor multicouche pour tensions elevees et son procede de fabrication
JPS5936832B2 (ja) * 1978-03-14 1984-09-06 株式会社日立製作所 半導体スイッチング素子

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3440500A (en) * 1966-09-26 1969-04-22 Itt High frequency field effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
NL7013741A (nl) 1971-03-26
IE34505B1 (en) 1975-05-28
FR2062989B1 (nl) 1974-03-22
NL169123B (nl) 1982-01-04
FR2062989A1 (nl) 1971-07-02
US3617828A (en) 1971-11-02
JPS4827507B1 (nl) 1973-08-23
IE34505L (en) 1971-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL159822B (nl) Halfgeleiderinrichting.
NL158655B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied.
NL152214B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking.
NL170349B (nl) Halfgeleiderinrichting met complementaire velfeffecttransistoren.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL161923C (nl) Halfgeleiderinrichting.
NL140659B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL168677C (nl) Aansluitorgaan.
NL142820B (nl) Inrichting met een bistabiele geheugenbuis van het direct-zichttype, alsmede een geheugenbuis voor toepassing in de inrichting.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL164425C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een koellichaam.
NL154008B (nl) Onderzoekstrook, in het bijzonder voor het aantonen van allergische contacteczemen.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL168654B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL143045B (nl) Contactinrichting.
NL160988C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL169123C (nl) Halfgeleiderinrichting bestaande uit een halfgeleiderlichaam met een zwaar gedoteerd contactgebied, dat door een ringvormig gebied van het halfgeleiderlichaam en het contactgebied tegengestelde geleidingstype wordt omsloten.
BE747256A (fr) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van uit diamantlichaam bestaande warmtegeleiders, alsmede warmtegeleiders verkregen met de werkwijze
NL140657B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL165005C (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL154867B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor.
DK109272C (da) Følekontakt.
NL144828B (nl) Inrichting voor lichaamsverzorging.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee