NL167548B - Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriInfo
- Publication number
- NL167548B NL167548B NL7409555.A NL7409555A NL167548B NL 167548 B NL167548 B NL 167548B NL 7409555 A NL7409555 A NL 7409555A NL 167548 B NL167548 B NL 167548B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- type
- borium
- transistor
- semi
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
- H01L21/2652—Through-implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00379408A US3856578A (en) | 1972-03-13 | 1973-07-16 | Bipolar transistors and method of manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7409555A NL7409555A (nl) | 1975-01-20 |
NL167548B true NL167548B (nl) | 1981-07-16 |
Family
ID=23497136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7409555.A NL167548B (nl) | 1973-07-16 | 1974-07-15 | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5050876A (nl) |
BE (1) | BE817664R (nl) |
DE (1) | DE2433839A1 (nl) |
FR (1) | FR2238245B2 (nl) |
GB (1) | GB1472997A (nl) |
NL (1) | NL167548B (nl) |
SE (1) | SE405526B (nl) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3997367A (en) * | 1975-11-20 | 1976-12-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for making transistors |
DE3174397D1 (en) * | 1981-08-08 | 1986-05-22 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Method of producing a monolithic integrated solid-state circuit with at a least one bipolar planar transistor |
JPH07118484B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1995-12-18 | 沖電気工業株式会社 | ショットキーゲート電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1974
- 1974-07-08 SE SE7408945A patent/SE405526B/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-07-15 NL NL7409555.A patent/NL167548B/nl not_active IP Right Cessation
- 1974-07-15 FR FR7424570A patent/FR2238245B2/fr not_active Expired
- 1974-07-15 BE BE146565A patent/BE817664R/xx active
- 1974-07-15 DE DE2433839A patent/DE2433839A1/de not_active Withdrawn
- 1974-07-16 GB GB3134174A patent/GB1472997A/en not_active Expired
- 1974-07-16 JP JP49080825A patent/JPS5050876A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2433839A1 (de) | 1975-02-06 |
SE405526B (sv) | 1978-12-11 |
FR2238245A2 (nl) | 1975-02-14 |
BE817664R (fr) | 1974-11-04 |
FR2238245B2 (nl) | 1978-03-17 |
JPS5050876A (nl) | 1975-05-07 |
GB1472997A (en) | 1977-05-11 |
SE7408945L (sv) | 1975-01-17 |
NL7409555A (nl) | 1975-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL186608C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting. | |
NL161302B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL7503550A (nl) | Halfgeleiderstructuur met bovenliggende collector en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke structuur. | |
NL182604C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL170901B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7504859A (nl) | Geintegreerde logische injectiecelconstructie in een halfgeleider alsmede werkwijze voor het vervaardigen van deze constructie. | |
NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL182108C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een samengestelde contactlaag, die een niet-gelijkrichtend contact vormt met een halfgeleidergebied van een uit de groep halfgeleidende iii-v verbindingen samengesteld halfgeleidermateriaal met n-type geleiding. | |
NL162511C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL158026B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7416779A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL168654C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype. | |
NL161920B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
NL167548B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori | |
NL155131B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL144778B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. | |
NL140363B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
NL7510994A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een mono- lithische complementaire transistor in een p-type substraat met een hoge specifieke weer- stand. | |
NL179248C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met complementaire transistoren. | |
NL180466C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal. | |
NL155987B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL162420B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een geleidend substraat. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |