NL158655B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied.Info
- Publication number
- NL158655B NL158655B NL6917558.A NL6917558A NL158655B NL 158655 B NL158655 B NL 158655B NL 6917558 A NL6917558 A NL 6917558A NL 158655 B NL158655 B NL 158655B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- passiving
- bordered
- equalizing
- procedure
- manufacture
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23Q—IGNITION; EXTINGUISHING-DEVICES
- F23Q9/00—Pilot flame igniters
- F23Q9/02—Pilot flame igniters without interlock with main fuel supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/085—Isolated-integrated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/139—Schottky barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77828568A | 1968-11-22 | 1968-11-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6917558A NL6917558A (nl) | 1970-05-26 |
NL158655B true NL158655B (nl) | 1978-11-15 |
Family
ID=25112833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL6917558.A NL158655B (nl) | 1968-11-22 | 1969-11-21 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3586542A (nl) |
JP (1) | JPS4822020B1 (nl) |
BE (1) | BE742022A (nl) |
CH (1) | CH517381A (nl) |
FR (1) | FR2024916B1 (nl) |
GB (1) | GB1291450A (nl) |
NL (1) | NL158655B (nl) |
SE (1) | SE362733B (nl) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7038290B1 (en) | 1965-09-28 | 2006-05-02 | Li Chou H | Integrated circuit device |
US6979877B1 (en) * | 1965-09-28 | 2005-12-27 | Li Chou H | Solid-state device |
US4916513A (en) * | 1965-09-28 | 1990-04-10 | Li Chou H | Dielectrically isolated integrated circuit structure |
US4946800A (en) * | 1965-09-28 | 1990-08-07 | Li Chou H | Method for making solid-state device utilizing isolation grooves |
US5082793A (en) * | 1965-09-28 | 1992-01-21 | Li Chou H | Method for making solid state device utilizing ion implantation techniques |
US6849918B1 (en) * | 1965-09-28 | 2005-02-01 | Chou H. Li | Miniaturized dielectrically isolated solid state device |
US5696402A (en) * | 1965-09-28 | 1997-12-09 | Li; Chou H. | Integrated circuit device |
GB1311748A (en) * | 1969-06-21 | 1973-03-28 | Licentia Gmbh | Semiconductor device |
US3638300A (en) * | 1970-05-21 | 1972-02-01 | Bell Telephone Labor Inc | Forming impurity regions in semiconductors |
GB1334520A (en) * | 1970-06-12 | 1973-10-17 | Atomic Energy Authority Uk | Formation of electrically insulating layers in semiconducting materials |
US3663308A (en) * | 1970-11-05 | 1972-05-16 | Us Navy | Method of making ion implanted dielectric enclosures |
US3707765A (en) * | 1970-11-19 | 1973-01-02 | Motorola Inc | Method of making isolated semiconductor devices |
US3648125A (en) * | 1971-02-02 | 1972-03-07 | Fairchild Camera Instr Co | Method of fabricating integrated circuits with oxidized isolation and the resulting structure |
FR2129992B1 (nl) * | 1971-03-25 | 1974-06-21 | Lecrosnier Daniel | |
US3897274A (en) * | 1971-06-01 | 1975-07-29 | Texas Instruments Inc | Method of fabricating dielectrically isolated semiconductor structures |
US3711745A (en) * | 1971-10-06 | 1973-01-16 | Microwave Ass Inc | Low barrier height gallium arsenide microwave schottky diodes using gold-germanium alloy |
US3728161A (en) * | 1971-12-28 | 1973-04-17 | Bell Telephone Labor Inc | Integrated circuits with ion implanted chan stops |
US4017887A (en) * | 1972-07-25 | 1977-04-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method and means for passivation and isolation in semiconductor devices |
US3897273A (en) * | 1972-11-06 | 1975-07-29 | Hughes Aircraft Co | Process for forming electrically isolating high resistivity regions in GaAs |
US3921199A (en) * | 1973-07-31 | 1975-11-18 | Texas Instruments Inc | Junction breakdown voltage by means of ion implanted compensation guard ring |
US3968272A (en) * | 1974-01-25 | 1976-07-06 | Microwave Associates, Inc. | Zero-bias Schottky barrier detector diodes |
DE2507366C3 (de) * | 1975-02-20 | 1980-06-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Unterdrückung parasitärer Schaltungselemente |
JPS51126761A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Sony Corp | Schottky barrier type semi-conductor unit |
US4105805A (en) * | 1976-12-29 | 1978-08-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Formation of metal nitride oxide semiconductor (MNOS) by ion implantation of oxygen through a silicon nitride layer |
US4358326A (en) * | 1980-11-03 | 1982-11-09 | International Business Machines Corporation | Epitaxially extended polycrystalline structures utilizing a predeposit of amorphous silicon with subsequent annealing |
US4403397A (en) * | 1981-07-13 | 1983-09-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making avalanche photodiodes |
JPS58111726U (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-30 | 山本 政弘 | 平葺き用銅屋根板 |
USH569H (en) | 1984-09-28 | 1989-01-03 | Motorola Inc. | Charge storage depletion region discharge protection |
US5306649A (en) * | 1991-07-26 | 1994-04-26 | Avantek, Inc. | Method for producing a fully walled emitter-base structure in a bipolar transistor |
US20040144999A1 (en) * | 1995-06-07 | 2004-07-29 | Li Chou H. | Integrated circuit device |
US5859465A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | International Rectifier Corporation | High voltage power schottky with aluminum barrier metal spaced from first diffused ring |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1419572A (fr) * | 1962-03-23 | 1965-12-03 | Texas Instruments Inc | Mise à l'état passif de jonction de semiconducteur |
DD63253A3 (nl) * | 1966-12-05 | 1968-08-05 |
-
1968
- 1968-11-22 US US778285A patent/US3586542A/en not_active Expired - Lifetime
-
1969
- 1969-11-14 SE SE15650/69A patent/SE362733B/xx unknown
- 1969-11-20 FR FR6940016A patent/FR2024916B1/fr not_active Expired
- 1969-11-20 CH CH1732369A patent/CH517381A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-11-21 BE BE742022D patent/BE742022A/xx not_active IP Right Cessation
- 1969-11-21 JP JP44093001A patent/JPS4822020B1/ja active Pending
- 1969-11-21 GB GB56973/69A patent/GB1291450A/en not_active Expired
- 1969-11-21 NL NL6917558.A patent/NL158655B/nl not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1957774A1 (de) | 1970-05-27 |
JPS4822020B1 (nl) | 1973-07-03 |
NL6917558A (nl) | 1970-05-26 |
CH517381A (de) | 1971-12-31 |
SE362733B (nl) | 1973-12-17 |
FR2024916A1 (nl) | 1970-09-04 |
DE1957774B2 (de) | 1972-10-26 |
US3586542A (en) | 1971-06-22 |
GB1291450A (en) | 1972-10-04 |
FR2024916B1 (nl) | 1973-10-19 |
BE742022A (nl) | 1970-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL158655B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied. | |
NL171413C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een orthopedisch middel. | |
NL160512B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een van uitsteeksels voorziene plaat. | |
NL175801C (nl) | Vormlichaam, alsmede werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een dergelijk vormlichaam. | |
NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL156328B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfborgende, van een uitwendige en een inwendige schroefdraad voorziene schroefbus, alsmede schroefbus verkregen met de werkwijze. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL169146C (nl) | Inrichting voor het reduceren van, met een overlangse naad gelaste, buizen door koud trekken. | |
NL171912C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van ijzerfoelie. | |
NL150231B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een diagnostisch middel, alsmede het volgens deze werkwijze verkregen gevormd diagnostisch middel. | |
NL145258B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een blokcopolymeer, dat uit ten minste een blok van een vinylaromatische verbinding en ten minste een polydiorganosiloxaanblok bestaat en voorwerpen, geheel of ten dele bestaande uit de met deze werkwijze verkregen blokcopolymeren. | |
NL149095B (nl) | Inrichting voor het smeden van werkstukken. | |
NL167617C (nl) | Inrichting voor het continu automatisch vervaardigen van wapeningsnetten. | |
NL162432B (nl) | Inrichting voor het stoppen van het afsteekgat van een schachtoven. | |
NL146727B (nl) | Inrichting voor het verminderen van de doorsnede van strengvormig materiaal, zoals gewalst draad. | |
NL148364B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een treksluiting, alsmede treksluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze. | |
NL161919B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL160988C (nl) | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting. | |
NL158849B (nl) | Inrichting voor het waarnemen van de toestand van een hoogoven. | |
NL145857B (nl) | Verbeterde werkwijze voor het epoxyderen van olefinen met hydroperoxyden. | |
NL7515221A (nl) | Inrichting voor het produceren van flensjes. | |
NL174016B (nl) | Inrichting voor het controleren van de hartwerking. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent |
Owner name: WEST ELECTR |