NL155987B - Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL155987B NL155987B NL7105541.A NL7105541A NL155987B NL 155987 B NL155987 B NL 155987B NL 7105541 A NL7105541 A NL 7105541A NL 155987 B NL155987 B NL 155987B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- photo
- electric semi
- conductor converter
- conductor
- converter
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP45035757A JPS4919957B1 (nl) | 1970-04-24 | 1970-04-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7105541A NL7105541A (nl) | 1971-10-26 |
NL155987B true NL155987B (nl) | 1978-02-15 |
Family
ID=12450694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7105541.A NL155987B (nl) | 1970-04-24 | 1971-04-23 | Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3928865A (nl) |
JP (1) | JPS4919957B1 (nl) |
CA (1) | CA929258A (nl) |
DE (1) | DE2120031A1 (nl) |
FR (1) | FR2086311B1 (nl) |
GB (1) | GB1351617A (nl) |
NL (1) | NL155987B (nl) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4149907A (en) * | 1977-07-07 | 1979-04-17 | Rca Corporation | Method of making camera tube target by modifying Schottky barrier heights |
US4408216A (en) * | 1978-06-02 | 1983-10-04 | International Rectifier Corporation | Schottky device and method of manufacture using palladium and platinum intermetallic alloys and titanium barrier for low reverse leakage over wide temperature range |
US4432008A (en) * | 1980-07-21 | 1984-02-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Gold-doped IC resistor region |
US4490709A (en) * | 1982-12-06 | 1984-12-25 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | InP:Fe Photoconducting device |
US5279678A (en) * | 1992-01-13 | 1994-01-18 | Photon Energy, Inc. | Photovoltaic cell with thin CS layer |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3417248A (en) * | 1962-03-27 | 1968-12-17 | Gen Electric | Tunneling semiconductor device exhibiting storage characteristics |
US3271637A (en) * | 1963-07-22 | 1966-09-06 | Nasa | Gaas solar detector using manganese as a doping agent |
US3390311A (en) * | 1964-09-14 | 1968-06-25 | Gen Electric | Seleno-telluride p-nu junction device utilizing deep trapping states |
US3424910A (en) * | 1965-04-19 | 1969-01-28 | Hughes Aircraft Co | Switching circuit using a two-carrier negative resistance device |
US3461356A (en) * | 1965-08-19 | 1969-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Negative resistance semiconductor device having an intrinsic region |
US3436613A (en) * | 1965-12-29 | 1969-04-01 | Gen Electric | High gain silicon photodetector |
-
1970
- 1970-04-24 JP JP45035757A patent/JPS4919957B1/ja active Pending
-
1971
- 1971-04-21 US US136159A patent/US3928865A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-04-22 GB GB1087271*[A patent/GB1351617A/en not_active Expired
- 1971-04-22 FR FR7114351A patent/FR2086311B1/fr not_active Expired
- 1971-04-23 NL NL7105541.A patent/NL155987B/nl not_active IP Right Cessation
- 1971-04-23 DE DE19712120031 patent/DE2120031A1/de active Pending
- 1971-04-23 CA CA111213A patent/CA929258A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2120031B2 (nl) | 1972-10-26 |
FR2086311B1 (nl) | 1976-04-16 |
JPS4919957B1 (nl) | 1974-05-21 |
CA929258A (en) | 1973-06-26 |
GB1351617A (en) | 1974-05-01 |
FR2086311A1 (nl) | 1971-12-31 |
US3928865A (en) | 1975-12-23 |
NL7105541A (nl) | 1971-10-26 |
DE2120031A1 (de) | 1971-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL152214B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking. | |
NL159735B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een synthetisch vezel- vlies. | |
NL160728C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een scheidingscel. | |
NL7506519A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekt- transistor, en veldeffekttransistor vervaardigd vol- gens deze werkwijze. | |
NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL181696C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL169864C (nl) | Werkwijze voor het katalytisch omzetten van een geconjugeerd dieen. | |
NL7416779A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL161920B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL161919C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat. | |
NL155987B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL7410978A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL173507C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking. | |
NL151202B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vaste stof-beeldomzetter, alsmede vaste stof-beeldomzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL150271B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vastestof-beeldpaneel, en vaste-stof-beeldpaneel, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140201B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een platvouwbare verpakking en verpakking vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL142825B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een siliciumhalfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting, verkregen volgens deze werkwijze. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent |
Owner name: MATSUSH ELEC |